一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，所述方法包括：在撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)；在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形成導(dǎo)電籽晶層；在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。本發(fā)明能夠簡化制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的工序，并提高撓性覆銅板中金屬化過孔的導(dǎo)電性能。
【專利說明】一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及撓性電路板制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種制造帶有金屬化過孔的撓性 覆銅板的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 撓性電路板（Flexible Printed Circuit Board, FPC)也稱為柔性電路板，是以撓 性覆銅板為基材制成的一種具有高可靠性和可撓性的印制電路板。撓性覆銅板（Flexible Copper Clad Laminate，F(xiàn)CCL)是在撓性有機(jī)薄膜的單面或雙面粘接一定厚度的銅箔而形成 的具有很好的撓曲特性的覆銅板。過孔（Via)是雙層及多層撓性電路板的重要組成之一。 為了使撓性電路板的各層之間的銅層連接起來，就需要對撓性電路板中的鉆孔進(jìn)行金屬化 處理。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法是首先制造撓性覆銅板，進(jìn)一 步的，在撓性覆銅板上制造金屬化過孔，其中制造撓性覆銅板的具體過程為：通過壓延法或 電解法形成銅箔，再通過一定工藝將銅箔粘貼在撓性有機(jī)薄膜上，就成為撓性覆銅板；在撓 性覆銅板上制造金屬化過孔的具體過程為：通過機(jī)械鉆孔在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)，采 用化學(xué)鍍銅或黑孔工藝在孔結(jié)構(gòu)的孔壁上形成導(dǎo)電籽晶層，再通過電鍍形成金屬導(dǎo)體層， 進(jìn)而在撓性覆銅板上形成導(dǎo)電的金屬化過孔。
[0004] 但是，現(xiàn)有技術(shù)制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法具有工藝復(fù)雜、流程長、 過孔的導(dǎo)電性差以及成本高等缺點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提出一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，以簡化制 造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的工序，并提高撓性覆銅板中金屬化過孔的導(dǎo)電性能。
[0006] 本發(fā)明提供了一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，所述方法包括：
[0007] 在撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)；
[0008] 在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形成導(dǎo)電籽晶層；
[0009] 在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。
[0010] 可選的，所述撓性有機(jī)薄膜包括：聚酰亞胺薄膜、液晶聚合物薄膜、聚乙二酰脲薄 膜、聚苯乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚四氟乙烯薄膜或聚萘二甲酸乙二醇酯薄 膜。
[0011] 可選的，所述孔結(jié)構(gòu)的形狀為圓形或方形。
[0012] 可選的，所述在撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)的方法選自以下組中的一種或多種： 機(jī)械鉆孔、沖孔、激光打孔、等離子刻蝕以及反應(yīng)離子刻蝕。
[0013] 可選的，采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形 成導(dǎo)電籽晶層。
[0014] 可選的，所述導(dǎo)電籽晶層的厚度范圍為1至1000納米。
[0015] 可選的，所述導(dǎo)電籽晶層的方塊電阻小于200Ω/ 口。
[0016] 可選的，所述在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層的方法選自以下組中的一種或 多種：電鍍、浸鍍以及濺射。
[0017] 可選的，所述金屬導(dǎo)體層的厚度范圍為1至100微米。
[0018] 對應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，所述方 法包括：
[0019] 在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)；
[0020] 采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性覆銅板的表面形成導(dǎo)電籽 晶層；
[0021 ] 在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。
[0022] 可選的，所述在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)選自以下組中的一種或多種：機(jī)械鉆孔、 沖孔、激光打孔以及等離子刻蝕。
[0023] 可選的，所述在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層的方法選自以下組中的一種或 多種：電鍍、浸鍍以及濺射。
[0024] 對應(yīng)的，本發(fā)明還提供了 一種撓性電路板的制作方法，所述方法包括本發(fā)明任意 實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法。
[0025] 本發(fā)明提出了一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，能夠直接在撓性有 機(jī)薄膜上制造金屬化過孔的同時制造撓性覆銅板，簡化了制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅 板的工序，提高了撓性覆銅板中金屬化過孔的導(dǎo)電性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1是本發(fā)明第一實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法的實 現(xiàn)流程圖；
[0027] 圖2a_圖2e是本發(fā)明實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法步 驟對應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖；
[0028] 圖3是本發(fā)明第二實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法的實 現(xiàn)流程圖；
[0029] 圖4是本發(fā)明第三實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法的實 現(xiàn)流程圖。

【具體實施方式】
[0030] 為使本發(fā)明解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面 結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施 例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖 中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0031] 第一實施例
[0032] 圖1是本發(fā)明第一實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法的實 現(xiàn)流程圖。如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的方法包括：
[0033] 步驟101，在撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)。
[0034] 圖2b是本發(fā)明實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法在本步驟 中對應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。參照圖2a和2b，在如圖2a所示的撓性有機(jī)薄膜201上形成如圖2b所示 的孔結(jié)構(gòu)211。
[0035] 優(yōu)選的，所述撓性有機(jī)薄膜可以包括：聚酰亞胺薄膜、液晶聚合物薄膜、聚乙二酰 脲薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚四氟乙烯薄膜或聚萘二甲酸乙二醇 酯薄膜。
[0036] 優(yōu)選的，所述孔結(jié)構(gòu)211的形狀可以為圓形或方形。
[0037] 優(yōu)選的，所述在撓性有機(jī)薄膜201上形成孔結(jié)構(gòu)211的方法可以選自以下組中的 一種或多種：機(jī)械鉆孔、沖孔、激光打孔、等離子刻蝕以及反應(yīng)離子刻蝕。其中，如果采用卷 對卷的方式制造撓性電路板，可以采用連續(xù)打孔方式來形成孔結(jié)構(gòu)211，比如連續(xù)沖孔或連 續(xù)激光打孔，其中，所述激光打孔可以選自以下組中的一種或多種：紅外激光打孔、YAG激 光打孔和紫外激光打孔，為減小熱影響區(qū)，防止過孔邊緣受熱損害，優(yōu)選紫外激光打孔；如 果是采用單聯(lián)制造的方式制造撓性電路板，優(yōu)選用機(jī)械鉆孔或激光鉆孔的方法來形成孔結(jié) 構(gòu)211?？蛇x的，在撓性有機(jī)薄膜201上形成孔結(jié)構(gòu)211之后，對孔結(jié)構(gòu)211的孔洞進(jìn)行清 潔處理。
[0038] 步驟102,在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形成導(dǎo)電籽晶層。
[0039] 圖2c是本發(fā)明實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法在本步驟 中對應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。參照圖2c，在所述孔結(jié)構(gòu)211的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜201的表面 形成導(dǎo)電籽晶層202。
[0040] 優(yōu)選的，采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)211的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜201 的表面形成導(dǎo)電籽晶層。
[0041] 其中，氣相沉積工藝可以選自以下組中的一種或多種：離子束注入、離子束沉積、 濺射以及蒸發(fā)，優(yōu)選濺射、離子注入或離子束沉積的方式，這是由于它們產(chǎn)生的原子、離子、 微粒帶有一定的能量飛向基體，可與撓性有機(jī)薄膜201形成良好的附著，且形成導(dǎo)電籽晶 層的沉積物比較細(xì)膩、缺陷少，從而使之后形成的過孔導(dǎo)電性更好。采用氣相沉積工藝在所 述孔結(jié)構(gòu)211的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜201的表面形成導(dǎo)電籽晶層202的靶材成分是 導(dǎo)電材料，其中，所述導(dǎo)電材料包括但不限于各種金屬、合金、碳、導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電碳化物 和導(dǎo)電有機(jī)物，優(yōu)選為與撓性有機(jī)薄膜201附著力強(qiáng)的金屬與合金，如Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、 Au、Li、Be、Mg、Al、Μη、Fe、Co、Zn、Ga、Ge、C、Si、Y、V、Zr、Mo、Pd、Cd、Nb、In、Sn、Sb、Te、Ba、 Ta、W、Pt、Tl、Pb、Bi以及它們的二元、三元和四元合金。
[0042] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電籽晶層202的厚度范圍為1至1000納米。
[0043] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電籽晶層202的方塊電阻小于200 Ω / 口。
[0044] 步驟103,在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。
[0045] 圖2d是本發(fā)明實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法在本步驟 中對應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。參照圖2d，在所述導(dǎo)電籽晶層202上形成金屬導(dǎo)體層203。
[0046] 優(yōu)選的，所述在所述導(dǎo)電籽晶層202上形成金屬導(dǎo)體層203的方法選自以下組中 的一種或多種：電鍍、浸鍍以及濺射。其中，電鍍的方法具有電鍍材料范圍廣、鍍速較快、且 成本低的特點，電鍍采用的材料可以包括Cu、Ni、Sn、Au、Ag、Pt、Pd及它們的二元和三元合 金；浸鍍的方法具有操作方便，但鍍金屬導(dǎo)體層的合金選擇范圍較窄的特點，采用浸鍍的方 法可以鍍上低熔點的釬料合金，比如熔點小于400攝氏度的各種軟釬料合金，如Sn、SnPb、 SnAgCu、SnCu、AuSn ;濺射的方法具有濺射速度快的特點，針對一些導(dǎo)電材料，特別是金屬和 合金，如Al、Cu、Ag、Sn、Ni、Au等及它們的合金，溉射的速度可以達(dá)到100nm/min，因而可采 用濺射的方法來快速鍍覆金屬導(dǎo)體層。
[0047] 另外，本發(fā)明實施例提供的帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法也適用于過孔填 實的情況（即金屬導(dǎo)體層203的厚度足夠厚)。圖2e是本發(fā)明實施例提供的制造帶有金屬 化過孔的撓性覆銅板的方法在本步驟中對應(yīng)的另一結(jié)構(gòu)圖。參照圖2e，在過孔填實的情況 下，在所述導(dǎo)電籽晶層202上形成金屬導(dǎo)體層203。此時，圖2c中的孔結(jié)構(gòu)211被填實。
[0048] 優(yōu)選的，所述金屬導(dǎo)體層203的厚度范圍為1至100微米。
[0049] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例能夠直接在撓性有機(jī)薄膜上制造金屬化過孔的同 時制造撓性覆銅板，針對工業(yè)生產(chǎn)更具價值，如果制造企業(yè)采用本發(fā)明實施例提供的方法， 在實際生產(chǎn)中可以不需要采購撓性覆銅板，可以直接采購撓性有機(jī)薄膜，進(jìn)而在撓性有機(jī) 薄膜中制造金屬化過孔的同時制造撓性覆銅板，能夠減少制造成本、簡化制造帶有金屬化 過孔的撓性覆銅板的工序。
[0050] 下面以實例的形式對本實施例提供的方案進(jìn)行說明：
[0051] 例如，對準(zhǔn)備好的成卷的撓性有機(jī)薄膜，采用沖孔和紫外激光進(jìn)行連續(xù)打孔，以在 撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)，孔結(jié)構(gòu)的孔徑最小可以是25 μ m，孔結(jié)構(gòu)可以是方孔或圓孔； 進(jìn)一步的，采用離子束沉積的方式，在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形 成10nm的Cr層，作為導(dǎo)電籽晶層，Cr層的方塊電阻小于ΙΟΟΩ/口 ；進(jìn)一步的，在電鍍設(shè)備 上，在所述導(dǎo)電籽晶層上電鍍5至18 μ m的Cu層，作為金屬導(dǎo)體層。此時，就在撓性有機(jī)薄 膜上形成了帶有金屬化過孔的撓性覆銅板。
[0052] 或者例如，對準(zhǔn)備好的成卷的并附著卷帶式掩膜的撓性有機(jī)薄膜，采用等離子刻 蝕的方式，并通過卷帶式掩膜在撓性有機(jī)薄膜上連續(xù)蝕刻出孔結(jié)構(gòu)，孔結(jié)構(gòu)的孔徑最小可 以是25 μ m，孔結(jié)構(gòu)可以是方孔或圓孔；進(jìn)一步的，采用濺射的方式，在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁 以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形成10至l〇〇nm的NiCr合金層，作為導(dǎo)電籽晶層，NiCr合 金層的方塊電阻小于100Ω/ □;進(jìn)一步的，在電鍍設(shè)備上，在所述導(dǎo)電籽晶層上電鍍5至 18 μ m的Cu層，作為金屬導(dǎo)體層。此時，就在撓性有機(jī)薄膜上形成了帶有金屬化過孔的撓性 覆銅板。
[0053] 本實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，能夠直接在撓性有機(jī) 薄膜上制造金屬化過孔的同時制造撓性覆銅板，簡化了制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板 的工序，提高了撓性覆銅板中金屬化過孔的導(dǎo)電性能。因此本發(fā)明在工業(yè)上具有良好的應(yīng) 用前景，技術(shù)的推廣便捷。
[0054] 本發(fā)明實施例還提供了一種撓性電路板的制作方法，所述撓性電路板的制作方法 包括制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，其中，所述制造帶有金屬化過孔的撓性覆 銅板的方法采用本發(fā)明任意實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法。
[0055] 第二實施例
[0056] 圖3是本發(fā)明第二實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法的實 現(xiàn)流程圖。如圖3所示，本發(fā)明實施例提供的方法包括：
[0057] 步驟301，在撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)。
[0058] 優(yōu)選的，所述撓性有機(jī)薄膜可以包括：聚酰亞胺薄膜、液晶聚合物薄膜、聚乙二酰 脲薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚四氟乙烯薄膜或聚萘二甲酸乙二醇 酯薄膜。
[0059] 優(yōu)選的，所述孔結(jié)構(gòu)的形狀為圓形或方形。
[0060] 優(yōu)選的，所述在撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)的方法選自以下組中的一種或多種： 機(jī)械鉆孔、沖孔、激光打孔以及等離子刻蝕。
[0061] 步驟302,采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面 形成導(dǎo)電籽晶層。
[0062] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電籽晶層的厚度范圍為1至1000納米。
[0063] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電籽晶層的方塊電阻小于200 Ω / 口。
[0064] 與現(xiàn)有技術(shù)采用化學(xué)鍍銅或黑孔工藝形成導(dǎo)電籽晶層的相比，上述方案采用氣相 沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形成導(dǎo)電籽晶層，縮短了形成 導(dǎo)電籽晶層的時間，簡化了導(dǎo)電籽晶層的制造工序，且形成的導(dǎo)電籽晶層附著力佳、干凈無 污染，從而使之后形成的過孔導(dǎo)電性更好。
[0065] 步驟303,在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。
[0066] 優(yōu)選的，所述在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層的方法選自以下組中的一種或 多種：電鍍、浸鍍以及濺射。
[0067] 優(yōu)選的，所述金屬導(dǎo)體層的厚度范圍為1至100微米。
[0068] 本實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，通過采用氣相沉積工 藝在孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及撓性有機(jī)薄膜的表面形成導(dǎo)電籽晶層，進(jìn)而在導(dǎo)電籽晶層上形成金 屬導(dǎo)體層，能夠提高了撓性覆銅板中金屬化過孔的導(dǎo)電性能。
[0069] 第三實施例
[0070] 圖4是本發(fā)明第三實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法的實 現(xiàn)流程圖。如圖4所示，本發(fā)明實施例提供的方法包括：
[0071] 步驟401，在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)。
[0072] 優(yōu)選的，所述在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)選自以下組中的一種或多種：機(jī)械鉆孔、 沖孔、激光打孔、等離子刻蝕以及反應(yīng)離子刻蝕。
[0073] 步驟402,采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性覆銅板的表面形 成導(dǎo)電籽晶層。
[0074] 與現(xiàn)有技術(shù)采用化學(xué)鍍銅或黑孔工藝形成導(dǎo)電籽晶層的相比，上述方案采用氣相 沉積工藝在撓性覆銅板的孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性覆銅板的表面形成導(dǎo)電籽晶層，形成 的導(dǎo)電籽晶層附著力佳、干凈無污染，且縮短了形成導(dǎo)電籽晶層的時間，簡化了導(dǎo)電籽晶層 的制造工序，進(jìn)而提高了撓性覆銅板中金屬化過孔的導(dǎo)電性能。
[0075] 步驟403,在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。
[0076] 優(yōu)選的，所述在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層的方法選自以下組中的一種或 多種：電鍍、浸鍍以及濺射。
[0077] 下面以實例的形式對本實施例提供的方案進(jìn)行說明：
[0078] 例如，對準(zhǔn)備好的成卷的撓性覆銅板，采用沖孔和紫外激光進(jìn)行連續(xù)打孔，以在撓 性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)，孔結(jié)構(gòu)的孔徑最小可以是25 μ m，孔結(jié)構(gòu)可以是方孔或圓孔；進(jìn)一 步的，采用連續(xù)的等離子轟擊進(jìn)行孔洞除膠和表面清潔；進(jìn)一步的，采用離子束沉積的方 式，在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性覆銅板的表面形成l〇nm的Cr層和lOOnm的Cu層， 作為導(dǎo)電籽晶層，其方塊電阻小于δΟΩ/口 ；進(jìn)一步的，在電鍍設(shè)備上，在所述導(dǎo)電籽晶層 上電鍍5至18 μ m的Cu層，作為金屬導(dǎo)體層。此時，就形成了帶有金屬化過孔的撓性覆銅 板。
[0079] 或者例如，將準(zhǔn)備好的方形的撓性覆銅板進(jìn)行疊層，并在撓性覆銅板的兩面貼附 2mm的電木板進(jìn)行綁定，采用機(jī)械鉆孔的方式，在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)，孔結(jié)構(gòu)的孔徑 最小可以是50 μ m;進(jìn)一步的，將撓性覆銅板分離成為單聯(lián)，并對孔結(jié)構(gòu)的孔洞進(jìn)行除膠 處理；進(jìn)一步的，采用濺射的方式，在撓性覆銅板的孔壁以及所述撓性覆銅板的表面形成 100nm的Cu層，作為導(dǎo)電籽晶層，Cu層的方塊電阻小于δΟΩ/口 ；進(jìn)一步的，利用單聯(lián)掛鍍， 在所述導(dǎo)電籽晶層上電鍍8至18 μ m的Cu層，作為金屬導(dǎo)體層。此時，就形成了帶有金屬 化過孔的撓性覆銅板。
[0080] 或者例如，將準(zhǔn)備好的方形的撓性覆銅板進(jìn)行激光打孔，以在撓性覆銅板上形成 孔結(jié)構(gòu)，孔結(jié)構(gòu)的孔徑最小可以是50 μ m ;進(jìn)一步的，將它們分離成為單聯(lián)，并對孔結(jié)構(gòu)的 孔洞進(jìn)行除膠處理；進(jìn)一步的，采用濺射的方式，在撓性覆銅板的孔壁以及所述撓性覆銅板 的表面形成200nm的Ni層，作為導(dǎo)電籽晶層，Ni層的方塊電阻小于50Ω / □;進(jìn)一步的，對 撓性覆銅板涂覆光阻，并曝光顯影露出孔結(jié)構(gòu)的部位；進(jìn)一步的，再利用單聯(lián)浸鍍(如浸入 SnCu、SnAgCu液態(tài)合金槽)，在所述導(dǎo)電籽晶層上形成鍍錫層，作為金屬導(dǎo)體層。此時，就形 成了帶有金屬化過孔的撓性覆銅板。
[0081] 本實施例提供的制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，通過在撓性覆銅板上 形成孔結(jié)構(gòu)，采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性覆銅板的表面形成導(dǎo)電 籽晶層，進(jìn)而在導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層，能夠簡化導(dǎo)電籽晶層的制造工序，進(jìn)而提高 撓性覆銅板中金屬化過孔的導(dǎo)電性能。
[0082] 注意，上述內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于 這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替 代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的 說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多 其它等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1. 一種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，其特征在于，包括： 在撓性有機(jī)薄膜上形成孔結(jié)構(gòu)； 在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形成導(dǎo)電籽晶層； 在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述撓性有機(jī)薄膜包括：聚酰亞胺薄膜、 液晶聚合物薄膜、聚乙二酰脲薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚四氟乙 烯薄膜或聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔結(jié)構(gòu)的形狀為圓形或方形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述在撓性有機(jī)薄膜上形成孔 結(jié)構(gòu)的方法選自以下組中的一種或多種：機(jī)械鉆孔、沖孔、激光打孔、等離子刻蝕以及反應(yīng) 離子刻蝕。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁 以及所述撓性有機(jī)薄膜的表面形成導(dǎo)電籽晶層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電籽晶層的厚度范圍為1至 1000納米。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電籽晶層的方塊電阻小于 200 Ω / 口。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體 層的方法選自以下組中的一種或多種：電鍍、浸鍍以及濺射。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)體層的厚度范圍為1至 100微米。
10. -種制造帶有金屬化過孔的撓性覆銅板的方法，其特征在于，包括： 在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)； 采用氣相沉積工藝在所述孔結(jié)構(gòu)的孔壁以及所述撓性覆銅板的表面形成導(dǎo)電籽晶 層； 在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金屬導(dǎo)體層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述在撓性覆銅板上形成孔結(jié)構(gòu)選自 以下組中的一種或多種：機(jī)械鉆孔、沖孔、激光打孔以及等離子刻蝕。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述在所述導(dǎo)電籽晶層上形成金 屬導(dǎo)體層的方法選自以下組中的一種或多種：電鍍、浸鍍以及濺射。
13. -種撓性電路板的制作方法，包括權(quán)利要求1至12任一項所述的制造帶有金屬化 過孔的撓性覆銅板的方法。
【文檔編號】H05K3/42GK104219899SQ201410136108
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月4日
【發(fā)明者】謝新林, 高明智, 安兵, 楊念群 申請人:珠海市創(chuàng)元電子有限公司