一種納米級金屬電磁屏蔽膜的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種納米級金屬電磁屏蔽膜，屬于電磁膜制造領域。其包括載體層(1)、第一屏蔽層(2)和絕緣層(3)三層結構，所述的第一屏蔽層為導電油墨層或磁控濺射鍍層；所述載體層、第一屏蔽層和絕緣層由下至上依次疊設，所述載體層表面覆設第一屏蔽層，所述第一屏蔽層表面覆設絕緣層。本實用新型提供了納米級金屬電磁屏蔽膜，采用印刷加工或磁控濺射方式，結構加工方便，可以滿足現有大多數電子設備產品越來越輕薄化，電子元器件堆積越來越多，窄小的空間里出現電磁干擾狀況越來越多的要求，而且本產品屏蔽效果好，成本低廉，效果明顯。
【專利說明】一種納米級金屬電磁屏蔽膜
【技術領域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種電磁膜，具體涉及到一種納米級金屬電磁屏蔽膜。
【背景技術】
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[0002]現有的屏蔽材料為銅鋁箔膠帶，因其價格低廉，取材容易，屏蔽效果佳一直是各家電子廠的首選材料，但是只具有單一的層狀結構，存在加工難，不易彎折，使用位置會有所限制。而且單一的層狀結構無法滿足設計者一些個性化的需求，為設計出符合使用者的要求的屏蔽材料，生產企業(yè)會添加其余輔料，這無形中將提高了生產的成本。且銅鋁基材由于其金屬性，在狹小空間內易對其他電子元器件產生二次干擾，從而使得方案無法實行，另外鋁銅都具有期貨性，價格受市場影響較大，從而使其成品價格不穩(wěn)定，風險較大。
【發(fā)明內容】
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[0003]1.實用新型所解決的技術問題
[0004]針對現有原始的電磁屏蔽膜存在復合工藝難、易起泡皺褶，影響功能使用、模切加工難、成本高以及原材料價格易波動等的問題，本發(fā)明提供了一種納米級金屬電磁屏蔽膜，采用印刷加工或磁控濺射的方式，加工方便，可以滿足現有大多數電子設備產品越來越輕薄化，電子元器件堆積越來越多，窄小的空間里出現電磁干擾狀況越來越多的要求，而且本產品屏蔽效果好，成本低廉，效果明顯。
[0005]2.技術方案
[0006]—種納米級金屬電磁屏蔽膜，包括載體層、第一屏蔽層和絕緣層三層結構，所述的第一屏蔽層為導電油墨層或磁控濺射鍍層；所述載體層、第一屏蔽層和絕緣層由下至上依次疊設，所述載體層表面覆設第一屏蔽層，所述第一屏蔽層表面覆設絕緣層。
[0007]所述絕緣層為固化的環(huán)氧樹脂層。
[0008]所述的載體層為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯薄膜。
[0009]所述的導電油墨層，實質由導電粉末表面涂覆油墨構成；所述的導電粉末為銀包銅、鎳或銀金屬粉末中的一種。
[0010]所述的磁控濺射鍍層，實質由多種金屬靶電鍍構成，所述的金屬靶為銀靶、鎳靶、銅靶中的一種。
[0011〕 進一步地，納米級金屬電磁屏蔽膜，還包括第二屏蔽層，所述第二屏蔽層覆設在載體層下表面。
[0012]進一步地，所述的屏蔽層的保護膜為乳白聚對苯二甲酸乙二醇酯離型膜，厚度為20-65微米。
[0013]進一步地，所述載體層的厚度為42-46微米，絕緣層厚度8-12微米，若屏蔽層為導電油墨層，第一屏蔽層和第二屏蔽層，厚度分別為20-26微米，若屏蔽層為磁控濺射鍍層，第一屏蔽層和第二屏蔽層，厚度分別為0.3-0.8微米。
[0014]3.有益效果
[0015]本發(fā)明采用軟性的聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯薄膜為載體層，其具有良好的力學性能，耐折性好，加工性佳、耐稀酸、稀堿，良好的絕緣性能，優(yōu)良的耐高、低溫性，在其進行表面處理后，印刷導電油墨或采用磁控濺射的方式電鍍，使其具有一面或兩面具有導電屏蔽效用。亦可通過處理后貼附的方式使其具有不同的層狀結構，以滿足客戶的個性化需求。
[0016]納米級金屬電磁膜采用印刷、磁控濺射電鍍附合的方式，根據客戶要求，做成客戶最終理想產品，加工性佳，客戶直接可沖型使用，省時省力。耐折性好，使用范圍相對廣泛。從而使其具有不同的屏蔽效能和價格成本，可以在滿足客戶的應用需求前提下最大程度的控制成本，相較傳統的屏蔽材料銅鋁箔膠帶具有更大的靈活性。
【專利附圖】
【附圖說明】
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[0017]圖1為實施例1中納米級金屬電磁屏蔽膜結構示意圖；
[0018]圖2為實施例2中納米級金屬電磁屏蔽膜結構示意圖。
[0019]圖3為實施例4中納米級金屬電磁屏蔽膜結構示意圖。
[0020]圖4為實施例5中納米級金屬電磁屏蔽膜結構示意圖。
[0021]圖5為實施例6中納米級金屬電磁屏蔽膜結構示意圖。
[0022]圖中:1_載體層；2_第一屏蔽層；3_絕緣層；4_保護膜；5_第二屏蔽層；6_第一膠粘層；7-第二膠粘層。
【具體實施方式】
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[0023]實施例1
[0024]如圖1所示，一種納米級金屬電磁屏蔽膜，其包括載體層1、第一屏蔽層2和絕緣層3三層結構，其中，載體層I為聚碳酸酯薄膜，厚度為42微米；第一屏蔽層2為導電油墨層，實質由銀金屬導電粉末表面涂覆油墨構成，絕緣層厚度8微米；絕緣層3為固化的環(huán)氧樹脂層，厚度為20微米；載體層1、第一屏蔽層2和絕緣層3由下至上依次疊設，載體層I表面覆設第一屏蔽層2，第一屏蔽層2表面覆設絕緣層3。
[0025]將實施例1中的納米級金屬電磁屏蔽膜，在一定測試條件下進行測試，其測試結果為:耐藥品性合格(測試條件:2mol/L HCl浸泡1min)，電磁波屏蔽性為衰減強度20-40% (測試條件:頻率范圍:10 - 1000Hz)，表面電阻0.2-0.5歐姆(測試條件:直線距離15mm測試)，貯存性在室溫10-25攝氏度下，小于等于60天，貯存性在冷藏2_10攝氏度下，小于等于180天。
[0026]實施例2
[0027]如圖2所示，一種納米級金屬電磁屏蔽膜，其包括載體層1、第一屏蔽層2、絕緣層3和保護膜4四層結構；其中，載體層I為聚對苯二甲酸乙二醇酯，厚度為46微米；第一屏蔽層2為導電油墨層，實質由鎳金屬導電粉末表面涂覆油墨構成，絕緣層3厚度12微米；絕緣層3為固化的環(huán)氧樹脂層，厚度為22微米；屏蔽層保護膜4為乳白聚對苯二甲酸乙二醇酯離型膜，厚度為65微米；載體層1、第一屏蔽層2、絕緣層3和屏蔽層的保護膜4由下至上依次疊設，載體層I表面覆設第一屏蔽層2，第一屏蔽層2表面覆設絕緣層3，絕緣層3表面涂覆保護膜4。
[0028]將實施例2中的納米級金屬電磁屏蔽膜，其測試結果為:耐藥品性合格(測試條件:2mol/L HCl浸泡1min)，電磁波屏蔽性為衰減強度20-40% (測試條件:頻率范圍:10 - 1000Hz)，表面電阻0.2-0.5歐姆(測試條件:直線距離15mm測試)，貯存性在室溫10-25攝氏度下，小于等于60天，貯存性在冷藏2-10攝氏度下，小于等于180天。
[0029]實施例3
[0030]如圖2所示，結構材料同實施例2，不同在于所述的導電粉末為銀金屬粉末；所述載體層的厚度為44微米，絕緣層厚度10微米，屏蔽層厚度為26微米。測試結果同實施例2。
[0031]實施例4
[0032]如圖3所示，結構材料同實施例1，不同在于還包括第二屏蔽層5，所述第二屏蔽層5覆設在載體層I下表面；所述載體層的厚度為44微米，絕緣層厚度10微米，第一屏蔽層厚度和第二屏蔽層厚度相同，為26微米。測試結果同實施例2。
[0033]實施例5
[0034]如圖4所示，結構材料同實施例1，不同在于包括第一膠粘層6，所述第一膠粘層6覆設在載體層I下表面；所述載體層I的厚度為44微米，絕緣層3厚度10微米，第一屏蔽層2厚度為26微米。測試結果同實施例2。
[0035]實施例6
[0036]如圖5所示，結構材料同實施例5，不同在于還包括第二膠粘層7，所述第二膠粘層7貼附在絕緣層3上表面；所述第一膠粘層6和第二膠粘層7為透明的壓敏膠層或導電膠層，厚度為5-50微米；所述載體層I的厚度為44微米，絕緣層3厚度10微米，第一屏蔽層2厚度為26微米。測試結果同實施例2。
[0037]實施例7
[0038]結構材料同實施例5，不同在于所述的導電粉末為銀包銅金屬粉末。測試結果同實施例2。
[0039]實施例8
[0040]結構同實施例1，不同在于，第一屏蔽層2為磁控濺射鍍層，實質由銀靶通過磁控濺射的方式電鍍構成，第一屏蔽層2厚度分別為0.3微米。
[0041]將實施例8中的納米級金屬電磁屏蔽膜，在一定測試條件下進行測試，其測試結果為:耐藥品性合格(測試條件:2mol/L HCl浸泡1min)，電磁波屏蔽性為衰減強度20-40% (測試條件:頻率范圍:10 - 1000Hz)，表面電阻0.2-0.5歐姆(測試條件:直線距離15mm測試)，貯存性在室溫10-25攝氏度下，小于等于60天，貯存性在冷藏2_10攝氏度下，小于等于180天。
[0042]實施例9
[0043]結構同實施例4，不同在于，第一屏蔽層2為磁控派射鍍層，第一屏蔽層2實質由镲靶通過磁控濺射的方式電鍍構成，第一屏蔽層2厚度分別為0.5微米；第二屏蔽層實質由銅靶通過磁控濺射的方式電鍍構成，第二屏蔽層厚度分別為0.8微米。測試結果同實施例2。
[0044]實施例10
[0045]結構同實施例9，不同在于，第一屏蔽層2厚度分別為0.8微米；第二屏蔽層實質由銅靶通過磁控濺射的方式電鍍構成，第二屏蔽層厚度分別為0.6微米。測試結果同實施例2。
[0046]實施例11
[0047]結構同實施例9，不同在于，第二屏蔽層厚度分別為0.3微米。測試結果同實施例2。
【權利要求】
1.一種納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于:包括載體層(1)、第一屏蔽層(2)和絕緣層(3)三層結構，所述的第一屏蔽層(2)為導電油墨層或磁控濺射鍍層；所述載體層(1)、第一屏蔽層(2)和絕緣層(3)由下至上依次疊設，所述載體層(1)表面覆設第一屏蔽層(2)，所述第一屏蔽層(2)表面覆設絕緣層(3)。
2.根據權利要求1所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣層(3)為固化的環(huán)氧樹脂層。
3.根據權利要求1所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，所述的載體層(1)為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯薄膜。
4.根據權利要求1所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，所述的導電油墨層，實質由導電粉末表面涂覆油墨構成；所述的導電粉末為銀包銅、鎳或銀金屬粉末中的一種。
5.根據權利要求1所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，所述的磁控濺射鍍層，實質由金屬靶電鍍構成；所述的金屬靶為銀靶、鎳靶或銅靶中的一種。
6.根據權利要求1所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，還包括第二屏蔽層(5)，所述第二屏蔽層(5)覆設在載體層(1)下表面。
7.根據權利要求1所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，還包括第一膠粘層(6)，所述第一膠粘層(6 )覆設在載體層(1)下表面。
8.根據權利要求7所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，還包括第二膠粘層(7)，所述第二膠粘層(7 )貼附在絕緣層(3 )上表面；所述第一膠粘層(6 )和第二膠粘層(7 )為透明的壓敏膠層或導電膠層，厚度為5-50微米。
9.根據權利要求1所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，還包括保護膜(4)，所述保護膜(4)貼附在絕緣層(3)表面。
10.根據權利要求9所述納米級金屬電磁屏蔽膜，其特征在于，所述的保護膜(4)為乳白聚對苯二甲酸乙二醇酯離型膜，厚度為20-65微米，所述載體層(1)的厚度為42-46微米，絕緣層(3)厚度8-12微米，屏蔽層為導電油墨層，第一屏蔽層(2)和第二屏蔽層(5)厚度分別為20-26微米；或屏蔽層為磁控濺射鍍層，第一屏蔽層(2)和第二屏蔽層(5)厚度分別為.0.3-0.8 微米。
【文檔編號】H05K9/00GK204206720SQ201420666612
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月10日 優(yōu)先權日:2014年11月10日
【發(fā)明者】方瑜淵 申請人:江蘇元京電子科技有限公司