專利名稱：布線電路板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種布線電路板的制造方法，詳細(xì)地講是涉及一種適合用作帶電路的懸掛基板的布線電路板的制造方法。
背景技術(shù)：
公知有一種包括金屬支承基板、形成在金屬支承基板上的基底絕緣層及形成在基底絕緣層上的導(dǎo)體圖案的帶電路的懸掛基板，該帶電路的懸掛基板能夠搭載磁頭地用于硬盤驅(qū)動(dòng)器等。另外，導(dǎo)體圖案連接于磁頭和外部基板，電信號(hào)通過(guò)導(dǎo)體圖案在磁頭與外部基板之間傳送。另外，為了降低由金屬支承基板和導(dǎo)體圖案的電位差引起的噪音，提出了一種通過(guò)與金屬支承基板導(dǎo)通的接地端子接地連接導(dǎo)體圖案而成的帶電路的懸掛基板(例如參照日本特開2006-12205號(hào)公報(bào))。在日本特開2006-12205號(hào)公報(bào)的帶電路的懸掛基板中，在金屬支承基板上形成具有基底開口部的基底絕緣層，接著，在自基底開口部暴露出的金屬支承基板上形成金屬薄膜(種膜)，接著，通過(guò)鍍工藝在金屬薄膜上形成接地端子。即，接地端子隔著金屬薄膜形成在金屬支承基板上。但是，在日本特開2006-12205號(hào)公報(bào)的帶電路的懸掛基板中，由于金屬薄膜與金屬支承基板的密合性不充分，因此，存在接地端子自金屬支承基板剝離的情況。特別是從導(dǎo)體圖案的高密度化的方面考慮，在接地端子狹小地形成的情況下，金屬支承基板與金屬薄膜的接觸面積變小。因此，需要提高金屬支承基板與金屬薄膜的密合性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高導(dǎo)體薄膜與金屬支承層的密合性、從而能夠有效地防止金屬連接部自金屬支承層剝離的布線電路板的制造方法。本發(fā)明的布線電路板的制造方法的特征在于，該制造方法包括以下工序準(zhǔn)備金屬支承層；在上述金屬支承層上，以形成有開口部的方式形成絕緣層；在上述絕緣層上及自上述絕緣層的上述開口部暴露出的上述金屬支承層上形成導(dǎo)體薄膜；加熱上述導(dǎo)體薄膜；在形成于上述絕緣層上的上述導(dǎo)體薄膜上形成導(dǎo)體圖案；在形成于自上述絕緣層的上述開口部暴露出的上述金屬支承層上的上述導(dǎo)體薄膜上，與上述導(dǎo)體圖案連續(xù)地形成金屬連接部。本發(fā)明的布線電路板的制造方法還優(yōu)選在形成上述金屬連接部的工序之前實(shí)施加熱上述導(dǎo)體薄膜的工序。在本發(fā)明的布線電路板的制造方法中，還優(yōu)選在加熱上述導(dǎo)體薄膜的工序中，將上述導(dǎo)體薄膜以180°C 350°C加熱1小時(shí) 3小時(shí)。在本發(fā)明的布線電路板的制造方法中，還優(yōu)選在形成上述導(dǎo)體薄膜的工序中，以厚度IOnm IOOOnm形成上述導(dǎo)體薄膜。在本發(fā)明的布線電路板的制造方法中，還優(yōu)選在形成上述導(dǎo)體薄膜的工序中，通過(guò)真空蒸鍍形成上述導(dǎo)體薄膜，在形成上述金屬連接部的工序中，通過(guò)鍍工藝形成上述金屬連接部。在本發(fā)明的布線電路板的制造方法中，還優(yōu)選在形成上述導(dǎo)體圖案的工序中，將上述導(dǎo)體圖案以包含接地布線和信號(hào)布線的方式形成，在形成上述金屬連接部的工序中， 將上述金屬連接部與上述接地布線連續(xù)且相對(duì)于上述信號(hào)布線獨(dú)立地形成。在本發(fā)明的布線電路板的制造方法中，還優(yōu)選在形成上述導(dǎo)體圖案的工序中，將上述導(dǎo)體圖案以包含多個(gè)信號(hào)布線的方式形成，在形成上述金屬連接部的工序中，將上述金屬連接部以與配置在上述多個(gè)信號(hào)布線中的一個(gè)信號(hào)布線的兩側(cè)的信號(hào)布線連續(xù)的方式形成，并且，將一對(duì)上述金屬連接部以通過(guò)上述導(dǎo)體薄膜和上述金屬支承層導(dǎo)通的方式形成。采用本發(fā)明的布線電路板的制造方法，由于加熱導(dǎo)體薄膜，因此，能夠提高導(dǎo)體薄膜與金屬支承層的密合性，從而能夠有效地防止金屬連接部自金屬支承層剝離。因此，能夠提高金屬連接部與金屬支承層的連接可靠性。


圖1表示利用本發(fā)明的布線電路板的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式得到的帶電路的懸掛基板的俯視圖。圖2表示沿著圖1所示的帶電路的懸掛基板的信號(hào)布線的剖視圖。圖3表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的接地連接部的放大俯視圖。圖4是對(duì)制造圖1所示的帶電路的懸掛基板的方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖，是沿著圖 1中的A-A的剖視圖，圖4的(a)表示準(zhǔn)備金屬支承層的工序，圖4的(b)表示形成基底絕緣層的工序，圖4的(C)表示形成導(dǎo)體薄膜的工序，圖4的(d)表示形成抗鍍層的工序，圖4的(e)表示形成導(dǎo)體圖案和接地連接部的工序，圖4的(f)表示除去抗鍍層的工序，圖4的(g)表示除去自導(dǎo)體圖案和接地連接部暴露出的導(dǎo)體薄膜的工序，圖4的(h)表示形成覆蓋絕緣層的工序。圖5表示利用本發(fā)明的布線電路板的制造方法的另一實(shí)施方式得到的帶電路的懸掛基板的俯視圖。圖6是圖5所示的帶電路的懸掛基板的信號(hào)布線連接部的放大圖，圖6的(a)表示俯視圖，圖6的(b)表示仰視圖。圖7是對(duì)制造圖5所示的帶電路的懸掛基板的方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖，是沿著圖 6的(a)中的B-B的剖視圖，圖7的(a)表示準(zhǔn)備金屬支承層的工序，
圖7的(b)表示形成基底絕緣層的工序，圖7的(C)表示形成導(dǎo)體薄膜的工序，圖7的(d)表示形成抗鍍層的工序，圖7的(e)表示形成導(dǎo)體圖案和信號(hào)布線連接部的工序，圖8是接著圖7對(duì)制造圖5所示的帶電路的懸掛基板的方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖， 是沿著圖6的(a)中的B-B的剖視圖，圖8的(f)表示除去抗鍍層的工序，圖8的(g)表示除去自導(dǎo)體圖案和接地連接部暴露出的導(dǎo)體薄膜的工序，圖8的(h)表示形成支承開口部而形成支承連接部的工序，圖8的(i)表示形成覆蓋絕緣層的工序。
具體實(shí)施例方式圖1是利用本發(fā)明的布線電路板的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式得到的帶電路的懸掛基板的俯視圖，圖2是沿著圖1所示的帶電路的懸掛基板的信號(hào)布線的剖視圖，圖3是圖 1所示的帶電路的懸掛基板的接地連接部的放大俯視圖，圖4是對(duì)制造圖1所示的帶電路的懸掛基板的方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖，表示沿著圖1中的A-A的剖視圖。另外，在圖1及圖3中，為了明確地表示導(dǎo)體圖案5和接地連接部12的相對(duì)配置， 省略覆蓋絕緣層6。另外，在圖1中，為了明確地表示接地連接部12的形狀，省略基底絕緣層3。在圖1中，該帶電路的懸掛基板1安裝有磁頭(未圖示)和外部基板(未圖示) 地搭載于硬盤驅(qū)動(dòng)器。帶電路的懸掛基板1形成為沿長(zhǎng)度方向延伸的平帶狀，包括金屬支承層2和支承在金屬支承層2上的導(dǎo)體圖案5。金屬支承層2形成為與帶電路的懸掛基板1的平面形狀相對(duì)應(yīng)的形狀。導(dǎo)體圖案5 —體地包括形成在金屬支承層2的前端部(長(zhǎng)度方向一端部)的磁頭側(cè)端子7、形成在金屬支承層2的后端部(長(zhǎng)度方向另一端部)的外部側(cè)端子17及用于將磁頭側(cè)端子7和外部側(cè)端子17電連接的信號(hào)布線8。導(dǎo)體圖案5還包括與磁頭側(cè)端子7電連接的接地布線9。磁頭側(cè)端子7包括連接于信號(hào)布線8的信號(hào)端子10及連接于接地布線9的接地端子11。 另外，在金屬支承層2中，以貫穿厚度方向的方式形成有狹縫21，該狹縫21在前后方向上夾著磁頭側(cè)端子7。而且，如圖2及圖4的(h)所示，該帶電路的懸掛基板1包括金屬支承層2、形成在金屬支承層2上的作為絕緣層的基底絕緣層3、形成在基底絕緣層3上的導(dǎo)體薄膜4、形成在導(dǎo)體薄膜4上的導(dǎo)體圖案5及以包覆導(dǎo)體圖案5的方式形成在基底絕緣層3上的覆蓋絕緣層6。作為形成金屬支承層2的金屬材料，例如能夠列舉出不銹鋼、42合金、鋁、銅-鈹、 磷青銅等。優(yōu)選列舉出不銹鋼。金屬支承層2的厚度例如為15 μ m 50 μ m，優(yōu)選為20 μ m 30 μ m。
基底絕緣層3在金屬支承層2的上表面形成為與導(dǎo)體圖案5相對(duì)應(yīng)的圖案。另外，在基底絕緣層3中，在前后方向中段形成有沿厚度方向貫穿的作為開口部的基底開口部13。如圖3所示，基底開口部13形成為俯視大致圓形。另外，基底開口部13配置在與后述的接地連接部12相對(duì)應(yīng)的位置。作為形成基底絕緣層3的絕緣材料，例如能夠列舉出聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂等。優(yōu)選列舉出聚酰亞胺樹脂?；捉^緣層3的厚度例如為1 μ m 35 μ m，優(yōu)選為3 μ m 33 μ m。如圖2及圖4的(h)所示，導(dǎo)體薄膜4以與導(dǎo)體圖案5和接地連接部12相對(duì)應(yīng)的方式形成，形成在基底絕緣層3的上表面、基底絕緣層3的基底開口部13的內(nèi)側(cè)面、自基底開口部13暴露出的金屬支承層2的上表面。作為形成導(dǎo)體薄膜4的導(dǎo)體材料，例如能夠列舉出鉻、銅、金、銀、白金、鎳、鈦、硅、 錳、鋯以及它們的合金或者它們的氧化物等金屬材料。優(yōu)選列舉出鉻、銅。另外，導(dǎo)體薄膜 4也可以利用由不同種類的金屬材料形成的多個(gè)層形成。導(dǎo)體薄膜4的厚度例如為10 μ m 1000 μ m,優(yōu)選為10 μ m 200 μ m。只要導(dǎo)體薄膜4的厚度為上述范圍，就能夠提高導(dǎo)體薄膜4和金屬支承層2的密合力。導(dǎo)體圖案5形成在導(dǎo)體薄膜4的上表面，如圖1所示那樣形成為包括磁頭側(cè)端子 7、外部側(cè)端子17、信號(hào)布線8和接地布線9的布線電路圖案。磁頭側(cè)端子7在寬度方向上隔開間隔地在帶電路的懸掛基板1的前端部配置有多個(gè)(6個(gè))，更具體地講，磁頭側(cè)端子7包括5個(gè)信號(hào)端子10和配置在其寬度方向一側(cè)的1 個(gè)接地端子11。各磁頭側(cè)端子7形成為在前后方向上較長(zhǎng)的俯視大致矩形。外部側(cè)端子17在寬度方向上隔開間隔地在帶電路的懸掛基板1的后端部配置有多個(gè)(5個(gè))，各外部側(cè)端子17形成為在前后方向上較長(zhǎng)的俯視大致矩形。信號(hào)布線8以與信號(hào)端子10的后端部和外部側(cè)端子17的前端部連續(xù)的方式形成。接地布線9形成在信號(hào)布線8的寬度方向一側(cè)，與寬度方向最靠一側(cè)的信號(hào)布線 8隔開間隔地配置在寬度方向一側(cè)。由此，接地布線9相對(duì)于信號(hào)布線8獨(dú)立地形成。即，接地布線9與信號(hào)布線8電絕緣。另外，接地布線9的后端部連接于之后詳細(xì)說(shuō)明的作為金屬連接部的接地連接部 12。另外，接地布線9的前端部連接于接地端子11。作為形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12的導(dǎo)體材料，例如能夠列舉出銅、鎳、金、焊錫或者它們的合金等。優(yōu)選列舉出銅。導(dǎo)體圖案5的厚度例如為3μπι 50μπι，優(yōu)選為 5 μ m 20 μ m。另外，各磁頭側(cè)端子7及各外部側(cè)端子17的寬度(寬度方向長(zhǎng)度)例如為 20 μ m 1000 μ m，優(yōu)選為30 μ m 800 μ m。另外，各磁頭側(cè)端子7之間的間隔及各外部側(cè)端子17之間的間隔例如為20 μ m 1000 μ m，優(yōu)選為30 μ m 800 μ m。各信號(hào)布線8及接地布線9的寬度例如為5 μ m 200 μ m，優(yōu)選為8 μ m 100 μ m， 各信號(hào)布線8之間的間隔及寬度方向最靠一側(cè)的信號(hào)布線8與接地布線9之間的間隔例如μ m ~ 200 μ m, 18 μ m ~ 100 μ m。如圖2及圖4的(h)所示，覆蓋絕緣層6形成在自導(dǎo)體圖案5和后述的接地連接部12暴露出的基底絕緣層3的上表面、信號(hào)布線8的上表面和側(cè)面、接地布線9的上表面和側(cè)面、接地連接部12的上表面及側(cè)面。另外，覆蓋絕緣層6以使磁頭側(cè)端子7和外部側(cè)端子17暴露出的方式形成。作為形成覆蓋絕緣層6的絕緣材料，能夠列舉出與形成基底絕緣層3的絕緣材料同樣的材料。另外，覆蓋絕緣層6的厚度例如為2 μ m 20 μ m，優(yōu)選為4 μ m 15 μ m。接著，說(shuō)明接地連接部12。如圖1所示，接地連接部12在帶電路的懸掛基板1的前后方向中段電連接于接地布線9的后端部。即，接地連接部12相對(duì)于信號(hào)布線8獨(dú)立地形成。另外，如圖3所示，接地連接部12與基底絕緣層3的基底開口部13相對(duì)應(yīng)地形成。詳細(xì)地講，如圖2、圖3及圖4的(h)所示，接地連接部12形成俯視大致圓形，連續(xù)地包括下部14和上部15，該下部14填充在基底絕緣層3的基底開口部13內(nèi)，該上部15 自下部14的上端包覆基底絕緣層3的基底開口部13周圍的上表面。下部14以與形成在自基底絕緣層3的基底開口部13暴露出的金屬支承層2的上表面上的導(dǎo)體薄膜4的上表面、及形成在基底絕緣層3的基底開口部13的內(nèi)側(cè)面上的導(dǎo)體薄膜4的內(nèi)側(cè)面接觸的方式填充在基底開口部13內(nèi)。上部15與下部14的上表面及形成在基底絕緣層3的基底開口部13周圍的上表面上的導(dǎo)體薄膜4的上表面連續(xù)地形成。另外，接地布線9的后端部與上部15的前端部連續(xù)。由此，接地連接部12通過(guò)導(dǎo)體薄膜4與金屬支承層2電連接，并且，與接地布線9 和接地端子11電連接。即，接地端子11和接地布線9通過(guò)接地連接部12與金屬支承層2 電連接(接地連接)。另外，上部15被覆蓋絕緣層6包覆。下部14的寬度和長(zhǎng)度(最大直徑、基底開口部13的最大內(nèi)徑)例如為0. Olmm 1. 0mm，優(yōu)選為0. 05mm 0. 5mm。另外，下部14的下表面的面積例如為7. 85Xl(T5mm2 0. 785mm2，優(yōu)選為 1. 96 XlO-W 0. 296mm2。另外，上部15的寬度和長(zhǎng)度(最大直徑)例如為0.02mm 2. 0mm，優(yōu)選為0. Imm 1.0mm。上部15的厚度與導(dǎo)體圖案5的厚度相同。接著，參照?qǐng)D4說(shuō)明帶電路的懸掛基板1的制造方法。首先，如圖4的(a)所示，在該方法中，準(zhǔn)備沿長(zhǎng)度方向延伸的平板狀的金屬支承層2。接著，如圖4的(b)所示，在金屬支承層2上，以形成有基底開口部13的方式形成基底絕緣層3。為了形成基底絕緣層3，例如在金屬支承層2上涂敷感光性的合成樹脂的溶液(清漆)而形成感光性的基底被膜之后，將其曝光并顯影而做成上述圖案，接著，根據(jù)需要加熱而使其硬化。接著，如圖4的(c)所示，在基底絕緣層3上及自基底絕緣層3的基底開口部13 暴露出的金屬支承層2上形成導(dǎo)體薄膜4。
具體地講，在基底絕緣層3的上表面、基底絕緣層3的基底開口部13的內(nèi)側(cè)面及自基底絕緣層3的基底開口部13暴露出的金屬支承層2的上表面連續(xù)地形成導(dǎo)體薄膜4。作為形成導(dǎo)體薄膜4的方法，例如能夠列舉出真空蒸鍍、鍍工藝等薄膜形成方法。 優(yōu)選列舉出真空蒸鍍。真空蒸鍍是這樣的方法，S卩，在使制造過(guò)程中的帶電路的懸掛基板1的環(huán)境為真空氣氛的狀態(tài)下，使上述導(dǎo)體材料蒸發(fā)而附著在包含基底絕緣層3的金屬支承層2的整個(gè)上表面上。只要是真空蒸鍍，就能夠以上述的目標(biāo)厚度形成導(dǎo)體薄膜4，而且，能夠以穩(wěn)定的厚度形成導(dǎo)體薄膜4。作為真空蒸鍍，例如能夠列舉出濺射蒸鍍(濺鍍)、電阻加熱蒸鍍、電子束加熱蒸鍍、離子鍍等，優(yōu)選列舉出濺鍍。優(yōu)選列舉出依次實(shí)施鉻濺鍍及銅濺鍍的濺鍍。之后，在該方法中，對(duì)制造過(guò)程中的帶電路的懸掛基板1加熱。由此，導(dǎo)體薄膜4被加熱，能夠提高導(dǎo)體薄膜4和金屬支承層2的密合性。加熱溫度例如為180°C以上，優(yōu)選為180°C 350°C，更優(yōu)選為200°C 300°C。另外，加熱時(shí)間為1小時(shí) 3小時(shí)，優(yōu)選為1小時(shí) 2小時(shí)。在加熱溫度和加熱時(shí)間超出上述范圍的情況下，在導(dǎo)體薄膜4利用由不同種類的金屬材料形成的多個(gè)層構(gòu)成的情況(具體地講，利用由鉻形成的下層及層疊在下層上的由銅形成的上層構(gòu)成的情況)下，例如存在這樣的情況，即，通過(guò)加熱，下層的金屬材料(鉻) 進(jìn)入到上層，阻礙上層的上表面的、通過(guò)之后的鍍工藝(后述)層疊(析出)接地連接部 12。另一方面，在加熱溫度和加熱時(shí)間不滿足上述范圍的情況下，存在無(wú)法充分地提高基底開口部13內(nèi)的導(dǎo)體薄膜4和金屬支承層2的密合力的情況。加熱在例如大氣等含氧氣氛下、例如真空(存在低濃度氧)氣氛下、例如氮等非活性氣體氣氛下實(shí)施。優(yōu)選在真空氣氛下或者非活性氣體氣氛下實(shí)施。接著，如圖4的(d) 圖4的(g)所示，在形成于基底絕緣層3上的導(dǎo)體薄膜4上以上述的磁頭側(cè)端子7、外部側(cè)端子17、信號(hào)布線8和接地布線圖案9這樣的圖案形成導(dǎo)體圖案5。同時(shí)，在形成于自基底絕緣層3的基底開口部13暴露出的金屬支承層2上的導(dǎo)體薄膜4上及基底開口部13周圍的基底絕緣層3上，與接地布線9連續(xù)地形成接地連接部 12。為了形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12，例如可采用加成法等公知的圖案形成法。在加成法中，首先，如圖4的(d)所示，在導(dǎo)體薄膜4的上表面上，以導(dǎo)體圖案5和接地連接部12的圖案的逆圖案形成抗鍍層16。接著，如圖4的(e)所示，在自抗鍍層16暴露出的導(dǎo)體薄膜4的上表面形成導(dǎo)體圖案5。同時(shí)，在自抗鍍層16暴露出的導(dǎo)體薄膜4的上表面(形成在自基底開口部13暴露出的金屬支承層2的上表面的導(dǎo)體薄膜4的上表面及形成在基底絕緣層3的基底開口部 13周圍的上表面上的導(dǎo)體薄膜4的上表面)及內(nèi)側(cè)面(形成在基底絕緣層3的基底開口部 13的內(nèi)側(cè)面上的導(dǎo)體薄膜4的內(nèi)側(cè)面)上形成接地連接部12。作為形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12的方法，例如能夠列舉出電鍍等鍍工藝等。 只要是通過(guò)鍍工藝，就能夠以上述目標(biāo)厚度形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12。
接著，如圖4的(f)所示，例如通過(guò)蝕刻、剝離等除去抗鍍層16。接著，如圖4的(g)所示，例如通過(guò)軟蝕刻除去自導(dǎo)體圖案5和接地連接部12暴露出的導(dǎo)體薄膜4。例如，在軟蝕刻中，導(dǎo)體圖案5和接地連接部12成為抗蝕層，其無(wú)法通過(guò)軟蝕刻除去，或者導(dǎo)體圖案5和接地連接部12的厚度足夠大于導(dǎo)體薄膜4的厚度，因此實(shí)質(zhì)上無(wú)法除去。由此，將導(dǎo)體圖案5和接地連接部12形成在導(dǎo)體薄膜4上。接著，如圖4的(h)所示，在基底絕緣層3上以包覆導(dǎo)體圖案5和接地連接部12 的方式形成覆蓋絕緣層6。例如在包含導(dǎo)體圖案5和接地連接部12的基底絕緣層3上涂敷感光性的合成樹脂而形成感光性的覆蓋被膜之后，將其曝光并顯影而做成上述圖案，接著， 根據(jù)需要加熱而使其硬化。之后，雖未圖示，但根據(jù)需要在磁頭側(cè)端子7和外部側(cè)端子17的上表面上形成金屬鍍層。金屬鍍層例如由金及/或鎳構(gòu)成，其厚度例如為0. 01 μ m 1 μ m。之后，例如通過(guò)蝕刻、鉆頭穿孔、激光加工形成狹縫21(參照?qǐng)D1)。另外，與此同時(shí)，對(duì)金屬支承層2進(jìn)行外形加工。由此，得到帶電路的懸掛基板1。之后，在磁頭側(cè)端子7和接地連接部12上連接磁頭(未圖示)，并且，在外部側(cè)端子17上連接外部基板(未圖示)。然后，電信號(hào)在磁頭與外部基板之間在信號(hào)端子10、信號(hào)布線8和外部側(cè)端子17 中傳送，并且，磁頭的一部分通過(guò)接地端子11、接地布線9和接地連接部12接地連接。并且，采用上述方法，由于對(duì)導(dǎo)體薄膜4加熱，能夠提高導(dǎo)體薄膜4和金屬支承層 2的密合性，從而能夠有效地防止接地連接部12自金屬支承層2剝離。因此，能夠提高接地連接部12和金屬支承層2的連接可靠性。另外，能夠降低由金屬支承層2和導(dǎo)體圖案5(信號(hào)布線8)的電位差引起的噪音。另外，在上述說(shuō)明中，在圖4的(g)所示的形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12之前， 更具體地講在圖4的(d)所示的形成抗鍍層16之前加熱導(dǎo)體薄膜4，但該時(shí)期并不限定于此。也能夠在例如圖4的(g)所示的形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12之后、圖4的(h)所示的形成覆蓋絕緣層6之前，或者在形成的同時(shí)(更具體地講，在通過(guò)用于形成覆蓋絕緣層 6的硬化而加熱的同時(shí))以及形成之后實(shí)施加熱導(dǎo)體薄膜4。若在形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12之后加熱導(dǎo)體薄膜4，則在利用鍍工藝形成接地連接部12的情況下，能夠防止阻礙鍍層的析出。S卩，在導(dǎo)體薄膜4由鉻薄膜及形成在其上的銅薄膜構(gòu)成的情況下，存在由于加熱 (具體地講是大于350°C的加熱)而使鉻轉(zhuǎn)移到銅薄膜的上表面的情況，在之后欲通過(guò)鍍工藝形成接地連接部12時(shí)，因銅薄膜的上表面的鉻阻礙鍍層(接地連接部12)的析出。但是，若在形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12之后加熱導(dǎo)體薄膜4，由于在加熱時(shí)已經(jīng)通過(guò)鍍工藝形成接地連接部12，因此，能夠避免阻礙上述鍍層的析出。因此，能夠防止接地連接部12自金屬支承層2剝離。另外，若在圖4的(h)所示的形成覆蓋絕緣層6的同時(shí)加熱導(dǎo)體薄膜4，由于能夠同時(shí)對(duì)它們加熱，因此，能夠減少制造工序。
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優(yōu)選在圖4的(g)所示的形成導(dǎo)體圖案5和接地連接部12之前加熱導(dǎo)體薄膜4。 通過(guò)在形成接地連接部12之前加熱導(dǎo)體薄膜4，能夠利用鍍工藝時(shí)的電沉積應(yīng)力防止導(dǎo)體薄膜4自金屬支承層2剝離。另外，在上述圖3的實(shí)施方式中，將接地連接部12形成為俯視大致圓形，但該俯視形狀并沒(méi)有特別的限定，例如也能夠形成為俯視大致矩形等。圖5表示通過(guò)本發(fā)明的布線電路板的制造方法的另一實(shí)施方式得到的帶電路的懸掛基板的俯視圖，圖6表示圖5所示的帶電路的懸掛基板的信號(hào)布線連接部的放大圖，圖 7及圖8表示對(duì)制造圖5所示的帶電路的懸掛基板的方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。另外，在之后的各附圖中，對(duì)與上述各部相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記， 省略其詳細(xì)的說(shuō)明。在上述圖1 圖4的實(shí)施方式中，將本發(fā)明的金屬連接部做成接地連接部12來(lái)說(shuō)明，但例如如圖5 圖8所示，也可以將本發(fā)明的金屬連接部做成用于將信號(hào)布線8電連接的信號(hào)布線連接部22。在圖5中，導(dǎo)體圖案5包括兩對(duì)信號(hào)布線8、連接于信號(hào)布線8的前端部的磁頭側(cè)端子7及連接于信號(hào)布線8的后端部的外部側(cè)端子17。各信號(hào)布線8包括第1布線19和連接于第1布線19的第2布線20。第2布線20自第1布線19的前側(cè)部分分支，與第1布線19的后側(cè)部分接合(合流)。另外，在帶電路的懸掛基板1的前端部，一對(duì)信號(hào)布線8中的一個(gè)信號(hào)布線8A的第2 布線20A形成為在厚度方向上投影時(shí)與鄰接于一個(gè)信號(hào)布線8A的另一個(gè)信號(hào)布線8B的第 2布線20B交叉。具體地講，如圖5及圖6所示，在帶電路的懸掛基板1的前端部，在第2布線20A 的中段形成有兩個(gè)信號(hào)布線連接部22。信號(hào)布線連接部22隔開間隔地配置在另一個(gè)信號(hào)布線8B的第2布線20B的寬度方向兩側(cè)。各信號(hào)布線連接部22形成為俯視大致圓形。另外，如圖6的(a)、圖6的(b)及圖8的⑴所示，在基底絕緣層3中形成有與信號(hào)布線連接部22相對(duì)應(yīng)的基底開口部13。信號(hào)布線連接部22 —體地包括填充于基底開口部13內(nèi)的下部14及自下部14的上端向上側(cè)和外側(cè)鼓出的上部15。上部15以與第2布線20A連續(xù)的方式形成。在金屬支承層2中形成有沿厚度方向貫穿的支承開口部23。支承開口部23形成為在厚度方向上較長(zhǎng)的仰視大致矩形框狀，以包圍兩個(gè)信號(hào)布線連接部22的方式形成。另外，在金屬支承層2中，在支承開口部23的內(nèi)側(cè)形成有由支承開口部23分隔開的支承連接部18。支承連接部18形成為在厚度方向上較長(zhǎng)的仰視大致矩形，以在寬度方向上橫穿另一個(gè)信號(hào)布線8B的第2布線20B的方式形成。另外，支承連接部18隔開間隔地配置在金屬支承層2的支承開口部23周圍的內(nèi)側(cè)。由此，支承連接部18與支承開口部23 周圍的金屬支承層2電絕緣。另外，支承連接部18在寬度方向兩端部與形成在兩個(gè)信號(hào)布線連接部22的下部 14下表面上的導(dǎo)體薄膜4接觸。由此，一對(duì)信號(hào)布線連接部22通過(guò)導(dǎo)體薄膜4和支承連接部18電連接。S卩，一個(gè)信號(hào)布線8A的第2布線20A的中段部分通過(guò)信號(hào)布線連接部22、導(dǎo)體薄膜4和支承連接部18電連接(導(dǎo)通)。在帶電路的懸掛基板1的后端部，在一對(duì)信號(hào)布線8中的另一個(gè)信號(hào)布線8B的第 2布線20B中形成有一對(duì)信號(hào)布線連接部22，中段部分通過(guò)信號(hào)布線連接部22、導(dǎo)體薄膜4 和支承連接部18電連接(導(dǎo)通)。并且，在另一對(duì)信號(hào)布線8中，與上述同樣地分別形成有信號(hào)布線連接部22。為了得到該帶電路的懸掛基板1，如圖7的(a)所示地準(zhǔn)備金屬支承層2。接著，如圖7的(b)所示，在金屬支承層2上，以形成有基底開口部13的方式形成基底絕緣層3。接著，如圖7的(c)所示，在基底絕緣層3上和自基底絕緣層3的基底開口部13 暴露出的金屬支承層2上形成導(dǎo)體薄膜4。接著，如圖7的(d)、圖7的(e)、圖8的(f)及圖8的(g)所示，在形成于基底絕緣層3上的導(dǎo)體薄膜4上以上述圖案形成導(dǎo)體圖案5，并且，在形成于自基底絕緣層3的基底開口部13暴露出的金屬支承層2上的導(dǎo)體薄膜4上形成信號(hào)布線連接部22。S卩，如圖7的(d)所示，首先，在導(dǎo)體薄膜4的上表面，以導(dǎo)體圖案5和信號(hào)布線連接部22的圖案的逆圖案形成抗鍍層16。接著，如圖7的(e)所示，在自抗鍍層16暴露出的導(dǎo)體薄膜4的上表面形成導(dǎo)體圖案5。同時(shí)，在自抗鍍層16暴露出的導(dǎo)體薄膜4的上表面及內(nèi)側(cè)面形成信號(hào)布線連接部 22。接著，如圖8的(f)所示，除去抗鍍層16。接著，如圖8的(g)所示，除去自導(dǎo)體圖案5和信號(hào)布線連接部22暴露出的導(dǎo)體薄膜4。接著，如圖8的(h)所示，在基底絕緣層3上，以包覆導(dǎo)體圖案5和信號(hào)布線連接部22的方式形成覆蓋絕緣層6。之后，如圖8的(i)所示，在金屬支承層2中形成狹縫21 (參照?qǐng)D1)和支承開口部23。通過(guò)形成支承開口部23而形成支承連接部18。于是，在該帶電路的懸掛基板1中，第2布線2(K20A和20B)形成為通過(guò)一對(duì)信號(hào)布線連接部22、導(dǎo)體薄膜4和支承連接部18導(dǎo)通，因此，能夠降低導(dǎo)體圖案5的特性阻抗。另外，能夠提高信號(hào)布線連接部22下的導(dǎo)體薄膜4與支承連接部18的密合性，從而能夠有效地阻止信號(hào)布線連接部22自支承連接部18剝離。另外，在上述各實(shí)施方式中，將本發(fā)明的布線電路板做成帶電路的懸掛基板1來(lái)說(shuō)明，但雖未圖示，例如也可以做成包括以金屬支承層2作為加強(qiáng)層的撓性布線電路板來(lái)制造。以下，表示實(shí)施例和比較例，更具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于此。實(shí)施例1準(zhǔn)備由不銹鋼構(gòu)成的厚度25 μ m的金屬支承層(參照?qǐng)D4的(a))，接著，在金屬支承層上以形成有基底開口部的方式形成由聚酰亞胺構(gòu)成的厚度IOym的基底絕緣層(參照?qǐng)D4的(b))?；组_口部是俯視大致圓形，內(nèi)徑為0. 6mm，面積為0. ^mm2。接著，在基底絕緣層的上表面、基底絕緣層的基底開口部的內(nèi)側(cè)面及自基底絕緣層的基底開口部暴露出的金屬支承層的上表面連續(xù)地形成厚度IOOnm的導(dǎo)體薄膜(參照?qǐng)D4 的(C))。具體地講，首先，通過(guò)鉻濺鍍?cè)诨捉^緣層的整個(gè)上表面、基底絕緣層的基底開口部的內(nèi)側(cè)面及自基底開口部暴露出的金屬支承層的上表面連續(xù)地形成厚度30nm的鉻薄膜。接著，通過(guò)銅濺鍍?cè)阢t薄膜的表面(上表面和側(cè)面)上形成厚度70nm的銅薄膜。之后，將制造過(guò)程中的帶電路的懸掛基板以200°C在真空氣氛下加熱1小時(shí)。接著，在導(dǎo)體薄膜的上表面，以導(dǎo)體圖案和接地連接部的圖案的逆圖案形成抗鍍層(參照?qǐng)D4的(d))。接著，通過(guò)電鍍銅，在自抗鍍層暴露出的導(dǎo)體圖案的上表面形成厚度20 μ m的導(dǎo)體圖案。與此同時(shí)，在自抗鍍層暴露出的導(dǎo)體薄膜4的上表面和內(nèi)側(cè)面形成接地連接部(參照?qǐng)D4的(e))。接地連接部形成為俯視圓形，其具有上部和下部，下部填充在基底開口部?jī)?nèi)，上部連接于接地布線。接地連接部以俯視大致圓形形成，其上部的厚度為20 μ m,直徑為 1. 2mm。接著，通過(guò)蝕刻除去抗鍍層(參照?qǐng)D4的(f))。接著，通過(guò)將導(dǎo)體圖案和接地連接部作為抗蝕層的軟蝕刻除去自導(dǎo)體圖案和接地連接部暴露出的導(dǎo)體圖案(參照?qǐng)D4的(g))。接著，在基底絕緣層上，以包覆導(dǎo)體圖案和接地連接部的方式形成由聚酰亞胺構(gòu)成的厚度5μπι的覆蓋絕緣層(參照?qǐng)D4的(h))。之后，在通過(guò)蝕刻形成狹縫的同時(shí)，對(duì)金屬支承層進(jìn)行外形加工(參照?qǐng)D1)。由此，得到了帶電路的懸掛基板。實(shí)施例2除了將導(dǎo)體薄膜的加熱溫度變更為250°C之外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理，得到了帶電路的懸掛基板。實(shí)施例3除了在形成導(dǎo)體圖案和接地連接部之后加熱導(dǎo)體薄膜、將加熱溫度變更為380°C、 將加熱時(shí)間變更為3小時(shí)之外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理，得到了帶電路的懸掛基板。比較例1除了不加熱導(dǎo)體薄膜之外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理，得到了帶電路的懸掛基板。ML剝離試驗(yàn)在實(shí)施例1 3及比較例1的帶電路的懸掛基板(形成覆蓋絕緣層之前的帶電路的懸掛基板)的整個(gè)上表面粘貼粘合帶而固定了帶電路的懸掛基板的狀態(tài)下，實(shí)施剝離粘合帶的90°C剝離試驗(yàn)(剝離速度25mm/分鐘)。由此，評(píng)價(jià)接地連接部相對(duì)于金屬支承層的剝離力。將其結(jié)果示于表1中。表權(quán)利要求
1.一種布線電路板的制造方法，其特征在于， 該制造方法包括以下工序準(zhǔn)備金屬支承層；在上述金屬支承層上，以形成有開口部的方式形成絕緣層；在上述絕緣層上及自上述絕緣層的上述開口部暴露出的上述金屬支承層上形成導(dǎo)體薄膜；加熱上述導(dǎo)體薄膜；在形成于上述絕緣層上的上述導(dǎo)體薄膜上形成導(dǎo)體圖案；在形成于自上述絕緣層的上述開口部暴露出的上述金屬支承層上的上述導(dǎo)體薄膜上， 與上述導(dǎo)體圖案連續(xù)地形成金屬連接部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線電路板的制造方法，其特征在于， 在形成上述金屬連接部的工序之前，實(shí)施加熱上述導(dǎo)體薄膜的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線電路板的制造方法，其特征在于，在加熱上述導(dǎo)體薄膜的工序中，將上述導(dǎo)體薄膜以180°C 350°C加熱1小時(shí) 3小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線電路板的制造方法，其特征在于，在形成上述導(dǎo)體薄膜的工序中，以厚度IOnm IOOOnm形成上述導(dǎo)體薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線電路板的制造方法，其特征在于， 在形成上述導(dǎo)體薄膜的工序中，通過(guò)真空蒸鍍形成上述導(dǎo)體薄膜； 在形成上述金屬連接部的工序中，通過(guò)鍍工藝形成上述金屬連接部。
6 根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線電路板的制造方法，其特征在于，在形成上述導(dǎo)體圖案的工序中，將上述導(dǎo)體圖案以包含接地布線和信號(hào)布線的方式形成；在形成上述金屬連接部的工序中，將上述金屬連接部與上述接地布線連續(xù)且相對(duì)于上述信號(hào)布線獨(dú)立地形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線電路板的制造方法，其特征在于，在形成上述導(dǎo)體圖案的工序中，將上述導(dǎo)體圖案以包含多個(gè)信號(hào)布線的方式形成； 在形成上述金屬連接部的工序中，將上述金屬連接部以與配置在上述多個(gè)信號(hào)布線中的一個(gè)信號(hào)布線的兩側(cè)的信號(hào)布線連續(xù)的方式形成，并且，將一對(duì)上述金屬連接部以通過(guò)上述導(dǎo)體薄膜和上述金屬支承層導(dǎo)通的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種布線電路板的制造方法。該布線電路板的制造方法包括以下工序準(zhǔn)備金屬支承層；在金屬支承層上以形成有開口部的方式形成絕緣層；在絕緣層上及自絕緣層的開口部暴露出的金屬支承層上形成導(dǎo)體薄膜；加熱導(dǎo)體薄膜；在形成于絕緣層上的導(dǎo)體薄膜上形成導(dǎo)體圖案；在形成于自絕緣層的開口部暴露出的金屬支承層上的導(dǎo)體薄膜上與導(dǎo)體圖案連續(xù)地形成金屬連接部。
文檔編號(hào)H05K3/40GK102573332SQ20111032572
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者杉本悠, 金川仁紀(jì), 龜井勝利 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社