專利名稱：基板制造方法以及布線基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用了玻璃基材的基板制造方法以及布線基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近些年,例如對安裝了MEMS(Micro Electro Mechanical System :微型機電系統(tǒng)) 等電子部件的布線基板謀求可確保高連接可靠性并且可高密度安裝電子部件等。為了與此對應(yīng)，本申請發(fā)明者們提出了下述基板制造方法，即對于布線基板，不使用樹脂基板，而使用平滑性、硬質(zhì)性、絕緣性、耐熱性等優(yōu)良的玻璃基板作為芯基板，通過向形成于該玻璃基板的貫通孔填充金屬，可以將其用作雙面布線基板(例如，參照專利文獻I)。
在專利文獻I中，提出了下述基板制造方法，即具有在玻璃基板中形成貫通孔的工序；以及通過鍍敷法(電解鍍敷)向貫通孔填充金屬的工序。其中，在向貫通孔填充金屬的工序中，在其初始階段中，用金屬封閉玻璃基板的表面背面的貫通孔的開口部的任意一方，之后，從該封閉的一開口部朝向另一開口部堆積金屬，從而在貫通孔內(nèi)填充金屬。具體而言，在基板制造方法的一系列的工序當(dāng)中，采用圖13 (A) (D)所示的工序。
在圖13 (A)所示的工 序中，在設(shè)置了貫通孔51的玻璃基板52的下表面?zhèn)?，通過濺射按順序?qū)盈B鉻層53a、鉻銅層53b以及銅層53c，從而形成3層構(gòu)造的鍍敷基底層53。 接下來，在圖13 (B)所示的工序中，在玻璃基板52的下面?zhèn)韧ㄟ^電解鍍敷形成鍍敷層54， 從而利用鍍敷層54封閉貫通孔51的一方(下方)的開口部。之后，在圖13 (C)、(D)所示的工序中，利用從玻璃基板52的上表面?zhèn)乳_始的電解鍍敷使鍍敷層54生長，從而利用鍍敷層54填埋貫通孔51。
專利文獻I國際公開第2005/027605號
但是，在上述以往的基板制造方法中，存在以下那樣的問題。用金屬(鍍敷層54) 封閉貫通孔51的一開口部后，利用鍍敷層54的生長來填埋貫通孔51的情況下，需要遍布從貫通孔51的一開口部到另一開口部的幾乎整個區(qū)域，即貫通孔51的整個深度尺寸(玻璃基板52的厚度尺寸T)來鍍敷生長金屬。
鍍敷生長在金屬離子濃度越高的區(qū)域越快。這是因為金屬的析出所涉及的電流密度可較高得到的緣故。另一方面，當(dāng)加快電結(jié)晶時，在鍍敷液中，金屬離子的消耗量產(chǎn)生局部性差異，在金屬離子的濃度中產(chǎn)生分布。根據(jù)貫通孔51的形狀、形成有貫通孔51的基板上的環(huán)境，產(chǎn)生金屬離子濃度變低的區(qū)域，在該區(qū)域中電流密度降低，鍍敷生長變慢。
例如，伴隨布線的微細(xì)化，貫通孔51的孔徑小的情況下，產(chǎn)生了下述問題，即若鍍敷浴中的金屬離子難以進入貫通孔51，則在貫通孔51的內(nèi)部，鍍敷生長的速度降低，到對貫通孔51完成金屬填充為止要相當(dāng)花費時間。
另外，在貫通孔51的一開口部因鍍敷被封閉的情況下，在孔的內(nèi)部，在封閉的開口部附近與另一開口部附近，金屬離子濃度產(chǎn)生差異。該情況下，在貫通孔51的內(nèi)部被金屬填埋前，在另一開口部的周緣部附近析出的金屬彼此會生長而相連，結(jié)果，會在貫通孔51 的內(nèi)部產(chǎn)生洞(孔隙)。
另外，在形成有多個貫通孔51的基板的情況下，在貫通孔51的分布密度稀疏的區(qū)域與稠密的區(qū)域，金屬離子濃度容易產(chǎn)生偏差。這是因為與稀疏的區(qū)域相比，稠密的區(qū)域的金屬離子的消耗量多。金屬離子濃度的偏差為鍍敷生長速度的偏差，結(jié)果，在基板上的每個區(qū)域，金屬填充程度產(chǎn)生偏差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于電解鍍敷的情況下的金屬離子濃度分布所涉及的上述課題而提出，目的在于提供不會導(dǎo)致工序繁雜化等生產(chǎn)性低下、能夠避免產(chǎn)生向貫通孔的孔內(nèi)的金屬填充程度的偏差、或者避免產(chǎn)生在貫通孔之間的金屬填充程度的偏差的基板制造方法以及布線基板的制造方法。本說明書所公開的基板制造方法包括 第I工序，準(zhǔn)備玻璃基板，該玻璃基板在具有處于表面和背面的關(guān)系的第I面以及第2面的板狀的玻璃基材中，形成有I個以上貫通孔，該貫通孔以所述第I面?zhèn)葹榈贗開口部，并且以所述第2面?zhèn)葹榈?開口部；第2工序，在所述玻璃基板的第I面?zhèn)刃纬山饘俚腻兎蠡讓?第3工序，在所述玻璃基板的第I面·側(cè)，通過電解鍍敷形成第I金屬材料層，從而利用所述第I金屬材料封閉所述貫通孔的第I開口部；以及第4工序，通過從所述玻璃基板的第2面?zhèn)乳_始的電解鍍敷，在所述貫通孔內(nèi)堆積第2金屬材料，從而用金屬填充所述貫通孔。本基板制造方法的特征在于，在第2工序中，在貫通孔的第I開口部側(cè)的側(cè)壁的一部分上也形成鍍敷基底層。在下一第3工序中，使金屬從位于側(cè)壁的鍍敷基底層電結(jié)晶，來用第I金屬材料封閉第I開口部，使貫通孔成為從第2開口部來看的底部壁厚的有底孔。而且，第4工序中使第2金屬材料從所述有底孔的底面，即從第I開口部的封閉部電結(jié)晶來用金屬填充孔。根據(jù)本制造方法，第I金屬材料也從位于貫通孔的側(cè)壁部的鍍敷基底層起電結(jié)晶。若第I金屬材料從側(cè)壁部鍍敷生長，則第I開口部會被壁厚的金屬層封閉。當(dāng)從第2開口部觀看孔時，為有底孔，但第I開口部被金屬較厚地封閉，因此底較淺。電解液中的金屬離子容易進入到第I金屬材料層，第2金屬材料的鍍敷生長所涉及的金屬離子濃度的降低被抑制。結(jié)果，第2金屬材料的鍍敷生長速度被保持，貫通孔的金屬填充效率良好地進行。本基板制造方法優(yōu)選在所述第4工序的至少一部分過程中，進行交替流動正的正向電流和負(fù)的反向電流的脈沖鍍敷。根據(jù)貫通孔的內(nèi)部、形成了貫通孔的位置，出現(xiàn)了電解鍍敷所涉及的電流密度不同的區(qū)域。在僅流動正的正向電流來進行電結(jié)晶的情況下，電流密度被確保較高的區(qū)域的鍍敷生長快，作為電流密度低的區(qū)域的貫通孔內(nèi)的鍍敷生長慢，有可能向孔內(nèi)的金屬填充會不能致密地進行。如本構(gòu)成那樣，通過進行脈沖鍍敷來時常使電流逆轉(zhuǎn)流動，能夠使電流密度高的區(qū)域的過多地析出的金屬離子化，再次返回電解液中。結(jié)果，電解液中的金屬離子濃度被保持，并且，也可抑制因貫通孔的狀態(tài)、形成的位置所引起的鍍敷生長程度的偏差。在本基板制造方法中實施所述脈沖鍍敷的情況下，優(yōu)選施加了規(guī)定電流值的正向電流后，施加規(guī)定電流值的反向電流。因電解鍍敷而電結(jié)晶的金屬的量與電解鍍敷所產(chǎn)生的電量(電流X時間)成正比例。因此，通過利用電流值來管理電解鍍敷，能夠不依賴于電解液中的金屬離子濃度，來掌握金屬的電結(jié)晶狀態(tài)。
在本基板制造方法中，所述脈沖鍍敷在使第2金屬材料堆積的第4工序中實施較 有效。
如前述那樣，在第4工序中，由于第I金屬材料引起的第I開口部的封閉，所以貫 通孔為有底孔。電解液難以在有底孔的內(nèi)外流通，因此會產(chǎn)生下述現(xiàn)象，即集中電結(jié)晶于 朝向電解液突出為凸?fàn)畹慕饘俚牟糠?，會消耗處于孔?nèi)的金屬離子。根據(jù)本構(gòu)成，通過在 第4工序中進行脈沖鍍敷，能夠使凸的部分平坦，并且能抑制電解液中的金屬離子的降低。 進而，在使凸的部分平坦后，也進行脈沖鍍敷，從而抑制對孔的側(cè)壁的局部的金屬離子的附 著，能夠使第2金屬材料在孔內(nèi)堆積。
本基板制造方法也能夠有效地應(yīng)用于形成多個貫通孔，基板上的該貫通孔的分布 狀態(tài)存在疏密的基板。另外，本基板制造方法在應(yīng)用于形成多個貫通孔，貫通孔的直徑、形 狀有多個種類的情況的基板的情況下也很有效。
對于形成有多個貫通孔的基板的情況，處于貫通孔密集的區(qū)域中的貫通孔、或具 有電解液在孔內(nèi)外難以流通的形狀的貫通孔的情況，在電解鍍敷的過程中，位于孔內(nèi)的電 解液中的金屬離子濃度會容易降低。另一方面，對于處于貫通孔不密集的區(qū)域的貫通孔、具 有電解液比較容易進入孔內(nèi)的形狀的貫通孔而言，在電解鍍敷的過程中，孔內(nèi)的金屬離子 濃度也難以降低。即，由于貫通孔的形成狀態(tài)等因素，鍍敷浴中的金屬離子濃度中會形成分 布。在金屬離子濃度濃的區(qū)域和稀的區(qū)域中，電結(jié)晶所涉及的電流密度存在差異，鍍敷生長 的程度容易產(chǎn)生偏差。根據(jù)本構(gòu)成，通過實施脈沖鍍敷，鍍敷液中的金屬離子濃度的分布不 易產(chǎn)生，貫通孔的填充狀態(tài)被均勻化。
對于本基板制造方法，優(yōu)選在所述第I工序中，準(zhǔn)備具有貫通孔的玻璃基板，其中 所述貫通孔的第I開口部側(cè)的剖面形狀為喇叭狀。
根據(jù)本構(gòu)成，第I開口部朝向形成鍍敷基底層的基板的第I面?zhèn)茸儗?，因此鍍敷?底層容易形成于貫通孔的側(cè)壁的第I開口部附近。
對于本基板制造方法，優(yōu)選所述第I金屬材料與所述第2金屬材料為同一金屬材 料。
根據(jù)本構(gòu)成，也能用同一鍍敷浴連續(xù)實施用金屬封閉第I開口部的第3工序和在 孔內(nèi)填充金屬的第4工序。另外，若是同一金屬，則通過第3工序的鍍敷而電結(jié)晶的部分和 通過第4工序的鍍敷而電結(jié)晶的部分中不產(chǎn)生電氣的界面。由于用同一金屬構(gòu)成，所以能 夠得到高頻率特性優(yōu)良的基板。
本基板制造方法中使用的金屬材料優(yōu)選是電阻低的金屬，例如，優(yōu)選由銅、鎳、金、 銀、鉬、鈀、鉻、鋁以及銠中選出的I種構(gòu)成的金屬或者由2種以上構(gòu)成的合金。
根據(jù)本構(gòu)成，在貫通孔的孔內(nèi)填充上述的金屬材料，因此能可靠地確保玻璃基板 的表面背面的導(dǎo)通。因此，能夠優(yōu)選將本玻璃基板應(yīng)用于布線基板這類的安裝電子部件的 基板等用途。
在本說明書中，也公開了布線基板的制造方法。本布線基板的制造方法是具有下 述特征的布線基板的制造方法，通過前述為止的基板制造方法，制造了在貫通孔中填充金 屬而成的玻璃基板后，在所述玻璃基板的第I面以及第2面中的至少一面形成布線圖案。
根據(jù)本構(gòu)成，能夠縮短前述的填充貫通孔的時間，因此能夠效率良好地制造將玻璃基板用作芯基板的布線基板。另外，在構(gòu)成雙面布線基板之時，能夠通過廉價的鍍敷實現(xiàn)布線基板的表面背面的金屬鍍敷。進而，通過用前述的金屬構(gòu)成第I金屬材料、第2金屬材料以及布線，能夠用低電阻材料構(gòu)成布線基板的所有的布線路徑。根據(jù)本發(fā)明，與采用以往方法的情況相比，能夠縮短通過電解鍍敷在貫通孔完成金屬填充為止的所需時間。因此，能夠使在玻璃基板的貫通孔填充金屬而成的基板的生產(chǎn)性提聞。另外，根據(jù)本發(fā)明，在形成于玻璃基板的貫通孔內(nèi)填充金屬之時，能夠防止在該貫通孔的孔內(nèi)產(chǎn)生孔隙于未然，由此能夠?qū)崿F(xiàn)可以進行電子部件等的連接可靠性高的高密度安裝的布線基板。另外，根據(jù)本發(fā)明，在對形成于玻璃基板的多個貫通孔填充金屬之時，不會導(dǎo)致因工序繁雜化等引起的生產(chǎn)性降低，能夠避免產(chǎn)生向各貫通孔的孔內(nèi)的金屬填充程度的偏差。


圖1是表示本發(fā)明的第I實施方式 第3實施方式所涉及的布線基板的構(gòu)成例的首1J視圖。圖2 (A)以及(B)是說明本發(fā)明的第I實施方式 第3實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖(其I)。圖3 (A) (C)是說明本發(fā)明的第I實施方式以及第3實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖。圖4是表示本發(fā)明的第I實施方式 第3實施方式所涉及的貫通孔的剖面形狀的放大圖。圖5 (A) (C)是說明本發(fā)明的第I實施方式 第3實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖(其2)。圖6 (A) (C)是說明本發(fā)明的第I實施方式 第3實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖(其3)。圖7是說明本發(fā)明的第I實施方式所涉及的布線基板的制造方法的流程圖。圖8 (A) (D)是說明本發(fā)明的第2實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖。圖9是說明本發(fā)明的第2實施方式以及第3實施方式所涉及的脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的時序圖。圖10是說明本發(fā)明的第2實施方式以及第3實施方式所涉及的布線基板的制造方法的流程圖。圖11是表示構(gòu)成本發(fā)明的第3實施方式所涉及的布線基板的玻璃基板上的貫通孔的配置例的俯視圖。圖12 (A)以及(B)是說明本發(fā)明的第3實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖。圖13 (A) (D)是說明以往的基板制造方法的工序圖。
具體實施方式
首先整理本說明書所記載的幾個實施方式的特征。
(特征I)對于玻璃基板而言，準(zhǔn)備由感光性玻璃構(gòu)成的基板。
感光性玻璃基板能夠高精度地形成貫通孔，因此適于玻璃布線基板的基板材料。
(特征2)對于感光性玻璃基板，準(zhǔn)備進行了抑制離子遷移的預(yù)處理的基板。
感光性玻璃基板中含有鋰離子、鉀離子之類的堿金屬離子。通過進行紫外線照射、 加熱處理，來使基板中的堿金屬離子固定化。由于堿金屬離子的移動被抑制，因此離子遷移 也能夠被抑制。
(特征3)對于玻璃基板，準(zhǔn)備至少對貫通孔內(nèi)壁施以粗面加工的的基板。當(dāng)對貫 通孔內(nèi)壁施以粗面加工時，填充于貫通孔內(nèi)的金屬和貫通孔壁面的緊貼性提高。
(特征4)鍍敷基底層由濺射法形成。
濺射法能夠在玻璃基板上緊貼性良好地形成金屬層。
(特征5)鍍敷基底層是2層構(gòu)造，形成在玻璃基板上的最初的層是鉻。玻璃表面 上的鉻膜緊貼性良好地被制成膜。由于借助緊貼性優(yōu)良的鉻膜，填充于貫通孔內(nèi)的金屬和 貫通孔側(cè)壁的氣體阻擋性尤其良好。
(特征6)在金屬填充工序中的鍍敷電流密度比開口部封閉工序的鍍敷電流密度 低。為了更致密地填充金屬，優(yōu)選金屬填充工序中的鍍敷生長以慢的速度生長。通過抑制 鍍敷電流密度，能夠制成致密的膜。另外，在金屬填充工序中，當(dāng)電解電壓上升時，有可能產(chǎn) 生因其他的電解反應(yīng)生成的氣體(例如氫)。通過降低電解電流，可防止產(chǎn)生其他的電解反應(yīng)。
(特征7)在金屬填充工序之后，并在基板平坦化階段之前，從玻璃基板的第I面除 去第I金屬材料以及鍍敷基底層，從而使玻璃基板的第I面露出。玻璃基板的第I面以及 第2面成為通用的材料(玻璃)露出的面。因此，能夠同時對雙面進行平坦化處理。
(第I實施方式)
<1.布線基板的概略構(gòu)成>
圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的構(gòu)成例的剖視圖。圖示的布線 基板I使用玻璃基板2來構(gòu)成。玻璃基板2作為布線基板I的芯基板來使用。玻璃基板2 中設(shè)置有多個(圖1中僅顯示I個)貫通孔3。貫通孔3中填充有金屬4。在玻璃基板2的 第I面以及第2面上，分別隔著緊貼層5形成有布線圖案6。因此，布線基板I構(gòu)成雙面布 線基板。玻璃基板2的第I面與第2面相互為表面和背面的關(guān)系。在圖1中，以玻璃基板2 的下表面為第I面，以玻璃基板2的上表面為第2面。布線圖案6形成為與布線路徑相應(yīng) 的圖案形狀。
玻璃基板2使用感光性玻璃基板構(gòu)成。用于玻璃基板2的感光性玻璃基板在其平 滑性、硬質(zhì)性、絕緣性、加工性等方面作為布線基板I的芯基板優(yōu)良。這樣的性質(zhì)除感光性 玻璃之外，在堿石灰玻璃等化學(xué)強化玻璃、無堿玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等中也是同樣的，這些 玻璃也可以用于布線基板I的芯基板。
貫通孔3形成為俯視圓形。當(dāng)實施本發(fā)明時，對貫通孔3的配置無特別限制。因 此，對于貫通孔3，例如可以配合希望的布線圖案6的圖案形狀任意地配置，也可以按預(yù)先 確定的間隔配置成矩陣狀，還可以按矩陣狀以外的排列配置。
另外，在圖1中，金屬4電連接如前述那樣形成于玻璃基板2的雙面(第I面、第2面)的布線圖案6彼此。因此，優(yōu)選金屬4是電阻低的金屬材料(導(dǎo)電材料)。另外，在本發(fā)明的實施方式中，利用電解鍍敷作為用金屬4填埋貫通孔3的手法。因此，優(yōu)選金屬4是適于電解鍍敷的金屬材料。具體而言，金屬4是由銅、鎳、金、銀、鉬、鈀、鉻、鋁以及銠的任意一種構(gòu)成的金屬或者由2種以上構(gòu)成的合金。在本實施方式中，假設(shè)金屬4由銅構(gòu)成。緊貼層5是強化布線圖案6對玻璃基板2的緊貼力的層。緊貼層5呈與布線圖案6相同的圖案形狀。在本實施方式中，與金屬4同樣由銅構(gòu)成布線圖案6。當(dāng)在玻璃基板2上直接層疊該銅時，不能得到足夠的緊貼力。因此，使緊貼層5存在于玻璃基板2與布線圖案6之間。緊貼層5可以是鉻層與銅層的2層構(gòu)造，也可以是在這些層間存在鉻銅層的3層構(gòu)造，還可以是4層以上的多層構(gòu)造。在本實施方式中，作為一例，使緊貼層5為3層構(gòu)造。具體而言，使緊貼層5的構(gòu)造為在玻璃基板2上按順序?qū)盈B了鉻層5a、鉻銅層5b以及銅層5c的3層構(gòu)造。布線圖案6以層疊于緊貼層5之上的狀態(tài)形成。更具體而言，布線圖案6形成于成為緊貼層5的最上層的銅層5c之上。形成于玻璃基板2的第I面的布線圖案6的一部分和形成于玻璃基板2的第2面的布線圖案6的一部分經(jīng)由填充于貫通孔3中的金屬4電連接(導(dǎo)通)。< 2.布線基板的制造方法的步驟>其次，參照圖7的流程圖對本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的制造方法進行說明。本實施方式的布線基板的制造方法包含基板準(zhǔn)備工序S10、鍍敷基底層形成工序S20、封閉形成于基板的貫通孔的一開口部的開口部封閉工序S30、向孔內(nèi)填充金屬的金屬填充工序S40、加工基板表面的基板表面加工工序S50以及在基板表面形成布線圖案的布線圖案形成工序S60。對各工序按順序進行說明。[第I工序基板準(zhǔn)備工序S10]基板準(zhǔn)備工序SlO中包含在玻璃基板2中形成貫通孔3的貫通孔形成階段S11、以玻璃基板2的物性穩(wěn)定化為目的的玻璃基板改性階段S12以及以提高基板2的貫通孔3內(nèi)壁與金屬4的緊貼性為目的的壁面粗化階段S13。(貫通孔形成階段SII)貫通孔形成階段Sll是在玻璃基板2上形成貫通孔3的工序。貫通孔形成工序Sll相當(dāng)于準(zhǔn)備玻璃基板的工序，該玻璃基板在具有處于表面和背面的關(guān)系的第I面以及第2面的板狀的玻璃基材中，形成以第I面?zhèn)葹榈贗開口部、并以第2面?zhèn)葹榈?開口部的貫通孔而成。因此，作為得到帶貫通孔3的玻璃基板2的手法，除進行貫通孔形成工序Sll以外，例如，也可以從其他的廠商購入帶貫通孔3的玻璃基板2。作為貫通孔3的形成方法，例如，能夠使用激光加工法、光刻法。在本實施方式中，在高精度地形成貫通孔3的方面，使用比激光加工法有利的光刻法。光刻法經(jīng)過曝光以及顯影各處理來進行。因此，對于成為貫通孔3的形成對象的玻璃基材，使用使感光性物質(zhì)在玻璃中分散而成的感光性玻璃。該情況下，對玻璃基板2來說，只要顯示感光性，就無特別限制。優(yōu)選在玻璃基板2中，包含金(Au)、銀(Ag)、氧化亞銅(Cu2O)或者氧化鈰(CeO2)中的至少I種作為感光性成分，更優(yōu)選包含2種以上。作為這樣的玻璃基板2，能夠使用例如按質(zhì)量％，含有SiO2 55% 85%、氧化鋁(Al2O3) 2%~ 20%、氧化鋰(Li2O) 5%~ 15%, SiO2 + Al2O3 + Li2O > 85%作為基本成分，含有 Au 0. 001% O. 05%, Ag 0. 001% O. 5%, Cu2O 0. 001% I %作為感光性金屬成分，進而含有CeO2 :0. 001% O. 2%作為光增感劑的玻璃基板。
以下，對于通過光刻法在玻璃基板2中形成貫通孔3時的具體步驟進行說明。首先，對玻璃基板2的要形成貫通孔3的部分(以下稱為“貫通孔形成部分”)進行曝光。在該曝光處理中，使用具有掩模開口的光掩模(未圖示)。光掩模例如是在透明的薄玻璃基板上以希望的圖案形狀形成遮光膜(鉻膜等)，并用該遮光膜遮擋曝光的光(在本方式例中是紫外線)的通過的掩模。在上述曝光處理中，使該光掩模緊貼地配置于玻璃基板2的第I面或者第2面。其次，隔著光掩模向玻璃基板2照射紫外線。這樣，通過與玻璃基板2的貫通孔形成部分對應(yīng)地形成于光掩模上的掩模開口向玻璃基板2照射紫外線。
其次，對玻璃基板2進行熱處理。優(yōu)選熱處理以感光性玻璃基板的轉(zhuǎn)變點與屈服點之間的溫度進行。這是因為在低于轉(zhuǎn)變點的溫度下，不能充分得到熱處理效果，在高于屈服點的溫度下，會引起感光性玻璃基板的收縮，有可能曝光尺寸精度降低。作為熱處理時間，優(yōu)選為30分 5小時左右。
通過進行這樣的紫外線照射與熱處理，照射了紫外線的貫通孔形成部分被結(jié)晶化。結(jié)果，如圖2 (A)所示，在玻璃基板2的貫通孔形成部分中形成曝光結(jié)晶化部3a。
之后，對如前述那樣形成了曝光結(jié)晶化部3a的玻璃基板2進行顯影。顯影處理是通過將適當(dāng)濃度的稀氫氟酸等蝕刻液作為顯影液來向玻璃基板2噴射等來進行的。通過該顯影處理，曝光結(jié)晶化部3a選擇性地被溶解除去。結(jié)果，如圖2 (B)所示，在玻璃基板2中形成貫通孔3。該貫通孔3成為在玻璃基板2的下表面(第I面)與上表面(第2面)分別為開口的狀態(tài)。在以后的說明中，以在玻璃基板2的下表面?zhèn)乳_口的貫通孔3的開口部(第I 開口部)為下開口部，以在玻璃基板2的上表面?zhèn)乳_口的貫通孔3的開口部(第2開口部)為上開口部。
根據(jù)使用了上述的光刻法的貫通孔3的形成方法，能夠同時在玻璃基板2中形成希望的數(shù)量的縱橫比10左右的貫通孔3。例如，在使用了厚度O. 3mm 1. 5mm左右的玻璃基板2的情況下，能夠在希望的位置同時形成多個孔徑(直徑)為30 μ m 150 μ m左右的貫通孔3。由此，可以實現(xiàn)布線圖案的微細(xì)化、貫通孔形成階段Sll的效率化。進而，為了實現(xiàn)布線的高密度化，在采用使連接盤寬度變得極小、或者使連接盤寬度為零的無連接盤構(gòu)造的情況下，能夠?qū)⒇炌?間的空間確保為足夠?qū)?。因此，在貫通?間也可以形成布線， 也可以實現(xiàn)布線圖案的設(shè)計自由度的擴大、布線密度的提高。另外，通過以窄間距形成多個貫通孔3，也可以實現(xiàn)布線密度的提高。
(玻璃基板改性階段S12)
如前述那樣，使用感光性的玻璃基板2來形成了貫通孔3后，根據(jù)需要，進行玻璃基板改性階段S12。以下，對玻璃基板改性階段S12進行說明。
通常，感光性玻璃基板2中含有鋰離子(Li+)、鉀離子(K+)等堿金屬離子。若這些堿金屬離子泄露到布線基板I的布線金屬，并水附著在其上，則產(chǎn)生在被施加電壓的電路間布線金屬發(fā)生離子化，其再次接受電荷而被還原、并析出的離子遷移。由于該離子遷移， 最差的情況下，因析出的金屬，有可能形成從一方的電路向另一方的電路的布線，從而電路間會短路。這樣的短路不良在布線間隔小的情況下變得顯著。因此，為了高密度地形成微細(xì)的布線，需要抑制離子遷移。在玻璃基板改性階段S12中，向形成了貫通孔3的玻璃基板2整體例如以約700mJ/cm2照射紫外線，之后，在約850°C的溫度下，進行約2小時的熱處理，由此使玻璃基板2結(jié)晶化。通過這樣使感光性的玻璃基板2整體結(jié)晶化，從而與結(jié)晶化前相比，玻璃基板2中所含有的堿金屬離子難以移動。因此，能夠有效地抑制離子遷移。(壁面粗化階段S13)在玻璃基板改性階段S12，將玻璃基板2結(jié)晶化后，進行壁面粗化階段S13。壁面粗化階段S13是至少對形成于玻璃基板2中的貫通孔3的側(cè)壁的表面進行粗化的工序。表面的粗化是指使該表面變化為粗糙的面狀態(tài)，更具體而言，是指進行伴隨產(chǎn)生用SEM (電子顯微鏡)觀察能夠識別的差異的程度以上的面粗糙的變化的面處理。其中，在壁面粗化工序S13中，至少對貫通孔3的側(cè)壁面進行粗化即可，因此除該側(cè)壁面之外，也可以包含玻璃基板2的表面背面、側(cè)端面等作為粗化對象面。表面的粗化通過以下那樣的手法進行。在本實施方式中，對形成貫通孔3、并且結(jié)晶化后的玻璃基板2，進行利用以規(guī)定比率混合氟化氫銨(NH4F-HF)和硫酸銨((NH4)2SO4)而成的蝕刻液的蝕刻。當(dāng)進行這樣的蝕刻處理時，構(gòu)成玻璃基板2的各種材料中的、易溶于上述的蝕刻液中的物質(zhì)(例如由SiO2構(gòu)成的石英玻璃)優(yōu)選有選擇性地被溶解除去。結(jié)果，在蝕刻處理后的表面(包含貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁的表面)上會形成多個微細(xì)的蝕刻痕。由于該蝕刻痕的形成，玻璃基板2的表面被粗化。對于這樣粗化后的表面，與不粗化的情況相比時，在后述的第4工序(金屬填充工序S40)中填充于貫通孔3的孔內(nèi)的金屬材料的潤濕性提高。另外，在金屬材料填充后，由于金屬材料進入至因粗化形成的蝕刻痕的底部，從而發(fā)揮錨固效果，因此與不進行粗化的情況相比，金屬材料對粗化后的表面的緊貼強度提高。其中，壁面粗化階段S13中的粗化不一定需要在前述的蝕刻處理中進行，例如，也可以通過利用機械的研磨處理之類的其他的手法來進行。[第2工序鍍敷基底層形成工序S20]鍍敷基底層形成工序S20是在玻璃基板2的下表面?zhèn)刃纬山饘俚腻兎蠡讓?的工序。在該工序中，不在玻璃基板2的上表面?zhèn)刃纬慑兎蠡讓?，僅在玻璃基板2的下表面?zhèn)刃纬慑兎蠡讓?。另外，在鍍敷基底層形成工序S20中，如圖3 (A)所示那樣，與玻璃基板2的下表面配合，從貫通孔3的下開口部(第I開口部)的邊緣向貫通孔3的側(cè)壁面的一部分也形成鍍敷基底層7。由此，位于玻璃基板2的下表面?zhèn)鹊呢炌?的側(cè)壁面部分被鍍敷基底層7覆蓋，與此相對，位于玻璃基板2的上表面?zhèn)鹊呢炌?的側(cè)壁面部分不被鍍敷基底層7覆蓋，而為露出的狀態(tài)。此外，這里記述的“貫通孔3的側(cè)壁面的一部分”是指占貫通孔3的深度方向的一部分、并且從貫通孔3的下開口部的邊緣朝貫通孔3的深處(上開口部)連續(xù)的側(cè)壁面部分。在貫通孔3的深度方向上，形成鍍敷基底層7的范圍優(yōu)選確保到比玻璃基板2的預(yù)定除去區(qū)域8更進入貫通孔3的深處的位置。玻璃基板2的預(yù)定除去區(qū)域8是指在后述的第5工序(基板表面加工工序S50)中，通過機械加工除去玻璃基板2的表層部分之時，預(yù)定除去玻璃基板2的區(qū)域。在圖3 (A)中，預(yù)定用機械加工除去玻璃基板2的表層部分直至用2根雙點劃線表示的位置。因此，若完成玻璃基板2的機械加工，則比2根雙點劃線靠內(nèi)側(cè)的基板部分2a最終作為玻璃基板2殘留。玻璃基板2的預(yù)定除去區(qū)域8分別設(shè)定于玻璃基板2的雙表面。其中，對于設(shè)定于玻璃基板2的下表面?zhèn)鹊念A(yù)定除去區(qū)域8，按照即使通過機械加工除去玻璃基板2的表層部分后也為貫通孔3的下開口部被鍍敷基底層7以及第I鍍敷層4a (后述)封閉的狀態(tài)的方式，形成鍍敷基底層7。具體而言，形成鍍敷基底層7直至比預(yù)定除去區(qū)域8的邊界位置(用雙點劃線表示的位置)靠貫通孔3的深處。優(yōu)選通過與玻璃基板2的緊貼性良好的濺射形成鍍敷基底層7。具體而言，在玻璃基板2的下表面?zhèn)韧ㄟ^濺射按順序?qū)盈B例如厚度約為0. 05 y m的鉻層7a和厚度約為1. 5pm的銅層7b，由此形成2層構(gòu)造的鍍敷基底層7。那時，通過濺射，從靶被濺出的金屬原子(以下，也記為“濺射原子”)的一部分從貫通孔3的下開口部進入貫通孔3內(nèi)，并附著于貫通孔3的側(cè)壁面。因此，為使濺射原子效率良好地附著于貫通孔3的側(cè)壁面，優(yōu)選在上述貫通孔形成階段Sll中，按照貫通孔3的下開口部側(cè)的剖面形狀為喇叭狀的方式在玻璃基板2中形成貫通孔3。具體而言，在上述貫通孔形成階段Sll中，在用蝕刻液溶解曝光結(jié)晶化部3a的情況下，通過適當(dāng)調(diào)整蝕刻液的濃度，以使在貫通孔3的深度方向上與玻璃基板2的下開口部的邊緣接近的部分比遠(yuǎn)離的部分更多地被溶解。由此，會按照貫通孔3的孔徑從深度方向的中心部向上下的開口部漸漸變大的方式形成貫通孔3。若這樣形成貫通孔3，則在上述的鉻層7a以及銅層7b的濺射之時，如圖4所示，貫通孔3的下開口部側(cè)的側(cè)壁面相對于貫通孔3的中心軸(點劃線)擴展。因此，因濺射從貫通孔3的下開口部進入貫通孔3內(nèi)的濺射原子會容易附著于貫通孔3的側(cè)壁面。對于貫通孔3的深度方向上的鍍敷基底層7的形成范圍而言，例如為貫通孔3的深度尺寸(玻璃基板2的厚度尺寸)的至少1/20以上，更優(yōu)選為1/10以上，進一步優(yōu)選為1/5 1/2左右的范圍，在該范圍中，用鍍敷基底層7被覆貫通孔3的側(cè)壁面即可。[第3工序開口部封閉工序S30]開口部封閉工序S30是通過利用電解鍍敷在玻璃基板2的下表面?zhèn)刃纬勺鳛榈贗金屬材料層的第I鍍敷層4a，從而利用第I鍍敷層4a封閉貫通孔3的下開口部的工序。在該工序S30中，如圖3 (B)所示那樣，在玻璃基板2的下表面，使第I鍍敷層4a從鍍敷基底層7的表面生長，并且在貫通孔3的內(nèi)部也使第I鍍敷層4a從鍍敷基底層7的表面生長，從而用第I鍍敷層4a封閉貫通孔3的下開口部。在本實施方式中，利用銅的電解鍍敷形成第I鍍敷層4a。即，在本實施方式中，使用銅作為第I金屬材料。在開口部封閉工序S30的電解鍍敷中，例如，在加入了作為鍍敷液的硫酸銅水溶液的鍍敷浴中，分別以銅板為正極，以玻璃基板2的鍍敷基底層7為負(fù)極來配置。此時，為了從形成有鍍敷基底層7的玻璃基板2的下表面?zhèn)?第I面?zhèn)?進行電解鍍敷，使玻璃基板2的下表面?zhèn)扰c正極(銅板)對置。在該狀態(tài)下，在正極與負(fù)極上連接直流電源來施加規(guī)定范圍的電壓，例如，在使鍍敷浴為酸性浴的情況下施加I 5V的范圍的電壓，從而在鍍敷基底層7的表面上析出銅。其中，需要將施加電壓設(shè)定于在鍍敷浴中的反應(yīng)體系中不產(chǎn)生其他的電解反應(yīng)的范圍，例如達不到正極中的氫過電壓的范圍中。第I鍍敷層4a的形成也依賴于貫通孔3的孔徑,例如以lA/dm2 5A/dm2的電流密度進行。另外，該電流密度也依賴于鍍敷浴的pH、銅離子濃度，因此要適當(dāng)?shù)卦O(shè)定其值。一般而言，當(dāng)銅離子濃度高時，與低的情況相比，能夠被設(shè)定為更高的電流密度。通過在這樣的電流密度條件下進行電解鍍敷，能夠利用第I鍍敷層4a封閉貫通孔3的下開口部。此時，通過電解鍍敷而層疊于鍍敷基底層7之上的第I鍍敷層4a的一部分按照攀上貫通孔3的側(cè)壁面的方式生長至比鍍敷基底層7靠貫通孔3的深處。另外，貫通孔3內(nèi)的第I鍍敷層4a的表面在貫通孔3的中心部分成為凹成剖面為大致U字狀或者剖面為大致V字狀的形狀。[第4工序金屬填充工序S40]金屬填充工序S40是通過從玻璃基板2的上表面?zhèn)乳_始的電解鍍敷，在貫通孔3內(nèi)堆積作為第2金屬材料層的第2鍍敷層4b，從而用金屬填充貫通孔3的工序。這里所述的“從玻璃基板2的上表面?zhèn)乳_始的電解鍍敷”是指在玻璃基板2的上表面以及下表面中的、玻璃基板2的上表面?zhèn)?，按照與其對置的方式配置正極來進行的電解鍍敷。另外，“用金屬填充貫通孔3”是指在前述的開口部封閉工序S30中，當(dāng)用第I鍍敷層4a封閉了通孔3的下開口部時，在貫通孔3內(nèi)用第2金屬材料填滿未被第I鍍敷層4a填入的部分(未填充部分)。在金屬填充工序S40中，如圖3 (C)所示，在貫通孔3的內(nèi)部，使第2鍍敷層4b從第I鍍敷層4a的表面向貫通孔3的上開口部生長，從而用金屬填充貫通孔3。在本實施方式中，與前述的第I鍍敷層4a同樣地，通過銅的電解鍍敷在貫通孔3內(nèi)形成第2鍍敷層4b。該情況下，在貫通孔3的內(nèi)部，構(gòu)成鍍敷基底層7 (鉻層7a、銅層7b)的鉻以及銅與構(gòu)成第I鍍敷層4a以及第2鍍敷層4b的銅一并存在，由這些金屬填入貫通孔3。如前述那樣，在鍍敷基底層形成工序S20中，從貫通孔3的下開口部的邊緣向貫通孔3的側(cè)壁面的一部分形成有鍍敷基底層7。因此，在開口部封閉工序S30中，第I鍍敷層4a在貫通孔3的內(nèi)部從鍍敷基底層7的表面生長。由此，第I鍍敷層4a從比貫通孔3的下開口部更進入了貫通孔3的深處的位置開始生長，在其生長過程中，第I鍍敷層4a會封閉貫通孔3的下開口部。這樣，在用第I鍍敷層4a封閉了貫通孔3的下開口部的階段中，已成為貫通孔3的一部分被第I鍍敷層4a填入的狀態(tài)。因此，在金屬填充工序S40中，通過從玻璃基板2的上表面?zhèn)乳_始的電解鍍敷，在貫通孔3內(nèi)形成第2鍍敷層4b的情況下，由于第2鍍敷層4b的生長應(yīng)埋入的貫通孔3的深度尺寸比貫通孔3的全部深度尺寸小。因此，與如以往那樣，遍布貫通孔的全部深度尺寸使鍍敷層生長的情況相比，能夠縮短向貫通孔中填充完金屬為止的所需時間。在金屬填充工序S40的電解鍍敷中，例如，在加入了作為鍍敷液的硫酸銅水溶液的鍍敷浴中，分別以銅板為正極，以玻璃基板2的第I鍍敷層4a為負(fù)極來配置。此時，為了從未形成第I鍍敷層4a的玻璃基板2的上表面?zhèn)?第2面?zhèn)?進行電解鍍敷，使玻璃基板2的上表面?zhèn)扰c正極(銅板)對置。在該狀態(tài)下，在正極與負(fù)極上連接直流電源來施加規(guī)定范圍的電壓，從而在第I鍍敷層4a的表面析出銅。由此，利用先形成于貫通孔3內(nèi)的鍍敷基底層7以及第I鍍敷層4a和層疊于第I鍍敷層4a之上的第2鍍敷層4b，來填埋貫通孔3。該電解鍍敷以比開口部封閉工序S30低的電流密度(例如，0. 2A/dm2 0. 8A/dm2程度)進行。另外，在該電解鍍敷之時，也能夠使用后述的第2實施方式以及第3實施方式所示的脈沖鍍敷法。通過在這樣的條件下進行電解鍍敷，鍍敷浴中的銅離子從貫通孔3的上開口部進出貫通孔3內(nèi)，并在第I鍍敷層4a的表面析出。因此，在貫通孔3內(nèi)，第2鍍敷層4b從先形成的第I鍍敷層4a的表面向上開口部生長，從而貫通孔3會被漸漸填埋。而且，當(dāng)?shù)?鍍敷層4b的表面達到貫通孔3的上開口部時，貫通孔3變?yōu)橥耆惶盥竦臓顟B(tài)。這里，為了可靠地進行因第2鍍敷層4b的生長引起的貫通孔3的填充，如圖5 (A)所示進行電解鍍敷直到第2鍍敷層4b的表面向玻璃基板2的上表面?zhèn)韧怀鰹橹?。[第5工序基板表面加工工序S50]接著金屬填充工序S40執(zhí)行的第5工序(基板表面加工工序S50)包含從向貫通孔的孔內(nèi)進行金屬填充后的玻璃基板2除去不需要的層的基板表面露出階段S51和進行除去后的露出面的平坦化的基板平坦化階段S52。(基板表面露出階段S51)基板表面露出階段S51是從玻璃基板2的下表面除掉第I鍍敷層4a以及鍍敷基底層7，來使玻璃基板2的下表面露出的工序。在該工序中對此圖5 (A)與圖5 (B)可知，除去覆蓋玻璃基板2的下表面的第I鍍敷層4a以及鍍敷基底層7，并且使向玻璃基板2的上表面?zhèn)韧怀龅牡?鍍敷層4b凹陷。在基板表面露出階段S51中，使用適于作為除去的對象的膜的構(gòu)成材料的藥液，來進行蝕刻處理。在本實施方式中，變換藥液來進行2次的蝕刻處理。首先，在第I次的蝕刻處理中，例如，使用以氯化鐵為主成分的藥液，通過蝕刻除去(溶解)構(gòu)成第I鍍敷層4a的銅、構(gòu)成鍍敷基底層7的銅層7b的銅。另外，在第I次的蝕刻處理中，通過蝕刻除去構(gòu)成第2鍍敷層4b的銅。然后，在第2次的蝕刻處理中，例如，使用以亞鐵氰化鉀為主成分的藥液，通過蝕刻除去構(gòu)成鍍敷基底層7的鉻層7a的鉻。此外，在第I次的蝕刻處理中，通過蝕刻除去銅直至在玻璃基板2的下表面?zhèn)嚷冻鲢t膜7b，按照在貫通孔3內(nèi)，因蝕刻引起的第I鍍敷層4a的后退面Fl停留于玻璃基板2的預(yù)定除去區(qū)域8 (參照圖3 (A))內(nèi)的方式調(diào)整蝕刻時間等。另外，在玻璃基板2的上表面?zhèn)申虬凑盏?鍍敷層4b的表面不從玻璃基板2的上表面突出的方式，通過第I次的蝕刻處理，使第2鍍敷層4b的表面后退至貫通孔3內(nèi)。該情況下，也按照因蝕刻引起的第2鍍敷層4b的后退面F2停留于玻璃基板2的預(yù)定除去區(qū)域8 (參照圖3 (A))內(nèi)的方式調(diào)整蝕刻時間等。(基板平坦化階段S52)基板平坦化階段S52是利用機械加工對玻璃基板2的上表面以及下表面中的至少下表面進行平坦化的工序。在本實施方式中，通過機械加工對玻璃基板2的雙面(上表面以及下表面)進行平坦化。具體而言，通過雙面拋光加工對玻璃基板2的上表面以及下表面進行平坦化，之后，根據(jù)需要對玻璃基板2的雙面精研磨。通過這樣的機械加工，玻璃基板2的上表面?zhèn)纫约跋卤砻鎮(zhèn)鹊母鞅韺硬糠址謩e按照預(yù)定除去區(qū)域8的邊界位置(由圖3 (A)的雙點劃線表示的位置)被除去。結(jié)果，如圖5 (C)所示，玻璃基板2的雙面被平坦化，并且填充于貫通孔3中的金屬4的兩端面被精加工成分別與玻璃基板2的上表面以及下表面為同一平面的狀態(tài)。另外，玻璃基板2的貫通孔3的下開口部變?yōu)橛慑兎蠡讓?以及第I鍍敷層4a封閉的狀態(tài)。該情況下，在貫通孔3的內(nèi)部，變?yōu)闃?gòu)成鍍敷基底層7的銅以及鉻、構(gòu)成鍍敷層4a、4b的銅殘存的狀態(tài)。而且，變?yōu)檫@些金屬填充于貫通孔3的狀態(tài)。由此，如上述圖1所示，得到在貫通孔3中填充了金屬4的構(gòu)造的玻璃基板2。
如前述那樣，在鍍敷基底層形成工序S20中，直至比玻璃基板2的預(yù)定除去區(qū)域8更進入貫通孔3的深處的位置，形成鍍敷基底層7。因此，在上述的基板平坦化階段S52中，通過機械加工除去玻璃基板2的下表面?zhèn)鹊谋韺硬糠趾?，也成為貫通?的下開口部由鍍敷基底層7以及第I鍍敷層4a封閉的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，變?yōu)橥ㄟ^由鍍敷基底層7帶來的緊貼力強化作用，第I鍍敷層4a經(jīng)由鍍敷基底層7強固地緊貼于貫通孔3的側(cè)壁面的狀態(tài)。因此，與應(yīng)用了在基板平坦化工序后，貫通孔3內(nèi)不殘存鍍敷基底層7的制造條件的情況相t匕，貫通孔3與埋入其中的金屬4的緊貼性變高。因此，能夠提高填充了金屬4的貫通孔3部分中的氣密性(氣體阻擋性等)。另外，在進行基板平坦化階段S52之前，通過上述的基板表面露出階段S51，從玻璃基板2的下表面除掉第I鍍敷層4a以及鍍敷基底層7，來使玻璃基板2的下表面露出。由此，玻璃基板2的上表面以及下表面都成為具有稱為玻璃的同一(通用)材料，并使其露出的面。因此，在基板平坦化階段S52中，能夠通過雙面拋光加工來進行基于機械加工的玻璃基板2的平坦化處理。由此，可以同時雙面對玻璃基板2進行平坦化處理。因此，與逐面對玻璃基板2進行平坦化處理的情況相比，能夠?qū)⒒逯圃斐杀究刂频幂^廉價。此外，在玻璃基板2的上表面與下表面具有相互不同的材料并將其露出的情況下，雙面拋光加工的應(yīng)用變得困難，因此需要逐面對玻璃基板2進行平坦化處理。[第6工序布線圖案形成工序S60]布線圖案形成工序S60是在玻璃基板2的上表面以及下表面中的至少一方形成布線圖案6的工序。在布線圖案形成工序S60中包含緊貼層形成階段S61、布線層形成階段S62以及圖案成型階段S63。以下，對各工序進行說明。(緊貼層形成階段S61)在緊貼層形成階段S61中，如圖6 (A)所示，對玻璃基板2的各面，通過濺射法形成緊貼層5。在本實施方式中，以按順序?qū)盈B了鉻層5a、鉻銅層5b以及銅層5c的3層構(gòu)造形成緊貼層5。對于構(gòu)成緊貼層5的各金屬層，若考慮通過后述的蝕刻形成布線圖案6時產(chǎn)生的側(cè)面蝕刻量，則優(yōu)選形成得極薄。但是，若緊貼層5的各金屬層的厚度過薄，則有可能通過為布線層的圖案成型進行的處理來除去緊貼層5。因此，例如，如前述那樣以3層構(gòu)造形成緊貼層5的情況下,優(yōu)選使鉻層5a的厚度為0. 04 ii m 0.1 ii m左右，使鉻銅層5b的厚度為0. 04 ii m 0.1 u m左右，使銅層5c的厚度為0. 5iim 1.5iim左右。由此,緊貼層5的厚度合計被抑制為2 ii m以下。(布線層形成階段S62)在布線層形成階段S62中，如圖6 (B)所示那樣，對玻璃基板2的各表面，以覆蓋先形成的緊貼層5的狀態(tài)形成布線層6a。布線層6a的形成通過電解鍍敷來進行。對于該布線層6a，優(yōu)選與前述的緊貼層5同樣，考慮側(cè)面蝕刻量而形成得極薄。但是，若布線層6a過薄，則在因使用環(huán)境，玻璃基板2的溫度變化被反復(fù)的情況下，由于布線層6a的熱膨脹系數(shù)與玻璃基板2的熱膨脹系數(shù)之差，有可能在布線圖案中產(chǎn)生金屬疲勞。因此，為了確保針對金屬疲勞的布線圖案的連接可靠性，需要使布線層6a預(yù)先為適當(dāng)?shù)暮穸取＞唧w而言，優(yōu)選使布線層6a的厚度為I ii m 20 ii m左右,進而,更優(yōu)選使其為4 y m 7 y m左右。當(dāng)布線層6a的厚度低于I y m時，因上述金屬疲勞產(chǎn)生布線的斷線的危險性變高。另外，當(dāng)布線層6a的厚度高于20 ii m時，難以響應(yīng)布線圖案的微細(xì)化的要求。
(圖案成型階段S63)在圖案成型階段S63中，如圖6 (C)所示那樣，在玻璃基板2的各表面上，通過光刻法與蝕刻對緊貼層5以及布線層6a圖案成型，從而形成布線圖案6。具體而言，用未圖示的抗蝕劑層覆蓋了玻璃基板2的布線層6a后，通過對該抗蝕劑層曝光、顯影，來形成抗蝕劑圖案。由此，變?yōu)椴ＡЩ?的布線層6a的一部分(殘留為布線圖案的部分)被抗蝕劑圖案覆蓋的狀態(tài)。接下來，將抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻除去布線層6a以及緊貼層5的露出部分。由此，得到具有與抗蝕劑圖案相同的圖案形狀的布線圖案6。這里使用的抗蝕劑，可以是液狀抗蝕劑、干膜抗蝕劑、電鍍抗蝕劑。另外，作為抗蝕劑類型，不論是正型以及負(fù)型都可以。一般而言，與負(fù)型抗蝕劑相比，正型抗蝕劑的分辨性高。因此，在形成微細(xì)的布線圖案之時，正型抗蝕劑較適用。以上，經(jīng)過第I 第5工序來制造基板，進而通過經(jīng)過第6工序，來根據(jù)該基板制造布線基板。(第2實施方式)以下，基于附圖，對本發(fā)明的第2實施方式所涉及的基板制造方法以及布線基板的制造方法進行說明。圖10表示本實施方式的布線基板制造方法所涉及的流程圖，圖8表示從鍍敷基底層形成工序S20到金屬填充工序S40的工序圖。另外，如圖10的流程圖所示，本實施方式在第4工序(金屬填充工序S40)分成平坦化階段S41與填充階段S42的點上，與第I實施方式不同。其他的工序與第I實施方式相同，因而省略詳細(xì)的說明。本實施方式的金屬填充工序S40如圖8 (B)所示，開口部封閉工序S30中形成的第I鍍敷層4a的貫通孔3內(nèi)的表面(第2面?zhèn)确忾]面)在貫通孔3的中心部分為凹成剖面為大致U字狀或者剖面為大致V字狀的形狀的情況下有效。[第4工序金屬填充工序S40]本實施方式的金屬填充工序S40如前述那樣，包含平坦化階段S41和填充階段S42。以下，對這各階段進行說明。(平坦化階段S41)在平坦化階段S41中，如圖8 (B)所示，對于形成在貫通孔3的孔內(nèi)的第I鍍敷層4a帶來的剖面凹狀(具體而言剖面大致U字狀或者剖面大致V字狀)的底部，通過利用電解鍍敷形成第2鍍敷層4b，來進行對貫通孔3的孔內(nèi)的底部的凹狀低洼的平坦化。對于該平坦化階段S41中的電解鍍敷，即用于貫通孔3的底部平坦化的電解鍍敷而言，使用所謂的脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法來進行。在脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法中，執(zhí)行交替地施加正極性的正向電流與負(fù)極性的反向電流的脈沖鍍敷。若使用這樣的技術(shù)來進行電解鍍敷，則施加反向電流時，使金屬材料從鍍敷層的厚的部分(例如凹狀底部的頂部附近)再次返回電解液中，因此能夠不使容易附著金屬材料的部分的鍍敷層過厚，對金屬材料難以附著的部分(例如凹狀底部的低洼部分)也形成鍍敷層。其中，對于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的詳細(xì)內(nèi)容后述。在本實施方式中，在平坦化階段S41進行基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷，因此在通過第I鍍敷層4a形成的孔內(nèi)的底部，即使存在容易集中作為第2鍍敷層4b的基礎(chǔ)的銅離子的位置，也能抑制對該位置的銅離子的集中附著。具體而言，若因第I鍍敷層4a形成的孔內(nèi)底部為剖面凹狀，則在該剖面凹狀的頂部(與貫通孔3的上開口部側(cè)接近的最上部)的附近容易集中銅離子，通過進行基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷，可抑制在該剖面凹 狀的頂部附近的銅離子的集中的附著，在凹狀低洼的內(nèi)側(cè)也堆積構(gòu)成第2鍍敷層4b的銅。 因此，在本實施方式中，在凹狀低洼被銅填埋前，附著于剖面凹狀的頂部附近的銅彼此不會 相連。換言之，不會產(chǎn)生起因于凹狀低洼的孔隙，可以用銅填埋凹狀低洼，如圖8 (C)所示， 可以通過第2鍍敷層4b平坦化貫通孔3的底部。
在金屬填充工序S40中，若首先執(zhí)行平坦化階段S41，則會暫時地使貫通孔3的孔 內(nèi)底部弄平坦，因此不論孔內(nèi)底部為怎樣的形狀，也可以排除該底部形狀的影響。更具體而 言，在貫通孔3的孔內(nèi)底部是剖面凹狀的情況下，也能夠防止起因于凹狀低洼的孔隙的產(chǎn)生。
(填充階段S42)
在平坦化階段S41對孔內(nèi)底部平坦化后，接下來，執(zhí)行填充階段S42。在填充階段 S42中，如圖8 (D)所示，在被第2鍍敷層4b弄平坦后的孔內(nèi)底部和露出玻璃基板2的構(gòu) 成材料的側(cè)壁所包圍的貫通孔3的孔內(nèi)，通過電解鍍敷來堆積構(gòu)成第2鍍敷層4b的銅。而 且，通過使第2鍍敷層4b向貫通孔3的上開口部生長，來用銅填埋貫通孔3的孔內(nèi)。之后， 當(dāng)?shù)?鍍敷層4b的表面達到貫通孔3的上開口部時，變?yōu)樨炌?完全被填滿的狀態(tài)。這 里，為了使因第2鍍敷層4b的生長引起的貫通孔3的填充可靠，如圖8 (D)所示，進行電解 鍍敷直到第2鍍敷層4b的表面向玻璃基板2的上表面?zhèn)韧怀鰹橹埂?br> 對于該填充階段S42中的電解鍍敷，即用于填埋貫通孔3的孔內(nèi)的電解鍍敷，也 與前述的平坦化階段S41同樣地，當(dāng)通過使用了脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷來進行時較有 效。
本實施方式的金屬填充工序S40所含有的填充階段S42中，能夠在孔內(nèi)的底部為 平坦的狀態(tài)、且側(cè)壁露出玻璃基板2的構(gòu)成材料的狀態(tài)下，向該孔內(nèi)填充銅。因此，在填充 階段S42中，能夠一邊抑制對孔內(nèi)的側(cè)壁的局部的銅離子的附著，一邊使銅在平坦的底部 的面上均勻地堆積。這意味著不僅在平坦化階段S41中，在填充階段S42中也可以防止在 貫通孔3的孔內(nèi)產(chǎn)生孔隙。
[電解鍍敷控制]
這里，對金屬填充工序S40中進行的電解鍍敷的控制詳細(xì)地進行說明。
(脈沖控制)
在金屬填充工序S40中，如前述那樣，執(zhí)行基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷作為 電解鍍敷。即，在平坦化階段S41以及填充階段S42分別進行交替地施加正極性的正向電 流與負(fù)極性的反向電流的脈沖鍍敷。
圖9是說明本發(fā)明的實施方式的脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的時序圖。在圖例中，選取在電 解鍍敷之時向正極與負(fù)極之間施加的電流值I為縱軸，選取經(jīng)過時間t為橫軸，來表示在脈 沖反轉(zhuǎn)鍍敷法中的施加電流的時間變遷。更具體而言，對于正極性的正向電流和負(fù)極性的 反向電流，表示其對時間經(jīng)過的變遷。
這里所說的電流值通過在正極與負(fù)極之間流過正與負(fù)的一定電流值來規(guī)定。然 而，如后述那樣，不一定需要為一定電流值，也可以通過施加一定電壓值來規(guī)定。在本實施 方式中，以使正極性的正向電流值為Fw，使負(fù)極性的反向電流值為Rev，由它們來規(guī)定的情 況為例，進行以下的說明。
在脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷中，如圖9所示，分別交替地流動基于正極性的正向電流值Fw的脈沖和基于負(fù)極性的反向電流值Rev的脈沖。正向電流值Fw與反向電流值Rev的絕對值之比Fw/Rev例如被設(shè)定在1/1 1/5的范圍內(nèi)，優(yōu)選設(shè)定為1/2 1/3左右。基于正向電流值Fw的脈沖的施加時間Tl與基于反向電流值Rev的脈沖的施加時間T2之比T1/T2例如被設(shè)定在5/1 30/1的范圍內(nèi)，優(yōu)選設(shè)定為20/1左右。其中，I個脈沖的時間Tl例如被設(shè)定為0.1sec 5sec。若I次施加時間Tl短，則脈沖的更換會頻繁地進行，另一方面，若I次施加時間Tl過長，則鍍敷層的膜質(zhì)有可能降低，因此優(yōu)選在上述的范圍內(nèi)設(shè)定I個脈沖的時間Tl。根據(jù)這樣的脈沖控制，每I個脈沖的正極性的電量(即，每I個脈沖的正向電流值Fw的時間積分值)比每I個脈沖的負(fù)極性的電量(即，每I個脈沖的反向電流值Rev的時間積分值)大。因此，在進行了交替地施加正與負(fù)的各極性的電流的脈沖鍍敷的情況下，也可確保第2鍍敷層4b的生長。其中，在施加正極性的正向電量之時，在比較低的電流密度的條件下(例如，0. 2A/dm2 0. 8A/dm2左右)進行。另外，施加正極性的正向電量之時的施加電壓被設(shè)定在氫過電壓以下是很必要的。這是因為在貫通孔3的形狀為高縱橫比的情況下，非常難以除去產(chǎn)生的氫氣泡。在這樣的脈沖鍍敷中，在施加正向電流之時，在作為負(fù)極的第I鍍敷層4a的表面析出銅。另一方面，在施加反向電流之時，臨時析出的銅會溶于電解液中。此時，從與相對的電極最近的第2鍍敷層4b中表示的凹狀頂部附近集中地脫離，但難以從不是那樣的位置脫離。因此，若進行交替地施加正向電流與反向電流的脈沖鍍敷，則可一邊抑制對特定位置的銅的析出，一邊可以使銅在難以析出的位置析出。即，可以實現(xiàn)銅的析出程度的按位置不同的偏差。(恒流控制)伴隨前述的脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖控制的電解鍍敷能夠通過恒流法與恒壓法的任意一種來進行。恒流法使用一定電流值來進行電解鍍敷。另一方面，恒壓法使用一定電壓值來進行電解鍍敷。若是基于恒壓法的電解鍍敷(以下，僅稱為“恒壓電解”)，則電壓為一定，因此流動的電流量因液體的狀態(tài)等會不為一定。因此，會難以在時間上管理析出速度。另外，可以進行累積電流的管理，但由于電流密度變化，因此有時在析出的鍍敷層的物性上產(chǎn)生問題。與此相對，若是基于恒流法的電解鍍敷(以下，僅稱為“恒流電解”)，則由于可以將電流值控制為一定，因此可以在時間上管理鍍敷的析出量。因此，不會需要鍍敷層的析出的較多的時間，不會形成不均勻的鍍敷層。在金屬填充工序S40中進行的電解鍍敷(即，基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷)可以由恒流電解進行的，也可以是由恒壓電解進行的。但是，在本實施方式中，考慮前述的理由(即，電解鍍敷處理的迅速程度、形成的鍍敷層的均勻度等)，優(yōu)選利用恒流電解來進行。(第3實施方式)本實施方式如圖11所示，是制造貫通孔3的分布密度存在稀疏的區(qū)域9a和稠密的區(qū)域9b的基板2的方法所涉及的實施方式。首先，說明與本實施方式最有關(guān)聯(lián)的、貫通 孔的形成狀態(tài)與電解鍍敷的關(guān)聯(lián)性。其中，本實施方式的基板制造方法具有與圖10所示的 第2實施方式同樣的制造過程，因此省略各制造過程中的詳細(xì)的說明。
在本實施方式中，在玻璃基板2上設(shè)置有多個作為基于電解鍍敷的金屬填充的對 象的貫通孔3。而且，在玻璃基板2上，貫通孔3稀疏地分布的區(qū)域9a和貫通孔3稠密地分 布的區(qū)域9b混和存在(例如參照圖11)。
即使在玻璃基板2上，貫通孔3的分布密度不同的區(qū)域9a、9b混合存在的情況下， 為了孔內(nèi)金屬填充而進行電解鍍敷，也使單片或者多片玻璃基板2作為一個單位，并按每 個該單位來進行。即，會對一個玻璃基板2上的各區(qū)域9a、9b，同時進行基于電解鍍敷的孔 內(nèi)金屬填充。因此，在玻璃基板2上，貫通孔3的分布密度不同的區(qū)域9a、9b混合存在的情 況下，貫通孔3稀疏地分布的區(qū)域9a與稠密地分布的區(qū)域9b相比，在電解鍍敷之時，銅離 子會易于在孔內(nèi)集中。這是因為每單位面積的孔數(shù)少的區(qū)域易于在孔內(nèi)集中銅離子。
這意味著以下的關(guān)系成立。即，在玻璃基板2上以貫通孔3稀疏地分布的方式形 成有該貫通孔3的區(qū)域9a相當(dāng)于以成為構(gòu)成第2鍍敷層4b的第2金屬材料的基礎(chǔ)的銅離 子在孔內(nèi)容易集中的方式形成有貫通孔3的區(qū)域(以下，僅稱為“離子集中區(qū)域”)。另外，在 玻璃基板2上以貫通孔3稠密地分布的方式形成有該貫通孔3的區(qū)域9b相當(dāng)于成為以構(gòu) 成第2鍍敷層4b的第2金屬材料的基礎(chǔ)的銅離子難以在孔內(nèi)集中的方式形成有貫通孔3 的區(qū)域(以下，僅稱為“離子分散區(qū)域”)。其中，離子集中區(qū)域9a的“銅離子易于在孔內(nèi)集中 的方式”和離子分散區(qū)域9b的“銅離子難以在孔內(nèi)集中的方式”意味著在各區(qū)域9a、9b間 的對比中，銅離子是否相對容易集中。
在本實施方式中，如第I實施方式說明的那樣，在鍍敷基底層形成工序S20中，形 成鍍敷基底層直至從貫通孔3的下開口部進入的位置。因此，貫通孔3在開口部封閉工序 S30中通過第I鍍敷層4a成為厚底的有底孔。從上開口部到底部變淺，金屬離子會易于進 入孔內(nèi)。因此，也向形成于銅離子難以集中的區(qū)域9a的貫通孔3的內(nèi)部供給金屬離子，不 易產(chǎn)生因貫通孔3的形成狀態(tài)造成的金屬離子的分布。
進而，在本實施方式中，與前述的第2實施方式同樣,作為金屬填充工序S40中的 用于孔內(nèi)金屬填充的電解鍍敷，對各區(qū)域9a、9b雙方采用基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍 敷。因此，在玻璃基板2上混合存在離子集中區(qū)域9a與離子分散區(qū)域9b的情況下，也會使 向各區(qū)域9a、9b各自的貫通孔3的孔內(nèi)的銅的填充程度均勻化。
更具體而言，當(dāng)玻璃基板2上混合存在離子集中區(qū)域9a和離子分散區(qū)域9b時，由 于銅離子容易集中于離子集中區(qū)域9a中的貫通孔3的孔內(nèi)，因此如圖12 (A)所示，與離子 分散區(qū)域％相比，離子集中區(qū)域9a中的第2鍍敷層4b的生長可以變快。然而，在該情況 下，如進行使用了脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷，則不會產(chǎn)生向玻璃基板2上的特定的貫通 孔的孔內(nèi)的金屬離子的集中附著。即，即使離子集中區(qū)域9a與離子分散區(qū)域9b混合存在， 也可抑制向離子集中區(qū)域9a中的貫通孔3的孔內(nèi)的離子集中。因此，在使第2鍍敷層4b 生長直至變?yōu)樨炌?完全地被填埋的狀態(tài)為止的時刻，如圖12 (B)所示那樣，離子集中 區(qū)域9a與離子分散區(qū)域9b中的銅的孔內(nèi)填充程度會被均勻化。
這樣，在本實施方式中，通過進行基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷來使銅的孔內(nèi) 填充程度均勻化，因此能夠避免產(chǎn)生每個區(qū)域9a、9b的銅的孔內(nèi)填充程度的偏差。這可以說不僅在各區(qū)域9a、9b之間，即使對同一區(qū)域中的各貫通孔3之間也是同樣的。即，若進行脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷，則對于玻璃基板2上的多個貫通孔3的每一個，能夠避免產(chǎn)生銅的孔內(nèi)填充程度的偏差。然而，前述的避免產(chǎn)生偏差可以僅在金屬填充工序S40中通過進行基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷來實現(xiàn)。即，不需要例如在各區(qū)域9a、9b中使處理條件不同這類繁雜的處理，可以自動地控制向各貫通孔3的孔內(nèi)的銅的填充程度。另外，對各貫通孔3的銅的孔內(nèi)填充程度被均勻化，因此對于設(shè)置在玻璃基板2上的多個貫通孔3，不需要以均等間距配置所有的貫通孔，能夠靈活地對應(yīng)各種方式的配置。因此，在本實施方式中，能夠充分確保對布線基板I中的貫通孔3的配置圖案的通用性，在構(gòu)成該布線基板I的方面，非常優(yōu)選。其中，在本實施方式中，以在各區(qū)域9a、9b中貫通孔3的分布密度不同的情況為例，但如后述的“變形例等”中所說明的那樣，本發(fā)明不限于此。<變形例等>此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于前述的實施方式，在導(dǎo)出通過發(fā)明的構(gòu)成要件、其組合而得到的特定的效果的范圍中，也包含施加了各種變更、改良的方式。例如，在上述的第I 第3實施方式中，對布線基板的制造方法進行了說明，但本發(fā)明不限于此，也可以作為在布線基板以外的用途中利用的基板制造方法來實施。另外，在上述的第I 第3實施方式中，作為玻璃基板2，使用了具有感光性的玻璃基板，但也可以使用不具有感光性的其他玻璃基板。該情況下，在貫通孔形成工序中，能夠通過光刻法以外的方法，例如通過激光加工法來在玻璃基板2中形成貫通孔3。另外，在上述的第3實施方式中，以在離子集中區(qū)域9a和離子分散區(qū)域9b中貫通孔3的分布密度不同的情況為例，也可以是離子集中區(qū)域9a是形成有大直徑的貫通孔3的區(qū)域，離子分散區(qū)域％是形成有小直徑的貫通孔3的區(qū)域。這里所說的直徑的大小是在各區(qū)域9a、9b間相對的大小，直徑的值本身不被限制。若這樣的各區(qū)域9a、9b混合存在，則形成有大直徑的貫通孔3的離子集中區(qū)域9a與形成有小直徑的貫通孔3的離子分散區(qū)域9b相比，在電解鍍敷之時，銅離子會容易在孔內(nèi)集中。這是因為與小直徑相比，大直徑的情況銅離子容易進入孔內(nèi)。然而，若對各區(qū)域9a、9b的雙方進行基于脈沖反轉(zhuǎn)鍍敷法的脈沖鍍敷，則會抑制向大直徑的孔內(nèi)的離子集中，因此會使向大小各異的貫通孔3的孔內(nèi)的銅的填充程度均勻化。因此，如前述那樣，對于在玻璃基板2上設(shè)置的多個貫通孔3，不需要使他們?nèi)紴橥恢睆?，可以靈活地與各種直徑相對應(yīng)，因此能夠充分地確保對布線基板I中的貫通孔3的形成直徑的通用性，在構(gòu)成該布線基板I的方面，非常優(yōu)選。上述內(nèi)容對于離子集中區(qū)域9a與離子分散區(qū)域9b為其他的方式的情況也是同樣的。即，即使是貫通孔3的分布的疏密或者貫通孔3的直徑的大小以外的方式，只要在玻璃基板2上，離子集中區(qū)域9a與離子分散區(qū)域9b混合存在的情況下，就可以應(yīng)用本發(fā)明的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種基板制造方法，其特征在于，包括第I工序，準(zhǔn)備玻璃基板，該玻璃基板在具有處于表面和背面的關(guān)系的第I面以及第2 面的板狀的玻璃基材中，形成有I個以上貫通孔，該貫通孔以所述第I面?zhèn)葹榈贗開口部， 并且以所述第2面?zhèn)葹榈?開口部；第2工序，在所述玻璃基板的第I面?zhèn)刃纬山饘俚腻兎蠡讓?；?工序，在所述玻璃基板的第I面?zhèn)?，通過電解鍍敷形成第I金屬材料層，從而利用所述第I金屬材料封閉所述貫通孔的第I開口部；以及第4工序，通過從所述玻璃基板的第2面?zhèn)乳_始的電解鍍敷，在所述貫通孔內(nèi)堆積第2 金屬材料，用金屬填充所述貫通孔，其中，在所述第2工序中，從所述貫通孔的第I開口部的邊緣朝向該貫通孔的側(cè)壁面的一部分，形成所述鍍敷基底層，在所述第3工序中，在所述貫通孔的內(nèi)部，通過使由所述第I金屬材料構(gòu)成的層從所述鍍敷基底層的表面生長，從而利用所述第I金屬材料封閉所述貫通孔的第I開口部，在所述第4工序中，通過使所述第2金屬材料從所述貫通孔的內(nèi)部的所述第I金屬材料的表面朝向所述貫通孔的第2開口部鍍敷生長，從而用金屬填充所述貫通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，在所述第4工序的至少一部分過程中，作為所述電解鍍敷，進行交替施加正極性的正向電流與負(fù)極性的反向電流的脈沖鍍敷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板制造方法，其特征在于，對所述脈沖鍍敷來說，在施加了規(guī)定電流值的正向電流后，施加規(guī)定電流值的反向電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板制造方法，其特征在于，所述第4工序包含平坦化階段，至少在所述平坦化階段，進行所述脈沖鍍敷，在該平坦化階段中利用所述第2金屬材料使在第3工序中封閉的第I開口部的第2面?zhèn)确忾]面平坦。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板制造方法，其特征在于，所述第4工序包含填充階段，至少在所述填充階段進行所述脈沖鍍敷來作為所述電解鍍敷，在該填充階段中，在被在第3工序中封閉的第I開口部的第2面?zhèn)确忾]面以及所述玻璃基板的構(gòu)成材料露出的側(cè)壁圍成的孔內(nèi)，堆積所述第2金屬材料來對該孔內(nèi)進行填埋。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板制造方法，其特征在于，所述第4工序包含填充階段，在該填充階段中，至少在所述填充階段進行所述脈沖鍍敷來作為所述電解鍍敷，在被在第3工序中封閉的第I開口部的第2面?zhèn)确忾]面以及所述玻璃基板的構(gòu)成材料露出的側(cè)壁圍成的孔內(nèi)，堆積所述第2金屬材料來對該孔內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板制造方法，其特征在于，在所述第I工序中準(zhǔn)備玻璃基板，該玻璃基板形成有多個所述貫通孔，并且具有所述貫通孔稀疏分布的區(qū)域和稠密分布的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板制造方法，其特征在于，在所述第I工序中準(zhǔn)備玻璃基板，該玻璃基板形成有多個所述貫通孔，并且具有所述貫通孔稀疏分布的區(qū)域和稠密分布的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板制造方法，其特征在于，在所述第I工序中準(zhǔn)備形成有多個種類的貫通孔的玻璃基板，所述多個種類的貫通孔的連通方向的垂直剖面的形狀分別不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板制造方法，其特征在于，在所述第I工序中準(zhǔn)備形成有多個種類的貫通孔的玻璃基板，所述多個種類的貫通孔的連通方向的垂直剖面的形狀分別不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項所述的基板制造方法，其特征在于，在所述第I工序中準(zhǔn)備具有貫通孔的玻璃基板，該貫通孔的連通方向的剖面的形狀在第I開口部側(cè)形成為喇叭狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的基板制造方法，其特征在于，所述第I金屬材料與所述第2金屬材料為同一金屬材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的基板制造方法，其特征在于，所述第I金屬材料以及所述第2金屬材料包括由銅、鎳、金、銀、鉬、鈀、鉻、鋁以及銠的任意一種構(gòu)成的金屬或者由2種以上構(gòu)成的合金。
14.一種布線基板的制造方法，其特征在于，利用權(quán)利要求1至3中任意一項所述的基板制造方法，制造了在玻璃基板的貫通孔的孔內(nèi)填充金屬材料而成的基板后，在該玻璃基板的一面?zhèn)扰c另一面?zhèn)鹊闹辽僖环叫纬刹?br> 全文摘要
一種基板制造方法以及布線基板的制造方法，包括在形成了貫通孔的玻璃基板的下表面?zhèn)刃纬慑兎蠡讓拥墓ば駻；在玻璃基板的上表面?zhèn)龋ㄟ^電解鍍敷形成第1金屬層來封閉貫通孔的下開口部的工序B；通過從玻璃基板的上表面?zhèn)乳_始的電解鍍敷在貫通孔內(nèi)堆積第2金屬層，從而用金屬填充貫通孔的工序C。在工序A中，從貫通孔的下開口部的邊緣向貫通孔的側(cè)壁面的一部分形成鍍敷基底層。在工序B中，在貫通孔的內(nèi)部，使第1金屬層從鍍敷基底層的表面開始生長來封閉貫通孔的下開口部。在工序C中，在貫通孔的內(nèi)部，使第2金屬層從第1金屬層的表面開始向貫通孔的上開口部生長來用鍍敷金屬填充貫通孔。
文檔編號H05K3/42GK103002675SQ20121033787
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者伏江隆, 菊地肇 申請人:Hoya株式會社