表面處理方法和表面處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及用于部分地粗化基板的表面的表面處理方法和表面處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)上，當(dāng)在基板等的表面上形成金屬膜時(shí)，通常在基板的表面上執(zhí)行預(yù)處理，W 便改善金屬膜的附著性。例如，在公開號為2001-073174的日本專利申請(肝2001-073174 A)中，在掩蔽除了膜形成區(qū)域之外的基板的表面之后，在膜形成區(qū)域中執(zhí)行堿脫脂。之后， 在執(zhí)行了堿脫脂的表面上噴射高壓水流，從而去除基板的氧化膜(純化膜）。通過肝2001- 073174 A中描述的技術(shù)，在膜形成區(qū)域的表面上形成的氧化膜通過高壓水流被物理地去 除，由此可W在膜形成區(qū)域中形成具有高附著力的金屬膜。
[0003] 作為另一技術(shù)，公開號為2014-114474的日本專利申請(JP 2014-114474 A)提出 一種表面處理方法，其中，包含溶劑的固體電解質(zhì)膜被設(shè)置在用作正電極的基板與負(fù)電極 之間，使該固體電解質(zhì)膜與基板的金屬表面接觸，并且在基板與負(fù)電極之間施加電壓。由 此，基板的金屬表面中的金屬被電離為金屬離子，從而蝕刻基板的金屬表面。
[0004] 然而，當(dāng)肝2001-073174 A和肝2014-114474 A等中的表面處理技術(shù)被用于部分 地粗化基板時(shí)，需要掩蔽除了待處理的表面區(qū)域之外的每個(gè)基板。而且，在粗化之后，需要 去除用于掩蔽基板的表面的材料。此外，通過肝2001-073174 A中描述的表面處理技術(shù)，在 基板上噴射高壓水流，運(yùn)樣做可能在嘗試進(jìn)一步粗化基板的表面時(shí)使掩蔽材料剝落。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明鑒于該情勢做出，并提供一種表面處理方法和表面處理裝置，使得可W通 過使用溶解基板的表面的溶劑，容易地部分粗化基板的表面的所希望的表面區(qū)域。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面的表面處理方法包括在固體電解質(zhì)膜的第一表面被直接 設(shè)置在基板的表面上，并且設(shè)置有通孔的掩蔽板的第一表面被直接設(shè)置在所述固體電解質(zhì) 膜的第二表面上的狀態(tài)下，通過經(jīng)由所述通孔將溶劑從所述掩蔽板的第二表面供給到所述 固體電解質(zhì)膜來粗化所述基板的與所述通孔對應(yīng)的表面區(qū)域。所供給的溶劑滲透過所述固 體電解質(zhì)膜，并且溶解所述基板的所述表面。
[0007] 通過根據(jù)本發(fā)明的第一方面的表面處理方法，當(dāng)經(jīng)由通孔將溶劑從掩蔽板的位于 另一側(cè)的表面供給到固體電解質(zhì)膜時(shí)，溶劑滲透過固體電解質(zhì)膜的與通孔的形狀對應(yīng)的部 分。溶劑滲透過的固體電解質(zhì)膜的部分與基板的表面接觸。因此，在基板的表面中，與掩蔽 板的通孔的形狀對應(yīng)的表面區(qū)域的材料與溶劑反應(yīng)，從而被溶劑(具體地，氨離子、氨氧離 子、絡(luò)合劑或其它氧化劑)溶解。由此，容易地粗化基板的所述表面區(qū)域。
[000引在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的表面處理方法中，不直接掩蔽基板，可W通過使用溶 劑來粗化基板的表面中的所希望的表面區(qū)域。由于通過固體電解質(zhì)膜粗化基板的表面區(qū) 域，因此可W阻止過多的溶劑附著到基板的表面上。
[0009]本發(fā)明的各方面中描述的"基板"可W是任何基板，只要該基板具有運(yùn)樣的表面即 可:該表面可w在溶劑溶解要被部分地粗化的表面(的材料)時(shí)被粗化?；逡部蓋是本身 被溶解的基板，或者是具有被溶劑溶解的表面層的基板。
[0010] 在第一方面中，所述基板的表面可W由金屬制成，并且所述粗化可W包括在導(dǎo)電 部件被設(shè)置在所述掩蔽板的所述第二表面上的狀態(tài)下，在用作正電極的所述基板與用作負(fù) 電極的所述導(dǎo)電部件之間施加電壓。
[0011] 在上述方面中，所述溶劑可W被從液體供給部的液體容納腔供給，并且所述導(dǎo)電 部件可W通過所述液體容納腔被設(shè)置在所述掩蔽板的所述第二表面上。
[0012] 根據(jù)上述方面，在經(jīng)由通孔將溶劑從掩蔽板的位于另一側(cè)的表面供給到固體電解 質(zhì)膜的狀態(tài)下，在用作負(fù)電極的導(dǎo)電部件與用作正電極的基板之間施加電壓。在基板的表 面(金屬表面）中，與掩蔽板的通孔的形狀對應(yīng)的表面區(qū)域的金屬通過電解發(fā)生電離。由此， 促進(jìn)上述氧化-還原反應(yīng)，從而可W快速、容易地部分粗化基板的表面中與通孔的形狀對應(yīng) 的表面區(qū)域。特別地，通過調(diào)整在基板與導(dǎo)電部件之間施加電壓時(shí)的施加時(shí)間、基板的溫 度、溶劑的溫度、施加的電壓等，可W僅將基板的所述表面區(qū)域粗化為具有所希望的表面粗 糖度。
[0013] 作為本發(fā)明的第二方面，結(jié)合上述表面處理方法公開了一種用于形成金屬膜的方 法。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的一種用于形成金屬膜的方法包括:通過根據(jù)本發(fā)明的第一方 面的表面處理方法粗化所述基板的表面區(qū)域;在所述粗化之后，通過經(jīng)由所述通孔將包含 所述金屬膜的金屬離子的金屬溶液供給到所述固體電解質(zhì)膜來允許所述金屬離子滲透過 所述固體電解質(zhì)膜；W及通過在用作負(fù)電極的所述基板與用作正電極的所述導(dǎo)電部件之間 施加電壓，在粗化的表面區(qū)域上沉積所述金屬溶液的所述金屬離子，從而在所述表面區(qū)域 上形成金屬膜。
[0014] 根據(jù)第二方面，在表面處理之后，溶劑變?yōu)榻饘偃芤海瑯O性在導(dǎo)電部件與基板之間 反轉(zhuǎn)，并且在導(dǎo)電部件與基板之間施加電壓。如此便可在基板的表面區(qū)域上容易地形成金 屬膜。由于金屬膜在基板的粗化的表面區(qū)域上形成，因此可W在基板上部分地形成具有高 附著力的金屬膜。
[0015] 在本說明書中，作為本發(fā)明的第Ξ方面，還公開了能夠針對基板適當(dāng)?shù)貓?zhí)行表面 處理的表面處理裝置。根據(jù)本發(fā)明的第Ξ方面的表面處理裝置包括：固體電解質(zhì)膜，其具有 第一表面和第二表面，并且允許所述溶劑滲透過所述固體電解質(zhì)膜，所述固體電解質(zhì)膜的 所述第一表面將與所述基板的表面直接接觸;掩蔽板，其具有第一表面、第二表面W及與所 述基板的將被粗化的表面區(qū)域?qū)?yīng)的通孔，所述掩蔽板的所述第一表面被直接設(shè)置在所述 固體電解質(zhì)膜的所述第二表面上；W及液體供給部，其被配置為經(jīng)由所述通孔將所述溶劑 從所述掩蔽板的所述第二表面供給到所述固體電解質(zhì)膜的所述第一表面。
[0016] 根據(jù)第Ξ方面，可W在基板上將固體電解質(zhì)膜設(shè)置為使得固體電解質(zhì)膜的第一表 面與基板的表面接觸。也可W將掩蔽板設(shè)置為使得掩蔽板與固體電解質(zhì)膜的第二表面接 觸。通過在此狀態(tài)下經(jīng)由掩蔽板的通孔將溶劑供給到固體電解質(zhì)膜，溶劑滲透過固體電解 質(zhì)膜，并且所滲透的溶劑溶解基板的表面（的材料）。運(yùn)樣，可W在不直接掩蔽基板的情況 下，容易地部分粗化基板的表面。此外，由于基板的表面區(qū)域被通過固體電解質(zhì)膜的溶劑粗 化，因此可W阻止過多溶劑附著到基板的表面上。由此，可W更適當(dāng)?shù)夭糠执只宓谋?面。
[0017] 在第Ξ方面中，所述表面處理裝置可w被配置為部分地粗化所述基板的金屬表 面。所述表面處理裝置可包括：導(dǎo)電部件，其被設(shè)置在所述掩蔽板的所述第二表面上；W及 電源，其被配置為在用作正電極的所述基板與用作負(fù)電極的所述導(dǎo)電部件之間施加電壓。
[0018] 在上述方面中，所述液體供給部可包括液體容納腔，所述溶劑被容納在所述液體 容納腔中，并且所述導(dǎo)電部件可通過所述液體容納腔被設(shè)置在所述掩蔽板的所述第二表面 上。
[0019] 根據(jù)上述方面，電源能夠在溶劑經(jīng)由通孔被從掩蔽板的位于另一側(cè)的表面供給到 固體電解質(zhì)膜的狀態(tài)下，在作為導(dǎo)電部件的負(fù)電極與作為基板的正電極之間施加電壓。運(yùn) 樣，在基板的表面(金屬表面）中，與掩蔽板的通孔的形狀對應(yīng)的表面區(qū)域的金屬通過電解 發(fā)生電離。通過此方式，可W通過使用溶劑，W更快速、容易地部分粗化在基板的表面中與 通孔的形狀對應(yīng)的表面區(qū)域。特別地，通過調(diào)整在基板與導(dǎo)電部件之間施加電壓的時(shí)間等， 可W僅將基板的所述表面區(qū)域粗化為具有所希望的表面粗糖度。
[0020] 此外，溶劑變?yōu)榘饘倌さ慕饘匐x子的金屬溶液，并且電源的極性被反轉(zhuǎn)。由 此，可W在被粗化的表面區(qū)域上沉積金屬溶液的金屬離子，并且在所述表面區(qū)域上形成金 屬膜。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的各方面，可W通過使用溶解基板的表面的溶劑，容易地部分粗化基 板的表面中的所希望的表面區(qū)域。
【附圖說明】
[0022] 下面將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例的特征、優(yōu)點(diǎn)W及技術(shù)和工業(yè)意義， 在運(yùn)些附圖中，相同的參考標(biāo)號表示相同的部件，其中：
[0023] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的表面處理裝置的示意性分解透視圖；
[0024] 圖2A是示出使用表面處理裝置的基板表面處理的示意性截面圖，并且是示出基板 表面處理之前的狀態(tài)的圖；
[0025] 圖2B是示出使用圖1所示的表面處理裝置的基板表面處理的示意性截面圖，并且 是示出基板表面處理期間的狀態(tài)的圖；
[0026] 圖2C是圖2B所示的基板的表面附近的部分放大視圖；
[0027] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的表面處理裝置的示意性分解透視圖；
[0028] 圖4A是示出使用圖3所示的表面處理裝置的基板表面處理的示意性截面圖，并且 是示出基板表面處理之前的狀態(tài)的圖；
[0029] 圖4B是示出使用圖3所示的表面處理裝置的基板表面處理的示