專利名稱：高頻集成電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高頻集成電路裝置，特別是一種適用于蜂窩電話，或類似設(shè)施的發(fā)射功率放大器/模塊中的高頻集成電路。
在日本專利申請(qǐng)公開昭63-292660中公開了一種帶有一多層布線板的常規(guī)高頻集成電路裝置，如圖4所示。圖中，該裝置主要包括一個(gè)順序?qū)訅阂唤^緣板24和薄金屬層26而構(gòu)成的疊層體25。特別是，一個(gè)第一絕緣板24被作為底層，一個(gè)第一薄金屬層26在第一絕緣板24上形成。然后，一個(gè)第二絕級(jí)板24和一個(gè)第二薄金屬層26依次在第一薄金屬層26上形成。一個(gè)第三絕緣板24在第二薄金屬層26上形成?？涨恍纬捎诘谌^緣板24內(nèi)以露出第二薄金屬層26的部位27，電子元件28被固著于暴露部位27。類似地，在第一絕緣板24內(nèi)開有空腔以露出第一薄金屬層26的部位27，電子元件28被固著于暴露部位27。
電子元件28產(chǎn)生的熱量被直接傳送給薄金屬層26并僅沿橫向(即圖4中的水平方向)在薄金屬層26內(nèi)運(yùn)行。然而，如果一個(gè)釙鎵砷場效應(yīng)晶體管(PoGaAs FET)或類似的電源部件被固著于薄金屬層26的暴露部位27時(shí)，金屬層26不能將熱量從電源部件充分地輻射出去。因此，金屬層26的尺寸需要被增大。相應(yīng)地，圖4中所示的裝置不能被用來制造一個(gè)內(nèi)置一個(gè)電源部件、近似0.2cm3大小的微型功率放大器/模塊。
圖5是在日本專利申請(qǐng)公開平7-50489中公開的一個(gè)多層印刷布線板的剖視圖。如圖中所示，布線板包括一個(gè)具有絕緣板層的疊層體29。疊層體29還包括在它的表面上的墊板30及貫穿墊板30形成的通孔31。另外，芯片載體集成電路(“IC”)32被設(shè)置在通孔31上方的墊板30上，由芯片載體集成電路IC32產(chǎn)生的熱量通過墊板30和通孔31輻射到空氣中。另外，一些經(jīng)過通孔輻射的熱量被橫向(即圖5中的水平方向)從孔31傳送至薄接地層33，該薄接地層在疊層體29中的絕緣層之間層壓形成。然后，熱量從接地層33輻射層至空氣中。
在上述常規(guī)裝置中，只有薄接地層33和輻射通孔31將熱量從片狀載體IC32中輻射出去。所以，為了充分地將熱量從一個(gè)釙鎵砷場效應(yīng)晶體管或另一個(gè)電源裝置元件輻射出去，需要將薄接地層33尺寸增大或增加其數(shù)量。然而，如果接地層33的尺寸或數(shù)量被增加，該裝置就不能被用來形成一個(gè)體積大約為0.2cm3的微型功率放大器/模塊。
圖6所示為另一個(gè)常規(guī)微型功率放大器/模塊。圖中模塊包括一個(gè)具有布線層8a的陶瓷襯底35，一塊厚的外部散熱板36固著于襯底35的背面。另外，在陶瓷襯底35內(nèi)開有空腔并露出散熱板36的一個(gè)部位37，一個(gè)電源裝置元件2被安裝在暴露部位37上。
盡管熱量能夠被充分地通過散熱板36從電源裝置元件2輻射出去，模塊必須通過插入厚的外部輻射板36被裝配起來。因此，制造模塊的工藝復(fù)雜而且成本昂貴。相應(yīng)地，常規(guī)的裝置不能被用來制造體積近似0.2cm3的廉價(jià)的微型功放器/模塊。
如上所述，對(duì)于圖4、圖5中所示的常規(guī)裝置，如不增大包容在疊層體內(nèi)的金屬層的尺寸，該裝置就不能充足地將熱量從電源裝置元件輻射出去。結(jié)果是這些裝置的尺寸必須被顯著地增大，而且體積大約為0.2cm3并內(nèi)置有一個(gè)釙鎵砷場效應(yīng)晶體管或類似電源裝置的微型功放器/模塊無法被制造出來。
另外在圖6所示的常規(guī)裝置中厚的散熱板不是在疊層體內(nèi)層壓而成的，而是由外部插入裝置體內(nèi)。所以常規(guī)裝置的生產(chǎn)工藝復(fù)雜旦成本高。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠被廉價(jià)制造，且能夠用來制造容積大約為0.2cm3的微型功率放大器/模塊的高頻集成電路裝置，它包括一種其中厚的板間層被層壓的多層襯底結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述和其它目的，本發(fā)明提供一種用于高頻集成電路裝置的多層襯底。此襯底包括一個(gè)具有在其上形成第一布線層的第一表面的第一襯底層；一個(gè)至少是間接地形成于所說的第一襯底層上的第一金屬層；一個(gè)穿透所說的第一襯底層形成的以便所說的第一金屬層的暴露部位被露出的空腔；及設(shè)置在所說的第一金屬層的所說暴露部位的貫穿所說的第一金屬層的第一通孔。
為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)上述和其它目的，本發(fā)明還提供一種用于制造高頻集成電路裝置的多層襯底的制造方法。該方法包括下列步驟(a)形成具有第一表面的第一襯底層；(b)在所說的第一襯底層的所說的第一表面上形成第一布線層；(c)至少是間接地在所說的第一襯底層上形成第一金屬層；(d)形成一個(gè)穿透所說的第一襯底層的空腔，以便露出所說的第一金屬層的暴露部位；(e)在所說的第一金屬層的所說的暴露部位處形成一個(gè)貫穿所說的第一金屬層的第一通孔。
參照附圖對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)更為明顯。


圖1(a)為本發(fā)明的第一實(shí)施例中的高頻集成電路裝置的部件分解透視圖；圖1(b)為本發(fā)明的第一實(shí)施例中的高頻集成電路裝置的橫截面圖；圖1(c)為本發(fā)明的第一實(shí)施例的另一個(gè)例子中的高頻集成電路裝置的橫截面圖；圖1(d)為本發(fā)明的第一實(shí)施例的另一個(gè)例子中的高頻集成電路裝置的橫截面圖；圖1(e)為圖1(b)、1(c)或1(d)的一個(gè)平面圖的一個(gè)例子；圖1(f)為圖1(b)、1(c)或1(d)的一個(gè)橫截面平面圖的一個(gè)例子；圖2為展示1(a)和1(b)中所示的裝置的熱量輻射特性的橫截面圖；圖3為本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例中的高頻集成電路裝置的橫截面圖；圖4為第一個(gè)常規(guī)高頻集成電路裝置的橫截面透視圖；圖5為第二個(gè)常規(guī)高頻集成電路裝置的橫截面圖；圖6為第三個(gè)常規(guī)高頻集成電路裝置的橫截面圖。
下面對(duì)最佳實(shí)施例的描述公開了具體的結(jié)構(gòu)和元件。然而，最佳實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一些例子，下面描述的具體特點(diǎn)僅僅被用來使該實(shí)施例更易于描述，并提供一個(gè)本發(fā)明的整體構(gòu)思。因此，一個(gè)技術(shù)熟練人員將很容易地意識(shí)到本發(fā)明不只限于下面描述的具體實(shí)施例。另外，為了清晰和簡潔，本發(fā)明中一些為本領(lǐng)域技術(shù)熟練人員周知的結(jié)構(gòu)和元件就略去不述了。
圖1(a)為本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例中的高頻集成電路裝置的部件分解透視圖，圖1(b)為該裝置的橫截面圖。如圖中所示，該裝置包括一個(gè)多層襯底1，電源裝置元件2和其它固定在襯底1上的芯片組件3(即一個(gè)片狀電阻、電容等)。另外，多層襯底1的側(cè)面上設(shè)置有輸入/輸出導(dǎo)線通孔4、電源引線通孔5和散熱導(dǎo)線通孔6。另外，為了保護(hù)襯底1，在襯底1的上表面上方設(shè)置一個(gè)電磁屏蔽和內(nèi)部保護(hù)金屬蓋7。
如圖1(b)所示，多層襯底1包括一個(gè)襯底層(即基底材料層)10。電路布線層(即傳導(dǎo)層)8和9設(shè)置在基底材料層10的上下表面上。另外，一粘附層14被層壓于傳導(dǎo)層9之上，一金屬層11被層壓在粘附層14上。一第二基底材料層13被層壓于金屬層11之上，一第二金屬層12被層壓于基底材料層13上。
另外，通過平底鉆將基底材料層10、傳導(dǎo)層9和粘附層14開擴(kuò)孔直到金屬層11被露出來，從而在多層襯底1上形成凹陷空腔15。在空腔15形成后，電源裝置元件2就直接安裝在金屬層11的暴露部位上。另外，電源裝置元件2通常用樹脂密封并具有由金屬層制成的一個(gè)安裝面(即背面)。所以，元件2通常是通過焊料18固定在空腔15里的金屬層11上。
另外，熱力柱(即輻射通孔)16被設(shè)置在空腔15的底面并貫穿金屬層11、基底材料層13和金屬層12。只要通孔16連接了金屬層11和12，就無需完全地貫穿層11、12和13。因此，通孔16的上部接觸將電源裝置元件2安裝在空腔15內(nèi)的焊料18。另外，在多層襯底1的其它部位開設(shè)多個(gè)通孔17并將襯底1的疊層8至14全部貫穿。此外，通孔6開設(shè)在襯底1的側(cè)面。如圖1(b)所示，通孔16和17可以充滿一種絕緣樹脂或其它絕緣電介質(zhì)。
圖1(c)和1(d)所示為第一實(shí)施例中高頻集成電路裝置的橫截面圖的其它例子。如在橫截面上所示，第一和第二金屬層11和12的圖案是不同的。另外，圖1(e)是圖1(b)，1(c)或1(d)的一個(gè)平面圖的一個(gè)例子，圖1(f)是圖1(b)，1(c)或1(d)在金屬層1 1處所取的橫截平面圖的一個(gè)例子。
下面結(jié)合圖2描述第一實(shí)施例的熱量輻射特性。如圖中所示，安裝在空腔15里的電源裝置元件2所產(chǎn)生的熱量被直接傳送給金屬層11和通孔16(在圖2中熱量流動(dòng)的方向即箭頭A的指向)。然后，一些傳送給通孔16的熱量被傳輸至金屬層11、金屬層12和空氣中(或傳輸至移動(dòng)電話或類似設(shè)施的安裝襯底處)。一些從裝置2或孔16傳輸至金屬層11的熱量在金屬層11內(nèi)沿橫向(即圖2中的水平方向)傳送至通孔6和通孔17。然后，送至通孔6和通孔17的熱量又沿孔6和17傳送到金屬層12和大氣(或一安裝襯底)中。送到金屬層12的熱量在金屬層12內(nèi)橫向擴(kuò)散，被傳輸?shù)酵?和通孔17并經(jīng)通孔6和17傳送到空氣(或安裝襯底)中。
如上所述，從電源裝置2產(chǎn)生的熱量從空腔15傳輸給通孔16、金屬層11和金屬層12。金屬層11的厚度大于或等于50μm，所以源于裝置2和空腔15的熱量被金屬層11直接有效地吸收，橫向擴(kuò)散并被傳導(dǎo)至通孔6和17。另外通孔16同時(shí)將來自電源裝置元件2的熱量傳送至空氣和金屬層12，通孔6和17同樣地傳輸熱量至金屬層12。金屬層12的厚度大于或等于50μm熱量，所以，接收到的源于通孔6、16和17的熱量被直接、有效地吸收，橫向擴(kuò)散并被傳導(dǎo)至通孔6和17。
如上所解釋的，多層襯底1提供許多通道可使來自電源放置元件2的熱量能被快速擴(kuò)散并被散離元件2，因此，襯底1的熱阻抗被極大地減少，還有，多層結(jié)構(gòu)1是能被低成本有效地制造的疊層結(jié)構(gòu)。
圖3是本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例中的高頻集成電路裝置的橫截面圖。第二個(gè)實(shí)施例與第一個(gè)實(shí)施例類似除了它具有兩個(gè)額外的金屬層21和23(每個(gè)厚度均為50μm)，一個(gè)額外的基底材料層22和一個(gè)額外的粘附層20。粘附層20與金屬層12層壓，金屬層21附著于粘附層20。另外，基底材料層22與金屬層21層壓，金屬層23與基底材料層23層壓。
在本實(shí)施例中。因加入了基底材料層22從而中間層的數(shù)量增加。另外，第二實(shí)施例的散熱性能極佳并和第一實(shí)施例的性能相類似。
為了進(jìn)一步闡明本發(fā)明的構(gòu)思，下面將描述第一實(shí)施例的一個(gè)詳細(xì)的例子。在該例中，圖1(a)中的多層襯底1長10.0mm，寬10.0mm，厚0.8mm。另外安裝在多層襯底1上的電源裝置元件2的輸出功率為1.1W，一片狀電阻3、片狀電容3和其它芯片組件3被安裝在襯底1上。另外，在襯底1的側(cè)面開設(shè)有兩個(gè)輸入/輸出導(dǎo)線通孔4，三個(gè)電源引線通孔5和九個(gè)輻射導(dǎo)線通孔6。然后，一個(gè)黃銅制成的金屬蓋7被固置在整個(gè)襯底上的上方以保護(hù)襯底1。整個(gè)裝配完畢的模塊長10.0mm，寬10.0mm，高2.0mm即體積是0.2cm3。
下面介紹制造多層襯底1的方法?；撞牧蠈?0由環(huán)氧玻璃鋼板制成，厚300μm，其絕緣常數(shù)為10.5。然后，傳導(dǎo)電路層8和9被設(shè)置在基底材料層10的上、下表面，且厚度均為18μm，隨后，蝕刻傳導(dǎo)層8和9以形成特定的布線圖案。
類似地，基底材料層13由環(huán)氧玻璃鋼板制成，厚100μm，其絕緣常數(shù)是4.2。然后，銅質(zhì)的金屬層11和12分別設(shè)置在基底材料層13的上、下表面，且厚度均為70μm。為了實(shí)現(xiàn)最佳散熱，金屬層11和12的厚度最好是大于或等于50μm。然后，再蝕刻金屬層11和12以形成特定的布線圖案。
對(duì)于其上安裝有高頻電路的基底材料層10，可以采用適宜于帶狀傳輸線的具有高絕緣常數(shù)的環(huán)氧玻璃鋼板。然而，在本例中，采用了具有常規(guī)絕緣常數(shù)的廉價(jià)環(huán)氧玻璃鋼板，因?yàn)榛撞牧蠈?3被用來作為多層襯底1的內(nèi)層。
其后，環(huán)氧玻璃鋼板體系制成的粘附層14夾在傳導(dǎo)電路層9和金屬層11之間。粘附層的厚度為150μm，其絕緣常數(shù)為4.2。當(dāng)粘附層14最開始夾在傳導(dǎo)電路層9和金屬層11之間時(shí)是軟的。然而，當(dāng)它經(jīng)過某些工藝處理(如加熱)后，粘附層14就變得堅(jiān)硬而和基底材料層13類似。
在處理過粘附層14后，貫穿層8-14鉆出通孔17。特別地，貫穿多層襯底1的全部疊層的十一個(gè)通孔17的直徑均為0.3mm。然后，通過在襯底1的一個(gè)表面的中心部位進(jìn)行平底鉆開擴(kuò)孔操作直到銅質(zhì)的金屬11露出而形成空腔15?？涨?5長2.7mm，寬4.9mm。隨后，從空腔15底面貫穿金屬層12鉆出通孔16。特別是，貫穿金屬層11和12的九個(gè)通孔16的直徑均為0.5mm。然后，在通孔16和17的內(nèi)表面上噴鍍銅，并將通孔16和17充滿絕緣體(即絕緣電介質(zhì)，油墨金屬等等)。
隨后，在使用掩膜時(shí)，在傳導(dǎo)電路層8的上表面和金屬層12的下表面上噴鍍銅，從而在電路層8和金屬層12上形成的布線圖案中不會(huì)出現(xiàn)短路。然后，電路層8和金屬層12的表面被覆蓋一層絕緣電介質(zhì)。
其后，將焊料18放在空腔內(nèi)用來設(shè)置電源裝置元件的部位。另外，在傳導(dǎo)電路層8上設(shè)置電路組件3的部位也放置焊料。然后，將電源裝置元件2放在空腔15內(nèi)的焊料18上，組件3放在電路層8上的焊料上，將焊料加熱再冷卻即可將元件2和組件3安裝在襯底1上。
隨后，進(jìn)行一道清潔工序?qū)⒀b置弄干凈，可以在電源裝置元件2上覆蓋一層絕緣介質(zhì)從而使它不能在空腔15內(nèi)移動(dòng)。然后，蓋7被放在多層襯底1上。
如上所述，本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例提供許多通路以將源于電源裝置元件2的大量熱量輻射出去。因此，這些實(shí)施例減小了襯底的熱阻抗并能防止電源裝置元件2因過熱而被燒壞。
根據(jù)本發(fā)明的高頻多層襯底，在安裝有電源裝置元件的空腔的底部的金屬層上開設(shè)有輻射通孔。所以，可以獲得優(yōu)良的熱輻射性能，且可以相當(dāng)?shù)统杀镜刂圃斐鲶w積約為0.2cm3的模塊。
上述最佳實(shí)施例的描述是使一個(gè)本領(lǐng)域技術(shù)熟練人員制造或使用本發(fā)明。還有，對(duì)于那些本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員來說，這些實(shí)施例的多種變化方案是相當(dāng)明顯的。所以，本發(fā)明不只限定于這些所描述的一些實(shí)施例，而是覆蓋權(quán)利要求書所描述的最大范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于高頻集成電路裝置中的多層襯底，其特征在于它包括有具有在其上形成第一布線層的第一表面的第一襯底層；至少是間接地在所說的第一襯底層上形成的第一金屬層；穿透所說的第一襯底層從而使所說的第一金屬層的暴露部位露出而形成的空腔；設(shè)在所說的第一金屬層的暴露部位并貫穿所說的第一金屬層的第一通孔；及第二襯底層，所說的第一金屬層形成于所說的第二和第一襯底層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于它還包括一個(gè)安裝在所說的空腔內(nèi)的半導(dǎo)體裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于它還包括形成于所說的第一襯底層的第二表面的第二布線層和設(shè)置在所說的第一布線層上的芯片組件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于它還包括一個(gè)第二布線層和一個(gè)粘附層，其中所說的第二布線層設(shè)置在所說的粘附層和第一襯底層之間；所說的粘附層設(shè)置在所說的第一金屬層和所說的第二布線層之間；所說的空腔穿透所說的第二布線層和所說的粘附層而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于它還包括一第二金屬層，其中所說的第二襯底層設(shè)置在所說的第二金屬層和所說的第一金屬層之間；所說的第一通孔貫穿所說的第二襯底層和所說的第二金屬層形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底，其特征在于它還包括一第二金屬層，其中所說的第二襯底層設(shè)置在所說的第二金屬層和所說的第一金屬層之間；所說的第一通孔是貫穿所說的第二襯底層和所說的第二金屬層形成的；所說的粘附層是設(shè)置在所說的第一金屬層和所說的第二布線層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于它還包括在所說的空腔外，并貫穿所說的第一襯底層、所說的第一布線層和所說的第一金屬層而開設(shè)的一個(gè)第二通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底，其特征在于它還包括在所說的空腔外，并貫穿所說的第一襯底層、第一布線層、所說的第二布線層、所說的粘附層、所說的第一金屬層、所說的第二襯底層和所說的第二金屬層而開設(shè)的一個(gè)第二通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底，其特征在于它還包括一個(gè)第二粘附層和一個(gè)第三金屬層，其中，所說的第二粘附層設(shè)置于所說的第三金屬層和所說的第二金屬層之間，所說的第一通孔是貫穿所說的第二粘附層和所說的第三金屬層開設(shè)的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底，其特征在于它還包括一個(gè)第三襯底層和一個(gè)第四金屬層，其中，所說的第三襯底層被設(shè)置在所說的第四金屬層和所說的第三金屬層之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于它還包括一個(gè)在所說的多層襯底的側(cè)面上開設(shè)的輸入/輸出導(dǎo)線通孔和在所說的多層襯底的側(cè)面上開設(shè)的電源引線通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于它還包括在所說的多層襯底的一側(cè)面上開設(shè)的輻射通孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于所說的第一襯底層包括一層環(huán)氧玻璃樹脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于所說的第一、第二襯底層均包括一層環(huán)氧玻璃樹脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm，所說的第二金屬層的厚度大于或等于50μm。
17.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm，所說的第二金屬層的厚度大于或等于50μm。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm，所說的第二金屬層的厚度大于或等于50μm。所說的第三金屬層的厚度大于或等于50μm。
19.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底，其特征在于所說的第一金屬層比所說的第二布線層厚。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于所說的第一通孔充滿了絕緣電介質(zhì)。
21.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其特征在于所說的第一、第二通孔充滿了絕緣電介質(zhì)。
22.一種制造用于高頻集成電路裝置中的多層襯底的方法，其特征在于它包括如下步驟(a)在第一襯底層的第一表面上形成第一布線層；(b)至少間接地在所說的第一襯底上形成第一金屬層；(c)穿透所說的襯底層以便使所說的第一金屬層的暴露部位被露出而形成空腔；(d)在所說的第一金屬層的所說的暴露部位形成貫穿所說的第一金屬層的通孔；(e)至少間接地在所說的第一金屬層上形成第二襯底層，從而使所說的第一金屬層位于所說的第二襯底層和所說的第一襯底層之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)在所說的空腔內(nèi)安裝半導(dǎo)體裝置。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)在所說的第一襯底層的第二表面上形成一個(gè)第二布線層；(g)在所說的第一布線層上設(shè)置芯片組件。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)形成第二布線層；及(g)形成粘附層，其中，所說的第二布線層被設(shè)置在所說的粘附層和所說的第一襯底層之間；所說的粘附層被設(shè)置在所說的第一金屬層和所說的第二布線層之間；所說的空腔是穿透所說的第二布線層和所說的粘附層。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)形成第二金屬層，其中所說的第二襯底層被設(shè)置在所說的第二金屬層和所說的第一金屬層之間，所說的第一通孔是貫穿所說的第二襯底層和所說的第二金屬層開設(shè)的。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(h)形成第二金屬層，其中所說的第二襯底層被設(shè)置在所說的第二金屬層和所說的第一金屬層之間，所說的第一通孔是貫穿所說的第二襯底層和所說的第二金屬層開設(shè)的，所說的粘附層被設(shè)置在所說的第一金屬層和所說的第二布線層之間。
28.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)在所說的空腔外并貫穿所說的第一襯底層、所說的第一布線層和所說的第一金屬層而開設(shè)第二通孔。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(i)在所說的空腔外，貫穿所說的第一襯底層、所說的第一布線層、所說的第二布線層、所說的粘附層、所說的第一金屬層、所說的第二襯底層和所說的第二金屬層而開設(shè)第二通孔。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(i)形成第二粘附層；(j)形成第三金屬層，其中，所說的第二粘附層位于所說的第三金屬層和所說的第二金屬層之間，所說的第一通孔是貫穿所說的第二粘附層和所說的第三金屬層開設(shè)的。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(k)形成第三襯底層，(l)形成第四金屬層，其中所說的第三襯底層被設(shè)置在所說的第四金屬層和所說的第三金屬層之間。
32.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)在所說的多層襯底的一側(cè)表面上開設(shè)輸入/輸出導(dǎo)線通孔；(g)在所說的多層襯底的一側(cè)表面上開設(shè)一個(gè)電源引線通孔。
33.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)在所說的多層襯底的一側(cè)表面上開設(shè)一個(gè)輻射通孔。
34.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于所說的第一襯底層包括一層環(huán)氧玻璃樹脂。
35.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于所說的第一、第二襯底層均包括一層環(huán)氧玻璃樹脂。
36.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm。
37.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm，其中，所說的第二金屬層的厚度大于或等于50μm。
38.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm，其中，所說的第二金屬層的厚度大行或等于50μm。
39.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于所說的第一金屬層的厚度大于或等于50μm，所說的第二金屬層的厚度大行或等于50μm。所說的第三金屬層的厚度大于或等于50μm。
40.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于所說的第一金屬層比所說的第二布線層厚。
41.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于所說的第一通孔充滿了絕緣電介質(zhì)。
42.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于所說的第一、第二通孔充滿了絕緣電介質(zhì)。
43.一種制造用于高頻集成電路裝置中的多層襯底的方法，其特征在于它包括如下步驟(a)提供一個(gè)包括具有上下表面的第一絕緣層的第一襯底，在所說的上表面上形成第一金屬層，在所說的下表面形成第二金屬層；(b)提供一個(gè)包括具有上下表面的第二絕緣層的第二襯底，在所說的上表面上形成第三金屬層，在所說的下表面上形成第四金屬層；(c)連接所說的第一襯底和所說的第二襯底，以使所說的第二金屬層至少間接地設(shè)置在所說的第三金屬層上。(d)在所說的第一襯底內(nèi)形成空腔；(e)至少所說的第一襯底和所說的第二襯底中的一個(gè)內(nèi)開設(shè)一個(gè)第一通孔。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于所說的步驟(c)還包括下列步驟(c1)通過至少是間接地將粘附層夾在所說的第二金屬層和所說的第三金屬層之間而連接所說的第一襯底和所說的第二襯底。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于所說的步驟(d)還包括下列步驟(d1)穿透所說的第一金屬層、所說的第一絕緣層、和所說的第一襯底的第二金屬層以使所說的第二襯底的第三金屬層露出而開設(shè)所說的空腔。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)在所說的空腔的底面開設(shè)至少貫穿至少所說的第二襯底的一部分的第二通孔。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(g)在所說的空腔的所說底面安裝半導(dǎo)體裝置。
48.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于所說的步驟(e)還包括下列步驟(e1)貫穿所說的第一襯底和所說的第二襯底開設(shè)所說的第一通孔。
49.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(f)在所說的空腔的底面，至少貫穿所說的第二襯底的一部分的所說的第二通孔，(g)在所說的空腔的底面安裝半導(dǎo)體裝置，其中所說的步驟(c)還包括下列步驟(c1)通過至少是將粘附層間接地夾在所說的第二金屬層和所說的第三金屬層之間而連接所說的第一襯底和所說的第二襯底，所說的步驟(d)包括以下步驟(d1)穿透所說的第一金屬層、所說的第一絕緣層和所說的第一襯底的第二金屬層，使所說的第二襯底的第三金屬層露出而開設(shè)所說空腔。所說的步驟(e)還包括下列步驟(e1)貫穿所說的第一襯底和所說的第二襯底開設(shè)所說的第一通孔。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其特征在于它還可包括下列步驟(h)在所說的第一金屬層上形成電路組件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高頻電源模塊,為制造此模塊,要采用一種用于高頻集成電路的多層襯底。襯底包括第一襯底層、第一金屬層、空腔、第一通孔。第一襯底層具有在其上形成第一布線層的第一表面,第一金屬層至少間接地形成于第一襯底層之上?？涨淮┩傅谝灰r底層形成以使第一金屬的暴露部位露出,第一通孔開設(shè)在第一金屬層的暴露部位處并貫穿第一金屬層。
文檔編號(hào)H05K5/00GK1208959SQ9810264
公開日1999年2月24日 申請(qǐng)日期1998年6月24日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月27日
發(fā)明者佐相亨 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社