用于有機(jī)電子器件的基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于有機(jī)電子器件的基板、一種有機(jī)電子裝置和照明裝置。本發(fā)明可提供用于有機(jī)電子器件如有機(jī)發(fā)光二極管的基板，其能提供具有優(yōu)異性能和具有可靠性的有機(jī)電子裝置。
【專利說明】用于有機(jī)電子器件的基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于有機(jī)電子器件（OED ;0rganic Electronic Device)的基板和有機(jī) 電子器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電子器件是一種在電極層與有機(jī)材料之間表現(xiàn)出電荷交換功能的器件。有 機(jī)電子器件包括有機(jī)發(fā)光器件（0LED)、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)光導(dǎo)體（0PC)，以及有機(jī)晶體 管。
[0003] 以有機(jī)電子器件為代表的有機(jī)發(fā)光器件通常依次包括基板、第一電極層、包括發(fā) 光層的有機(jī)層和第二電極層。
[0004] 在已知的底部發(fā)光器件（bottom emitting device)的結(jié)構(gòu)中，所述第一電極層可 形成為透明電極層，且所述第二電極層可形成為反射電極層。此外，在已知的頂部發(fā)光器件 (top emitting device)的結(jié)構(gòu)中，所述第一電極層可形成為反射電極層，且所述第二電極 層可形成為透明電極層。
[0005] 通過兩個(gè)電極層分別注入的電子（electron)和空穴（hole)在有機(jī)層中再結(jié)合 (recombination)，從而產(chǎn)生光子。所述光子在底部發(fā)光器件中可發(fā)射至基板側(cè)，或者在頂 部發(fā)光裝置器件可發(fā)射至第二電極層側(cè)。
[0006] 在有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中，氧化銦錫（IT0)通常用作透明電極層、有機(jī)層及通常 由玻璃形成的基板，其折射率分別為約2. 0、1. 8和1. 5。在上述折射率關(guān)系中，例如，底部發(fā) 光器件的有機(jī)發(fā)光層所產(chǎn)生的光子因全內(nèi)反射（total internal reflection)而在有機(jī)層 與第一電極層之間的界面處或在基板中被捕獲，且只有極少量的光發(fā)射出來。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]技術(shù)問題
[0008] 本發(fā)明旨在提供一種用于有機(jī)電子器件的基板和一種有機(jī)電子器件。
[0009] 技術(shù)方案
[0010] 本發(fā)明一方面提供一種用于有機(jī)電子器件的示例性基板，其包括：基底層，和高折 射層。本文所用的術(shù)語"高折射層"可以是指折射率約為1.8至2. 5的層。除另有定義，本 文中所用的術(shù)語"折射率"可以是指相對(duì)于約550或633nm波長的光的折射率。例如，高折 射層可在基底層上形成。圖1示出示例示例性的基板100,所述基板100包括基底層101和 形成于基底層上的高折射層102。例如，所述高折射層可以為一層平整層。本文所用的術(shù) 語"平整層"指可提供一層可形成有機(jī)電子器件的平整表面層。例如，平整層可提供一個(gè)最 大高度粗糙度（maximum height roughness)為1或0.5 iim以下的表面。本文所用的術(shù)語 "最大高度粗糙度"可以是指通過粗糙度曲線最高點(diǎn)的直線與通過粗糙度曲線最低點(diǎn)的直 線之間的距離，且這些直線平行于截?cái)嘣摯植诙惹€的中心線，例如其可以為一個(gè)在平整 表面上相對(duì)于面積為100 um2的任意區(qū)域所測(cè)得的數(shù)值。
[0011] 作為基底層，可使用合適的材料而無特別限制。例如，在制造底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光 器件時(shí)，例如透明基底層可使用對(duì)可見光區(qū)域的光具有50%以上透光率的基底層。對(duì)于透 明基底層，可使用玻璃基底層或透明聚合物基底層。對(duì)于玻璃基底層，可使用包含鈉鈣玻 璃、含鋇/鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鋇玻璃或石英等的基底 層；且對(duì)于聚合物基底層，可使用包括聚酰亞胺（PI)、聚萘二酸乙二醇酯（PEN))、聚碳酸酯 (PC)、丙烯酸樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（PET)、聚醚硫化物（poly(ether sulfide), PES) 或聚砜（PS)等的基底層，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)需要，基底層可為具有驅(qū)動(dòng)TFT的TFT 基板。
[0012] 例如，在制造頂部發(fā)光器件時(shí)，基底層可以不采用透明基底層。根據(jù)需要，可使用 在基底層表面形成有使用鋁等而形成反射層的反射基底層。
[0013] 例如，高折射層可包括粘合劑和顆粒。如上所述，高折射層可為一種平整層，其提 供一種可形成包含電極層的有機(jī)電子器件的表面。在某些情況中，高折射層可通過與下文 中描述的散射層的相互作用表現(xiàn)出極好的光提取效率。例如，高折射層可具有與相鄰電極 層相同的折射率，其可為約1. 8至2. 5,1. 85至2. 5,1. 9至2. 2,或2. 2至2. 5。
[0014] 作為形成高折射層的粘合劑，可使用已知的材料而無特別限制。例如，作為粘合 齊IJ，可使用本領(lǐng)域已知的各種有機(jī)粘合劑、無機(jī)粘合劑和有機(jī)/無機(jī)粘合劑。作為粘合劑， 可使用在上述材料中折射率約為1. 4以上、1. 45以上、1. 5以上、1. 6以上、1. 65以上或1. 7 以上的粘合劑?？紤]粘合劑中所混合的顆粒的折射率等，粘合劑的折射率上限可選自滿足 該高折射層折射率的范圍?？紤]到器件的使用壽命及在制造過程中的高溫工藝、光刻工 藝或蝕刻工藝中的極好的耐受性等，可使用具有良好的耐熱性或耐化學(xué)性的無機(jī)或有機(jī)/ 無機(jī)粘合劑，但根據(jù)需要，也可使用有機(jī)粘合劑。所述粘合劑可為例如：有機(jī)材料，包括聚 酰亞胺、含有芴環(huán)的卡多樹脂（caldo resin)、氨基甲酸酯、環(huán)氧樹脂、聚酯或聚丙烯酸酯 基可熱固化或可光固化的單體、低聚物或聚合物；無機(jī)材料，例如氧化硅、氮化硅（silicon nitride)、氮氧化娃（silicon oxynitride)或聚娃氧燒；或有機(jī)/無機(jī)復(fù)合材料。
[0015] 所述粘合劑可包括聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。此處的聚硅氧烷例如可通過 可縮合的硅烷化合物或硅氧低聚物的縮聚形成，且基于硅與氧之間的（S-0)鍵，該粘接劑 可形成基體。在粘合劑形成的過程中，通過控制縮合條件等可形成聚硅氧烷僅基于硅與氧 之間的鍵（S-0)的粘合劑基體，或可形成保留一些有機(jī)官能團(tuán)（如烷基）或可縮合官能團(tuán) (如烷氧基）的基體。
[0016] 聚酰胺酸或聚酰亞胺粘合劑對(duì)于具有663nm波長的光的折射率為約1. 5以上、1. 6 以上、1. 65以上或1. 7以上。例如，可使用引入了氟以外的鹵素原子、硫原子或磷原子等的 單體制備這種高折射聚酰胺酸或聚酰亞胺。例如，可使用具有能夠粘結(jié)顆粒的部位（如羧 基）以增強(qiáng)顆粒分散穩(wěn)定性的聚酰胺酸。舉例而言，聚酰胺酸可以是一種包含如化學(xué)式1 所示的重復(fù)單元的化合物。
[0017] 化學(xué)式1[0018]

【權(quán)利要求】
1. 一種用于有機(jī)電子器件的基板，包括： 基底層；和 高折射層，其設(shè)置于所述基底層上，包括折射率為1.4以上的粘合劑，并包括折射率大 于2. 3的顆粒，所包括的所述顆粒的量為300重量份以下，相對(duì)于100重量份的所述粘合劑 計(jì)。
2. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述高折射層的表面--其與所述基底層相接觸的 表面相對(duì)--的最大高度粗糙度為1 U m以下。
3. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述高折射層的折射率在1. 8至2. 5的范圍內(nèi)。
4. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述粘合劑的折射率是1. 4以上且小于1. 7。
5. 權(quán)利要求4所述的基板，其中，所述高折射層包括的相對(duì)于100重量份所述粘合劑計(jì) 的180至200重量份的所述顆粒。
6. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述粘合劑的折射率在1. 7至2. 0的范圍內(nèi)。
7. 權(quán)利要求6所述的基板，其中，所述高折射層包括相對(duì)于100重量份所述粘合劑計(jì)的 80至150重量份的所述顆粒。
8. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述粘合劑是聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。
9. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述顆粒的平均粒徑在lnm到50nm的范圍內(nèi)。
10. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述顆粒為金紅石型二氧化鈦。
11. 權(quán)利要求1所述的基板，其中，所述高折射層還包括折射率為2. 0至2. 3的顆粒。
12. 權(quán)利要求11所述的基板，其中，所述折射率為2. 0至2. 3的顆粒為銳鈦礦型二氧化 鈦。
13. 權(quán)利要求11所述的基板，其中，折射率大于2. 3的顆粒的重量（A)與折射率為2. 0 至2. 3的顆粒的重量⑶的比值（A/B)為0. 5至1. 5。
14. 權(quán)利要求1所述的基板，其還包括置于所述基底層和所述高折射層之間的散射層。
15. 權(quán)利要求1所述的基板，其還包括形成于所述高折射層上的電極層。
16. 權(quán)利要求15所述的基板，其中，所述高折射層的投影面積小于所述電極層的投影 面積，且電極層形成于所述高折射層上和未形成高折射層的基底層上。
17. -種有機(jī)電子裝置，包括： 權(quán)利要求1所述的基板；和 依次形成于所述基板上的第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層。
18. 權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子裝置，其中，所述有機(jī)層包括發(fā)光層。
19. 權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子裝置，其中，基板的高折射層的投影面積小于第一電 極層的投影面積，且在高折射層上和未形成高折射層的基底層上均形成有第一電極層。
20. -種照明裝置，其包括權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子裝置。
【文檔編號(hào)】H05B33/22GK104335381SQ201380027979
【公開日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2013年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】樸珉春, 李淵槿, 安庸植, 金正斗, 樸祥準(zhǔn), 金甬男 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Lg化學(xué)