專利名稱：印刷電路板的制造方法及印刷電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用填充導(dǎo)通孔(field via)連接絕緣性樹脂層的表層和底層的 印刷電路板及該印刷電路板的制造方法，特別是涉及一種能夠較佳地應(yīng)用在利用轉(zhuǎn)印法將 導(dǎo)體電路轉(zhuǎn)印到絕緣性樹脂層上的印刷電路板中的印刷電路板和該印刷電路板的制造方法。
背景技術(shù)：
在印刷電路板領(lǐng)域，作為進(jìn)行層間連接的方法，出于對電子設(shè)備小型化的要求，大 多使用導(dǎo)通孔來代替通孔。此外，出于對印刷電路板的細(xì)間距化的要求，在形成導(dǎo)體電路 時(shí)，將形成在轉(zhuǎn)印用基材上的導(dǎo)體電路轉(zhuǎn)印到絕緣性樹脂層上的轉(zhuǎn)印法正被付諸實(shí)用。關(guān) 于采用轉(zhuǎn)印法的印刷電路板的制造方法，例如有專利文獻(xiàn)1、2。在專利文獻(xiàn)1、2中，利用轉(zhuǎn)印法將導(dǎo)體電路埋入在絕緣構(gòu)件中，在規(guī)定的位置形 成導(dǎo)通孔用開口。然后，采用自下而上(bottom up)電鍍法在導(dǎo)通孔用開口中形成填充導(dǎo) 通孑L。專利文獻(xiàn)1 =US 7，297，562B1 公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2005-39233號公報(bào)但是，在電鍍時(shí)，電鍍金屬的析出速度容易不均勻。在自下而上電鍍法中，對導(dǎo)通 孔用開口的底部的導(dǎo)體電路通電，使金屬自該底部析出。當(dāng)所析出的金屬與導(dǎo)通孔用開口 的上部所相鄰的導(dǎo)體電路接觸時(shí)，電流在該導(dǎo)體電路中流動。即，在同時(shí)形成多個(gè)填充導(dǎo)通 孔的情況下，在一部分導(dǎo)通孔用開口處，電鍍金屬的析出速度較快，當(dāng)所析出的金屬與導(dǎo)通 孔用開口的上部所相鄰的導(dǎo)體電路接觸時(shí)，電路開始流向該導(dǎo)體電路。由此，電流主要在與 導(dǎo)通孔用開口的上部相鄰的導(dǎo)體電路中流動，在導(dǎo)通孔用開口的底部的導(dǎo)體電路中流動的 電流減少。這是因?yàn)椋瑢?dǎo)通孔用開口的底部的導(dǎo)體電路的表面積小于與導(dǎo)通孔用開口的上 部相鄰的導(dǎo)體電路的表面積。結(jié)果，很難使電鍍金屬自電鍍金屬的析出速度較慢的導(dǎo)通孔 用開口析出，從而很難使電鍍金屬析出至與導(dǎo)通孔用開口的上部相鄰的導(dǎo)體電路。因此，在 電鍍金屬的析出速度較慢的導(dǎo)通孔用開口處，不能實(shí)現(xiàn)完全的導(dǎo)通，可能發(fā)生連接不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而做成的，目的在于提供一種能夠形成不會發(fā)生連接 不良的填充導(dǎo)通孔的印刷電路板的制造方法及該印刷電路板。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的印刷電路板的制造方法的技術(shù)特征在于，該方法包括下述工序準(zhǔn)備具有第一表面和作為該第一表面的相反面的第二表面的絕緣性樹脂基材；在上述絕緣性樹脂基材的第一表面和上述絕緣性樹脂基材的第二表面埋入導(dǎo)體 電路而形成基板；形成從上述第一表面和第二表面中的一表面到達(dá)被埋入在另一表面中的導(dǎo)體電
4路的導(dǎo)通孔用開口；對上述基板實(shí)施非電解鍍，在上述導(dǎo)通孔用開口的內(nèi)壁形成非電解鍍膜；對上述基板實(shí)施電解鍍，將金屬填充在上述導(dǎo)通孔用開口中而形成填充導(dǎo)通孔。另外，本發(fā)明的印刷電路板的技術(shù)特征在于，該印刷電路板包括絕緣性樹脂基材，其具有第一表面和作為該第一表面的相反面的第二表面；導(dǎo)體電路，其埋入在上述絕緣性樹脂基材的上述第一表面和上述第二表面中；填充導(dǎo)通孔，其由非電解鍍膜和電解鍍膜構(gòu)成，該非電解鍍膜形成在導(dǎo)通孔用開 口的內(nèi)壁上，該導(dǎo)通孔用開口從上述第一表面和第二表面中的一表面到達(dá)被埋入在另一表 面中的導(dǎo)體電路，上述電解鍍膜填充在上述導(dǎo)通孔用開口內(nèi)。在本發(fā)明中，在對基板實(shí)施了非電解鍍而在導(dǎo)通孔用開口的內(nèi)壁形成了非電解鍍 膜之后，對基板實(shí)施電解鍍而將金屬填充在導(dǎo)通孔用開口中，形成填充導(dǎo)通孔。因此，電鍍 金屬不僅自導(dǎo)通孔用開口的底部析出，而且還自導(dǎo)通孔用開口的側(cè)壁的非電解鍍膜析出， 從而能夠利用電解鍍將導(dǎo)通孔用開口完全填充而形成不會發(fā)生連接不良的填充導(dǎo)通孔。


圖1的(A) (E)是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的印刷電路板的制造方法的工序 圖。圖2的(A) (D)是表示第一實(shí)施方式的印刷電路板的制造工序的剖視圖。圖3的(A) (D)是表示第一實(shí)施方式的印刷電路板的制造工序的剖視圖。圖4的(A) (E)是表示第一實(shí)施方式的印刷電路板的制造工序的剖視圖。圖5的(A) (D)是表示第一實(shí)施方式的印刷電路板的制造工序的剖視圖。圖6的㈧ ⑶是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的印刷電路板的制造工序的剖視 圖。圖7的(A)和(B)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的變更例的印刷電路板的制造工序的 剖視圖。
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施方式參照圖1 圖5說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的印刷電路板10的結(jié)構(gòu)。圖5的(C) 表示該印刷電路板10的剖視圖。圖5的⑶表示將圖5的(C)所示的印刷電路板10上下 翻轉(zhuǎn)而在該線路板10上安裝作為電子零件的IC芯片90，并且將印刷電路板10載置在子 板94上后的狀態(tài)。如圖5的(C)所示，在絕緣性樹脂基材56的作為第一表面的上表面和 與作為第一表面的相反面的第二表面的下表面埋入有導(dǎo)體電路42。埋入在絕緣性樹脂基 材56的上表面中的第一導(dǎo)通孔連接盤40和埋入在該基材56的下表面中的第二導(dǎo)通孔連 接盤44由填充導(dǎo)通孔68連接。在該絕緣性樹脂基材56的上表面和下表面上形成有阻焊 層70。在阻焊層70的開口 70a處設(shè)置有焊錫凸塊76U、76D。如圖5的(D)所示，利用焊錫 凸塊76U連接印刷電路板10和IC芯片90的焊盤92，利用焊錫凸塊76D連接該線路板10 和子板94的焊盤96。該印刷電路板10和IC芯片90由樹脂塑封(mold)，該結(jié)構(gòu)未圖示。
參照圖1 圖5說明第一實(shí)施方式的印刷電路板的制造方法。(1)準(zhǔn)備在絕緣性樹脂層30的兩面上依次層疊銅箔32、剝離層33和轉(zhuǎn)印用基材 34而成的轉(zhuǎn)印用層疊體35，該銅箔32作為導(dǎo)體箔(參照圖1的(A))。利用超聲波處理將 各轉(zhuǎn)印用基材34的周緣部焊接在銅箔32上，在超聲波焊接部35a的外側(cè)形成作為對準(zhǔn)標(biāo) 記的基準(zhǔn)孔35b，該基準(zhǔn)孔3 貫穿轉(zhuǎn)印用層疊體35。(2)在轉(zhuǎn)印用層疊體35的兩面的轉(zhuǎn)印用基材34上以上述基準(zhǔn)孔3 作為基準(zhǔn)而 形成具有規(guī)定圖案的抗鍍層38。詳細(xì)而言，在位于轉(zhuǎn)印用層疊體35的兩面上的轉(zhuǎn)印用基材 34上層疊感光性干膜37。然后，在轉(zhuǎn)印用層疊體35的上表面上配置掩模39A并進(jìn)行曝光 (參照圖1的(B))。感光性干膜37和掩模39A彼此分開。掩模39A具有與對準(zhǔn)標(biāo)記46和 具有第一導(dǎo)通孔連接盤40的導(dǎo)體電路42相對應(yīng)的黑色圖案。此外，掩模39A還具有與轉(zhuǎn) 印用層疊體35的基準(zhǔn)孔3 相對應(yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記39c。在配置掩模39A時(shí)，對位基準(zhǔn)孔3 和對準(zhǔn)標(biāo)記39c。在去除了掩模39A后，在轉(zhuǎn)印用層疊體35的下表面上配置掩模39B并進(jìn)行曝光 (參照圖1的(C))。感光性干膜37和掩模39B彼此分開。掩模39B具有黑色圖案，該黑色 圖案與具有第二導(dǎo)通孔連接盤44的導(dǎo)體電路42相對應(yīng)。此外，掩模39B還具有與轉(zhuǎn)印用 層疊體35的基準(zhǔn)孔3 相對應(yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記39c。在配置掩模39B時(shí)，對位基準(zhǔn)孔3 和對 準(zhǔn)標(biāo)記39c。在去除了掩模39B后，進(jìn)行顯影處理，在轉(zhuǎn)印用層疊體35的兩面上形成抗鍍層38。 然后，利用電解鍍將電解鍍膜36形成在各轉(zhuǎn)印用基材34上(參照圖1的(D))。(3)通過去除抗鍍層38，在絕緣性樹脂基材56的上表面用的轉(zhuǎn)印用基材34上形 成對準(zhǔn)標(biāo)記46和具有第一導(dǎo)通孔連接盤40的導(dǎo)體電路42。同時(shí)，在絕緣性樹脂基材56 的下表面用的轉(zhuǎn)印用基材34上形成具有第二導(dǎo)通孔連接盤44的導(dǎo)體電路42 (參照圖1的 (E))。由圓和該圓的中央的點(diǎn)構(gòu)成對準(zhǔn)標(biāo)記46。第一導(dǎo)通孔連接盤40具有開口 40a，第二 導(dǎo)通孔連接盤44形成為板狀。(4)利用保護(hù)層50覆蓋各轉(zhuǎn)印用基材34上的導(dǎo)體電路42的表面(參照圖2的 ㈧)。(5)利用鉆頭52在轉(zhuǎn)印用層疊體35上形成孔(參照圖2的(B))。在轉(zhuǎn)印用層疊 體35的超聲波焊接部35a的內(nèi)側(cè)利用鉆頭52形成孔?？子韶灤└鬓D(zhuǎn)印用基材34的基準(zhǔn) 孔3 和貫穿絕緣性樹脂層30、銅箔32、剝離層33的孔30a構(gòu)成(參照圖2的(C))。(6)通過在超聲波焊接部35a與各轉(zhuǎn)印用基材34的基準(zhǔn)孔3 之間裁切轉(zhuǎn)印用層 疊體35，將轉(zhuǎn)印用基材34自轉(zhuǎn)印用層疊體35剝離(參照圖2的(D))。此時(shí)，利用剝離層 33能夠容易地剝離轉(zhuǎn)印用基材34。(7)自轉(zhuǎn)印用基材34剝離保護(hù)層50(參照圖3的(A))。另外，準(zhǔn)備由預(yù)浸料 (prepreg)構(gòu)成的絕緣性樹脂基材56。將各轉(zhuǎn)印用基材34上下翻轉(zhuǎn)而將各轉(zhuǎn)印用基材34 分別層疊在絕緣性樹脂基材56的上下兩面上。然后，將轉(zhuǎn)印用基材34沖壓于絕緣性樹脂 基材56的上表面和下表面，以將各轉(zhuǎn)印用基材34上的導(dǎo)體電路42埋入到絕緣性樹脂基材 56中，從而形成基板56b (參照圖3的(B))。在層疊轉(zhuǎn)印用基材34之前，在絕緣性樹脂基 材56上預(yù)先在與各轉(zhuǎn)印用基材34的基準(zhǔn)孔3 相對應(yīng)的位置形成基準(zhǔn)孔56a。然后，在層 疊轉(zhuǎn)印用基材34時(shí)，將定位銷M插入到各基準(zhǔn)孔3 和與該基準(zhǔn)孔3 相對應(yīng)的基準(zhǔn)孔56a中，從而將形成在各轉(zhuǎn)印用基材34上的導(dǎo)體電路42對位。在形成了基板56b之后，除 去定位銷M。對基板56b的周緣進(jìn)行修邊(trimming)，去除自基板56b露出的樹脂(未圖 示)°(8)利用軟蝕刻減小各轉(zhuǎn)印用基材34的厚度。在進(jìn)行了軟蝕刻后，利用X射線投 影從外側(cè)確認(rèn)對準(zhǔn)標(biāo)記46的位置，在基板56b上形成孔56c，該孔56c貫穿該標(biāo)記46 (參照 圖3的(C))。然后，對轉(zhuǎn)印用基材34的表面實(shí)施黑化處理。(9)以上述孔56c作為基準(zhǔn)進(jìn)行激光加工，從而在絕緣性樹脂基材56上形成從該 基材56的上表面到達(dá)第二導(dǎo)通孔連接盤44的導(dǎo)通孔用開口 60(參照圖3的(D))。第一導(dǎo) 通孔連接盤40的開口 40a與導(dǎo)通孔用開口 60相對應(yīng)，將該導(dǎo)通孔連接盤40作為掩模而利 用激光加工來形成導(dǎo)通孔用開口 60。(10)在對各轉(zhuǎn)印用基材34的表面實(shí)施了作為非電解鍍用的預(yù)處理的、使該表 面具有鈀核的藥液處理之后，利用非電解鍍在導(dǎo)通孔用開口 60的內(nèi)壁上形成非電解鍍膜 62(參照圖4的(A))。該非電解鍍膜62也形成在各轉(zhuǎn)印用基材34的表面上。(11)在基板56b的上表面上形成抗鍍層64A，該抗鍍層64A具有與導(dǎo)通孔用開口 60相對應(yīng)的開口 64a，在基板56b的下表面上形成抗鍍層64B(參照圖4的(B))?？瑰儗?64A的開口 6 比導(dǎo)通孔用開口 60大。(12)進(jìn)行電解鍍，在導(dǎo)通孔用開口 60內(nèi)形成電解鍍膜66而形成填充導(dǎo)通孔 68 (參照圖4的(C))。此時(shí)，由于抗鍍層64A的開口 64a比導(dǎo)通孔用開口 60大，因此在開 口 6 與導(dǎo)通孔用開口 60之間露出的非電解鍍膜62上也形成電解鍍膜66。因此，在所形 成的填充導(dǎo)通孔68中，形成從通過上述露出的非電解鍍膜62的平面向上方突出的突出部。(13)對填充導(dǎo)通孔68的表面進(jìn)行蝕刻，去除該填充導(dǎo)通孔68的突出部(參照圖 4的⑶)。(14)在去除了抗鍍層64A、64B后，利用軟蝕刻去除各轉(zhuǎn)印用基材34。在具有對準(zhǔn) 標(biāo)記46的區(qū)域的內(nèi)側(cè)，裁切基板56b而形成印刷電路板10(參照圖4的(E))。此時(shí)，填充 導(dǎo)通孔68的表面和絕緣性樹脂基材56的表面實(shí)際位于同一個(gè)平面上。(15)在印刷電路板10的上表面和下表面形成具有規(guī)定的開口 70a的阻焊層 70(參照圖5的(A))。(16)在阻焊層70的開口 70a形成由鍍鎳膜72和鍍金膜74構(gòu)成的耐腐蝕層(參 照圖5的(B))。(17)在阻焊層70的開口 70a處印刷焊錫膏并進(jìn)行回流焊，從而形成焊錫凸塊 76U、76D(參照圖 5 的(O)0(18)在將印刷電路板10上下翻轉(zhuǎn)后，借助焊錫凸塊76U將IC芯片90安裝在印刷 電路板10上，借助焊錫凸塊76D將印刷電路板10安裝在子板94上(參照圖5的(D))。
在第一實(shí)施方式中，對絕緣性樹脂基材56實(shí)施非電解鍍，在導(dǎo)通孔用開口 60的內(nèi) 壁上形成非電解鍍膜62。然后，對絕緣性樹脂基材56實(shí)施電解鍍，將電鍍金屬填充在導(dǎo)通 孔用開口 60中而形成填充導(dǎo)通孔68。S卩，填充導(dǎo)通孔68由形成在導(dǎo)通孔用開口 60的內(nèi)壁 上的非電解鍍膜62和形成在該非電解鍍膜62上的電解鍍膜66構(gòu)成。因此，在進(jìn)行電解鍍 時(shí)，電鍍金屬不僅從導(dǎo)通孔用開口 60的底部析出，而且還從導(dǎo)通孔用開口 60的側(cè)壁的非電 解鍍膜62析出。結(jié)果，能夠利用電解鍍完全地填充導(dǎo)通孔用開口 60，在第二導(dǎo)通孔連接盤
744與第一導(dǎo)通孔連接盤40之間形成不會發(fā)生連接不良的填充導(dǎo)通孔68。在第一實(shí)施方式中，在轉(zhuǎn)印用層疊體35的各轉(zhuǎn)印用基材34上形成導(dǎo)體電路42。 因此，能夠同時(shí)形成絕緣性樹脂基材56的上表面用的導(dǎo)體電路42和下表面用的導(dǎo)體電路 42。結(jié)果，能夠使埋入在絕緣性樹脂基材56的上表面和下表面中的導(dǎo)體電路42彼此形成 為相同的厚度和組成，提高導(dǎo)體電路42的可靠性。此外，通過用絕緣性樹脂層30、銅箔32、剝離層33和轉(zhuǎn)印用基材34構(gòu)成轉(zhuǎn)印用層 疊體35，能夠較厚地形成該層疊體35。因此，僅支承轉(zhuǎn)印用層疊體35的端面，就能輸送該 層疊體35，從而能夠防止例如輸送輥與轉(zhuǎn)印用基材34上的導(dǎo)體電路42接觸，保護(hù)導(dǎo)體電路 42。在第一實(shí)施方式中，將保護(hù)層50層疊在各轉(zhuǎn)印用基材34的導(dǎo)體電路42上。然后， 在進(jìn)行了自轉(zhuǎn)印用層疊體35剝離轉(zhuǎn)印用基材34的工序之后，自各轉(zhuǎn)印用基材34剝離保護(hù) 層50。通過用保護(hù)層50保護(hù)導(dǎo)體電路42，能夠在例如使用鉆頭52在各轉(zhuǎn)印用基材34上 形成基準(zhǔn)孔34a時(shí)，降低使導(dǎo)體電路42帶有劃痕的可能性，提高導(dǎo)體電路42的可靠性。此外，通過用保護(hù)層50支承轉(zhuǎn)印用基材34，能夠在自轉(zhuǎn)印用層疊體35剝離轉(zhuǎn)印 用基材34時(shí)以及在將轉(zhuǎn)印用基材34自轉(zhuǎn)印用層疊體35剝離掉后，防止較薄的轉(zhuǎn)印用基材 34撓曲、卷曲，從而能夠保護(hù)該基材34上的導(dǎo)體電路42。在第一實(shí)施方式中，以轉(zhuǎn)印用層疊體35的基準(zhǔn)孔3 作為基準(zhǔn)形成抗鍍層38。由 此，能夠使形成在各轉(zhuǎn)印用基材34上的導(dǎo)體電路42彼此對位，提高導(dǎo)體電路42的位置精度。此外，在轉(zhuǎn)印用層疊體35的各轉(zhuǎn)印用基材34上形成了導(dǎo)體電路42后，形成貫穿 各轉(zhuǎn)印用基材34的基準(zhǔn)孔34a。然后，通過將定位銷M插入到形成在各轉(zhuǎn)印用基材34上 的基準(zhǔn)孔34a中，能夠使形成在各轉(zhuǎn)印用基材34上的導(dǎo)體電路42對位。在將形成在各轉(zhuǎn) 印用基材34上的導(dǎo)體電路42彼此對位了的狀態(tài)下形成基準(zhǔn)孔34a。因此，能夠提高基準(zhǔn) 孔34a的位置精度。結(jié)果，埋入在絕緣性樹脂基材56的下表面中的導(dǎo)體電路42的相對于 埋入在絕緣性樹脂基材56的上表面中的導(dǎo)體電路42的位置不會偏離，該導(dǎo)體電路42的位 置精度較高。此外，通過形成了貫穿轉(zhuǎn)印用層疊體35的孔，能夠同時(shí)在各轉(zhuǎn)印用基材34上形成 基準(zhǔn)孔34a。因此，能夠提高各基準(zhǔn)孔3 的位置精度，從而進(jìn)一步提高導(dǎo)體電路42的位置 精度。在第一實(shí)施方式中，在轉(zhuǎn)印用基材34上形成對準(zhǔn)標(biāo)記46。因此，能夠以該對準(zhǔn)標(biāo) 記46為基準(zhǔn)形成導(dǎo)通孔用開口 60，提高導(dǎo)通孔用開口 60的位置精度。在第一實(shí)施方式中，在形成非電解鍍膜62的工序之后，在各轉(zhuǎn)印用基材34上形成 電解鍍用的抗鍍層64A、64B。然后，在實(shí)施電解鍍而形成填充導(dǎo)通孔68的工序之后，去除抗 鍍層64A、64B，并且去除轉(zhuǎn)印用基材34。在非電解鍍的前階段對轉(zhuǎn)印用基材34進(jìn)行藥液處 理，從而使鈀核等殘留在各轉(zhuǎn)印用基材34的表面上。但是，由于在電解鍍后去除轉(zhuǎn)印用基 材34，因此鈀核不會殘留在絕緣性樹脂基材56的表面上，而能夠提高印刷電路板10的可靠 性。在第一實(shí)施方式中，在利用電解鍍形成填充導(dǎo)通孔68的工序后且在去除抗鍍層 64A的工序前，對填充導(dǎo)通孔68的表面實(shí)施蝕刻。即，在殘留有抗鍍層64A的狀態(tài)下，對填充導(dǎo)通孔68的表面實(shí)施蝕刻。因此，能夠選擇性地去除填充導(dǎo)通孔68的突出部，提高填充 導(dǎo)通孔68的表面平坦性。在第一實(shí)施方式中，將第一導(dǎo)通孔連接盤40作為掩模而利用激光加工來形成導(dǎo) 通孔用開口 60。因此，能夠提高導(dǎo)通孔用開口 60的位置精度。在第一實(shí)施方式中，在印刷電路板10的埋入有第二導(dǎo)通孔連接盤44的表面上安 裝有IC芯片90。即，印刷電路板10的埋入有第二導(dǎo)通孔連接盤44的表面構(gòu)成IC芯片90 的安裝面。在印刷電路板10上，埋入有第二導(dǎo)通孔連接盤44的表面的平坦性高于埋入有 第一導(dǎo)通孔連接盤40的表面的平坦性。這是因?yàn)椋畛鋵?dǎo)通孔68的表面的中央在蝕刻的 作用下稍微向內(nèi)側(cè)凹陷。由于以平坦性較高的表面構(gòu)成IC芯片90的安裝面，因此安裝有 IC芯片90的印刷電路板10的可靠性能夠得到提高。第二實(shí)施方式參照圖6說明第二實(shí)施方式的印刷電路板的制造方法。對圖6的(A)所示的絕緣性樹脂基材112的表面進(jìn)行激光加工，形成與導(dǎo)體電路 和對準(zhǔn)標(biāo)記相對應(yīng)的凹部114(參照圖6的(B))。然后，將電鍍金屬填充到凹部114中而形 成導(dǎo)體電路42和對準(zhǔn)標(biāo)記46。詳細(xì)而言，在對絕緣性樹脂基材112的表面實(shí)施了使該表面 具有鈀核的藥液處理之后，利用非電解鍍在凹部114的內(nèi)壁形成非電解鍍膜116(參照圖6 的(C))。此時(shí)，在絕緣性樹脂基材112的表面上也形成有非電解鍍膜116。進(jìn)行電解鍍而 在凹部114內(nèi)形成電解鍍膜118，將電鍍金屬填充到凹部114中，形成對準(zhǔn)標(biāo)記46和具有導(dǎo) 通孔連接盤40、44的各導(dǎo)體電路42(參照圖6的(D))。此時(shí)，在絕緣性樹脂基材112的表 面上也形成有電解鍍膜118。之后的工序與上述參照圖3的(C) 圖5說明了的第一實(shí)施 方式相同，因此省略說明。在第二實(shí)施方式中，直接在絕緣性樹脂基材112的表面上形成導(dǎo)體電路42。因此， 能夠省略第一實(shí)施方式中的從轉(zhuǎn)印用層疊體35的準(zhǔn)備工序到將導(dǎo)體電路42轉(zhuǎn)印到絕緣性 樹脂基材56的轉(zhuǎn)印工序的一系列工序(上述工序(1) 工序(7))。本發(fā)明并不限定于上述各實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，也可以如下所述地改變各實(shí)施方式的 結(jié)構(gòu)。在第一實(shí)施方式中，也可以省略設(shè)置絕緣性樹脂層30、銅箔32和剝離層33，以各 轉(zhuǎn)印用基材34彼此獨(dú)立的狀態(tài)在各轉(zhuǎn)印用基材34上分別形成導(dǎo)體電路42。在第二實(shí)施方式中，也可以不利用非電解鍍膜116和電解鍍膜118形成導(dǎo)體電路 42，而是通過在將具有金屬粒子的填充劑填充到凹部114內(nèi)后，使該填充劑固化來形成導(dǎo) 體電路42。另外，也可以只進(jìn)行非電解鍍來形成導(dǎo)體電路42。 在各實(shí)施方式中，在將抗鍍層64A的開口 6 形成為與導(dǎo)通孔用開口 60實(shí)際相同 的大小的情況下，能夠使電解鍍之后的填充導(dǎo)通孔68的表面和基板56b的表面實(shí)際位于同 一平面上。在該情況下，也可以省略對填充導(dǎo)通孔68的表面進(jìn)行蝕刻。在各實(shí)施方式中，例如也可以在非電解鍍之前形成抗鍍層64B(參照圖7的(A))。在各實(shí)施方式中，也可以不上下翻轉(zhuǎn)印刷電路板10地將IC芯片90安裝該線路板 10上(參照圖7的(B))。即，印刷電路板10的埋入有第一導(dǎo)通孔連接盤40的表面也可以 構(gòu)成IC芯片90的安裝面。在各實(shí)施方式中，也可以省略設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記46，代替該標(biāo)記46而以埋入在絕緣性
9樹脂基材56中的導(dǎo)體電路42為基準(zhǔn)來形成導(dǎo)通孔用開口 60。另外，也可以不從基板56b 去除具有對準(zhǔn)標(biāo)記46的區(qū)域。實(shí)施例下面，利用實(shí)施例更加詳細(xì)地說明本發(fā)明，本發(fā)明并不限定于實(shí)施例的范圍。(1)準(zhǔn)備轉(zhuǎn)印用層疊體35(參照圖1的(A))，通過在厚度為0.2 0.8mm的由玻 璃環(huán)氧樹脂或BT (雙馬來酰亞胺三嗪)樹脂構(gòu)成的絕緣性樹脂層30的兩面上依次層疊銅 箔32、剝離層33和轉(zhuǎn)印用基材34，形成該轉(zhuǎn)印用層疊體35。例如，作為轉(zhuǎn)印用層疊體35，準(zhǔn) 備銅箔32的厚度為5 μ m且轉(zhuǎn)印用基材34由厚度為18 μ m的銅箔構(gòu)成的日立化成株式會 社生產(chǎn)的商品名稱為MCL-E679re(R)的層疊體。在該情況下，絕緣性樹脂層30較厚，容易 在之后的工序中形成抗蝕層。利用超聲波處理將各轉(zhuǎn)印用基材34的周緣部焊接于銅箔32。 以變幅桿(horn)的振幅約為12 μ m，變幅桿的頻率f = ^kHz,變幅桿的壓力ρ =大約0 12kgf，變幅桿的移動速度ν =大約lOmm/sec的條件來進(jìn)行超聲波處理(超聲波焊接)，將 銅箔32和轉(zhuǎn)印用基材34以框狀焊接。由此，能夠防止在超聲波焊接部3 的內(nèi)側(cè)，在進(jìn)行 藥液處理工序時(shí)藥液進(jìn)入到銅箔32與轉(zhuǎn)印用基材34之間。在超聲波焊接部3 的外側(cè)形 成作為對準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)孔35b，該基準(zhǔn)孔3 貫穿轉(zhuǎn)印用層疊體35。(2)在將蝕刻液(MEC株式會社生產(chǎn)，商品名稱為CzSlOl)噴涂到轉(zhuǎn)印用基材34的 表面上而對該表面實(shí)施了粗面化處理后，對轉(zhuǎn)印用層疊體35進(jìn)行水洗后進(jìn)行烘干。然后， 在位于轉(zhuǎn)印用層疊體35的兩面的轉(zhuǎn)印用基材34上層疊市面上售賣的感光性干膜37。然 后，在轉(zhuǎn)印用層疊體35的上表面上配置掩模39A并以lOOmJ/cm2的條件進(jìn)行曝光(參照圖 1的(B))。感光性干膜37與掩模39A彼此分開。掩模39A具有與對準(zhǔn)標(biāo)記46和具有第一 導(dǎo)通孔連接盤40的導(dǎo)體電路42相對應(yīng)的黑色圖案。此外，掩模39A還具有與轉(zhuǎn)印用層疊 體35的基準(zhǔn)孔3 相對應(yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記39c。在配置掩模39A時(shí)，對位基準(zhǔn)孔3 和對準(zhǔn)標(biāo) 記39c。例如以在從轉(zhuǎn)印用層疊體35的下表面向基準(zhǔn)孔35b內(nèi)照射光的狀態(tài)下，利用對準(zhǔn) 標(biāo)記39c擋住該光的方式配置掩模39A，從而對位基準(zhǔn)孔35b和對準(zhǔn)標(biāo)記39c。在去除了掩模39A之后，在轉(zhuǎn)印用層疊體35的下表面上配置掩模39B并以IOOmJ/ cm2的條件進(jìn)行曝光(參照圖1的(C))。感光性干膜37與掩模39B彼此分開。掩模39B具 有與具有第二導(dǎo)通孔連接盤44的導(dǎo)體電路42相對應(yīng)的黑色圖案。此外，掩模39B還具有 與轉(zhuǎn)印用層疊體35的基準(zhǔn)孔3 相對應(yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記39c。在配置掩模39B時(shí)，對位基準(zhǔn)孔 35b和對準(zhǔn)標(biāo)記39c。例如以在從轉(zhuǎn)印用層疊體35的上表面向基準(zhǔn)孔35b內(nèi)照射光的狀態(tài) 下，利用對準(zhǔn)標(biāo)記39c擋住該光的方式配置掩模39B，從而對位基準(zhǔn)孔3 和對準(zhǔn)標(biāo)記39c。在去除了掩模39B之后，利用0. 8%的碳酸鈉進(jìn)行顯影處理，形成厚度為25 μ m的 具有規(guī)定圖案的抗鍍層38。然后，以下述條件進(jìn)行電解鍍銅，在各轉(zhuǎn)印用基材34上形成厚 度為18 μ m的電解鍍銅膜36 (參照圖1的(D))。電解鍍銅溶液硫酸2. 24mol/l硫酸銅0. 26mol/l添加劑19. 5ml/l(安美特日本公司生產(chǎn)，力“7ν F GL)電解鍍銅的條件
電流密度lA/dm2時(shí)間70分鐘溫度22 士 2°C(3)通過用50°C的40g/l的NaOH水溶液去除抗鍍層38，在絕緣性樹脂基材56的 上表面用的轉(zhuǎn)印用基材34上形成對準(zhǔn)標(biāo)記46和具有第一導(dǎo)通孔連接盤40的導(dǎo)體電路42。 同時(shí)在絕緣性樹脂基材56的下表面用的轉(zhuǎn)印用基材34上形成具有第二導(dǎo)通孔連接盤44 的導(dǎo)體電路42 (參照圖1的(E))。各導(dǎo)體電路42和對準(zhǔn)標(biāo)記46的厚度均為18 μ m。對準(zhǔn) 標(biāo)記46由圓和該圓的中央的點(diǎn)構(gòu)成。第一導(dǎo)通孔連接盤40具有開口 40a，第二導(dǎo)通孔連接 盤44形成為圓板狀。然后，將蝕刻液(MEC公司生產(chǎn)，商品名稱為CzSlOl)噴涂到導(dǎo)體電路 42和對準(zhǔn)標(biāo)記46上，實(shí)施粗面化處理。 (4)利用由PET等樹脂構(gòu)成的保護(hù)層50覆蓋該轉(zhuǎn)印用基材34上的導(dǎo)體電路42 (參 照圖2的(A))。(5)使用鉆頭52在轉(zhuǎn)印用層疊體35上形成多個(gè)孔(參照圖2的(B))。在轉(zhuǎn)印用 層疊體35的超聲波焊接部35a的內(nèi)側(cè)利用鉆頭52形成孔。上述孔由貫穿各轉(zhuǎn)印用基材 34的基準(zhǔn)孔3 和貫穿絕緣性樹脂層30、銅箔32和剝離層33的孔30a構(gòu)成(參照圖2的 (C))。(6)利用雕刻加工(router processing)在超聲波焊接部3 與各轉(zhuǎn)印用基材34 的基準(zhǔn)孔3 之間裁切轉(zhuǎn)印用層疊體35，自轉(zhuǎn)印用層疊體35剝離轉(zhuǎn)印用基材34 (參照圖2 的⑶)。(7)自轉(zhuǎn)印用基材34剝離保護(hù)層50(參照圖3的(A))。將各轉(zhuǎn)印用基材34上 下翻轉(zhuǎn)，分別層疊在由兩張層疊在一起的預(yù)浸料(日立工業(yè)株式會社生產(chǎn)，商品名稱為 GEA-679FGGSZPE)構(gòu)成的厚度為36 μ m的絕緣性樹脂基材56的上下兩面上。以采用了真空 層壓裝置的真空沖壓，將各轉(zhuǎn)印用基材34真空沖壓于絕緣性樹脂基材56。此時(shí)，向絕緣性 樹脂基材56埋入各轉(zhuǎn)印用基材34的導(dǎo)體電路42而形成基板56b (參照圖3的(B))。在層 疊轉(zhuǎn)印用基材34之前，預(yù)先利用鉆頭在絕緣性樹脂基材56上的與各轉(zhuǎn)印用基材34的基準(zhǔn) 孔34a相對應(yīng)的位置形成基準(zhǔn)孔56a。然后，在層疊轉(zhuǎn)印用基材34時(shí)，將定位銷M插入到 各基準(zhǔn)孔3 和與該基準(zhǔn)孔3 相對應(yīng)的基準(zhǔn)孔56a中，從而對形成在各轉(zhuǎn)印用基材34上 的導(dǎo)體電路42進(jìn)行對位。在形成了基板56b之后，去除定位銷M。對基板56b的周緣進(jìn)行 修邊，去除自基板56b露出的樹脂(未圖示)。(8)利用軟蝕刻使各轉(zhuǎn)印用基材34的厚度減小至5 μ m。在軟蝕刻中，使用的是含 有硫酸和過氧化氫的蝕刻液、或含有過硫酸鈉的蝕刻液。在進(jìn)行了軟蝕刻后，利用X射線的 投影，從外側(cè)確認(rèn)對準(zhǔn)標(biāo)記46的位置，在基板56b上形成孔56c，該孔56c貫穿該標(biāo)記46 (參 照圖3的(C))。對轉(zhuǎn)印用基材34的表面實(shí)施黑化處理，使該表面黑化。(9)以上述孔56c為基準(zhǔn)，利用二氧化碳激光循環(huán)加工在絕緣性樹脂基材56上 形成導(dǎo)通孔用開口 60，該導(dǎo)通孔用開口 60從該基材56的上表面到達(dá)第二導(dǎo)通孔連接盤 44(參照圖3的(D))。詳細(xì)而言，對轉(zhuǎn)印用基材34的表面照射二氧化碳激光，將第一導(dǎo)通 孔連接盤40作為掩模而形成導(dǎo)通孔用開口 60。二氧化碳激光循環(huán)加工的條件是波長為 10.4μπι、脈沖寬度為15μ S，射擊次數(shù)為khots。在形成了導(dǎo)通孔用開口 60之后，將基板 56b浸漬在例如鉻酸、高錳酸、鉀的水溶液中，或者使用&等離子體、CF4等離子體、或&與CF4的混合氣體的等離子體，去除導(dǎo)通孔用開口 60內(nèi)的樹脂殘?jiān)?(10)對各轉(zhuǎn)印用基材34的表面實(shí)施使該表面具有鈀催化劑(安美特公司生產(chǎn)) 的藥液處理。然后，利用非電解鍍在導(dǎo)通孔用開口 60的內(nèi)壁上形成厚度為0.45 μ m的非電 解鍍膜62(參照圖4的(A))。詳細(xì)而言，將基板56b浸漬在由下述組成構(gòu)成的30°C的非電 解鍍銅溶液中，形成非電解鍍銅膜62。此時(shí)，在各轉(zhuǎn)印用基材34的表面上形成非電解鍍銅
膜62。
非電解鍍銅溶液
CuSO4 · 5H2010g/l
HCHO8g/l
NaOH5g/l
酒石酸鉀鈉45g/l
添加劑30ml/l
(11)對形成有非電解鍍銅膜62的基板56b進(jìn)行水洗后使基板56b干燥，之后將市
面上售賣的感光性干膜粘貼在該基板56b的上下兩面上。將掩模配置在干膜上，以210mJ/ cm2的條件進(jìn)行曝光，使用0. 8%的碳酸鈉水溶液進(jìn)行顯影處理。利用該一系列的處理在 基板56b的上表面上形成具有開口 6 的抗鍍層64A，在基板56b的下表面上形成抗鍍層 64B(參照圖4的(B))?？瑰儗?4A的開口 6 大于導(dǎo)通孔用開口 60。(12)以下述條件進(jìn)行電解鍍，在導(dǎo)通孔用開口 60內(nèi)形成電解鍍銅膜66而形成填 充導(dǎo)通孔68(參照圖4的(C))。此時(shí)，在填充導(dǎo)通孔68處形成上述突出部。電解鍍銅溶液硫酸2. 24mol/l硫酸銅0. ^mol/l添加劑19. 5ml/l(安美特日本公司生產(chǎn)，力“，*F GL)電解鍍銅的條件電流密度 0. 55A/dm2時(shí)間156分鐘溫度22 士 2°C(13)以使用了主要成分是氯化銅的蝕刻液的蝕刻處理，去除填充導(dǎo)通孔68的突 出部，使該填充導(dǎo)通孔68的表面平坦化(參照圖4的(D))。(14)在使用50°C的40g/l的NaOH水溶液去除了抗鍍層64A、64B之后，以使用了上 述蝕刻液的軟蝕刻，去除轉(zhuǎn)印用基材34。在具有對準(zhǔn)標(biāo)記46的區(qū)域的內(nèi)側(cè)裁切基板56b， 形成印刷電路板10(參照圖4的(E))。(15)在印刷電路板10的上表面和下表面以20 μ m的厚度涂敷市面上售賣的阻焊 劑組成物70。在對阻焊劑組成物70進(jìn)行了干燥處理后，使描畫有與阻焊層70的開口 70a相 對應(yīng)的圖案的厚度為5mm的光掩模與阻焊層70緊密接觸。然后，利用lOOOmJ/cm2的紫外線 進(jìn)行曝光，使用DMTG溶液進(jìn)行顯影處理，在阻焊層70上形成直徑為200 μ m的開口 70a (參 照圖5的(A))。然后，以80°C加熱一個(gè)小時(shí)、100°C加熱一個(gè)小時(shí)、120°C加熱一個(gè)小時(shí)、150°C加熱三個(gè)小時(shí)的條件分別進(jìn)行加熱處理，使阻焊層70硬化，形成具有開口 70a且厚度為15 25 μ m的阻焊圖案層70。(16)然后，將形成有阻焊層70的印刷電路板10在含有氯化鎳O. 3X I(T1moVl)、 次磷酸鈉O. 8 X I(T1moVl)、檸檬酸鈉(1. 6 X I(T1moVl)的pH = 4. 5的非電解鍍鎳溶液中 浸漬20分鐘，在開口 70a處形成厚度為5 μ m的鍍鎳層72。然后，將印刷電路板10在含有 氰化金鉀(7.6X10_3mOl/l)、氯化銨(1. 9 X lO—mol/l)、檸檬酸鈉(1. 2 X K^mol/l)、次磷酸 鈉(IJXIO-1HI0VI)的非電解鍍金溶液中以80°C的條件浸漬7. 5分鐘，在鍍鎳層72上形 成厚度為0. 03 μ m的鍍金層74 (參照圖5的(B))。除了鎳-金層之外，也可以形成單層的 錫層、貴金屬層(金、銀、鈀、鉬等)。(17)將含有錫一鉛的焊錫膏印刷在與IC芯片90相對應(yīng)的阻焊層70的開口 70a 處，將含有錫-銻的焊錫膏印刷在與子板94相對應(yīng)的阻焊層70的開口 70a處。然后，以 200°C的條件進(jìn)行回流焊，從而形成焊錫凸塊(焊錫體)76U、76D(參照圖5的(C))。(18)在將印刷電路板10上下翻轉(zhuǎn)后，借助焊錫凸塊76U將IC芯片90安裝在印刷 電路板10上，借助焊錫凸塊76D將該線路板10安裝在子板94上(參照圖5的(D))。工業(yè)實(shí)用件在上述實(shí)施方式中，以在絕緣性樹脂基材的兩面埋入有導(dǎo)體電路的印刷電路板為 例說明了本發(fā)明，但本發(fā)明的填充導(dǎo)通孔的形成方法當(dāng)然也能夠應(yīng)用在下述這樣的多層印 刷電路板中，即，在埋入有導(dǎo)體電路的絕緣性樹脂基材的兩面還層疊有絕緣性樹脂基材的 多層印刷電路板。附圖標(biāo)記說明10、印刷電路板；30、絕緣性樹脂層；32、銅箔；34、轉(zhuǎn)印用基材；35、轉(zhuǎn)印用層疊體； 42、導(dǎo)體電路；50、保護(hù)層；56、絕緣性樹脂基材；60、導(dǎo)通孔用開口 ；62、非電解鍍膜；64A、 64B、抗鍍層；66、電解鍍膜；68、填充導(dǎo)通孔。
權(quán)利要求
1.一種印刷電路板的制造方法，其中， 該方法包括下述工序準(zhǔn)備具有第一表面和作為該第一表面的相反面的第二表面的絕緣性樹脂基材； 在上述絕緣性樹脂基材的第一表面和第二表面埋入導(dǎo)體電路而形成基板； 形成從上述第一表面和第二表面中的一表面到達(dá)被埋入在另一表面中的導(dǎo)體電路的 導(dǎo)通孔用開口；對上述基板實(shí)施非電解鍍，在上述導(dǎo)通孔用開口的內(nèi)壁形成非電解鍍膜； 對上述基板實(shí)施電解鍍，將金屬填充在上述導(dǎo)通孔用開口中而形成填充導(dǎo)通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中， 形成上述基板的工序包括下述工序準(zhǔn)備具有絕緣性樹脂層和轉(zhuǎn)印用基材的轉(zhuǎn)印用層疊體，該轉(zhuǎn)印用基材隔著導(dǎo)體箔和剝 離層層疊在該絕緣性樹脂層的兩面上；在上述轉(zhuǎn)印用層疊體的各轉(zhuǎn)印用基材上形成導(dǎo)體電路； 自上述轉(zhuǎn)印用層疊體剝離各轉(zhuǎn)印用基材；將各轉(zhuǎn)印用基材沖壓到上述絕緣性樹脂基材的第一表面和第二表面上，以將上述轉(zhuǎn)印 用基材上的上述導(dǎo)體電路埋入上述絕緣性樹脂基材。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中， 形成上述基板的工序還包括下述工序進(jìn)行了在上述轉(zhuǎn)印用層疊體的各轉(zhuǎn)印用基材上形成導(dǎo)體電路的工序之后，在各轉(zhuǎn)印用 基材上的導(dǎo)體電路上層疊保護(hù)層；在進(jìn)行了自上述轉(zhuǎn)印用層疊體剝離各轉(zhuǎn)印用基材的工序之后，自各轉(zhuǎn)印用基材剝離上 述保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中， 形成上述基板的工序還包括下述工序進(jìn)行了在上述轉(zhuǎn)印用層疊體的各轉(zhuǎn)印用基材上形成導(dǎo)體電路的工序之后，形成基準(zhǔn) 孔，該基準(zhǔn)孔貫穿上述各轉(zhuǎn)印用基材；在將上述各轉(zhuǎn)印用基材沖壓于上述絕緣性樹脂基材的工序中，將銷插入到形成在上述 各轉(zhuǎn)印用基材上的上述基準(zhǔn)孔中，從而將形成在各轉(zhuǎn)印用基材上的導(dǎo)體電路對位。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成上述基準(zhǔn)孔的工序具有下述工序，即，通過形成貫穿上述轉(zhuǎn)印用層疊體的孔，而在 各轉(zhuǎn)印用基材上同時(shí)形成基準(zhǔn)孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在轉(zhuǎn)印用基材上形成導(dǎo)通孔用開口形成用的對準(zhǔn)標(biāo)記。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在上述轉(zhuǎn)印用層疊體的各轉(zhuǎn)印用基材上形成導(dǎo)體電路的工序包括下述工序 在上述轉(zhuǎn)印用層疊體上形成對準(zhǔn)標(biāo)記；以上述對準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，在各轉(zhuǎn)印用基材上形成電解鍍用的抗鍍層； 對上述各轉(zhuǎn)印用基材實(shí)施電解鍍而形成導(dǎo)體電路； 去除上述抗鍍層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中， 該方法還包括下述工序在形成上述非電解鍍膜的工序之前，進(jìn)行非電解鍍用的預(yù)先處理；在形成上述非電解鍍膜的工序之后，在上述轉(zhuǎn)印用基材上形成上述電解鍍用的抗鍍層；在形成上述填充導(dǎo)通孔的工序之后，去除上述抗鍍層； 去除上述轉(zhuǎn)印用基材。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中， 該方法還包括下述工序在形成上述填充導(dǎo)通孔的工序后且在去除上述抗鍍層的工序前，對上述填充導(dǎo)通孔的 表面實(shí)施蝕刻處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成上述基板的工序包括下述工序，即，將具有與上述導(dǎo)通孔用開口相對應(yīng)的開口的 導(dǎo)體電路埋入在絕緣性樹脂基材中；形成上述導(dǎo)通孔用開口的工序包括下述工序，即，將具有上述開口的導(dǎo)體電路作為掩 模，利用激光加工形成導(dǎo)通孔用開口。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，上述填充導(dǎo)通孔由形成在導(dǎo)通孔用開口的內(nèi)壁上的非電解鍍膜和形成在該非電解鍍 膜上的電解鍍膜構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中， 形成上述基板的工序包括下述工序在上述絕緣性樹脂基材的第一表面和第二表面形成與上述導(dǎo)體電路相對應(yīng)的凹部； 對上述絕緣性樹脂基材實(shí)施非電解鍍，在上述凹部的內(nèi)壁形成非電解鍍膜； 對上述絕緣性樹脂基材實(shí)施電解鍍，將金屬填充到上述凹部中而形成導(dǎo)體電路。
13.—種印刷電路板，其中， 該印刷電路板包括絕緣性樹脂基材，其具有第一表面和作為該第一表面的相反面的第二表面； 導(dǎo)體電路，其埋入在上述絕緣性樹脂基材的上述第一表面和上述第二表面中； 填充導(dǎo)通孔，其由非電解鍍膜和電解鍍膜構(gòu)成，該非電解鍍膜形成在導(dǎo)通孔用開口的 內(nèi)壁上，該導(dǎo)通孔用開口從上述第一表面和第二表面中的一表面到達(dá)被埋入在另一表面中 的導(dǎo)體電路，上述電解鍍膜填充在上述導(dǎo)通孔用開口內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的印刷電路板，其中，上述填充導(dǎo)通孔由形成在導(dǎo)通孔用開口的內(nèi)壁上的非電解鍍膜和形成在該非電解鍍 膜上的電解鍍膜構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的印刷電路板，其中，上述導(dǎo)通孔用開口形成為從第一表面通向被埋入在第二表面中的導(dǎo)體電路，第二表面 構(gòu)成電子零件的安裝面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠形成不會發(fā)生連接不良的填充導(dǎo)通孔的印刷電路板的制造方法和該印刷電路板。在導(dǎo)通孔用開口(60)的內(nèi)壁形成了非電解鍍膜(62)之后，對絕緣性樹脂基材(56)實(shí)施電解鍍，將電鍍金屬填充到導(dǎo)通孔用開口(60)內(nèi)而形成填充導(dǎo)通孔(68)。因此，在進(jìn)行電解鍍時(shí)，電鍍金屬不僅自導(dǎo)通孔用開口(60)的底部析出，而且還自導(dǎo)通孔用開口(60)的側(cè)壁的非電解鍍膜(62)析出。結(jié)果，能夠利用電解鍍完全地填充導(dǎo)通孔用開口(62)，形成不會發(fā)生連接不良的填充導(dǎo)通孔(68)。
文檔編號H05K3/18GK102124826SQ20098013172
公開日2011年7月13日 申請日期2009年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月30日
發(fā)明者古澤剛士, 古谷俊樹 申請人:揖斐電株式會社