專利名稱：石墨坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一 種石墨坩堝，特別是一種石墨雙懸浮坩堝。
背景技術(shù)：
從丘克拉斯基法(直拉法)生長(zhǎng)鍺晶體以來(lái)，在所使用的石墨坩堝上發(fā)生了一系列演變。從單坩堝，雙坩堝，懸浮坩堝，使用這些坩堝存在的一些缺點(diǎn)是明顯的。
發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種石墨坩堝，它包括單坩堝、外浮堝、內(nèi)浮堝，所述外浮堝置于所述單坩堝內(nèi)，所述內(nèi)浮堝置于所述外浮堝內(nèi)，所述外浮堝為石墨浮動(dòng)套筒，外浮堝也可以裝料。本發(fā)明創(chuàng)造的有益效果在晶體生長(zhǎng)時(shí)，兩只浮堝可以隨著熔體液面的高度而同步變化，因此，兩只浮堝的高度差在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中始終保持不變，有利于晶體生長(zhǎng)時(shí)的結(jié)晶潛熱的散發(fā)，使熱場(chǎng)的穩(wěn)定性大為提高，雙懸浮坩堝集中了多種類型坩堝的優(yōu)點(diǎn)，便于控制晶體的生長(zhǎng)。1)已經(jīng)完全解決了在氬氣氛中生長(zhǎng)長(zhǎng)晶體和超長(zhǎng)晶體產(chǎn)生晶體棱線變寬的問(wèn)題；2)在晶體生長(zhǎng)時(shí)，減少了電阻率不均勻性和小角晶界；3)每段單晶上下端面位錯(cuò)< 200/cm2已達(dá)90%左右。

圖1為本實(shí)用新型單坩堝結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型外浮堝結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型外浮堝另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型內(nèi)浮堝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做進(jìn)一步的說(shuō)明。石墨坩堝由一只單坩堝，外浮堝(石墨浮動(dòng)套筒)，內(nèi)浮堝構(gòu)成，當(dāng)單坩堝半徑R 很大時(shí)，內(nèi)浮堝R比較小時(shí)，則單坩堝壁對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響就可以忽略不計(jì)。外浮堝和內(nèi)浮堝的高度之差在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中始終保持不變，因此大大提高了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的熱穩(wěn)定性，有利于結(jié)晶潛熱的散發(fā)，生長(zhǎng)出令人滿意的晶體。在通常情況下，在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，坩堝中液面位置不斷下降，坩堝壁不斷的裸露出來(lái)，由于裸露堝壁溫度很高，所以對(duì)晶體和熔體溫度的變化影響很大，晶體表面熱的發(fā)射效率，熔體液面上的發(fā)射效率強(qiáng)烈地依賴于裸壁高度，當(dāng)裸壁高度大到一定程度時(shí)，晶體表面的發(fā)射效率甚至為負(fù)值，熔體表面的發(fā)射效率也大大下降，這樣對(duì)晶體生長(zhǎng)極為不利，而在石墨雙懸浮坩堝中，單坩堝直徑比較大，內(nèi)浮堝直徑比較小，可以忽略單坩堝壁對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，而兩只內(nèi)外浮堝的裸壁高度可以事先確定，并在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中始終保持不變， 這樣創(chuàng)造了了一個(gè)基本上處于恒定不便的熱場(chǎng)，對(duì)于穩(wěn)定工藝參數(shù)，保證產(chǎn)品質(zhì)量，提高產(chǎn)品的合格率是一個(gè)很大的突破。
權(quán)利要求1. 一種石墨坩堝，其特征在于，它包括單坩堝、外浮堝、內(nèi)浮堝，所述外浮堝置于所述單坩堝內(nèi)，所述 內(nèi)浮堝置于所述外浮堝內(nèi)，所述外浮堝為石墨浮動(dòng)套筒。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種石墨坩堝。它包括單坩堝、外浮堝、內(nèi)浮堝，所述外浮堝置于所述單坩堝內(nèi)，所述內(nèi)浮堝置于所述外浮堝內(nèi)，所述外浮堝是一種石墨浮動(dòng)套筒，外浮堝也可以裝料。本實(shí)用新型創(chuàng)造的有益效果在晶體生長(zhǎng)時(shí)，兩只浮堝可以隨著熔體液面的高度而同步變化，因此，兩只浮堝的高度差在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中始終保持不變，有利于晶體生長(zhǎng)時(shí)的結(jié)晶潛熱的散發(fā)，使熱場(chǎng)的穩(wěn)定性大為提高，雙懸浮坩堝集中了多種類型坩堝的優(yōu)點(diǎn)，便于控制晶體的生長(zhǎng)。
文檔編號(hào)C30B15/10GK202039155SQ201120105600
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月3日
發(fā)明者彭軒 申請(qǐng)人:湖南省長(zhǎng)宇新型炭材料有限公司