連續(xù)式成膜裝置的成膜準(zhǔn)備方法和連續(xù)式成膜裝置以及搬運(yùn)器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可縮短成膜準(zhǔn)備所需的作業(yè)時間的低成本的連續(xù)式成膜裝置的成膜制備方法，其在排列設(shè)置多個蒸發(fā)源(21、22、23)的真空室(11)內(nèi)，沿各蒸發(fā)源排列設(shè)置的方向傳送基板(S)，在基板上形成多層膜之前，在基板上形成由各蒸發(fā)源提供的蒸發(fā)材料的單層膜，制備測量用試樣?；灏惭b在搬運(yùn)器(SC1)上，從與上游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置開始連續(xù)或間斷地傳送到與下游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置，使用包括可有選擇地分別遮擋基板的一面的規(guī)定范圍的多個遮擋裝置(341、342、343)的裝置作為搬運(yùn)器，在通過搬運(yùn)器從上游側(cè)向下游側(cè)傳送基板時，依次改變各遮擋裝置各自遮擋的規(guī)定范圍，在單個基板的面內(nèi)分別形成各蒸發(fā)源蒸發(fā)的蒸發(fā)材料的單層膜。
【專利說明】連續(xù)式成膜裝置的成膜準(zhǔn)備方法和連續(xù)式成膜裝置以及搬
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技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種連續(xù)式成膜裝置的成膜準(zhǔn)備方法和連續(xù)式成膜裝置以及搬運(yùn)器。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，這種連續(xù)式成膜裝置例如用于以真空蒸鍍法在玻璃基板等的待處理基板的一面(成膜面)上形成低分子材料膜或金屬膜并依次層疊(具體是空穴注入傳輸層、發(fā)光層、電子注入傳輸層、陰極等)制成有機(jī)電致發(fā)光器件。該裝置包括連接了真空栗的真空室，在真空室內(nèi)并列設(shè)置有多個蒸發(fā)源，并且設(shè)置有沿各蒸發(fā)源并列設(shè)置的方向傳送基板的基板傳送裝置。
[0003]當(dāng)從蒸發(fā)源向著基板在基板的下表面(成膜面)上成膜時，基板傳送裝置包括暴露基板的下表面并保持基板的搬運(yùn)器；以及從與上游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置開始到與下游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置為止連續(xù)(或間斷)地驅(qū)動搬運(yùn)器的驅(qū)動裝置。而且，通過基板傳送裝置從上游側(cè)向下游側(cè)傳送基板，經(jīng)過與各蒸發(fā)源相對的位置時，通過將蒸發(fā)源蒸發(fā)的蒸發(fā)材料分別提供到基板的下表面來分別形成各單膜層，從而形成層疊膜(例如參照專利文獻(xiàn)I)。該情況下，預(yù)先改變各蒸鍍源的蒸發(fā)材料種類，可以按照規(guī)定的膜厚度層疊各種膜。
[0004]此處，當(dāng)用基板傳送裝置以固定的速度將多個基板依次從上游側(cè)向下游側(cè)傳送，并在各基板表面形成層疊膜進(jìn)行批量生產(chǎn)時，在分別經(jīng)過與各蒸發(fā)源相對的位置時如果在各基板上形成的薄膜的厚度不在規(guī)定范圍內(nèi)，則層疊膜的特性將發(fā)生變化，因此成品率下降。蒸鍍源發(fā)出的蒸發(fā)材料的供給量決定基板上分別形成的薄膜的厚度，例如，通過電阻加熱方式使蒸發(fā)材料蒸發(fā)時，如果調(diào)整蒸發(fā)材料的加熱溫度的話，可適當(dāng)控制提供給基板的供給量。此外，加熱并使蒸發(fā)材料蒸發(fā)時，由于在加熱開始時蒸發(fā)不穩(wěn)定，所以通常設(shè)置可覆蓋蒸發(fā)源的擋板，在蒸發(fā)穩(wěn)定后，收回?fù)醢彘_始對基板成膜。
[0005]然而，在如上述現(xiàn)有例那樣的連續(xù)式成膜裝置中，蒸發(fā)源蒸發(fā)的蒸發(fā)材料除基板和擋板外，還附著堆積在蒸發(fā)源的周圍或真空室內(nèi)設(shè)置的防護(hù)板等位于真空室內(nèi)的部件的表面上，該附著堆積的物質(zhì)會對批量生產(chǎn)造成不利影響。因此，除減少的蒸發(fā)材料要進(jìn)行定期補(bǔ)給外，上述部件也要進(jìn)行定期更換(所謂的維護(hù))。而且，進(jìn)行維護(hù)后，在開始批量生產(chǎn)前，要再次確認(rèn)各蒸發(fā)源處的薄膜厚度分布和成膜率是否在規(guī)定范圍內(nèi)(成膜準(zhǔn)備)。
[0006]作為這種成膜準(zhǔn)備方法，以往是在擋板位于遮擋位置的狀態(tài)下使蒸發(fā)源的加熱裝置分別啟動，預(yù)備多個安裝了基板的搬運(yùn)器，通過基板傳送裝置從上游側(cè)向下游側(cè)傳送各搬運(yùn)器，此時，使各蒸發(fā)源的擋板移動到適當(dāng)?shù)幕厥瘴恢?，對一個基板提供一個蒸發(fā)源發(fā)出的蒸發(fā)材料形成單層膜，制備用于測量薄膜厚度分布和成膜率等的測量用試樣。然而，在這種成膜制備方法中，需要數(shù)目與蒸發(fā)源個數(shù)相同的用于制備試樣的基板，不但成膜準(zhǔn)備成本升高，而且由于需要將與蒸發(fā)源的個數(shù)對應(yīng)的多個基板安裝到搬運(yùn)器上并傳送，所以存在成膜準(zhǔn)備所需的作業(yè)時間增加的問題。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:專利公開2008 — 231446號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0011]鑒于以上內(nèi)容，本發(fā)明的課題是提供一種可縮短成膜準(zhǔn)備所需的作業(yè)時間的低成本的連續(xù)式成膜裝置的成膜準(zhǔn)備方法和連續(xù)式成膜裝置。
[0012]解決技術(shù)問題的手段
[0013]為解決上述課題，本發(fā)明的連續(xù)式成膜裝置的成膜準(zhǔn)備方法包含:在排列設(shè)置多個蒸發(fā)源的真空室內(nèi)，沿各蒸發(fā)源排列設(shè)置的方向傳送待處理基板，在基板上形成多層膜之前，在基板上形成由各蒸發(fā)源提供的蒸發(fā)材料的單層膜并制備測量用試樣的工序，所述成膜準(zhǔn)備方法的特征在于:基板安裝在搬運(yùn)器上，從與上游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置開始連續(xù)或間斷地傳送到與下游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置，使用包括可有選擇地分別遮擋基板的一面的規(guī)定范圍的多個遮擋裝置的裝置作為搬運(yùn)器，在以搬運(yùn)器從上游側(cè)向下游側(cè)傳送基板時，依次改變各遮擋裝置各自遮擋的規(guī)定范圍，在單個基板的面內(nèi)分別形成由各蒸發(fā)源提供的蒸發(fā)材料的單層膜。
[0014]由此，在基板以安裝在搬運(yùn)器上的狀態(tài)從上游側(cè)向下游側(cè)傳送期間，當(dāng)經(jīng)過與各蒸發(fā)源相對的位置時(或之前)，如果適當(dāng)驅(qū)動任意的遮擋裝置的話，則可適當(dāng)改變基板面內(nèi)接收到蒸發(fā)材料的范圍，從而改變單個基板面內(nèi)的成膜范圍，得到由多個蒸發(fā)源分別提供的蒸發(fā)材料所形成的單層膜的測量用試樣。其結(jié)果是與使用多個基板的上述以往例相比可縮短成膜準(zhǔn)備所需的作業(yè)時間，且由于只使用單個基板，所以成本低，尤其有利于真空室內(nèi)設(shè)置的蒸發(fā)源的個數(shù)多的情況。
[0015]再有，為解決上述課題，本發(fā)明的連續(xù)式成膜裝置，其包括可形成真空氣氛的真空室，真空室內(nèi)排列設(shè)置有多個蒸發(fā)源，并且設(shè)置有基板傳送裝置，其沿各蒸發(fā)源排列的方向傳送待處理基板，所述連續(xù)式成膜裝置，其特征在于:基板傳送裝置包括:搬運(yùn)器，其暴露于各蒸發(fā)源相對的基板的一面并保持基板;驅(qū)動裝置，其從與上游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置開始到與下游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置為止連續(xù)或間斷地驅(qū)動搬運(yùn)器;在基板傳送裝置中，搬運(yùn)器包括可有選擇地分別遮擋基板的一面的規(guī)定范圍的多個遮擋裝置，且設(shè)置有移動裝置，其在遮擋基板的一面的規(guī)定范圍的遮擋位置和該規(guī)定范圍面向蒸發(fā)源的暴露位置之間移動遮擋基板。
[0016]由此，可實(shí)現(xiàn)改變單個基板面內(nèi)的成膜范圍并由多個蒸發(fā)源提供蒸發(fā)材料分別形成單層膜的結(jié)構(gòu)，可有助于縮短成膜準(zhǔn)備所需的作業(yè)時間以及降低成本。
[0017]在本發(fā)明中，所述遮擋裝置由開設(shè)在其下表面上的多個孔隙以及分別擋住各孔隙的擋板構(gòu)成，可采取通過所述移動裝置使擋板在遮蓋位置和暴露位置之間移動的結(jié)構(gòu)。另一方面，所述遮擋裝置具有多個輥以及蓋住搬運(yùn)器的下表面并卷繞在各輥上的單個擋板，在擋板上設(shè)置有露出安裝在搬運(yùn)器上的基板的規(guī)定范圍的開口，可采取通過所述移動裝置使所述開口的位置在基板面內(nèi)移動的結(jié)構(gòu)。
[0018]再有，本發(fā)明的用于在連續(xù)式成膜裝置中暴露待處理基板的一面并傳送該基板的搬運(yùn)器，其包括可有選擇地遮蓋基板的一面的規(guī)定范圍的遮擋裝置，此外，或是還具有用于傳輸來自外部的動力，在遮蓋基板的一面的規(guī)定范圍的遮蓋位置和暴露該規(guī)定范圍的暴露位置之間移動遮擋裝置的從動部，或是還具有用于在遮蓋基板的一面的規(guī)定范圍的遮蓋位置和暴露該規(guī)定范圍的暴露位置之間移動遮擋裝置的驅(qū)動部。
【附圖說明】
[0019]圖1(a)是示出本發(fā)明實(shí)施方式的連續(xù)式成膜裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是示出其主要部分的放大剖面圖。(C)是示出沿圖1(b)中c-c線的剖面圖。
[0020]圖2是實(shí)施本發(fā)明的成膜準(zhǔn)備方法的過程中使用的搬運(yùn)器的立體圖。
[0021]圖3是說明用圖2所示的搬運(yùn)器進(jìn)行成膜的順序的剖面圖。
[0022]圖4是說明用圖2所示的搬運(yùn)器進(jìn)行成膜時擋板的開合情況的剖面圖。
[0023]圖5(a)和(b)是說明用實(shí)施本發(fā)明的成膜準(zhǔn)備方法的過程中使用的變形例涉及的搬運(yùn)器進(jìn)行成膜的順序的剖面圖。
[0024]圖6(a)?(C)是說明其他變形例涉及的搬運(yùn)器的圖。
[0025]圖7是進(jìn)一步說明其他變形例涉及的搬運(yùn)器的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下參照附圖以將玻璃基板(以下稱為“基板S”)作為待處理基板，在該基板S安裝到搬運(yùn)器SC1的狀態(tài)下移動該基板S，以真空蒸鍍法在基板S的一面(成膜面)上形成多個薄膜的情況為例，說明本發(fā)明的連續(xù)式成膜裝置的實(shí)施方式。下文中，以下文所述的蒸發(fā)源側(cè)為“下”，以從蒸發(fā)源向基板S的方向?yàn)椤吧稀?，再有，基板S在圖1(a)和(b)中從右側(cè)向左側(cè)移動，以此為基準(zhǔn)來使用表示方向的術(shù)語。
[0027]參照圖1(a)?(c)，DM是本實(shí)施方式的連續(xù)式成膜裝置(以下稱為“成膜裝置DM”)，成膜裝置DM包括劃分成膜室Ia的、長邊在左右方向上的第一真空室I1。第一真空室I1的長邊方向兩端經(jīng)閥門GV連接有分別劃分準(zhǔn)備室lb、lc的第二、第三真空室12，13。再有，第二真空室I2經(jīng)閥門GV與分別劃分加載室ld、le的第四、第五真空室14、15分別連接，并且，第三真空室I3經(jīng)閥門GV與分別劃分加載室If、Ig的第六、第七真空室16、17分別連接。第一?第七的各真空室Ii?17上分別連接有公知的真空栗，可從大氣壓抽真空到規(guī)定壓力并保持該規(guī)定壓力(可形成真空氣氛)。
[0028]在第二真空室I2中，將送入第五真空室I5內(nèi)的基板S安裝在送入第四真空室I4內(nèi)的搬運(yùn)器SC1I，傳送到第一真空室1:內(nèi)。之后，穿過第一真空室I1的裝置傳送到第三真空室I3內(nèi)，在第六、第七的各真空室16、17內(nèi)分別回收基板S和搬運(yùn)器SC1。此外，由于基板W和搬運(yùn)器3(^在加載室Id?Ig中的送入或送出方法與基板S和搬運(yùn)器SC工在準(zhǔn)備室lb、lc中的安裝方法和回收方法等可使用機(jī)械臂真空傳送的公知方法，故此處省略詳細(xì)說明。
[0029]在第一真空室I1的下部，排列有位于同一直線上且左右方向距離規(guī)定間隔的多個蒸發(fā)源2^2^23(圖1中例示出三個的情況)。蒸發(fā)源2^2^23蒸發(fā)的蒸發(fā)材料可根據(jù)層疊在基板S上的各薄膜的組成而適當(dāng)選擇，再有，蒸發(fā)源2^2^23可根據(jù)蒸發(fā)材料的種類使用公知的電阻加熱方式或電子槍方式的裝置。再有，在蒸發(fā)源2^2^23中，在加熱蒸發(fā)材料使其蒸發(fā)時，由于剛開始加熱存在蒸發(fā)不穩(wěn)定的情況，所以包括了覆蓋蒸發(fā)源防止蒸發(fā)材料到達(dá)基板S的擋片21。并且，在第一真空室h的上部設(shè)置沿排列有各蒸發(fā)源的左右方向傳送基板S的基板傳送裝置3。
[0030]基板傳送裝置3包括搬運(yùn)器SC1W及距離相等間隔而排列設(shè)置在第一真空室I1的上壁的作為驅(qū)動裝置的成對的驅(qū)動輥DR。驅(qū)動輥DR是公知結(jié)構(gòu)的以相同轉(zhuǎn)數(shù)同步旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的裝置。再有，搬運(yùn)器SC1如圖1(c)所示，具有中央處開設(shè)了與基板S的輪廓相對應(yīng)的基板收納孔31a的搬運(yùn)器本體31，基板收納孔31a的下端內(nèi)邊緣形成有向其內(nèi)部方向延伸的延伸片32，一旦基板S從基板收納孔31a的上側(cè)落入基板收納孔31a中，則延伸片32支撐住基板S的周邊，基板S的內(nèi)部部分為成膜面。再有，位于與左右方向正交的方向上的搬運(yùn)器本體31的上端外邊緣處分別形成有向搬運(yùn)器本體31的外部方向延伸的法蘭部33，法蘭部33的下表面通過分別與驅(qū)動輥DR摩擦嚙合而向下游側(cè)傳送。而且，在成膜室Ia內(nèi)，下表面暴露并由搬運(yùn)器SC1支撐的基板S從與上游側(cè)(圖1中為右側(cè))的蒸發(fā)源2:相對的位置連續(xù)或間斷地向與下游側(cè)的蒸發(fā)源23相對的位置移動，在經(jīng)過與各蒸發(fā)源2^2^23相對的位置時，蒸發(fā)源2^22、23蒸發(fā)的蒸發(fā)材料分別提供到基板S的下表面并進(jìn)行成膜。
[0031]然而，在上述成膜裝置DM中，不僅需要定期向各蒸發(fā)源2^22、23補(bǔ)給減少的蒸發(fā)材料，還需要定期更換設(shè)置在第一真空室I1上的防護(hù)板(未圖示)等部件。之后，在開始批量生產(chǎn)前，再次確認(rèn)來自各蒸發(fā)源2:、22、23的薄膜厚度分布和成膜率是否在規(guī)定范圍內(nèi)(成膜準(zhǔn)備)，雖然該成膜準(zhǔn)備是以批量生產(chǎn)時的條件在基板S上形成來自各蒸發(fā)源2^2^23的單層膜并制作測量用試樣，對該測量用試樣進(jìn)行評價，但其需要能縮短成膜準(zhǔn)備所需的作業(yè)時間并降低成本。
[0032]在本實(shí)施方式中，使用成膜準(zhǔn)備用的搬運(yùn)器SC2改變單個基板S面內(nèi)的成膜范圍分別形成各蒸發(fā)源21、22、23蒸發(fā)的蒸發(fā)材料的單側(cè)膜。參照圖2?圖4，搬運(yùn)器SC2與用于批量生產(chǎn)的搬運(yùn)器SC1具有大致相同的形態(tài)，但在搬運(yùn)器SC2的中央處設(shè)置有凹入的與基板S的輪廓對應(yīng)的基板收納部311。在基板收納部311的下表面上，在左右方向上距離相等間隔開設(shè)有在與左右方向正交的方向上延伸的多個孔隙312。在搬運(yùn)器本體31的下表面上，設(shè)置有分另Ij擋住各孔隙312的擋板34^34^343作為遮擋裝置。而且，設(shè)置移動裝置4，以便通過各個擋板34^34^343而有選擇地?fù)踝】紫?12，在從遮蓋基板S下表面的規(guī)定范圍的遮蓋位置到規(guī)定范圍面向蒸發(fā)源、22、23的暴露位置之間分別移動擋板3屯、342、343。
[0033]移動裝置4包括固定位于與左右方向正交的方向上的擋板34!、342、343的一邊的轉(zhuǎn)軸41;支撐轉(zhuǎn)軸41的一對軸承部42a、42b;在從一側(cè)的軸承部42a向外凸起的轉(zhuǎn)軸41的端部處設(shè)置有從動側(cè)的離合器43;以及為吸附擋板3屯，342，343將之保持在遮蓋位置或暴露位置而設(shè)置在搬運(yùn)器主體的下表面的磁鐵44a、44b。此時，轉(zhuǎn)軸41、軸承部42a、42b以及從動側(cè)的離合器43構(gòu)成用于接收來自外部的動力并驅(qū)動擋板3如、342、343的從動部。移動裝置4還具有插設(shè)在第一真空室1:的內(nèi)側(cè)壁上形成的透孔11中的驅(qū)動軸45(參照圖4)。透孔11(是驅(qū)動軸45以及下文所述的驅(qū)動側(cè)的離合器46的設(shè)置位置)形成在上游側(cè)的蒸發(fā)源2^2^23的上游側(cè)，且位于各蒸發(fā)源2^22、23彼此之間(參照圖3)。在驅(qū)動軸45位于第一真空室I1內(nèi)的一端上設(shè)置有驅(qū)動側(cè)的離合器46，其另一端與發(fā)動機(jī)47的輸出軸(未圖示)連接。
[0034]發(fā)動機(jī)47由支持板46a支撐，位于支持板46a和第一真空室I1的外側(cè)壁之間，圍繞驅(qū)動軸45和透孔11的周圍保持第一真空室1:的氣密性，并設(shè)置有用于使驅(qū)動側(cè)的離合器46相對從動側(cè)的離合器43前進(jìn)或后退的波紋管48和驅(qū)動部件49。驅(qū)動部件49例如可由貫穿支持板46a設(shè)置的操作軸49a和氣缸49b構(gòu)成。而且，通過操作驅(qū)動部件49，使驅(qū)動側(cè)的離合器46與從動側(cè)的離合器43分開，從不妨礙傳送搬運(yùn)器SC2的回收位置移動到驅(qū)動側(cè)的離合器46和從動側(cè)的離合器43嚙合的進(jìn)入位置，在該狀態(tài)下一旦發(fā)動機(jī)47驅(qū)動并旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸45，則擋板34ι、342、343抵擋磁鐵44a、44b的吸附力并搖動，在遮蓋位置和暴露位置之間自由移動。以下參照圖4說明制作測量用試樣的本實(shí)施方式的成膜準(zhǔn)備方法。
[0035]在向各蒸發(fā)源2^2^23進(jìn)行了蒸發(fā)材料的補(bǔ)給等后，將第一?第七的各真空室I1?17從大氣壓抽真空到規(guī)定壓力。在第二真空室I2中，送入第五真空室I5的作為測量用試樣的基板S安裝到送入第四真空室I4內(nèi)的搬運(yùn)器SC2上，傳送到第一真空室I1。此時，遮蓋側(cè)的磁鐵44a吸附并保持所有的擋板341、342、343。再有，在擋片21分別覆蓋蒸發(fā)源21、22、23的狀態(tài)下開始加熱蒸發(fā)材料。此外，可使用批量生產(chǎn)中使用的產(chǎn)品作為基板S，再有，也可使用只在與孔隙312對應(yīng)的基板S的規(guī)定范圍內(nèi)粘貼有硅晶片或玻璃基板的產(chǎn)品。
[0036]在第一真空室^內(nèi)，對驅(qū)動輥DR進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動開始傳送搬運(yùn)器SC2，一旦位于傳送方向最前頭的擋板34!的轉(zhuǎn)軸41到達(dá)與位于最上游側(cè)的移動裝置4的驅(qū)動軸45對應(yīng)的位置，則暫時停止驅(qū)動輥DR的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。并且，通過驅(qū)動部件49而移動進(jìn)入位置使驅(qū)動側(cè)的離合器46與從動側(cè)的離合器43嗤合，在該狀態(tài)下通過發(fā)動機(jī)47對驅(qū)動軸45進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動，對抗遮蓋側(cè)的磁鐵44a的吸附力而搖動擋板3屯并移動到暴露位置，吸附并保持在暴露側(cè)的磁鐵44b處。此時，只有基板S的第一規(guī)定范圍SI隔著孔隙312面向最上游的蒸發(fā)源。在該狀態(tài)下再次開始向下游側(cè)傳送搬運(yùn)器SC2，只使最上游的蒸發(fā)源2:的擋片21回收。由此，在經(jīng)過與該蒸發(fā)源相對的位置時，蒸發(fā)源2工蒸發(fā)的蒸發(fā)材料只提供到基板S下表面的規(guī)定范圍SI內(nèi)進(jìn)行成膜。
[0037]接著，一旦位于傳送方向最前頭的擋板3如的轉(zhuǎn)軸41到達(dá)與基板傳送方向上相鄰的移動裝置4的驅(qū)動軸45對應(yīng)的位置，則暫時停止驅(qū)動輥DR的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動，以與上述相同的操作對抗暴露側(cè)的磁鐵44b的吸附力而搖動擋板3屯并移動到遮蓋位置，吸附并保持在遮蓋側(cè)的磁鐵44a處。由此，再次遮蓋由蒸發(fā)源2:形成了薄膜的第一規(guī)定范圍SI。并且，再次開始搬運(yùn)器SC2的傳送，一旦相鄰的擋板342的轉(zhuǎn)軸41到達(dá)與上述相鄰的移動裝置4的驅(qū)動軸45對應(yīng)的位置，則以與上述相同的操作使擋板342搖動并移動到暴露位置，吸附并保持在暴露側(cè)的磁鐵44b處，在該狀態(tài)下，只使蒸發(fā)源22的擋片21回收，蒸發(fā)源22蒸發(fā)的蒸發(fā)材料只提供到基板S下表面的第二規(guī)定范圍S2內(nèi)進(jìn)行成膜。進(jìn)而重復(fù)該操作，一旦蒸發(fā)源23蒸發(fā)的蒸發(fā)材料只提供到基板S下表面的第三規(guī)定范圍S3內(nèi)進(jìn)行成膜，則形成成膜準(zhǔn)備用的基板。
[0038]根據(jù)以上所述，如果在基板S以安裝在搬運(yùn)器SC2上的狀態(tài)從上游側(cè)傳送到下游側(cè)的過程中，在經(jīng)過與各蒸發(fā)源2^2^23相對的位置之前，適當(dāng)驅(qū)動任意的遮擋裝置3屯、342、343的話，則可在基板S面內(nèi)適當(dāng)改變提供蒸發(fā)材料的范圍，因此，可向單個基板S的面內(nèi)，提供來自多個蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料分別形成單層膜。其結(jié)果是與使用多張基板S的上述以往例相比，可縮短成膜準(zhǔn)備所需的作業(yè)時間，并且由于只使用單個基板，所以成本低，特別是有利于真空室I1內(nèi)設(shè)置的蒸發(fā)源個數(shù)多的情況。
[0039]以上對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不僅限于上述內(nèi)容。在上述實(shí)施方式中，以開設(shè)有基板收納孔31a和孔隙312的裝置作為搬運(yùn)器SC^SC2為例進(jìn)行了說明，但并不僅限于此，也可用膠帶將基板粘貼在搬運(yùn)器下表面上。再有，以移動裝置4包括多塊擋板3如、342、343的情況為例進(jìn)行了說明，但并不僅限于此，只要是在向下游側(cè)運(yùn)送基板S時能適當(dāng)改變成膜范圍的裝置，就可廣泛應(yīng)用于本發(fā)明。
[0040]再有，例如圖5(a)和圖5(b)所示，搬運(yùn)器SC3包括分別設(shè)置在搬運(yùn)器本體31的兩法蘭部33的左上端和右上端側(cè)，由軸承401樞轉(zhuǎn)支撐的輥402、403;以及蓋住搬運(yùn)器本體31的下表面并卷繞在兩輥402、403上的擋板300，擋板300上形成有露出安裝在搬運(yùn)器SC3上的基板S的規(guī)定范圍的開口 301。此時，傳送方向前側(cè)的輥402的轉(zhuǎn)軸向外突出，其前端上設(shè)置從動側(cè)的離合器404，這些部件構(gòu)成接收來自外部的動力用于驅(qū)動擋板300的從動部。并且，如果通過與上述實(shí)施方式相同的移動裝置4，在基板S以安裝在搬運(yùn)器SC3上的狀態(tài)從上游側(cè)傳送到下游側(cè)的過程中，在經(jīng)過與各蒸發(fā)源2^2^23相對的位置之前，適當(dāng)改變開口301的話，則可在基板S面內(nèi)適當(dāng)改變提供蒸發(fā)材料的范圍，也就是說在遮蓋基板S的一面的規(guī)定范圍的遮蓋位置和該規(guī)定范圍面向蒸發(fā)源21、22、23的暴露位置之間，移動擋板300作為遮擋裝置。此時，通過操作一次移動裝置4就可改變向基板S面內(nèi)提供蒸發(fā)材料的規(guī)定范圍，是有益的。
[0041]在上述內(nèi)容中，以在搬運(yùn)器SC2、SC3上設(shè)置從動部接收來自外部的動力并驅(qū)動擋板34ι、342、343、300為例進(jìn)行了說明，但并不僅限于此。也可如圖6所示，在搬運(yùn)器SC4本身上直接設(shè)置移動擋板300的開口 301的驅(qū)動部，圖6中對與圖5所示的實(shí)施方式相同的部件或要素使用相同附圖標(biāo)記顯示。在該變形例涉及的搬運(yùn)器SC4中，輥402、403的轉(zhuǎn)軸402a、403a分別由垂直架設(shè)在法蘭部33上的一對支持部件410a、410b樞轉(zhuǎn)支撐，從一側(cè)的支持部件410a向外突出的轉(zhuǎn)軸402a、403a的前端部上固定有將帶狀的彈性材料420a盤成線圈狀制成的螺旋彈簧420。由此，隨著搬運(yùn)器SC4向下游側(cè)移動，由于螺旋彈簧420要恢復(fù)原狀的回復(fù)力使輥402、403旋轉(zhuǎn)，擋板300的開口 301移動，可在基板S面內(nèi)適當(dāng)改變提供蒸發(fā)材料的范圍。
[0042]再有，在上述實(shí)施方式中，以對各孔隙312設(shè)置擋板3如、342、343為例進(jìn)行了說明，但也可如圖7所示，在涉及其他變形例的搬運(yùn)器SC5I，省略位于傳送方向最前頭的擋板3屯，一旦相鄰的擋板342移動到暴露位置，則遮蓋傳送方向最前頭的孔隙312，進(jìn)而，一旦相鄰的擋板343移動到暴露位置，則遮蓋中央的孔隙312，圖7中對與圖2?4所示的實(shí)施方式相同的部件或要素使用相同附圖標(biāo)記顯示。再有，在該搬運(yùn)器SC5*，移動擋板342、343的驅(qū)動部430直接設(shè)置在搬運(yùn)器SC4上。使用發(fā)動機(jī)等公知的驅(qū)動器作為驅(qū)動部430。此時可使用公知的非接觸電力饋送方法或經(jīng)設(shè)置在第一真空室I1內(nèi)的各驅(qū)動輥DR和轉(zhuǎn)動各驅(qū)動輥DR的搬運(yùn)器本體31的法蘭部33給驅(qū)動部430供電。另一方面，可使用帶電池的裝置作為驅(qū)動部430，省略用于供電的機(jī)構(gòu)。再有，既可以設(shè)置凸輪等機(jī)構(gòu)在遮蓋位置和暴露位置之間分別移動擋板34ι、342、343，也可以使用公知的微型開關(guān)和傳感器控制擋板34ι、342、343的開合時機(jī)。此外，當(dāng)然也可在搬運(yùn)器SC4上采用上述作為驅(qū)動部的驅(qū)動器。
[0043]進(jìn)而，在上述實(shí)施方式中，以使用電阻加熱方式和電子槍方式的裝置作為成膜裝置DM的蒸發(fā)源2^2^23，通過真空蒸鍍法進(jìn)行成膜為例進(jìn)行了說明，但并無特殊限定，只要是能對傳送的基板進(jìn)行成膜的裝置即可，例如也可使用濺射陰極作為蒸發(fā)源，進(jìn)而，也可由使用CVD法成膜的氣體導(dǎo)入裝置構(gòu)成。
[0044]附圖標(biāo)記說明
[0045]DM…連續(xù)式成膜裝置、Ir"真空室、2!、22、23…蒸發(fā)源、34^34^34^300…擋板(遮擋裝置)、4...移動裝置、DR...驅(qū)動輥(基板傳送裝置)、S...基板、SC1JChSC3JCh SC5...搬運(yùn)器(基板傳送裝置)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種連續(xù)式成膜裝置的成膜準(zhǔn)備方法，其包含:在排列設(shè)置多個蒸發(fā)源的真空室內(nèi)，沿各蒸發(fā)源排列設(shè)置的方向傳送待處理基板，在基板上形成多層膜之前，在基板上形成由各蒸發(fā)源提供的蒸發(fā)材料的單層膜并制備測量用試樣的工序，所述成膜準(zhǔn)備方法的特征在于: 基板安裝在搬運(yùn)器上，從與上游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置開始連續(xù)或間斷地傳送到與下游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置，使用包括可有選擇地分別遮擋基板的一面的規(guī)定范圍的多個遮擋裝置的裝置作為搬運(yùn)器，在通過搬運(yùn)器從上游側(cè)向下游側(cè)傳送基板時，依次改變各遮擋裝置各自遮擋的規(guī)定范圍，在單個基板的面內(nèi)分別形成由各蒸發(fā)源提供的蒸發(fā)材料的單層膜。2.—種連續(xù)式成膜裝置，其包括可形成真空氣氛的真空室，真空室內(nèi)排列設(shè)置有多個蒸發(fā)源，并且設(shè)置有基板傳送裝置，其沿各蒸發(fā)源排列的方向傳送待處理基板，所述連續(xù)式成膜裝置，其特征在于: 基板傳送裝置包括:搬運(yùn)器，其暴露于各蒸發(fā)源相對的基板的一面并保持基板;驅(qū)動裝置，其從與上游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置開始到與下游側(cè)的蒸發(fā)源相對的位置為止連續(xù)或間斷地驅(qū)動搬運(yùn)器； 在基板傳送裝置中，搬運(yùn)器包括可有選擇地分別遮擋基板的一面的規(guī)定范圍的遮擋裝置，且設(shè)置有移動裝置，其在遮擋基板的一面的規(guī)定范圍的遮擋位置和該規(guī)定范圍面向蒸發(fā)源的暴露位置之間移動遮擋基板。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的連續(xù)式成膜裝置，其特征在于:所述遮擋裝置由開設(shè)在其下表面上的多個孔隙以及分別擋住各孔隙的擋板構(gòu)成，通過所述移動裝置使擋板在遮蓋位置和暴露位置之間移動。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的連續(xù)式成膜裝置，其特征在于:所述遮擋裝置具有多個輥以及蓋住搬運(yùn)器的下表面并卷繞在各輥上的單個擋板，在擋板上設(shè)置有露出安裝在搬運(yùn)器上的基板的規(guī)定范圍的開口，通過所述移動裝置使所述開口的位置在基板面內(nèi)移動。5.—種搬運(yùn)器，其是用于在連續(xù)式成膜裝置中暴露待處理基板的一面并傳送該基板的搬運(yùn)器，其包括:有選擇地遮蓋基板的一面的規(guī)定范圍的遮擋裝置，還具有用于傳輸來自外部的動力，在遮蓋基板的一面的規(guī)定范圍的遮蓋位置和暴露該規(guī)定范圍的暴露位置之間移動遮擋裝置的從動部。6.—種搬運(yùn)器，其是用于在連續(xù)式成膜裝置中暴露待處理基板的一面并傳送該基板的搬運(yùn)器，其包括:有選擇地遮蓋基板的一面的規(guī)定范圍的遮擋裝置，還具有用于在遮蓋基板的一面的規(guī)定范圍的遮蓋位置和暴露該規(guī)定范圍的暴露位置之間移動遮擋裝置的驅(qū)動部。
【文檔編號】C23C14/24GK105874098SQ201480067225
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年11月26日
【發(fā)明人】深尾萬里
【申請人】株式會社愛發(fā)科