專利名稱：多層布線基板及制造多層布線基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層布線基板，其中通路孔形成在層間絕緣層中，每個(gè)層間絕緣層均將下導(dǎo)體層與上導(dǎo)體層隔離，并且通路導(dǎo)體形成在相應(yīng)的通路孔中，用于將下導(dǎo)體層與上導(dǎo)體層連接，本發(fā)明還涉及一種多層布線基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，與電氣設(shè)備、電子設(shè)備等的尺寸減小相關(guān)聯(lián)，待安裝在這樣的設(shè)備上的多層布線基板需要減小尺寸并且致密化。實(shí)際的多層布線基板通過(guò)所謂的積層過(guò)程制成，其中將樹(shù)脂層間絕緣層與導(dǎo)體層交替地層壓到一起(參考專利文獻(xiàn)1至幻。在多層布線基板中，形成在樹(shù)脂層間絕緣層的下表面上的下導(dǎo)體層與形成在樹(shù)脂層間絕緣層的上表面上的上導(dǎo)體層通過(guò)形成在樹(shù)脂層間絕緣層中的通路導(dǎo)體連接。在上述多層布線基板的制造中，通路孔借助于激光加工形成在每個(gè)樹(shù)脂層間絕緣層中；樹(shù)脂層間絕緣層的上表面受到化學(xué)鍍銅、銅電鍍等；并且蝕刻掉鍍層不需要的部分。 結(jié)果，上導(dǎo)體層以期望的圖案形成在樹(shù)脂層間絕緣層的上表面上，并且用于連接上導(dǎo)體層與下導(dǎo)體層的通路導(dǎo)體形成在相應(yīng)的通路孔中。使樹(shù)脂層間絕緣層的表面變粗糙，以變成粗糙表面，從而確保該表面與導(dǎo)體層之間的附著。除上述激光加工方法以外，形成通路孔的實(shí)際的方法使用公開(kāi)已知的光刻技術(shù)， 并由曝光步驟、顯影步驟等組成(例如參考專利文獻(xiàn)2和3)。在直徑上比通路孔大的焊盤形成在通路導(dǎo)體的的相應(yīng)上端上，所述通路導(dǎo)體的上端部分地構(gòu)成樹(shù)脂層間絕緣層的上表面。通路導(dǎo)體通過(guò)焊盤連接至導(dǎo)體層相應(yīng)圖案化的布線線路。同時(shí)，當(dāng)樹(shù)脂層間絕緣層101的表面粗糙度提高時(shí)，在用于形成圖案化的布線線路102(導(dǎo)體層)的鍍銅過(guò)程中，將被鍍的用于形成圖案化布線線路102的銅沉積在樹(shù)脂層間絕緣層101的表面上的凹坑103中，并且沉積在凹坑103中的銅10 處于從布線線路寬度Wl的特定范圍向外凸出的狀況下(參見(jiàn)圖15)。在該情況下，這樣的狀況是圖案化布線線路102的高密度配置的障礙。因此，在新近的多層布線基板中，樹(shù)脂層間絕緣層101的表面粗糙度自傳統(tǒng)的粗糙度有所降低，因而實(shí)現(xiàn)圖案化布線線路102的高密度配置。[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)(kokai)No.2008-270768[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)(kokai)No.2005-33231[專利文獻(xiàn)3]日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)(kokai)No.2000-M412
發(fā)明內(nèi)容
[本發(fā)明要解決的問(wèn)題]然而，當(dāng)樹(shù)脂層間絕緣層101的表面粗糙度降低時(shí)，樹(shù)脂層間絕緣層101與圖案化的布線線路102之間的粘接強(qiáng)度劣化。此外，相對(duì)大的應(yīng)力被強(qiáng)加于圖案化的布線線路102 與通路導(dǎo)體(焊盤的連接部分)之間的連接部分上。因此，從圖案化的布線線路102與通路導(dǎo)體之間的連接開(kāi)始易于出現(xiàn)分層。本發(fā)明已經(jīng)考慮到以上問(wèn)題，并且本發(fā)明的目的是提供一種多層布線基板，其中在通路導(dǎo)體處的分層被抑制，從而增強(qiáng)通路導(dǎo)體的連接可靠性。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種適于多層布線基板的制造的制造方法。[解決問(wèn)題的手段]用于解決以上問(wèn)題的手段(手段1)是一種多層布線基板，其中通路孔形成在將下導(dǎo)體層與上導(dǎo)體層隔離的層間絕緣層中，并且通路導(dǎo)體形成在用于連接下導(dǎo)體層與上導(dǎo)體層的各自的通路孔中。多層布線基板的特征在于，層間絕緣層的表面是粗糙表面；通路孔在層間絕緣層的粗糙表面處開(kāi)口 ；階梯部分形成在通路孔周圍的表面的開(kāi)口邊緣區(qū)域中，使得階梯部分從開(kāi)口邊緣區(qū)域周圍的周邊區(qū)域凹陷；并且階梯部分在表面粗糙度方面比周邊區(qū)域高。因此，根據(jù)在手段1中描述的本發(fā)明，在層間絕緣層中，階梯部分形成在通路孔周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中。由于該特征，同在通路孔周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中沒(méi)有設(shè)置階梯部分的情況比較起來(lái)，避免通路孔的開(kāi)口邊緣附近的應(yīng)力集中，并且能夠確保上導(dǎo)體層與層間絕緣層之間的附著。此外，由于階梯部分在表面粗糙度方面比它們的周邊區(qū)域高，所以在階梯部分處能夠充分地增強(qiáng)上導(dǎo)體層與層間絕緣層之間的粘接強(qiáng)度。結(jié)果，能夠抑制通路導(dǎo)體與上導(dǎo)體層之間的連接處的分層，由此能夠改善通路導(dǎo)體的連接可靠性。優(yōu)選地，上導(dǎo)體層呈現(xiàn)連接至對(duì)應(yīng)通路導(dǎo)體的上端的焊盤的形式，并且焊盤的最大直徑等于或大于對(duì)應(yīng)階梯部分的最大直徑。由于該特征，在層間絕緣層中，可靠地用對(duì)應(yīng)的焊盤覆蓋具有高的表面粗糙度的階梯部分的表面；因此，能夠以精細(xì)的間距形成圖案化的布線線路。優(yōu)選地，上導(dǎo)體層的形成在層間絕緣層的階梯部分上的部分的厚度大于上導(dǎo)體層的形成在層間絕緣層的周邊區(qū)域上的部分的厚度。由于層間布線的厚度在通路導(dǎo)體與層間布線之間的分層易于由其開(kāi)始的連接處增大，所以能夠防止分層。優(yōu)選地，通路孔、階梯部分和焊盤被同心地設(shè)置。由于該特征，能夠在通路孔周圍相對(duì)容易地形成階梯部分。此外，優(yōu)選地，階梯部分具有1 μ m至3 μ m且包括1 μ m和3 μ m 在內(nèi)的深度和小于Iym的表面粗糙度。優(yōu)選地，階梯部分具有IOym至30μπι且包括Iym和3μπι在內(nèi)的寬度。由于該
特征，階梯部分能夠在最大直徑方面小于焊盤。優(yōu)選地，層間絕緣層通過(guò)利用積層材料形成，該積層材料由包含按重量計(jì)50wt% 或更大的量的無(wú)機(jī)填料的絕緣樹(shù)脂材料形成。通過(guò)以這種方式提高無(wú)機(jī)填料含量，能夠抑制層間絕緣層的表面粗糙度，由此能夠在層間絕緣層上以精細(xì)的間距形成導(dǎo)體層的布線線路。優(yōu)選地，通路導(dǎo)體是通過(guò)鍍銅形成的填充通孔。通路導(dǎo)體可以是共形通孔；然而， 以填充通孔的形式的通路導(dǎo)體能夠降低電阻。共形通孔是以下類型的通孔，其中沿通路孔的壁形成均勻厚度的鍍層；因此，通路孔沒(méi)有完全充滿鍍層，并且通孔具有凹陷。相比之下， 填充通孔是以下類型的通孔，其中鍍層的厚度不均勻，并且通路孔完全充滿鍍層，使得通孔沒(méi)有凹陷。
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可考慮到絕緣性能、耐熱性、防潮性能等酌情選擇用于多層布線基板的層間絕緣層的材料。用于形成層間絕緣層的材料的優(yōu)選實(shí)例包括熱固性樹(shù)脂，諸如環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂；和熱塑性樹(shù)脂，諸如聚碳酸酯樹(shù)酯、丙烯酸樹(shù)脂、聚縮醛樹(shù)脂和聚丙烯樹(shù)脂。此外，包含在層間絕緣層中的無(wú)機(jī)填料的實(shí)例包括無(wú)機(jī)氧化物的填料，諸如二氧化硅、二氧化鈦和礬土。具體地，二氧化硅填料在介電常數(shù)方面和在線性膨脹系數(shù)方面低；因此，通過(guò)二氧化硅填料到層間絕緣層的添加，能進(jìn)一步提高多層布線基板的質(zhì)量。用于解決以上問(wèn)題的另一個(gè)手段(手段2)是一種多層布線基板，其包括層間絕緣層；通路導(dǎo)體，其被充入在層間絕緣層中形成的通路孔；端子墊，其被嵌入層間絕緣層； 和層間布線，其形成層間絕緣層的表面上，并經(jīng)由通路導(dǎo)體連接至端子墊，其中通路孔成形為使得它們的直徑從端子墊側(cè)朝層間布線側(cè)增大，并且階梯部分形成在層間絕緣層的在通路孔周圍的表面的相應(yīng)開(kāi)口邊緣區(qū)域中，使得階梯部分從在開(kāi)口邊緣區(qū)域周圍的周邊區(qū)域凹陷。端子墊受到來(lái)自連接至端子墊的另一個(gè)布線基板或元件的影響，由此應(yīng)力集中在端子墊處。此外，相對(duì)大的應(yīng)力作用于直接連接至端子墊的通路導(dǎo)體。因此，從通路導(dǎo)體與直接連接至通路導(dǎo)體的層間布線之間的連接開(kāi)始易于出現(xiàn)分層。在上述模式的布線基板中，階梯部分形成在通路孔周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中，使得階梯部分從開(kāi)口邊緣區(qū)域周圍的周邊區(qū)域凹陷。這樣的階梯部分能夠分散作用于通路導(dǎo)體與層間布線之間的連接的應(yīng)力， 因而抑制分層。優(yōu)選地，層間布線形成在階梯部分和周邊區(qū)域上，并且其它通路導(dǎo)體連接至層間布線的在周邊區(qū)域上形成的部分。優(yōu)選地，層間布線的形成在層間絕緣層的階梯部分上的部分的厚度大于層間布線的形成在層間絕緣層的周邊區(qū)域上的部分的厚度。由于層間布線的厚度在通路導(dǎo)體與層間布線之間的分層易于由其開(kāi)始的連接處增大，所以能防止分層。優(yōu)選地，層間布線包括連接至通路導(dǎo)體的端部的焊盤，并且焊盤的最大直徑等于或大于對(duì)應(yīng)的階梯部分的最大直徑。由于該特征，在層間布線中，可靠地用對(duì)應(yīng)的焊盤覆蓋階梯部分；因此，必定能夠防止分層。連接墊可以是經(jīng)由焊料塊連接至半導(dǎo)體芯片的襯墊。由于半導(dǎo)體芯片在熱膨脹系數(shù)方面與布線基板不同，所以應(yīng)力易于集中在半導(dǎo)體芯片與布線基板之間的連接處。然而， 在采用上述模式的布線基板的情況下，能夠分散作用于半導(dǎo)體芯片的連接墊與層間布線之間的連接的應(yīng)力，由此能夠抑制分層。用于解決以上問(wèn)題的另一個(gè)手段(手段幻是一種制造在手段1中所描述的多層布線基板的方法，包括層間絕緣層形成步驟，其形成覆蓋下導(dǎo)體層的層間絕緣層；激光照射步驟，其用具有第一激光能量的激光束照射層間絕緣層的預(yù)定通路孔形成位置，并用具有比第一激光能量弱的第二激光能量的激光束照射層間絕緣層的預(yù)定階梯部分形成位置； 以及粗糙化步驟，其在激光照射步驟之后使層間絕緣層變粗糙，以便使層間絕緣層的整個(gè)表面成為粗糙表面，并在預(yù)定階梯部分形成位置處形成階梯部分，并且使階梯部分的表面成為粗糙表面。根據(jù)在手段2中描述的本發(fā)明，通過(guò)激光照射，通孔形成在層間絕緣層中，并且在預(yù)定階梯部分形成位置處、即在通路孔的開(kāi)口邊緣處腐蝕層間絕緣層。然后，粗糙化步驟形成階梯部分，并使階梯部分的表面變粗糙。由于該階梯，階梯部分能夠可靠地形成在通路孔周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中，并且能夠充分地增強(qiáng)上導(dǎo)體層與層間絕緣層之間的粘接強(qiáng)度。優(yōu)選地，粗糙化步驟是使用蝕刻劑的去沾污步驟。在該情況下，除層間絕緣層的整個(gè)表面的粗糙化和階梯部分的表面的粗糙化之外，能夠可靠地去除在激光照射之后殘留在通路孔中的表面沾污。粗糙化步驟除了用于粗糙化的液體以外，可以使用固體或氣體。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的多層布線基板的示意性剖視圖。圖2示出通路孔和通路導(dǎo)體的放大剖視圖。圖3示出通路孔和焊盤的平面圖。圖4示出制造多層布線基板的方法的說(shuō)明圖。圖5示出制造多層布線基板的方法的說(shuō)明圖。圖6示出制造多層布線基板的方法的說(shuō)明圖。圖7示出制造多層布線基板的方法的說(shuō)明圖。圖8示出制造多層布線基板的方法的說(shuō)明圖。圖9通路孔的SEM照片。圖10示出制造多層布線基板的方法的說(shuō)明圖。圖11通路孔和通路導(dǎo)體的SEM照片。圖12示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的多層布線基板的示意性剖視圖。圖13示出多層布線基板的部分示意性剖視圖。圖14示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的通路孔和階梯部分的平面圖。圖15示出根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的通路孔和階梯部分的平面圖。圖16示出根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的通路孔和階梯部分的平面圖。圖17示出在傳統(tǒng)的多層布線基板的層間絕緣層上的圖案化的布線線路的說(shuō)明圖。[附圖標(biāo)記說(shuō)明]10、111 多層布線基板33至36、143至146 樹(shù)脂層間絕緣層41,156 下導(dǎo)體層(層間布線)42 上導(dǎo)體層51 通路孔52 通路導(dǎo)體53、53a 至 53c、161 階梯部分130 用作上導(dǎo)體層的端子墊tl 層間布線的形成在層間絕緣層的階梯部分上的部分的厚度t2 層間布線的形成在層間絕緣層的周邊區(qū)域上的部分的厚度。
具體實(shí)施例方式接下來(lái)將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的多層布線基板。
如圖1所示，本實(shí)施例的多層布線基板10包括芯基板11，其類似大體方形的板； 第一積層層31，其形成在芯基板11的芯主表面12上；以及第二積層層32，其形成在芯背表面13上。本實(shí)施例的芯基板11是如在平面中觀察具有大體方形的形狀的板，并且測(cè)量得到25mm長(zhǎng)X25mm寬X0. 9mm厚度。芯基板11例如由樹(shù)脂絕緣材料(環(huán)氧玻璃材料)形成，其中用作加強(qiáng)材料的玻璃布充滿環(huán)氧樹(shù)脂。芯基板11具有在芯主表面12與芯背表面 13之間延伸通過(guò)的多個(gè)貫通孔導(dǎo)體16。貫通孔導(dǎo)體16的內(nèi)部填充有例如環(huán)氧樹(shù)脂的相應(yīng)的阻塞體17。由銅制成的導(dǎo)體層41通過(guò)圖案化分別形成在芯基板11的芯主表面12和芯背表面13上。導(dǎo)體層41電連接至貫通孔導(dǎo)體16。形成在芯基板11的芯主表面12上的第一積層層31具有以下結(jié)構(gòu)，其中由熱固性樹(shù)脂(環(huán)氧樹(shù)脂)制成的兩個(gè)樹(shù)脂層間絕緣層33和35與由銅制成的導(dǎo)體層42交替地層壓。端子墊44以陣列的形式形成在第二樹(shù)脂層間絕緣層35的表面上的多個(gè)位置處。樹(shù)脂層間絕緣層35的大體整個(gè)表面覆蓋有阻焊層37。阻焊層37具有在預(yù)定位置處形成的開(kāi)口 46，用于穿過(guò)該阻焊層37暴露端子墊44。樹(shù)脂層間絕緣層33和35具有通路孔51，所述通路孔51形成在樹(shù)脂層間絕緣層33和35中的多個(gè)位置處，并填充在相應(yīng)的通路孔51中形成的通路導(dǎo)體52。通路導(dǎo)體52電連接至導(dǎo)體層41和42并電連接至端子墊44。形成在芯基板11的芯背表面13上的第二積層層32具有大體與上述第一積層層 31相同的結(jié)構(gòu)。具體地，第二積層層32具有以下結(jié)構(gòu)，其中兩個(gè)樹(shù)脂層間絕緣層34和36 與導(dǎo)體層42交替地層壓。樹(shù)脂層間絕緣層34和36同樣具有通路孔51，所述通路孔51形成在樹(shù)脂層間絕緣層34和36中多個(gè)位置處，并具有在相應(yīng)的通路孔51中形成的通路導(dǎo)體 52。通路導(dǎo)體52電連接至導(dǎo)體層41和42。BGA墊48以陣列形式形成在通路導(dǎo)體52的下端的位置處的樹(shù)脂層間絕緣層36的下表面上，并通過(guò)通路導(dǎo)體52電連接至導(dǎo)體層42。此外，樹(shù)脂層間絕緣層36的大體整個(gè)下表面覆蓋有阻焊層38。阻焊層38具有在預(yù)定位置處形成的開(kāi)口 40，用于通過(guò)該阻焊層38暴露BGA墊48。在本實(shí)施例的多層布線基板10中，積層層31和32的樹(shù)脂層間絕緣層33至36通過(guò)利用積層材料形成，在該積層材料中，熱固性絕緣樹(shù)脂材料(具體地，環(huán)氧樹(shù)脂)包含按重量計(jì)60wt%的量的無(wú)機(jī)填料(具體地，二氧化硅填料)。樹(shù)脂層間絕緣層33至36的表面是粗糙表面，并且通路孔51在樹(shù)脂層間絕緣層33至36的粗糙表面處開(kāi)口。在多層布線基板10中，依靠著樹(shù)脂層間絕緣層33至36的表面是粗糙表面，確保導(dǎo)體層42及襯墊44 和48到對(duì)應(yīng)的樹(shù)脂層間絕緣層33至36的附著。如圖2所示，階梯部分53形成在每個(gè)通路孔51的開(kāi)口的邊緣周圍，使得階梯部分53從其周邊區(qū)域凹陷，并且階梯部分53在表面粗糙度方面比在周邊的周邊區(qū)域高。圖 2示出在樹(shù)脂層間絕緣層33中形成的通路孔51和通路導(dǎo)體52，并且通路導(dǎo)體52使在下側(cè)上的導(dǎo)體層41 (下導(dǎo)體層)與在上側(cè)上的導(dǎo)體層42 (上導(dǎo)體層)連接。圖2所示的導(dǎo)體層 42構(gòu)成連接至通路導(dǎo)體52的上端的焊盤。如圖3所示，導(dǎo)體層42的焊盤、通路孔51和階梯部分53被同心設(shè)置。圖3是在其中樹(shù)脂層間絕緣層35和阻焊層37被去除的狀況下、如從樹(shù)脂層間絕緣層33上方觀察的導(dǎo)體層42 (焊盤)的平面圖。在本實(shí)施例中，階梯部分53具有大約2 μ m的深度和小于1 μ m的表面粗糙度。此外，階梯部分53具有大約20 μ m的寬度。根據(jù)JISB0601 :2001測(cè)量該表面粗糙度。如圖2和3所示，在本實(shí)施例中，連接至通路導(dǎo)體52的上端的導(dǎo)體層42 (焊盤)的最大直徑大于階梯部分53的最大直徑。也就是說(shuō)，階梯部分53完全被導(dǎo)體層42覆蓋。接下來(lái)，將描述制造本實(shí)施例的多層布線基板10的方法。首先，制備覆銅薄層壓板，其中銅箔被帖附在基材的相對(duì)側(cè)上。通過(guò)利用鉆床，在覆銅薄層壓板中預(yù)先形成貫通孔(未示出)，以這種方式延伸通過(guò)層壓板的前表面與背表面之間的層壓板。使覆銅薄層壓板的貫通孔的壁表面經(jīng)受化學(xué)鍍銅和銅電鍍，從而在相應(yīng)的貫通孔內(nèi)形成貫通孔導(dǎo)體16。隨后，用絕緣樹(shù)脂材料(環(huán)氧樹(shù)脂)充滿貫通孔導(dǎo)體16的空腔，從而形成阻塞體17。此外，使覆銅薄層壓板的表面經(jīng)受化學(xué)鍍銅和銅電鍍，以在包括阻塞體17的暴露部分的覆銅薄層壓板的表面上形成鍍銅層。隨后，通過(guò)例如減層過(guò)程使鍍銅層和銅箔圖案化。結(jié)果，如圖4所示，產(chǎn)生具有導(dǎo)體層41和貫通孔導(dǎo)體16的芯基板11。然后，執(zhí)行積層步驟，用于在芯基板11的芯主表面12上形成第一積層層31，以及用于在芯背表面13上形成第二積層層32。具體地，如圖5所示，分別將其中熱固性環(huán)氧樹(shù)脂包含二氧化硅填料的片狀樹(shù)脂層間絕緣層33和34帖附至芯基板11的芯主表面12和芯背表面13，并使樹(shù)脂層間絕緣層33和34固化(預(yù)固化)至一定的程度(層間絕緣層形成步驟)。然后，如圖6所示，通過(guò)利用例如準(zhǔn)分子激光器、UV激光器或CO2激光器，進(jìn)行激光加工，以便在樹(shù)脂層間絕緣層33和34中的預(yù)定的位置處形成通路孔51 (激光照射步驟)。 在該步驟中，用具有第一激光能量的激光束照射樹(shù)脂層間絕緣層33和34的預(yù)定通路孔形成位置，并用具有比第一激光能量弱的第二激光能量的激光束照射樹(shù)脂層間絕緣層33和 34的預(yù)定階梯部分形成位置。結(jié)果，如圖7所示，在樹(shù)脂層間絕緣層33和34中，通路孔51 形成在導(dǎo)體層41上方，并且凹部M以從通路孔51的周邊區(qū)域凹陷的方式形成在通路孔51 周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中。接下來(lái)，通過(guò)利用諸如高錳酸鉀的蝕刻劑，執(zhí)行去沾污步驟(粗糙化步驟)，用于從通路孔51內(nèi)部去除沾污。在去沾污步驟中，除使用蝕刻劑的過(guò)程以外，可執(zhí)行使用例如 O2等離子體的等離子體灰化過(guò)程。通過(guò)去沾污步驟的執(zhí)行，如圖8所示，使樹(shù)脂層間絕緣層 33和34的表面變粗糙。結(jié)果，樹(shù)脂層間絕緣層33和34的整個(gè)表面變成粗糙表面，并且階梯部分53形成在預(yù)定階梯部分形成位置處；即形成在通路孔51的開(kāi)口邊緣處；此外，階梯部分53的表面變成粗糙表面。由于階梯部分53的表面已被激光照射損壞至一定的程度， 所以階梯部分53在表面粗糙度方面比它們的周邊區(qū)域高。圖9示出如在去沾污過(guò)程之后拍攝的通路孔51和其周圍的SEM照片60以及以放大比例尺示出階梯部分53的SEM照片61。從圖9的SEM照片60和61已證實(shí)的是，環(huán)形階梯部分53沿通路孔51的開(kāi)口的邊緣形成，并且使階梯部分53變粗糙至比其周邊區(qū)域高的程度。在去沾污步驟之后，通過(guò)傳統(tǒng)已知的方法進(jìn)行化學(xué)鍍銅和銅電鍍，從而在相應(yīng)的通路孔51中形成通路導(dǎo)體52。此外，通過(guò)傳統(tǒng)已知的方法(例如半加成過(guò)程)進(jìn)行蝕刻，從而在樹(shù)脂層間絕緣層33和34中的每個(gè)樹(shù)脂層間絕緣層上以預(yù)定的圖案形成導(dǎo)體層42 (參見(jiàn)圖10)。圖11示出SEM照片62和SEM照片63，SEM照片62示出在沿通路導(dǎo)體52的厚度方向在通路導(dǎo)體52的軸線上截取的通路導(dǎo)體52的截面，而SEM照片63以放大比例尺示出該截面。從圖11的SEM照片62和63已證實(shí)的是，階梯部分53形成在通路孔51的開(kāi)口的邊緣周圍。此外，分別以與上述用于樹(shù)脂層間絕緣層33和34以及導(dǎo)體層42的形成相類似的方式形成其它樹(shù)脂層間絕緣層35和36以及襯墊44和48，并且分別將其它樹(shù)脂層間絕緣層 35和36以及襯墊44和48層壓在樹(shù)脂層間絕緣層33和34上。接下來(lái)，將光敏性環(huán)氧樹(shù)脂涂覆在樹(shù)脂層間絕緣層35和36上，并允許該光敏性環(huán)氧樹(shù)脂凝固，從而形成阻焊層37和 38。隨后，阻焊層37和38用分別放置在阻焊層37和38上的預(yù)定的掩膜經(jīng)受曝光，然后經(jīng)受顯影，從而分別通過(guò)圖案化在阻焊層38和37中形成開(kāi)口 40和46。通過(guò)上述步驟的執(zhí)行，制造圖1所示的多層布線基板10。因此，本實(shí)施例產(chǎn)生以下效果。(1)根據(jù)本實(shí)施例的多層布線基板10，在樹(shù)脂層間絕緣層33至36中，階梯部分53 形成在通路孔51周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中。由于階梯部分53的形成，同在通路孔51周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中沒(méi)有形成階梯部分的情況比較起來(lái)，避免通路孔51的開(kāi)口邊緣附近的應(yīng)力集中，并能夠確保導(dǎo)體層42與樹(shù)脂層間絕緣層33至36中的每個(gè)樹(shù)脂層間絕緣層之間的附著。此外，由于階梯部分53在表面粗糙度方面比它們的周邊區(qū)域高，所以在階梯部分53 處能夠充分地增強(qiáng)導(dǎo)體層42與樹(shù)脂層間絕緣層33至36中的每個(gè)樹(shù)脂層間絕緣層之間的粘接強(qiáng)度。結(jié)果，能抑制通路導(dǎo)體52與導(dǎo)體層42之間的連接處的分層，由此能改善通路導(dǎo)體52的連接可靠性。(2)在本實(shí)施例的多層布線基板10中，連接至通路導(dǎo)體52的上端的導(dǎo)體層42 (焊盤)在最大直徑方面比階梯部分53大。由于該特征，在樹(shù)脂層間絕緣層33和34中，可靠地用(對(duì)應(yīng)焊盤的)導(dǎo)體層42覆蓋具有高的表面粗糙度的階梯部分53的表面；因此，能夠以精細(xì)的間距形成圖案化的布線線路。(3)在本實(shí)施例的多層布線基板10中，通路孔51、階梯部分53和導(dǎo)體層42的焊盤被同心地設(shè)置。在該情況下，能夠在通路孔51周圍相對(duì)容易地形成階梯部分53。此外， 能夠以使粘接強(qiáng)度沿通路孔51的開(kāi)口邊緣均勻的方式形成導(dǎo)體層42。(4)在本實(shí)施例的多層布線基板10中，通過(guò)利用積層材料形成樹(shù)脂層間絕緣層 33至36，在該積層材料中，樹(shù)脂絕緣材料包含按重量計(jì)60wt%的量的二氧化硅填料。在該情況下，由于樹(shù)脂層間絕緣層33至36在量方面包含比傳統(tǒng)的樹(shù)脂層間絕緣層(具有大約 30%的二氧化硅填料含量)更多的二氧化硅填料，所以能夠抑制如在去沾污步驟之后測(cè)量的樹(shù)脂層間絕緣層33至36的表面粗糙度。結(jié)果，能夠在樹(shù)脂層間絕緣層33至36上以精細(xì)的間距形成導(dǎo)體層42的圖案化的布線線路。接下來(lái)將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝110及其制造方法。如圖12所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝110為BGA(球狀網(wǎng)格陣列)型，并由多層布線基板111和IC芯片121 (芯片元件)組成，所述IC芯片121是半導(dǎo)體集成電路元件。 值得注意地，半導(dǎo)體封裝110的類型不局限于BGA，而可以是PGA(引腳網(wǎng)格陣列)、LGA(接點(diǎn)網(wǎng)格陣列)等。IC芯片121優(yōu)選地由熱膨脹系數(shù)為4. 2ppm/°C的硅形成，并呈現(xiàn)尺寸為 15. Omm (長(zhǎng)度)X 15. Omm (寬度)X0. 8mm (厚度)的矩形平板的形狀。同時(shí)，示例性多層布線基板111沒(méi)有芯基板，并具有由銅(層間布線)形成的導(dǎo)體層151和四個(gè)樹(shù)脂絕緣層143、144、145和146組成的布線堆疊部分140(層壓結(jié)構(gòu))，所述8/10 頁(yè)
四個(gè)樹(shù)脂絕緣層143、144、145和146與導(dǎo)體層151交替地堆疊。本實(shí)施例的布線堆疊部分140優(yōu)選地呈現(xiàn)如從上方觀察的大體上矩形的形狀，并具有50. Omm(長(zhǎng)度)X 50. Omm(寬度)X0. 4mm(厚度)的尺寸。在本實(shí)施例中，樹(shù)脂絕緣層143至146的熱膨脹系數(shù)為大約 10至60ppm/°C (具體地，大約20ppm/°C )。值得注意地，樹(shù)脂絕緣層143至146的熱膨脹系數(shù)指的是在30°C與玻璃化溫度(Tg)之間的測(cè)量值的平均值。如圖12所示，多個(gè)端子墊130(表面連接端子)以陣列的形式設(shè)置在布線堆疊部分140的正面141上(在第四樹(shù)脂絕緣層146的表面上)。如圖13所示，端子墊130中的每個(gè)均具有層壓結(jié)構(gòu)，在層壓結(jié)構(gòu)中鍍銅層131 (銅層)、鍍鎳層132 (鎳層)和鍍金層133 (金層)以該順序堆疊。鍍銅層131的厚度被設(shè)定成不小于10 μ m但小于20 μ m(在本實(shí)施例中，10 μ m)。鍍鎳層132的厚度被設(shè)定成不小于3 μ m但小于10 μ m(在本實(shí)施例中，5 μ m)。 鍍金層133的厚度被設(shè)定成不小于0. 1 μ m但小于3 μ m (在本實(shí)施例中，0. 5 μ m)。多個(gè)焊料塊巧4被設(shè)置在端子墊130的表面上。IC芯片121的端子122表面連接至焊料塊154。IC芯片121被安裝在布線堆疊部分140的正面141上。值得注意地，形成端子墊130和焊料塊154的區(qū)域是IC芯片安裝區(qū)域123，在該區(qū)域中能夠安裝IC芯片121。同時(shí)，如圖12所示，用于BGA的多個(gè)襯墊153以陣列的形式被設(shè)置在布線堆疊部分140的背面142上(在第一樹(shù)脂絕緣層143的下表面上)。用于BGA的襯墊153具有分層結(jié)構(gòu)，在分層結(jié)構(gòu)中鍍鎳層和鍍金層以該順序堆疊在銅端子上。此外，樹(shù)脂絕緣層143的下表面的大體全部覆蓋有阻焊層147。用于使BGA的襯墊153暴露的開(kāi)口部分148形成在阻焊層147中的預(yù)定的位置處。用于母板連接的多個(gè)焊料塊155被設(shè)置在用于BGA的襯墊 153上，并且布線堆疊部分140經(jīng)由焊料塊155安裝在未圖示的母板上。如圖12和13所示，樹(shù)脂絕緣層143至146中的每個(gè)均具有在其中形成的通路孔 156和通路導(dǎo)體157。通過(guò)利用YAG激光器或二氧化碳?xì)饧す馄鲗?duì)樹(shù)脂絕緣層143至146 中的每個(gè)進(jìn)行鉆孔形成每個(gè)均呈現(xiàn)截錐體的形狀的通路孔156。通路導(dǎo)體157是半徑朝布線堆疊部分140的背面142(在圖1和2中向下)增大的導(dǎo)體，并在導(dǎo)體層151、端子墊130 和用于BGA的襯墊153當(dāng)中建立電連接。端子墊130連接至通路導(dǎo)體157的較小直徑側(cè)端面158 (參見(jiàn)圖13)。導(dǎo)體157的較大直徑側(cè)端面158連接至導(dǎo)體層151 (層間布線)。如圖13所示，階梯部分161形成在層間絕緣層146的在通路孔156周圍的表面的相應(yīng)開(kāi)口邊緣區(qū)域中，使得階梯部分從在開(kāi)口邊緣部分周圍的周邊區(qū)域凹陷，并且階梯部分161在表面粗糙度方面比周邊區(qū)域更高。圖2示出在樹(shù)脂層間絕緣層146中形成的通路孔156和通路導(dǎo)體157，并且通路導(dǎo)體157使在下側(cè)上的導(dǎo)體層151 (下導(dǎo)體層)與在上側(cè)上的導(dǎo)體層130 (上導(dǎo)體層)連接。另外，以上描述的是，端子墊130是用于通過(guò)焊料塊巧4 與IC芯片121連接的襯墊。層間布線151形成在階梯部分161和周邊區(qū)域上，并且其它通路導(dǎo)體157連接至層間布線151的形成在周邊區(qū)域上的部分。優(yōu)選地，層間布線151的形成在層間絕緣層146 的階梯部分161上的部分的厚度(tl)大于層間布線151的形成在層間絕緣層146的周邊區(qū)域上的部分的厚度(U)。層間布線151包括連接至通路導(dǎo)體157的下端部的焊盤。在本實(shí)施例中，連接至通路導(dǎo)體157的下端的層間布線151(焊盤)的最大直徑大于階梯部分 151的最大直徑。也就是說(shuō)，階梯部分161完全被層間布線151覆蓋。接下來(lái)，將描述制造半導(dǎo)體封裝110的方法。本實(shí)施例采用如下方法，其中制備具
11有足夠強(qiáng)度的支撐基板(環(huán)氧玻璃基板等)，并在支撐基板上增加多層布線基板111 (布線堆疊部分140)的導(dǎo)體層151和樹(shù)脂絕緣層143至146。具體地，將層壓金屬片(也就是說(shuō)，支撐層)設(shè)置在支撐基板的相對(duì)面中的每個(gè)面上。層壓金屬片中的每個(gè)均由兩個(gè)銅箔層組成并可分離地結(jié)合到一起。具體地，每個(gè)層壓金屬片通過(guò)層壓銅箔層并通過(guò)介于銅箔層之間的金屬鍍層(例如鍍鉻)形成。使銅箔層中的每個(gè)的不面對(duì)相對(duì)的銅箔層的表面變粗糙，使得凹坑和突起出現(xiàn)在該表面上。在隨后的端子形成步驟中，將用作抗蝕劑(掩模)的干膜(厚度大約15μπι)層壓在層壓金屬片中的每個(gè)層壓金屬片上。接下來(lái)，通過(guò)曝光和顯影的執(zhí)行，在干膜中的預(yù)定位置處形成開(kāi)口(直徑10 μ m)，以便暴露銅箔層的表面的一部分。隨后，將鍍金層133、鍍鎳層132和鍍銅層131以該順序堆疊在銅箔層的從開(kāi)口暴露的部分上，由此形成端子墊130。 更具體地，首先進(jìn)行電鍍金，以便形成具有預(yù)定厚度的鍍金層133。此外，進(jìn)行電鍍銅，使得具有預(yù)定厚度的鍍銅層131形成在鍍鎳層132上。因此，完成端子墊130。然后，去除干膜。在隨后的樹(shù)脂絕緣層形成步驟中，將片狀絕緣樹(shù)脂基材堆疊在兩個(gè)層壓金屬片上；通過(guò)利用真空粘合熱壓機(jī)在真空下向合成的層壓板施加壓力和熱；并使層壓板固化， 由此形成覆蓋端子墊130的第四樹(shù)脂絕緣層146。隨后，通過(guò)激光加工，在樹(shù)脂絕緣層146 的中的預(yù)定位置處形成通路孔156，并進(jìn)行傳統(tǒng)已知的去沾污過(guò)程，以去除通路孔156內(nèi)的沾污。在該步驟中，用具有第一激光能量的激光束照射樹(shù)脂層間絕緣層146的預(yù)定通路孔形成位置，并用具有比第一激光能量弱的第二激光能量的激光束照射樹(shù)脂層間絕緣層146 的預(yù)定階梯部分形成位置。結(jié)果，如圖13所示，凹部161以從通路孔156的周邊區(qū)域凹陷的方式形成在通路孔156周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中。在隨后的導(dǎo)體形成步驟中，根據(jù)傳統(tǒng)已知的方法進(jìn)行化學(xué)鍍銅和電鍍銅，由此在通路孔156內(nèi)形成通路導(dǎo)體157。此時(shí)，將形成在樹(shù)脂絕緣層146中的通路導(dǎo)體157較小直徑的側(cè)端面158連接至端子墊130。此外，通過(guò)根據(jù)傳統(tǒng)已知的方法(例如半加成法)的蝕刻的執(zhí)行，在樹(shù)脂絕緣層146中的每個(gè)樹(shù)脂絕緣層上形成預(yù)定圖案的導(dǎo)體層151。通過(guò)與用于上述第四樹(shù)脂絕緣層146和上述導(dǎo)體層151的形成的方法相同的方法形成第一至第三樹(shù)脂絕緣層143至145和其余的導(dǎo)體層151，并將該第一至第三樹(shù)脂絕緣層 143至145和其余的導(dǎo)體層151堆疊在樹(shù)脂絕緣層146上。隨后，將光敏性環(huán)氧樹(shù)脂涂覆在具有用于BGA的襯墊153的每個(gè)樹(shù)脂絕緣層143上，并使該感光性環(huán)氧樹(shù)脂固化，由此形成阻焊層147。接下來(lái)，用設(shè)置在阻焊層147上具有預(yù)定圖案的掩膜通過(guò)曝光和顯影的執(zhí)行， 在阻焊層147中形成開(kāi)口部分148。由于上述制造步驟的執(zhí)行，所以形成層壓板，在該層壓板中，層壓金屬片、樹(shù)脂絕緣層143至146和導(dǎo)體層151堆疊在支撐基板的相對(duì)側(cè)中的每個(gè)面上。層壓板位于每個(gè)層壓金屬片上的部分用作布線堆疊部分140。隨后，通過(guò)利用劃片機(jī)(未示出)切割層壓板，以便去除層壓板的在布線堆疊部分 140周圍的部分。此時(shí)，在布線堆疊部分140與布線堆疊部分140周圍的周圍位置之間的邊界處與支撐基板一起切割布線堆疊部分140。由于該切割，所以埋在樹(shù)脂絕緣層146中的層壓金屬片的外邊緣部分暴露至外部。也就是說(shuō)，通過(guò)周圍部分的去除，失去將支撐基板和樹(shù)脂絕緣層結(jié)合到一起的區(qū)域。結(jié)果，產(chǎn)生布線堆疊部分140僅通過(guò)層壓金屬片連接至支撐基板的狀態(tài)。在隨后的支撐層去除步驟中，首先將層壓板分成布線堆疊部分140和支撐基板，由此使銅箔層暴露。具體地，使每個(gè)層壓金屬片的兩個(gè)銅箔層在它們之間的邊界處彼此分開(kāi)，以便將布線堆疊部分140與支撐基板分開(kāi)。此外，在每個(gè)布線堆疊部分140的正面141 上的銅箔層上進(jìn)行蝕刻，以便去除銅箔層并使端子墊130的金層133等從正面141暴露。在隨后的焊料塊形成步驟中，在多層布線基板111最外面的樹(shù)脂絕緣層146上形成的多個(gè)端子墊130上形成用于IC芯片連接的焊料塊154。然后，將IC芯片安裝在布線堆疊部分140上，以便位于IC芯片安裝區(qū)域123內(nèi)。 此時(shí)，使IC芯片121的端子122與布線堆疊部分140上的焊料塊154對(duì)準(zhǔn)。隨后，為了回流而加熱焊料塊154。結(jié)果，將端子122結(jié)合至焊料塊154，并將IC芯片121安裝在布線堆疊部分140上，由此完成圖12的半導(dǎo)體封裝110。本發(fā)明的實(shí)施例可以如下變型。在上述實(shí)施例的多層布線基板10中，與通路孔51同心地形成階梯部分53。然而， 本發(fā)明不局限于此。圖14至16示出變型的階梯部分53a至53c。圖14的階梯部分53a具有環(huán)形形狀，該環(huán)形形狀的一部分徑向地向外突出。圖15的階梯部分5 具有橢圓形狀。 此外，圖16的階梯部分53c與通路孔51偏心地成形。階梯部分53a至53c的形狀能夠根據(jù)例如通路導(dǎo)體52與導(dǎo)體層42的圖案化布線線路之間的連接位置酌情變型。由于這些， 能夠可靠地抑制通路導(dǎo)體52處的分層。根據(jù)上述實(shí)施例，在激光照射步驟中，用具有第一激光能量的激光束照射樹(shù)脂層間絕緣層33至36的預(yù)定通路孔形成位置，并用具有比第一激光能量弱的第二激光能量的激光束照射樹(shù)脂層間絕緣層33至36的預(yù)定階梯部分形成位置。然而，本發(fā)明不局限于此。 例如，可在用于在樹(shù)脂層間絕緣層33至36中形成通路孔51和用于形成階梯部分53的不同時(shí)間用激光束照射預(yù)定的通路孔形成位置和預(yù)定階梯部分形成位置。接下來(lái)，在下文中枚舉上述實(shí)施例的技術(shù)思路。(1)根據(jù)手段1至2中任一項(xiàng)的多層布線基板，其中通路導(dǎo)體為填充通孔。(2)根據(jù)手段1至2中任一項(xiàng)的多層布線基板，其中通路導(dǎo)體是鍍銅。C3)根據(jù)手段1至2中任一項(xiàng)的多層布線基板，其中通過(guò)利用由熱固性樹(shù)脂制成的積層材料形成層間絕緣層。(4)根據(jù)手段3的制造多層布線基板的方法，其中粗糙化步驟是去沾污步驟。
權(quán)利要求
1.一種多層布線基板，在所述多層布線基板中，在將下導(dǎo)體層與上導(dǎo)體層隔離的層間絕緣層中形成通路孔，并且在用于使所述下導(dǎo)體層與所述上導(dǎo)體層連接的相應(yīng)通路孔中形成通路導(dǎo)體，所述多層布線基板的特征在于所述層間絕緣層的表面是粗糙表面；所述通路孔在所述層間絕緣層的所述粗糙表面處開(kāi)口 ；在所述通路孔周圍的表面的開(kāi)口邊緣區(qū)域中形成階梯部分，使得所述階梯部分從在所述開(kāi)口邊緣區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域凹陷；并且所述階梯部分在表面粗糙度方面比所述周邊區(qū)域高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層布線基板，其中所述上導(dǎo)體層構(gòu)成連接至對(duì)應(yīng)的通路導(dǎo)體的上端的焊盤，并且所述焊盤的最大直徑等于或大于所述對(duì)應(yīng)的階梯部分的最大直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層布線基板，其中所述通路孔、所述階梯部分和所述焊盤被同心地設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的多層布線基板，其中所述階梯部分具有1μ m至 3 μ m且包括1 μ m和3 μ m在內(nèi)的深度和小于1 μ m的表面粗糙度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的多層布線基板，其中所述階梯部分具有10μ m 至30 μ m且包括10 μ m禾口 30 μ m在內(nèi)的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的多層布線基板，其中所述層間絕緣層由包含按重量計(jì)50wt%或更大的量的無(wú)機(jī)填料的絕緣樹(shù)脂材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的多層布線基板，其中所述上導(dǎo)體層的形成在所述層間絕緣層的所述階梯部分上的部分的厚度大于所述上導(dǎo)體層的形成在所述層間絕緣層的所述周邊區(qū)域上的部分的厚度。
8.一種多層布線基板，包括層間絕緣層；通路導(dǎo)體，所述通路導(dǎo)體被充入到在所述層間絕緣層中形成的通路孔中；端子墊，所述端子墊被嵌入在所述層間絕緣層中；和層間布線，所述層間布線形成在所述層間絕緣層的表面上，并經(jīng)由所述通路導(dǎo)體連接至所述端子墊，其中所述通路孔成形為使得所述通路孔的直徑從所述端子墊側(cè)朝所述層間布線側(cè)增大，并且在所述層間絕緣層的在所述通路孔周圍的表面的相應(yīng)開(kāi)口邊緣區(qū)域中形成階梯部分，使得所述階梯部分從所述開(kāi)口邊緣區(qū)域的周圍的周邊區(qū)域凹陷。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層布線基板，其中所述層間布線形成在所述階梯部分和所述周邊區(qū)域上，并且其它通路導(dǎo)體連接至所述層間布線的在所述周邊區(qū)域上形成的部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的多層布線基板，其中所述層間布線的形成在所述層間絕緣層的所述階梯部分上的部分的厚度大于所述層間布線的形成在所述層間絕緣層的所述周邊區(qū)域上的部分的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的多層布線基板，其中所述層間布線包括連接至所述通路導(dǎo)體的端部的焊盤，并且所述焊盤的最大直徑等于或大于對(duì)應(yīng)的階梯部分的最大直徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的多層布線基板，其中所述端子墊經(jīng)由焊料塊連接至半導(dǎo)體芯片。
13.—種制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層布線基板的方法，包括層間絕緣層形成步驟，形成覆蓋所述下導(dǎo)體層的所述層間絕緣層；激光照射步驟，用具有第一激光能量的激光束照射所述層間絕緣層的預(yù)定通路孔形成位置，并用具有比所述第一激光能量弱的第二激光能量的激光束照射所述層間絕緣層的預(yù)定階梯部分形成位置；以及粗糙化步驟，在所述激光照射步驟之后使所述層間絕緣層變粗糙，以便使所述層間絕緣層的整個(gè)表面成為粗糙表面，并在所述預(yù)定階梯部分形成位置處形成所述階梯部分，并且使所述階梯部分的表面成為粗糙表面。
全文摘要
提供多層布線基板及制造多層布線基板的方法，其中增強(qiáng)通路導(dǎo)體的連接可靠性。在多層布線基板中，使通路孔(51)形成在將下導(dǎo)體層(41)與上導(dǎo)體層(42)隔離的樹(shù)脂層間絕緣層(33)中，并且通路導(dǎo)體(52)形成在用于使下導(dǎo)體層(41)與上導(dǎo)體層(42)連接的通路孔(51)中。樹(shù)脂層間絕緣層(33)的表面是粗糙表面，并且通路孔(51)在樹(shù)脂層間絕緣層(33)的粗糙表面處開(kāi)口。階梯部分(53)形成在通路孔(51)周圍的開(kāi)口邊緣區(qū)域中，使得階梯部分(53)從在開(kāi)口邊緣區(qū)域周圍的周邊區(qū)域凹陷。階梯部分(53)在表面粗糙度方面比周邊區(qū)域高。
文檔編號(hào)H05K1/11GK102573280SQ20111037819
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者前田真之介 申請(qǐng)人:日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社