專利名稱：蒸鍍頭及成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明 涉及例如在有機(jī)EL元件的制造中蒸鍍有機(jī)膜所使用的蒸鍍頭及具有該蒸鍍頭的蒸鍍處理裝置。
背景技術(shù)：
近年，開發(fā)了利用電致發(fā)光(EL =Electro Luminnescence 電致發(fā)光)的有機(jī)EL 元件。有機(jī)EL元件與晶體管等相比具有消耗功率小的優(yōu)點(diǎn)，而且，由于是自發(fā)光，所以還具有與液晶顯示器(LCD)等相比視野角廣等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)期待有機(jī)EL元件有進(jìn)一步的發(fā)展。該有機(jī)EL元件的最基本的構(gòu)造是在玻璃基板上將陽極(anode)層、發(fā)光層以及陰極(cathode)層重疊形成的三明治構(gòu)造。為了使發(fā)光層的光向外界射出，使用由 ITOdndium Tin Oxide 氧化銦錫)構(gòu)成的透明電極作為玻璃基板上的陽極層。該有機(jī)EL 元件一般是通過在其表面預(yù)先形成有ITO層(陽極層)的玻璃基板上，依次形成發(fā)光層和陰極層后，進(jìn)一步再形成密封膜層制造而成的。上述的有機(jī)EL元件的制造通常是通過具備形成發(fā)光層、陰極層、密封膜層等膜的各種成膜處理裝置和蝕刻裝置等處理系統(tǒng)進(jìn)行的。例如，作為形成上述發(fā)光層的方法，一般地，公知有從材料氣體供給源向蒸鍍頭供給材料氣體，并使材料氣體從蒸鍍頭朝玻璃基板噴射并使其蒸鍍的方法。因此，在專利文獻(xiàn)1中，公開了圖2所示的、分散配置了多個(gè)貫通孔40的1片分散板41設(shè)置在內(nèi)部的蒸鍍頭20、和圖3所示的、從材料投入口 43連通的氣體流路分支，并且在內(nèi)部構(gòu)成有多個(gè)分支流路44的蒸鍍頭20。專利文獻(xiàn)1 日本特開2004-79904號(hào)公報(bào)。但是，在利用了如圖2所示的、使用了分散板的蒸鍍頭進(jìn)行有機(jī)膜的成膜的情況下，通過分散板的貫通孔的材料的量根據(jù)蒸鍍頭內(nèi)距離進(jìn)行材料氣體的供給的供給口的距離而不同。此外，由于沒有考慮材料氣體的均熱性，所以材料氣體的溫度因距離供給口的距離的不同產(chǎn)生偏差，從而存在在基板上不能形成充分均勻的膜的問題。此外，使用了如圖3所示的、內(nèi)部構(gòu)成有分支流路的蒸鍍頭所進(jìn)行的有機(jī)膜的成膜是將20英寸左右的小型顯示器所對(duì)應(yīng)的小型基板作為對(duì)象，但是在對(duì)近年生產(chǎn)所要求的例如以以往4. 6倍大小的大型顯示器等所使用的大型基板的成膜時(shí)，蒸鍍頭也相應(yīng)地需要大型的蒸鍍頭。在大型的蒸鍍頭中，若要在內(nèi)部設(shè)置分支流路，則存在流路的分支數(shù)非常多，蒸鍍頭的制作期間長，并且制作成本增大的問題。并且，若分支流路的分支數(shù)變多，則在通過流路內(nèi)的材料氣體的溫度分布產(chǎn)生大的偏差，從而存在低溫的材料氣體從流路內(nèi)析出等的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種不僅對(duì)以往的小型基板，而且還對(duì)大型基板也能夠使各個(gè)部的流出量被均等化，并且噴出確保均熱性的材料氣體，可以形成均勻的薄膜的蒸鍍頭以及具有該蒸鍍 頭的蒸鍍處理裝置。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種蒸鍍頭，其被設(shè)置在對(duì)基板形成薄膜的蒸鍍處理裝置內(nèi)， 向基板噴射材料氣體，該蒸鍍頭具備外側(cè)殼體、和被配置在所述外側(cè)殼體內(nèi)并導(dǎo)入材料氣體的內(nèi)側(cè)殼體，在所述內(nèi)側(cè)殼體中形成有使材料氣體向基板噴射的開口部，在所述外側(cè)殼體的外面或者所述外側(cè)殼體與所述內(nèi)側(cè)殼體之間配置有對(duì)材料氣體進(jìn)行加熱的加熱器。此外，所述加熱器也可以被固定在板部件上，該板部件被配置在所述外側(cè)殼體與所述內(nèi)側(cè)殼體之間，所述加熱器還可以在所述外側(cè)殼體或者所述內(nèi)側(cè)殼體的側(cè)面沿周邊部配置。此外，所述加熱器可以例如為鎧裝加熱器(sheathed heater)或者筒式加熱器 (cartridge heater) 0此外，也可以在所述外側(cè)殼體和所述內(nèi)側(cè)殼體中至少一方形成使所述外側(cè)殼體內(nèi)面與所述內(nèi)側(cè)殼體外面局部地接觸的間隔部件。并且，可以在所述外側(cè)殼體與所述內(nèi)側(cè)殼體之間形成密閉空間，所述加熱器被設(shè)置在所述密閉空間內(nèi)，在所述密閉空間中密封有揮發(fā)性液體。此外，所述外側(cè)殼體的熱傳導(dǎo)與所述內(nèi)側(cè)殼體的熱傳導(dǎo)相同或者比所述內(nèi)側(cè)殼體的熱傳導(dǎo)高。對(duì)于該蒸鍍頭由于外側(cè)殼體的熱傳導(dǎo)高，因此加熱器的熱量迅速地向外側(cè)殼體整體傳導(dǎo)，外側(cè)殼體整體被均勻地加熱。并且，經(jīng)由使外側(cè)殼體內(nèi)面與內(nèi)側(cè)殼體外面局部地接觸的間隔部件，熱量從外側(cè)殼體向內(nèi)側(cè)殼體傳導(dǎo)，內(nèi)側(cè)殼體被加熱。該情況下，使外側(cè)殼體內(nèi)面與內(nèi)側(cè)殼體外面接觸的間隔部件在外側(cè)殼體或者內(nèi)側(cè)殼體的整體中分布而形成， 因此熱量被均勻地傳導(dǎo)至內(nèi)側(cè)殼體整體，內(nèi)側(cè)殼體整體被均勻地加熱。由此，導(dǎo)入到內(nèi)側(cè)殼體內(nèi)的材料氣體以同樣的條件被加熱，內(nèi)側(cè)殼體內(nèi)的材料氣體的溫度相等。這樣，成為均等溫度的材料氣體從開口部朝向基板噴出，均勻地形成膜。此外，所述間隔部件被形成在所述外側(cè)殼體以及所述內(nèi)側(cè)殼體的一方或者兩方， 被形成在所述外側(cè)殼體的所述間隔部件與被形成在所述內(nèi)側(cè)殼體的所述間隔部件可以由不同的部件構(gòu)成。此外，所述間隔部件是通過沖壓成形而形成的多個(gè)突起部或者是充填材料。所述沖壓成形例如為壓花加工或者焊接加工。此外，所述外側(cè)殼體的材質(zhì)例如為不銹鋼或者銅，所述內(nèi)側(cè)殼體的材質(zhì)例如為不銹鋼。此外，優(yōu)選所述內(nèi)側(cè)殼體的至少一部分的板厚為3mm以下。此外，也可以在所述內(nèi)側(cè)殼體的內(nèi)部具有氣體分散板。該情況下，所述氣體分散板例如為網(wǎng)狀的隔板或者帶孔金屬。此外，也可以在所述內(nèi)側(cè)殼體以及所述外側(cè)殼體的一方或者兩方形成熱傳導(dǎo)性被覆膜，所述熱傳導(dǎo)性被覆膜至少被形成在所述內(nèi)側(cè)殼體的外面。并且，在所述開口部設(shè)置有使材料氣體均勻地噴射的噴射板。這里，可以對(duì)所述噴射板設(shè)置有噴射材料氣體的縫隙，此夕卜，還可以設(shè)置用于噴射材料氣體的噴射孔。另外，優(yōu)選所述噴射板為不銹鋼板、不銹鋼塊、 銅板或者銅塊。此外，根據(jù)本發(fā)明另一方式的蒸鍍處理裝置，其對(duì)基板形成有機(jī)薄膜，該蒸鍍處理裝置具有蒸鍍頭，該蒸鍍頭具有收納基板的處理容器和在所述處理容器的內(nèi)部使材料氣體向基板噴射的開口部。這里，所述蒸鍍處理裝置也可以具有載氣供給部，該載氣供給部供給用于輸送材料氣體例如惰性氣體等的載氣，所述處理容器的內(nèi)部也可以被減壓。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種不僅對(duì)以往的小型基板而且對(duì)大型基板，也能夠使各個(gè)部的流出量均等化，并且噴出確保了均熱性的材料氣體，可以均勻地形成薄膜的蒸鍍頭以及具有該蒸鍍頭的蒸鍍處理裝置。


圖1是利用蒸鍍進(jìn)行成膜的成膜裝置1的概略圖。圖2是將分 散配置有多個(gè)貫通孔40的1片分散板41設(shè)置在內(nèi)部的蒸鍍頭20的說明圖。圖3是從材料氣體投入口 43分支連通的氣體流路，并在內(nèi)部構(gòu)成有多個(gè)分支流路 44的蒸鍍頭20的說明圖。圖4是有機(jī)EL元件A的制造工序的說明圖。圖5是蒸鍍處理裝置60的概略說明圖。圖6(a)是從斜下方觀察蒸鍍頭66的立體圖。圖6 (b)是蒸鍍頭66的仰視圖。圖7是外側(cè)殼體70的立體圖。圖8是內(nèi)側(cè)殼體71的立體圖。圖9是對(duì)加熱器77的設(shè)置進(jìn)行說明的說明圖。圖10是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的加熱器77的設(shè)置的一個(gè)例子的蒸鍍頭 66a的概略截面圖。圖11是表示加熱器77的設(shè)置形狀的一個(gè)例子的蒸鍍頭66的側(cè)面圖。圖12是表示本發(fā)明的第2其他實(shí)施方式中的加熱器77的設(shè)置的一個(gè)例子的蒸鍍頭66b的概略截面圖。圖13(a)是被安裝了設(shè)有縫隙96的噴射板95a的蒸鍍頭66的概略圖。圖13(b) 是被安裝了設(shè)有噴射孔97的噴射板95a的蒸鍍頭66的概略圖。圖14(a)是形成有密閉空間100的蒸鍍頭66的概略主視圖。圖14(b)是表示形成有密閉空間100的蒸鍍頭66的概略側(cè)面圖。圖15是表示實(shí)施例的結(jié)果的圖。圖16是表示實(shí)施例2的結(jié)果的曲線圖。符號(hào)說明1…成膜裝置；10…處理室；11…基板保持室；12、54…保持臺(tái)；13…真空泵；14··· 排氣口 ；20、66、66a、66b…蒸鍍頭；30…材料供給器；40…貫通孔；41…分散板；43…材料氣體投入口 ；44···分支流路；50···陽極層；51…發(fā)光層；52···陰極層；53···密封膜層；60…蒸鍍處理裝置；61…處理容器；62…閘閥；63…排氣管線；65…導(dǎo)軌；67…材料供給源；68··· 材料供給管；70…外側(cè)殼體(第1殼體)；71…內(nèi)側(cè)殼體(第2殼體)；72、73…開口面；77、 78···加熱器；80···槽；81…加熱模塊；82…材料氣體流入口 ；83···隔板；85···突起部；90··· 板部件；95…噴射板；96…縫隙；97…噴射孔；100…密閉空間；G…基板；L···液體。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在本說明書以及附圖中，對(duì)具有實(shí)質(zhì)上相同的功能構(gòu)成的構(gòu)成要素，賦予相同符號(hào)并省略重復(fù)說明。圖1是利用蒸鍍進(jìn)行成膜的成膜裝置1的概略圖。如圖1所示，成膜裝置1具有處理室10和被設(shè)置在處理室10的下方的基板保持室11，蒸鍍頭20被設(shè)置成跨著處理室10和基板保持室11。蒸鍍頭20在基板保持室11內(nèi)，按用于噴出材料氣體的開口部21面向下方的方式進(jìn)行配置。此外，在基板保持室11中設(shè)置有水平地保持基板G的保持臺(tái)12， 基板G以進(jìn)行成膜的面朝上的狀態(tài)(face up 面朝上)被載置在保持臺(tái)12上。由此，蒸鍍頭20的開口部21被配置成與基板G的上面對(duì)置。此外，在處理室10中設(shè)置有通過真空泵13進(jìn)行排氣的排氣口 14，在成膜時(shí)，處理室10以及基板保持室11的內(nèi)部處于真空狀態(tài)。蒸鍍頭20通過材料供給管31與被設(shè)置在處理室10的外部的材料供給器30連通，在材料供給管31中設(shè)置有對(duì)氣體的供給進(jìn)行控制的閥32。設(shè)置有氣體返回管33，以使閥32被關(guān)閉時(shí)的來自材料供給管31的氣體返回，該氣體返回管33與真空泵13連通，并在氣體返回管33上設(shè)置有閥34。此外，在蒸鍍頭20中， 設(shè)置有在成膜結(jié)束后用于對(duì)蒸鍍頭20內(nèi)殘留的材料氣體進(jìn)行回收的并與真空泵13連通的氣體流出管35，在氣體流出管35上設(shè)置有閥36。在按上述構(gòu)成的成膜裝置1的內(nèi)部所設(shè)置的蒸鍍頭20中，為了使形成在基板G上的薄膜均勻，要求從材料供給器30供給來的材料氣體從開口部21朝向基板G，盡可能地以使流出量均等且確保均熱性的狀態(tài)噴出。此外，圖4是由各種成膜裝置制造的有機(jī)EL元件A的制造工序的說明圖，該各種成膜裝置包含使用了本發(fā)明的實(shí)施方式的蒸鍍頭66的蒸鍍處理裝置60。如圖4(a)所示， 準(zhǔn)備在上面形成有陽極層50的基板G?；錑例如由玻璃等透明材料構(gòu)成。此外，陽極層 50由ITO(Indium Tin Oxide)等透明的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。另外，陽極層50例如通過濺射法等形成在基板G的上面。首先，如圖4(a)所示，在陽極層50的上面，利用蒸鍍法形成有發(fā)光層(有機(jī)層)51。其中，發(fā)光層51例如由層疊了空穴輸送層、非發(fā)光層(電子阻擋層)、藍(lán)色發(fā)光層、 紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、電子輸送層的多層構(gòu)造等構(gòu)成。接著，如圖4(b)所示，在發(fā)光層51上，例如通過使用了掩模的濺射，形成有例如由 Ag、Al等構(gòu)成的陰極(cathode)層52。接下來，如圖4(c)所示，通過將陰極層52作為掩模對(duì)發(fā)光層51進(jìn)行干蝕刻，發(fā)光層51被圖案化。接下來，如圖4(d)所示，形成有例如由氮化硅(SiN)構(gòu)成的絕緣性的密封膜層53， 以覆蓋發(fā)光層51以及陰極層52的周圍和陽極層50的露出部。該密封膜層53的形成例如根據(jù)μ波等離子體CVD法進(jìn)行。這樣制造成的有機(jī)EL元件A通過在陽極層50與陰極層52之間施加電壓，就可以使其發(fā)光層51發(fā)光。該有機(jī)EL元件A可以適用于顯示裝置和面發(fā)光元件(照明及光源等)，另外，還可以用于各種電子設(shè)備。接下來，參照附圖對(duì)用于形成圖4(a)所示的發(fā)光層51的蒸鍍處理裝置60進(jìn)行說明。另外，對(duì)于作為圖4所示的圖4(a)以外的成膜工序的濺射處理、蝕刻處理、等離子體 CVD處理，由于使用一般的裝置以及方法，故省略其說明。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式的蒸鍍處理裝置60的概略說明圖。圖5所示的蒸鍍處理裝置60是通過蒸鍍形成包含圖4(a)所示的發(fā)光層51的有機(jī)層的裝置。蒸鍍處理裝置60具有密閉的處理容器61。處理容器61是長度方向?yàn)榛錑的輸送方向的長方體形狀，處理容器61的前后面通過閘閥(gate valve)62與其他的成膜處理裝置等連接。在處理容器61的底面連接有具有真空泵(未圖示)的排氣管線63，以便使處理容器61的內(nèi)部減壓。此外，在處理容器61的內(nèi)部具有將基板G水平地保持的保持臺(tái)64。基板G以形成有陽極層50的上面朝上的面朝上的狀態(tài)被載置在保持臺(tái)64上。保持臺(tái)64在沿基板G的輸送方向配置的導(dǎo)軌65上移動(dòng)，以便輸送基板G。在處理容器61的頂面，沿基板G的輸送方向配置有多個(gè)(在圖5中為6個(gè))蒸鍍頭66。各個(gè)蒸鍍頭66經(jīng)由材料供給管68分別連接有多個(gè)材料供給源67，該多個(gè)材料供給源67供給形成發(fā)光層51的成膜材料的蒸汽(材料氣體)。通過邊從各個(gè)蒸鍍頭66噴出從這些材料供給源67供給來的成膜材料的蒸汽，邊使保持臺(tái)64上所保持的基板G移動(dòng)，從而在基板G的上面依次形成空穴輸送層、非發(fā)光層、藍(lán)色發(fā)光層、紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、電子輸送層等，從而在基板G的上面形成發(fā)光層51。圖6是蒸鍍頭66的概略說明圖。圖6(a)是從斜下方觀察蒸鍍頭66的立體圖，圖 6 (b)是蒸鍍頭66的底面圖。圖7是構(gòu)成蒸鍍頭66的外側(cè)殼體70的立體圖，圖8是內(nèi)側(cè)殼體71的立體圖。另外，在圖5中，記載了多個(gè)蒸鍍頭66，但是各個(gè)蒸鍍頭66的構(gòu)造相同。 此外，如上所述在處理容器61的內(nèi)部，以面朝上的狀態(tài)被水平保持在保持臺(tái)64上的基板G 的上面與蒸鍍頭66的下面對(duì)置。這里，在本說明書中，在下面的說明中，將外側(cè)殼體70作為第1殼體70，將內(nèi)側(cè)殼體71作為第2殼體71。第1殼體70和第2殼體71均被形成為長方體形狀，第1殼體70比第2殼體71 稍大，蒸鍍頭66為在第1殼體70的內(nèi)部配置了第2殼體71的構(gòu)成。第1殼體70的下面與第2殼體71的下面為開口面72、73，并且處于從第1殼體70的下開口面72插入第2殼體71，使兩者的開口面72、73 —致的狀態(tài)。第1殼體70可以由熱傳導(dǎo)率比第2殼體71的熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成，例如有銅構(gòu)成。第1殼體70的上面(與開口面72對(duì)置的側(cè)面)連接有圖5所示的與材料供給源67 連通的材料供給管68。在第1殼體70的側(cè)面75、76中的比側(cè)面76面積大的側(cè)面75中，加熱器77處于嵌入槽80中的狀態(tài)。這里，加熱器77沿著四邊形的側(cè)面75的周邊部設(shè)置。通過將加熱器 77嵌入到槽80中，增大第1殼體70的側(cè)面75與加熱器77的接觸面積，提高熱傳導(dǎo)效率。另外，在圖示的例子中，在與第1殼體70的上面連接的材料供給管68的側(cè)面，也延伸有槽80，嵌入有加熱器77。這里，加熱器77對(duì)槽80的嵌入方法如圖9 (a)那樣，雖然僅在槽80內(nèi)嵌入加熱器 77即可，但優(yōu)選如圖9(b)所示，在將加熱器77嵌入槽80內(nèi)之后，從槽80的上方進(jìn)行按壓使第1殼體70的側(cè)面75與加熱器77可靠地接觸，并且增大接觸面積，提高熱傳導(dǎo)效率。另一方面，在第1殼體70的側(cè)面75、76中的比側(cè)面75面積窄的側(cè)面76安裝 有加熱部件81，該加熱部件81內(nèi)置有加熱器78。加熱部件81由熱傳導(dǎo)性良好的材料構(gòu)成，例如由銅構(gòu)成。通過使加熱部件81與第1殼體70的側(cè)面76面接觸，使得從加熱器78向加熱部件81傳導(dǎo)的熱迅速地向第1殼體70的側(cè)面76整體傳導(dǎo)。內(nèi)側(cè)殼體71可以由熱導(dǎo)率低比第1殼體70的熱導(dǎo)率低的材料構(gòu)成，例如由不銹鋼構(gòu)成。在內(nèi)側(cè)殼體71的上面(與開口面73對(duì)置的側(cè)面)設(shè)置有從材料供給管68導(dǎo)入材料氣體的材料氣體流入口 82。
此外，如圖6 (a)、(b)所示，在第2殼體71的內(nèi)部，設(shè)置有作為氣體分散板的隔板 83，以便將開口面73與材料氣體流入口 82之間分隔開。隔板83在第2殼體71內(nèi)離開開口面73的位置被配置成與開口面73平行。隔板83例如為網(wǎng)狀，在隔板83的整體形成有多個(gè)孔84。另外，配置在第2殼體71內(nèi)的隔板83的片數(shù)可以為1片或者多片，對(duì)于其配置，可以是第2殼體71內(nèi)的任意的位置。隔板83的配置及設(shè)置片數(shù)可以根據(jù)材料氣體的流速或流量進(jìn)行適當(dāng)變更，以使得材料氣體在第2殼體71內(nèi)更均勻地?cái)U(kuò)散。此外，隔板83 是能夠使材料氣體分散的形狀即可，還可以是網(wǎng)狀以外的例如帶孔金屬形狀等。如圖8所示，在第2殼體71中，作為間隔部件的多個(gè)突起部85在整體第2殼體71 上分布形成。這些多個(gè)突起部85例如通過壓花加工等沖壓成形而形成，各個(gè)突起部85的高度幾乎一致，在第2殼體71的外面整體，多個(gè)突起部85被均勻地分布配置。這樣，通過向第1殼體70的內(nèi)部插入第2殼體71，第1殼體70的內(nèi)面與第2殼體71的外面，在突起部85的位置呈局部地接觸的狀態(tài)。另外，說明了在本實(shí)施方式的蒸鍍頭66中，圖8所示， 如上述那樣，在第2殼體71中形成有作為間隔部件的突起部85的情況。但是，在確認(rèn)了不設(shè)置間隔部件(突起部85)就能夠使熱迅速從第1殼體70向第2殼體71傳導(dǎo)的情況下， 則不一定在第2殼體71中設(shè)置間隔部件(突起部85)。在具有如上述說明的構(gòu)成的、圖5所示的蒸鍍頭66的蒸鍍處理裝置60的處理容器61的內(nèi)部，基板G以形成有圖4所示的陽極層50的上面朝上的面朝上的狀態(tài)，如圖5那樣，被載置在保持臺(tái)64上，并在導(dǎo)軌65上搬送。此外，另一方面，成膜材料的蒸氣(材料氣體)從材料供給源67經(jīng)由材料供給管68被導(dǎo)入到第2殼體71內(nèi)。并且，從圖6所示的材料氣體流入口 82導(dǎo)入到第2殼體71內(nèi)的材料氣體在通過隔板83時(shí)被擴(kuò)散，以幾乎均勻的狀態(tài)從蒸鍍頭66的下面(開口面72、73)如圖5所示對(duì)基板G的上面噴出。此外，另一方面，在圖6所示的蒸鍍頭66中，通過鎧裝加熱器或者筒式加熱器等加熱器77、78進(jìn)行第1殼體70的加熱。該情況下，由于第1殼體70由熱傳導(dǎo)高的材料構(gòu)成， 所以加熱器77、78的熱迅速地向第1殼體70的整體傳導(dǎo)，第1殼體70的整體被均勻地加熱。而且，熱經(jīng)由使第1殼體70的內(nèi)面和第2殼體71的外面局部地接觸的多個(gè)突起部85 從第1殼體70傳導(dǎo)至第2殼體71，第2殼體71被加熱。該情況下，由于使第1殼體70的內(nèi)面與第2殼體71的外面接觸的多個(gè)突起部85遍布第2殼體71的整體而形成，所以熱量幾乎均勻地向第2殼體71傳導(dǎo)，從而第2殼體71整體被均勻地加熱。由此，導(dǎo)入到第2殼體71內(nèi)的材料氣體在第2殼體71內(nèi)以相同條件被加熱，第2殼體71內(nèi)的材料氣體的溫度均等。這樣成為均等溫度的材料氣體如圖5所示，從蒸鍍頭66的下面(開口面72、73)向基板G的上面被噴出。S卩，根據(jù)本實(shí)施方式的蒸鍍頭66，如圖4所示，在氣體流量方面以及氣體溫度方面的兩方面，均勻(均熱)地進(jìn)行對(duì)基板G的噴射，從而對(duì)基板G形成均勻性高的有機(jī)薄膜 (發(fā)光層51)。此外，與以往的將分支流路設(shè)置在內(nèi)部的蒸鍍頭相比，本實(shí)施方式的蒸鍍頭 66保證了內(nèi)部的均熱性，防止了溫度低的部分的材料氣體的析出。另一方面，當(dāng)進(jìn)行材料氣體對(duì)近年需求增加的大型顯示器等中所使用的大型基板的噴射時(shí)，與通過對(duì)鋼材實(shí)施了切削等的鈑金構(gòu)造而將分支流路設(shè)置在內(nèi)部的蒸鍍頭相比，本實(shí)施方式的蒸鍍頭66能夠使制作成本大幅度消減。此外，在進(jìn)行材料氣體對(duì)用于以往的小型顯示器的小型基板的噴射的蒸鍍頭中，使用了高成本的面狀加熱器(云母加熱器)，但在適用于大型基板的大型蒸鍍頭中，若使用面狀加熱器，則由于其面積大而存在成本方面的問題。因此，通過將本實(shí)施方式所示的鎧裝加熱器或者筒式加熱器等管式加熱器 77、78并用，可以抑制成本，并且可以保證蒸鍍頭內(nèi)的均熱性。上面說明了本發(fā)明的實(shí)施方式的一個(gè)例子，但本發(fā)明不限于圖示的方式?？梢悦鞔_的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員在權(quán)利要求的范圍所記載的思想的范圍內(nèi)，可以想到各種變更例或者修改例，所以應(yīng)該清楚對(duì)于這些變更例或修改例當(dāng)然屬于本發(fā)明的技術(shù)的范圍。例如 ，在上述實(shí)施方式中，以制造有機(jī)EL元件A時(shí)的蒸鍍處理裝置60為例進(jìn)行了說明，但是在各種電子器件等的處理中，例如Li蒸鍍等通過蒸鍍法進(jìn)行成膜的情況下，也可以適用本發(fā)明。此外，作為處理對(duì)象的基板G主要舉出了玻璃基板的例子，但是還可以是硅基板、方形基板、圓形基板等，或者對(duì)于基板以外的被處理體也可以適用本發(fā)明。另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)蒸鍍頭66的側(cè)面75、76的兩方均設(shè)置有加熱器77 (槽 80)、78 (加熱器塊81)，但本發(fā)明不限于此，可以僅對(duì)一個(gè)面設(shè)置加熱器77 (78)。S卩，可以省略側(cè)面75、76中的加熱器77、78的一方。并且，對(duì)于加熱器77、78的形狀或數(shù)量、配置位置，優(yōu)選通過對(duì)蒸鍍頭66的加熱溫度分布進(jìn)行測(cè)量來進(jìn)行恰當(dāng)變更，并非被圖6所示的配置等限定。例如，在圖10中表示了本發(fā)明的其他實(shí)施方式的、變更了加熱器77的設(shè)置的蒸鍍頭66a的概略剖面圖。如圖10所示，在蒸鍍頭66a中，在未相互接觸的第1殼體70與第2 殼體71之間的空間，隔著板部件90設(shè)置有加熱器77。此時(shí)，優(yōu)選加熱器77不被固定在第2 殼體71上，并且優(yōu)選加熱器77被局部地固定在第1殼體70上，以便使熱散失為最小限度。 此外，還可以被固定在代替所述板部件90的其他部件上，并且還可以被配置在第2殼體71 與第1殼體70之間。從而，可以更高效地保證蒸鍍頭66的內(nèi)部的均熱性。另外，在圖10 中，圖示了在第1殼體70和第2殼體71的下端部(圖10中的開口面72、73周邊部)，第1 殼體70與第2殼體71未連接的情況，但是本發(fā)明不被限定與此，還可以為第1殼體70與第2殼體71在開口面72、73的周邊部連接，加熱器77 (板部件90)被密封在第1殼體70 與第2殼體71之間的構(gòu)成。此外，在上述實(shí)施方式的蒸鍍頭66中，如圖6所示，在側(cè)面75圓環(huán)狀地設(shè)置槽80， 在該槽80中設(shè)置加熱器77，但是該加熱器77的形狀不限于圓環(huán)狀。圖ll(a)、(b)是表示加熱器77的設(shè)置形狀的例子的蒸鍍頭66的側(cè)面圖。加熱器77的設(shè)置形狀可以適當(dāng)變更， 如圖11(a)所示，可以在側(cè)面75設(shè)置加熱器77，以使其成為能夠?qū)ν庵芨浇椭行牟扛浇膬煞竭M(jìn)行加熱的形狀。根據(jù)如圖11(a)所示的、除側(cè)面75的周邊部以外，對(duì)中央部也配置有加熱器77的配置形狀，蒸鍍頭66的外周附近與中心部附近的溫度幾乎被均勻地保持， 蒸鍍頭66內(nèi)部的截面內(nèi)溫度差變小，高精度保證了蒸鍍頭66內(nèi)部的材料氣體的均熱性。此外，在側(cè)面75中，在充分地保證其熱傳導(dǎo)率的情況下，即使減少加熱器77的設(shè)置也能夠充分地確保蒸鍍頭66內(nèi)部的均熱性，因此，如圖11(b)所示，可以與上述圖11(a) 的情況相比，減少加熱器77的設(shè)置密度。另外，加熱器77的設(shè)置密度能夠適當(dāng)變更，可以通過對(duì)蒸鍍頭66的內(nèi)部的截面內(nèi)溫度差進(jìn)行測(cè)量來恰當(dāng)決定。這里，由于蒸鍍頭66內(nèi)部為真空狀態(tài)，尤其，中心部附近與外周附近相比難以放熱，根據(jù)該放熱狀況，優(yōu)選加熱器77 的加熱器配置形狀為相對(duì)比中心部附近對(duì)外周附近的位置進(jìn)一步進(jìn)行加熱及均熱化。此外，圖11所示的加熱器77的配置形狀不僅適用于蒸鍍頭66的側(cè)面75，即不僅適用于設(shè)置在外側(cè)殼體70的外面的情況。對(duì)于例如在上述圖10所示的本發(fā)明的其他實(shí)施方式的蒸鍍頭66a中設(shè)置的加熱器77也能夠適用。此外，在上述 實(shí)施方式的蒸鍍頭66中，第1殼體70由銅構(gòu)成，第2殼體71由不銹鋼構(gòu)成，在第1殼體70的外面設(shè)置有加熱器77，但本發(fā)明不限定與此。為了保證蒸鍍頭66 的內(nèi)部的均熱性，并非一定在第1殼體70的外面設(shè)置有加熱器77。因此，下面，作為本發(fā)明的第2其他的實(shí)施方式，對(duì)加熱器77的設(shè)置場(chǎng)所，各個(gè)殼體的材質(zhì)不同的情況進(jìn)行說明。例如，作為本發(fā)明的第2其他實(shí)施方式，第1殼體70與第2殼體71均由不銹鋼構(gòu)成，考慮例如僅對(duì)第2殼體71形成例如厚度為30微米以上的鍍銅等熱傳導(dǎo)性被覆膜，以使得第2殼體71的熱傳導(dǎo)率比第1殼體70的熱傳導(dǎo)率高。此時(shí)優(yōu)選加熱器77的設(shè)置場(chǎng)所為與上述實(shí)施方式不同的第1殼體70與第2殼體71之間。另外，對(duì)蒸鍍頭66內(nèi)的截面內(nèi)溫度差進(jìn)行測(cè)量，為了減少其偏差，除對(duì)第2殼體71以外還可以適當(dāng)對(duì)第1殼體70形成熱傳導(dǎo)性被覆膜。即，是否對(duì)第1殼體70以及第2殼體71的一方或者兩方形成熱傳導(dǎo)性被覆膜，根據(jù)對(duì)蒸鍍頭66的截面內(nèi)溫度差進(jìn)行測(cè)量后做出適當(dāng)判斷即可。此外，可以僅對(duì)各個(gè)殼體的單面形成熱傳導(dǎo)性被覆膜，通常例如在進(jìn)行鍍銅的情況下，由于是通過將不銹鋼板沉浸在鍍銅槽中的工序而進(jìn)行的，所以在不銹鋼板的兩面形成鍍銅。這里，在圖12中，表示了僅對(duì)第2殼體71實(shí)施了例如鍍銅等熱傳導(dǎo)性被覆膜的情況下的蒸鍍頭66b概略剖面圖。另外，在圖12中沒有示出熱傳導(dǎo)性被覆膜。圖12所示的蒸鍍頭66b在第2殼體71的外面形成了熱傳導(dǎo)性被覆膜，在相互不接觸的第1殼體70與第2殼體71之間的空間，對(duì)第2殼體71的外面設(shè)置了加熱器77。這里，由于在第2殼體 71的外面形成了導(dǎo)熱性被覆膜，因此即使不對(duì)第2殼體71的外面整面設(shè)置加熱器77，也可以充分進(jìn)行加熱及均熱。因此，鑒于加熱器77設(shè)置成本等，在第2殼體71的外面設(shè)置的加熱器77的配置形狀為上述圖11(b)所示的加熱器設(shè)置密度低的配置形狀即可。如上述那樣，通過對(duì)由不銹鋼板構(gòu)成的各種殼體(尤其是第2殼體71)形成鍍銅等熱傳導(dǎo)性被覆膜，可以保證對(duì)殼體的熱變形的剛性，并且可以抑制熱傳導(dǎo)率上升，并在蒸鍍頭66內(nèi)部抑制各個(gè)部分的溫度的不均勻。并且，由于各個(gè)殼體(尤其是第2殼體71)的熱傳導(dǎo)率上升，如圖11(b)所示，可以降低安裝的加熱器77的數(shù)量，從而在抑制成本的面上也是有效的。另外，此時(shí)是否僅對(duì)第1殼體70以及第2殼體71的單面進(jìn)行鍍銅，或者對(duì)兩面進(jìn)行鍍銅，可以跟對(duì)蒸鍍頭66的溫度分布進(jìn)行測(cè)量后進(jìn)行適當(dāng)判斷。S卩，第1殼體70以及第2殼體71均使用不銹鋼構(gòu)成，這與使用銅來構(gòu)成殼體的情況相比，實(shí)現(xiàn)了成本大幅度地減少以及強(qiáng)度的提高。并且，通過對(duì)不銹鋼形成熱傳導(dǎo)性被覆膜，也保證了蒸鍍頭66內(nèi)的均熱性。此外，避免了在使用導(dǎo)熱性良好的銅板構(gòu)成殼體的情況下所擔(dān)心的銅由于受熱而產(chǎn)生變形的可能性。另外，這里作為用于提高不銹鋼的熱傳導(dǎo)率的熱傳導(dǎo)性被覆膜例示了鍍銅，但是并非必須是鍍銅，只要是比母材(殼體的材質(zhì))熱傳導(dǎo)率高的薄膜即可。例如，可以實(shí)施使用鍍金或鍍銀等熱傳導(dǎo)率被提高后的材料的鍍敷。此夕卜，考慮利用金箔及銀箔等箔的貼合的施工、噴砂處理、擴(kuò)散接合等方法實(shí)施熱傳導(dǎo)性被覆膜。但是，從成本的面出發(fā)，優(yōu)選實(shí)施鍍銅。此外，在上述實(shí)施方式的蒸鍍頭66中，開口面72 (73)的形狀為長方形的殼體的側(cè)面中的1個(gè)側(cè)面被開口的形狀。利用蒸鍍頭66內(nèi)部的氣體分散板(隔板83)的效果，使蒸鍍頭66內(nèi)的材料氣體分散，并從開口面72(73)向基板G噴射。但是，考慮到僅憑氣體分散板的效果，存在蒸鍍頭66內(nèi)的材料氣體不能充分地被分散，其結(jié)果從開口面72(73)向基板 G噴射的材料氣體不均勻，不能均勻地進(jìn)行成膜的可能性的情況。在該情況下，在上述實(shí)施方式所示的蒸鍍頭66中，優(yōu)選對(duì)開口面72(73)設(shè)置使材料氣體的噴射均勻的例如由銅板等構(gòu)成的噴射板。圖13是對(duì)蒸鍍頭66安裝了噴射板95(95a、95b)的情況的概略圖。圖13(a)是安裝了設(shè)有縫隙96的噴射板95a的蒸鍍頭66，圖13(b)是安裝有設(shè)有噴射孔97的噴射板95b 的蒸鍍頭66。上述縫隙96的開口寬度例如為1mm。此外，從使材料氣體從蒸鍍頭66均勻地噴射的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選設(shè)置多數(shù)噴射孔97，優(yōu)選為均勻地噴射材料的配置和數(shù)量。通過將圖 13所示的噴射板95(95a、95b)安裝在蒸鍍頭66的開口面72 (73)，使向基板G的材料氣體的噴射更均勻地進(jìn)行，其結(jié)果，形成均勻性高的薄膜。但是，在設(shè)置有縫隙96的噴射板95a 中，在升溫時(shí)，由于熱量而產(chǎn)生縫隙96的寬度的變動(dòng)，存在材料氣體的分布不同的可能性， 因此特別在使用溫度高的材料氣體的情況下，優(yōu)選使用設(shè)置了噴射孔97的噴射板95b。例如，上述噴射孔97的孔徑為1. 5mm 3. 5mm,噴射孔97的間距為5mm，并不限定為圖13 (b) 所示配置成一列，還可以配置成二列以上。

此外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)如圖6所示，作為加熱器77、78例如將鎧裝加熱器或筒式加熱器等加熱器嵌入被設(shè)置在第1殼體70的外面的槽80中的構(gòu)成進(jìn)行了說明，在其變形例(其他實(shí)施方式)中，如圖10所示，對(duì)第1殼體70和第2殼體71之間的空間隔著板部件90設(shè)置有加熱器77的構(gòu)成進(jìn)行了說明，但是設(shè)置在蒸鍍頭66的加熱器的構(gòu)成不限于此。例如，可以在第1殼體70與第2殼體71之間設(shè)置密閉空間100，在該密閉空間100 配置揮發(fā)性液體L和能夠進(jìn)行溫度控制的管形狀的加熱器77。因此，下面參照附圖將形成有密閉空間100的蒸鍍頭66作為本發(fā)明的第3其他實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖14是形成密閉空間100的蒸鍍頭66的概略主視圖(圖14(a))以及概略側(cè)面圖(圖14(b))。另外，為了說明密閉空間100的內(nèi)部，對(duì)一部分的密閉空間100記載了其截面。密閉空間100為在內(nèi)部密封有加熱器77和液體L的構(gòu)成，液體L例如為水或萘等在規(guī)定溫度下氣化的液體?；蛘?，作為加熱器77例如有筒式加熱器、鎧裝加熱器等。如圖14所示，密閉空間100形成在除蒸鍍頭66的開口面72 (圖14中的蒸鍍頭66 的下面)以外的整個(gè)側(cè)面(上述實(shí)施方式中的側(cè)面75、56兩方)。如圖14(a)、(b)所示， 在側(cè)面75 (比側(cè)面76寬的側(cè)面)，與將該側(cè)面75在其長度方向幾乎3等分的部分對(duì)應(yīng)地形成有3個(gè)密閉空間100，在側(cè)面76，形成有1個(gè)覆蓋其整個(gè)面的密閉空間100。并且，形成密閉空間100，以便包覆向蒸鍍頭66的內(nèi)部供給材料氣體的材料供給管68的外面。密閉空間100的內(nèi)部呈密封構(gòu)造，在其內(nèi)部配置有液體L和加熱器77。液體L不要向密閉空間100內(nèi)填充多量，液體L的量為儲(chǔ)留在密閉空間100內(nèi)的底部的程度。此外， 在本方式中，加熱器77被配置成沉浸在儲(chǔ)留在密閉空間100內(nèi)的液體L中。此外，加熱器 77具有能夠充分加熱儲(chǔ)留在密閉空間100的底面的液體L的大小及長度，其大小及長度可以恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定。此外，在密閉空間100中，儲(chǔ)留在密閉空間100內(nèi)的液體L通過加熱器77的加熱而蒸發(fā)，蒸發(fā)的蒸汽通過與密閉空間100的內(nèi)部側(cè)面整個(gè)面接觸，使密閉空間100整體被加熱。即，密閉空間100具有所謂被稱作加熱管的構(gòu)成及動(dòng)作原理。此外，與密閉空間100的內(nèi)部側(cè)面接觸的液體L的蒸汽通過與其內(nèi)部側(cè)面的熱交換而被冷卻，再次成為液體(液體L)，即成為儲(chǔ)留在密閉空間100內(nèi)的液體L。即，在密閉空間100內(nèi)液體L 一邊反復(fù)蒸發(fā)和液化一邊進(jìn)行循環(huán)。另外，在本方式中，密閉空間100的內(nèi)部側(cè)面的形狀沒有特別的限定， 可以是通常的平面形狀，為了使在密閉空間100的內(nèi)部側(cè)面液化的液體L更有效地回流到儲(chǔ)留在密閉空間100的底部的液體L，優(yōu)選內(nèi)部側(cè)面的表面積大，并且容易產(chǎn)生毛細(xì)管現(xiàn)象的形狀，例如可以表面加工成網(wǎng)狀或溝形狀。在形成有上述說明的、周圍形成有密閉空間100的蒸鍍頭66中，在進(jìn)行材料供給時(shí)，在密閉空間100內(nèi)，液體L被加熱器77加熱而蒸發(fā)，密閉空間100內(nèi)充滿了幾乎恒定溫度的蒸氣。由此，側(cè)面整面呈被密閉空間100包覆的構(gòu)成的蒸鍍頭66的側(cè)面通過各個(gè)密閉空間100被均熱化為規(guī)定的溫度。因此，從材料供給管68供給的材料氣體的溫度在蒸鍍頭 66內(nèi)被加熱成相等的溫度。通過在蒸鍍頭66的側(cè)面整個(gè)面形成密閉空間100，從而蒸鍍頭 66的側(cè)面被極高精度地均熱化，利用來自被均熱化后的蒸鍍頭66的側(cè)面的輻射熱，內(nèi)部的材料氣體也被高精度地均熱化、被加熱。并且，由于配置在各個(gè)密閉空間100內(nèi)的加熱器77的溫度為可控制的，所以可以分別對(duì)多個(gè)設(shè)置的各個(gè)密閉空間100進(jìn)行內(nèi)部的溫度控制。通過對(duì)蒸鍍頭66內(nèi)部的溫度分布進(jìn)行測(cè)量，并恰當(dāng)?shù)貙?duì)各個(gè)密閉空間100內(nèi)的溫度進(jìn)行控制，能夠?qū)⒄翦冾^66高精度地均熱地加熱成所希望的溫度。即，即使在蒸鍍頭66內(nèi)的僅僅一部分比其他部分溫度低的情況下，通過恰當(dāng)?shù)剡M(jìn)行與該低溫部分對(duì)應(yīng)的密閉空間100的溫度調(diào)整，可以使蒸鍍頭66 的內(nèi)部整體快速地均熱化。另外，在本方式(第3其他的實(shí)施方式)中，對(duì)將蒸鍍頭66的側(cè)面75在其長度方向分割成3分，并將與其分別對(duì)應(yīng)的密閉空間100形成為3個(gè)的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此，對(duì)于形成在蒸鍍頭66的側(cè)面的密閉空間100的數(shù)量和形成位置等，可以適當(dāng)變更，以便使蒸鍍頭66內(nèi)部高效率地被均熱化。此外，在上述實(shí)施方式中，蒸鍍頭66由第1殼體70及第2殼體71構(gòu)成，但是本發(fā)明并非必須使用殼體來構(gòu)成蒸鍍頭66，例如還可以將板狀的部件配置成殼體狀。并且，在上述實(shí)施方式中，在第2殼體71的外面，整體分布形成有作為使第1殼體 70與第2殼體71局部地接觸的間隔部件的多個(gè)突起部85，但是本發(fā)明不限定于此，還可以在第1殼體70的內(nèi)面形成有突起部85，此外，還可以在第1殼體70的內(nèi)面以及第2殼體 71的外面的兩面形成有由其他部件構(gòu)成的突起部85。并且，作為間隔部件例如可以使用金屬絲球等的充填材料。實(shí)施例作為本發(fā)明的實(shí)施例1，將具有圖6所示的構(gòu)造的蒸鍍頭實(shí)際設(shè)置在蒸鍍處理裝置中。作為外側(cè)殼體的材料使用銅，作為內(nèi)側(cè)殼體的材料使用不銹鋼，對(duì)內(nèi)側(cè)殼體均勻地實(shí)施了壓花加工。此外，將管型加熱器實(shí)際設(shè)置在圖6所示的各個(gè)位置。并且，利用各個(gè)加熱器對(duì)蒸鍍頭進(jìn)行加熱，使材料氣體從開口面噴出。并且，對(duì)此時(shí)的蒸鍍頭的表面溫度以及開口面附近的溫度進(jìn)行了分析(仿真)。在圖15中，顯示了該分析結(jié)果。另外，在圖15(a)表示了對(duì)蒸鍍頭的表面溫度進(jìn)行測(cè)量的結(jié)果，圖15(b)表示了對(duì)蒸鍍頭的開口面附近的溫度進(jìn)行測(cè)量的結(jié)果。蒸鍍頭的表面溫度以及開口面附近的溫度如圖15(a)所示的外壁中心部與外壁周圍部的溫度差、和圖15(b)所示的開口面中央與開口面端部的溫度差都在1°C以內(nèi)，由于可以看出高精度地保 證了均熱性。此外，作為本發(fā)明的實(shí)施例2，對(duì)由于加熱器的配置形狀不同以及作為熱傳導(dǎo)性薄膜的鍍銅的有無產(chǎn)生蒸鍍頭的截面內(nèi)溫度分布的變化進(jìn)行了測(cè)量。圖16是表示在該蒸鍍頭中的表示測(cè)量位置與其溫度分布的曲線。這里，在圖15中，將縱軸作為溫度(°C )，將橫軸作為離蒸鍍頭的寬度方向中心的距離(mm)記錄了測(cè)量結(jié)果。但是，圖16所示的測(cè)量都是在將加熱器設(shè)置在內(nèi)側(cè)殼體的外面的方式的蒸鍍頭中進(jìn)行的。圖16(a)是對(duì)圖11(a)所示的加熱器設(shè)置密度高的情況下的蒸鍍頭的截面內(nèi)溫度差進(jìn)行了測(cè)量的曲線。此外，圖16(b)是對(duì)圖11(b)所示的加熱器設(shè)置密度低的情況下的蒸鍍頭的截面內(nèi)溫度差進(jìn)行測(cè)量的曲線，圖16(c)是對(duì)在圖lib所示的加熱器設(shè)置密度低的情況下的蒸鍍頭的內(nèi)側(cè)殼體外面實(shí)施了鍍銅的蒸鍍頭的截面內(nèi)溫度差進(jìn)行了測(cè)量的曲線。如圖16(a)所示，加熱器的設(shè)置密度高的情況下的蒸鍍頭內(nèi)的截面內(nèi)溫度差相對(duì)于所希望的內(nèi)部溫度450°C，最大為士35°C左右。此外，如圖16(b)所示，加熱器的設(shè)置密度低的情況下的蒸鍍頭內(nèi)的截面內(nèi)溫度差相對(duì)于所希望的內(nèi)部溫度450°C最大為士20°C左右。另一方面，如圖16(c)所示，在加熱器的設(shè)置密度低的狀態(tài)下，對(duì)加熱器設(shè)置面實(shí)施了鍍銅的情況下，蒸鍍頭內(nèi)的截面內(nèi)溫度差相對(duì)于所希望的內(nèi)部溫度450°C最大為士4.5°C 左右ο從上面實(shí)施例2的結(jié)果可知，通過抑制加熱器的設(shè)置密度，對(duì)加熱器設(shè)置面實(shí)施鍍銅(熱傳導(dǎo)性薄膜)，可以使蒸鍍頭內(nèi)的截面內(nèi)溫度差減小，并且可以充分地確保均熱性。即，通過對(duì)加熱器設(shè)置面實(shí)施熱傳導(dǎo)性薄膜，可以減少加熱器的設(shè)置量并保證均熱性， 能夠?qū)崿F(xiàn)降低成本。工業(yè)上的利用可能性本發(fā)明可以適用于例如在機(jī)EL元件的制造中用于蒸鍍有機(jī)膜的蒸鍍頭以及具有該蒸鍍頭的蒸鍍處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍頭，被設(shè)置在對(duì)基板形成薄膜的蒸鍍處理裝置內(nèi)，向基板噴射材料氣體， 其具備外側(cè)殼體、和被配置在所述外側(cè)殼體內(nèi)并導(dǎo)入材料氣體的內(nèi)側(cè)殼體，在所述內(nèi)側(cè)殼體形成有使材料氣體向基板噴射的開口部，在所述外側(cè)殼體的外面或者所述外側(cè)殼體與所述內(nèi)側(cè)殼體之間配置有對(duì)材料氣體進(jìn)行加熱的加熱器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于，所述加熱器被固定在板部件上，該板部件被配置在所述外側(cè)殼體與所述內(nèi)側(cè)殼體之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 所述加熱器在所述外側(cè)殼體或者所述內(nèi)側(cè)殼體的側(cè)面沿周邊部配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 所述加熱器為鎧裝加熱器或者筒式加熱器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于，在所述外側(cè)殼體和所述內(nèi)側(cè)殼體的至少一方形成有使所述外側(cè)殼體內(nèi)面與所述內(nèi)側(cè)殼體外面局部地接觸的間隔部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 在所述外側(cè)殼體與所述內(nèi)側(cè)殼體之間形成密閉空間， 所述加熱器被設(shè)置在所述密閉空間內(nèi)，在所述密閉空間中密封有揮發(fā)性液體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于，所述外側(cè)殼體的熱傳導(dǎo)與所述內(nèi)側(cè)殼體的熱傳導(dǎo)相同或者比所述內(nèi)側(cè)殼體的熱傳導(dǎo)尚ο
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍頭，其特征在于，所述間隔部件形成于所述外側(cè)殼體以及所述內(nèi)側(cè)殼體的一方或者兩方， 被形成在所述外側(cè)殼體的所述間隔部件與被形成在所述內(nèi)側(cè)殼體的所述間隔部件由不同部件構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍頭，其特征在于，所述間隔部件為通過沖壓成形而形成的多個(gè)突起部或者充填材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蒸鍍頭，其特征在于， 所述沖壓成形為壓花加工或者焊接加工。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 所述外側(cè)殼體的材質(zhì)為不銹鋼或者銅。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 所述內(nèi)側(cè)殼體的材質(zhì)為不銹鋼。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 所述內(nèi)側(cè)殼體的至少一部分的板厚為3mm以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 在所述內(nèi)側(cè)殼體的內(nèi)部具有氣體分散板。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍頭，其特征在于，所述氣體分散板為網(wǎng)狀的隔板或者帶孔金屬。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于，對(duì)所述內(nèi)側(cè)殼體以及所述外側(cè)殼體的一方或者兩方形成熱傳導(dǎo)性被覆膜，
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的蒸鍍頭，其特征在于，所述熱傳導(dǎo)性被覆膜至少被形成在所述內(nèi)側(cè)殼體的外面。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍頭，其特征在于， 在所述開口部設(shè)置有使材料氣體均勻噴射的噴射板。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的蒸鍍頭，其特征在于， 對(duì)所述噴射板設(shè)置有噴射材料氣體的縫隙。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的蒸鍍頭，其特征在于， 對(duì)所述噴射板設(shè)置有噴射材料氣體的噴射孔。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的蒸鍍頭，其特征在于， 所述噴射板為不銹鋼板、不銹鋼塊、銅板或者銅塊。
22.—種蒸鍍處理裝置，用于對(duì)基板形成有機(jī)薄膜，具有 處理容器，其收納基板；和開口部，其在所述處理容器的內(nèi)部，使材料氣體向基板噴射。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于，具有載氣供給部，該載氣供給部供給用于輸送材料氣體的載氣。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的蒸鍍處理裝置，其特征在于， 所述處理容器的內(nèi)部被減壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種蒸鍍頭以及具有該蒸鍍頭的成膜裝置，不僅對(duì)以往的小型基板還對(duì)大型基板也能夠使在各個(gè)部位的噴射量均等，并且噴射確保均熱性的材料氣體，從而可以形成均勻的薄膜。蒸鍍頭被設(shè)置在對(duì)基板形成薄膜的蒸鍍處理內(nèi)，使材料氣體向基板噴出，該蒸鍍頭具有外側(cè)殼體、和配置在所述外側(cè)殼體內(nèi)并導(dǎo)入材料氣體的內(nèi)側(cè)殼體，在所述內(nèi)側(cè)殼體中形成有使材料氣體向基板噴射的開口部，在所述外側(cè)殼體的外面或者所述外側(cè)殼體與所述內(nèi)側(cè)殼體之間，配置有對(duì)材料氣體進(jìn)行加熱的蒸鍍頭。
文檔編號(hào)H05B33/10GK102224275SQ201080003266
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日
發(fā)明者小野裕司, 林輝幸, 江面知彥, 田村明威, 齊藤美佐子 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社