專利名稱：一種新型的多晶硅熔煉爐的制作方法
技術領域：
本發(fā)明新型涉及一種新型多晶硅熔煉爐，屬于物理冶金法提純多晶硅相關設備技 術領域。
背景技術：
物理冶金法提純多晶硅是指采用對冶金級的硅進行造渣、精煉、酸洗(濕法冶 金)、定向凝固等方式，將雜質(zhì)去除，而提純得到太陽能級多晶硅的方法，俗稱物理法?；谖锢硪苯鸱ㄌ峒兊脑硌兄频亩嗑Ч枰睙挔t一般需要在真空或封閉的條件 下工作，因此外圍是耐壓殼體。通常使用金屬焊接來制造耐壓外殼。由于熔煉硅通常使用 感應加熱，因此為了避免殼體受到感應，殼體要相應的加大，同時還可能要使用水冷來達到 降低殼體溫度的目的。本發(fā)明的目的在于研制出一種新型多晶硅熔煉爐，使用了石英管作為殼體密封， 極大的降低了系統(tǒng)的制造難度與費用，并使系統(tǒng)簡單可用。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案一種新型多晶硅熔煉爐，包括水冷頂蓋、水冷底蓋、石英管、下降機構(gòu)、感應加熱 器、坩堝、保溫設備。其特征在于水冷頂蓋、水冷底蓋與石英管共同構(gòu)成密封殼體。使用圓 柱形石英管做為殼體密封，要求石英管純度高于90%，使用溫度不低于1200度，透明度高。 石英管可更換為其它非感應材料，如剛玉管等。坩堝、保溫設備位于密封殼體中。整個密封 系統(tǒng)位于下降機構(gòu)的底座上，相對感應加熱器進行上升與下降。其特征在于使用石英管做 為殼體密封，使爐體內(nèi)情況可以觀察到，同時也降低爐體制造時間與成本。


附圖為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明簡單實用，使用尤為方便。首先將硅粉或硅塊放入坩堝中，并在底座上安裝 好保溫裝置。將坩堝放入保溫裝置中。將石英管放在水冷底蓋上，蓋上頂蓋，熔煉爐即可使 用。打開水冷系統(tǒng)，開啟真空設備。待爐內(nèi)氣壓下降至IOOpa以下，開啟感應加熱器。 將原料加熱到熔化后，關閉真空系統(tǒng)，此時通入保護氣體，將頂蓋打開，進行添加硅粉，并進 行冶造渣、除渣等工藝。冶煉過程結(jié)束后，關閉頂蓋并進行抽真空。待體系穩(wěn)定后調(diào)整加熱 功率，開啟下降系統(tǒng)，完成鑄造多晶硅的過程。
權(quán)利要求
1.一種新型多晶硅熔煉爐，包括水冷頂蓋、水冷底蓋、石英管、下降機構(gòu)、感應加熱器、 坩堝、保溫設備，其特征在于水冷頂蓋、水冷底蓋與石英管共同構(gòu)成密封殼體。
2.如權(quán)利要求1所述的新型多晶硅熔煉爐，其特征在于使用圓柱形石英管做為殼體 密封，要求石英管純度高于90%，使用溫度不低于1200度，透明度高。
3.如權(quán)利要求1所述的新型多晶硅熔煉爐，其特征在于石英管可更換為其它非感應 材料，如剛玉管等。
4.如權(quán)利要求1所述的新型多晶硅熔煉爐，其特征在于坩堝、保溫設備位于密封殼體中。
5.如權(quán)利要求1所述的新型多晶硅熔煉爐，其特征在于整個密封系統(tǒng)位于下降機構(gòu) 的底座上，相對感應加熱器進行上升與下降。
全文摘要
一種新型的多晶硅熔煉爐，使用了石英管作為殼體密封，極大的降低了系統(tǒng)的制造難度與費用，并使系統(tǒng)簡單可用。該爐包括水冷頂蓋、水冷底蓋、石英管、下降機構(gòu)、感應加熱器、坩堝、保溫設備。使用石英管做為殼體密封，使爐體內(nèi)情況可以觀察到，同時也降低爐體制造時間與成本。
文檔編號C30B35/00GK102140686SQ20101917200
公開日2011年8月3日 申請日期2010年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月3日
發(fā)明者呂佩文, 林鐘潮, 柯永燦, 董建平, 陳倫泰, 黃豐, 黃順樂 申請人:中國科學院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所