化基板W的表面區(qū)域wa(圖2C)。
[0060] 例如，當(dāng)基板W的表面wf由基于錫的材料制成，并且使用諸如硫酸溶液的酸溶液作 為溶劑La時，固體電解質(zhì)膜13中的H+朝著基板W的表面區(qū)域wa傳導(dǎo)。然后，在基板W的表面區(qū) 域wa中發(fā)生Sn 一 Sn2++2e-的反應(yīng)，還發(fā)生2H++2e-一此?的反應(yīng)。運(yùn)樣，可W容易地粗化基板W 的表面區(qū)域wa。
[0061] W此方式，可W通過使用溶劑La粗化基板W的表面wf中的所希望的表面區(qū)域wa，而 非使用掩蔽材料或光致抗蝕劑直接掩蔽基板W。另外，由于基板W的表面區(qū)域wa通過固體電 解質(zhì)膜13而被溶劑La粗化，因此可W阻止過多的溶劑La附著到基板W的表面wf。
[0062] 特別地，在該實施例中，由于來自液體供給部15的溶劑La經(jīng)由多孔體11被供給到 掩蔽板14的多個通孔14c，因此可W更均勻地將溶劑La供給到所述多個通孔14c。運(yùn)使得可 W更均勻地粗化基板W的表面區(qū)域wa。
[0063] 接下來，解釋本發(fā)明的第二實施例。圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的表面處理裝 置1B的示意性分解透視圖。根據(jù)該實施例的表面處理裝置1B與第一實施例中的表面處理裝 置的不同之處在于:指定多孔體11為具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電部件11A、設(shè)置電源16W將電壓施加 到導(dǎo)電部件11A和基板W，W及設(shè)置金屬溶液供給裝置22和金屬溶液化的供給和排放路徑 等。金屬溶液供給裝置22將用于膜形成的金屬溶液化供給到液體供給部15。因此，具有與根 據(jù)第一實施例的表面處理裝置1A中的部件結(jié)構(gòu)相同的部件由相同的參考標(biāo)號表示，并且省 略它們的詳細(xì)說明。在第二實施例中，基板W的表面wf限于由金屬制成的表面。
[0064] 如圖3所示，在該實施例中，表面處理裝置1B包括導(dǎo)電部件11A和電源16,該導(dǎo)電部 件11A被設(shè)置在掩蔽板14的第二表面14b上。電源16在基板W與導(dǎo)電部件11A之間施加電壓， 其中導(dǎo)電部件11A用作負(fù)電極，基板W用作正電極。在該實施例中，基板W本身是金屬基板。然 而，當(dāng)上述金屬的表面層在諸如樹脂基板和娃基板的非導(dǎo)電性基板的表面上形成時，基板W 的該表面層通過電源16而導(dǎo)電。
[0065] 導(dǎo)電部件11A由多孔體制成。溶劑La和下文描述的金屬溶液化滲透過多孔體，并且 多孔體經(jīng)由掩蔽板14的通孔14c將溶劑La和金屬溶液化供給到固體電解質(zhì)膜13。在導(dǎo)電部 件11A的周邊中設(shè)置密封材料(未示出），W使溶劑La和金屬溶液化不泄露出來。
[0066] 對上述多孔體不做特別限制，只要多孔體（1)具有對溶劑La和金屬溶液化的抗蝕 性，（2)具有被用作正電極或負(fù)電極的導(dǎo)電性，（3)能夠允許溶劑La和金屬溶液化滲透，W及 (4)能夠通過使用加壓裝置18,通過掩蔽板14使固體電解質(zhì)膜13緊壓住基板W的表面即可。 優(yōu)選地，導(dǎo)電部件11A是例如由具有小的氧過電壓的材料(例如銷和氧化銀)制成的泡沫金 屬;或者是具有高抗蝕性的泡沫金屬(例如覆有銷、氧化銀等的鐵）。
[0067] 電源16與導(dǎo)電部件11A和基板W電連接。電源16被構(gòu)造為能夠在電介質(zhì)膜13與基板 w的金屬表面wf接觸的狀態(tài)下，在導(dǎo)電部件llA與基板W之間施加約巧lj20V的電壓。進(jìn)一步 地，電源16包括切換電路(未示出），該電路使電源的極性反轉(zhuǎn)(切換極性）。
[0068] 因此，如圖3所示，在表面處理期間，電源16能夠在導(dǎo)電部件11A與基板W之間施加 電壓，其中導(dǎo)電部件11A用作負(fù)電極，基板W用作正電極。同時，如圖4C所示，在下文描述的膜 形成期間，切換電路使電源的極性反轉(zhuǎn)，并且電源16能夠在導(dǎo)電部件11A與基板W之間施加 電壓，其中導(dǎo)電部件11A用作正電極，基板W用作負(fù)電極。
[0069] 金屬溶液供給裝置22包括容納箱(未示出）和壓力累(未示出），容納箱容納金屬溶 液化，壓力累在壓力下從容納箱饋送金屬溶液化。金屬溶液供給裝置22與液體供給部15的 供給通道15a相連，W便加壓饋送和供給金屬溶液化。金屬溶液供給裝置22與排放通道15b 相連，W便從液體供給部15的排放通道15b收集金屬溶液化。通過此方式，金屬溶液供給裝 置22能夠使金屬溶液化在裝置內(nèi)循環(huán)。
[0070] 在該實施例中，表面處理裝置1B具有選擇閥（selector valve)23,該閥位于液體 供給部15的供給通道15a中。選擇閥23在來自上述溶劑供給裝置21的溶劑La與來自金屬溶 液供給裝置22的金屬溶液化之間轉(zhuǎn)換，W便能夠選擇性地供給溶劑La和金屬溶液化。進(jìn)一 步地，選擇閥24被設(shè)置為在從液體供給部15的排放通道15b排放的液體之間切換，W便選擇 性地將液體收集到溶劑供給裝置21與金屬溶液供給裝置22。
[0071] 金屬溶液化是包含所形成的金屬膜的金屬離子的液體，并且可W是例如包含處于 離子狀態(tài)的銅、儀或銀的水溶液。例如，在金屬溶液中的金屬是銅的情況下，金屬溶液化可 W是包含硝酸銅、硫酸銅、焦憐酸銅等的溶液。當(dāng)金屬溶液中的金屬是儀時，金屬溶液化可 W是包含硝酸儀、硫酸儀、焦憐酸儀等的溶液。
[0072] 此外，如下面參考圖5C解釋的那樣，當(dāng)通過使用金屬溶液化在基板W的表面區(qū)域wa 上進(jìn)一步形成金屬膜Μ即寸，固體電解質(zhì)膜13可包含處于離子狀態(tài)的上述金屬。例如，固體電 解質(zhì)膜的材料是氣系樹脂（例如由E.I.du Pont de Nemours and Company制造的化fion (注冊商標(biāo)））、控系樹脂、聚酷胺酸樹脂和具有正離子交換功能的樹脂(例如由Asahi Glass Co.，Ltd制造的沈LEMI0N(CMV、CMD、CMF系列））。
[0073] 接下來，解釋使用表面處理裝置1B的表面處理方法和膜形成方法。圖4A到圖4C是 用于解釋通過使用圖3所示的表面處理裝置對基板的表面處理的示意性截面圖。圖4A是示 出對基板的表面處理之前的狀態(tài)的圖，圖4B是示出對基板的表面處理期間的狀態(tài)的圖，圖 4C是示出對基板的表面處理之后的膜形成狀態(tài)的圖。
[0074] 首先，如圖4A所示，基板W被設(shè)置在面向表面處理裝置1B的固體電解質(zhì)膜13的位置 處。此時，電源16與導(dǎo)電部件11A和基板W電連接。因此，電源16能夠在導(dǎo)電部件11A與基板W 之間施加電壓，其中導(dǎo)電部件11A用作負(fù)電極，基板W用作正電極。在圖4A中，在基板W的金屬 表面wf中將被粗化的表面區(qū)域wa由粗線示出。然而，在此階段，表面區(qū)域wa具有與表面的其 余部分相同的表面粗糖度。
[0075] 接下來，如圖4B所示，操作加壓裝置18。由此，W運(yùn)樣的狀態(tài)將固體電解質(zhì)膜13設(shè) 置在基板W上：固體電解質(zhì)膜13的第一表面13a與基板W的表面wf接觸并且將壓力施加在基 板W的表面wf上。在此狀態(tài)下，掩蔽板14被設(shè)置在固體電解質(zhì)膜13上，W使得第一表面14a與 固體電解質(zhì)膜13的第二表面13b接觸。進(jìn)一步地，在掩蔽板14中形成通孔14c。
[0076] 在上述設(shè)置的狀態(tài)下，溶劑供給裝置21被操作W將溶劑La供給到液體供給部15的 供給通道15a。如圖4B所示，在供給通道15a中流動的溶劑La經(jīng)由多孔導(dǎo)電部件llA朝著掩蔽 板14流動，并且經(jīng)由多個通孔14c從掩蔽板14的第二表面14b供給到固體電解質(zhì)膜13。
[0077] 在溶劑La經(jīng)由多個通孔14c被從掩蔽板14的第二表面14b供給到固體電解質(zhì)膜13 的狀態(tài)下，電源16在用作負(fù)電極的導(dǎo)電部件11A與用作正電極的基板W之間施加電壓。
[0078] 在基板W的表面wf中，與掩蔽板14的各個通孔14c的形狀對應(yīng)的表面區(qū)域wa中的金 屬通過電解發(fā)生電離。由此，與第一實施例相比，氧化-還原反應(yīng)得到更大的促進(jìn)，并且在基 板W的表面wf中，更快速、容易地部分粗化與通孔14c的形狀對應(yīng)的表面區(qū)域wa。特別地，通 過調(diào)整在基板W與導(dǎo)電部件11A之間施加電壓時的施加時間、施加的電壓、基板W的溫度等， 可W允許僅將基板W的表面區(qū)域粗化為具有所希望的表面粗糖度。
[0079] 例如，當(dāng)基板W的表面wf由基于錫的材料制成，并且使用諸如硫酸溶液的酸溶液作 為溶劑La時，固體電解質(zhì)膜13中的H+朝著基板W的表面區(qū)域wa傳導(dǎo)。然后，在基板W的表面區(qū) 域wa中發(fā)生Sn 一 Sn2++2e-的反應(yīng)，還發(fā)生2H++2e-一此?反應(yīng)。由此，可W容易地粗化基板W的 表面區(qū)域wa。
[0080] 在該實施例中，可W通過使用溶劑La粗化基板W的表面wf中的所希望的表面區(qū)域 wa，而非使用掩蔽材料或光致抗蝕劑直接掩蔽基板W。另外，由于基板W的表面區(qū)域wa通過固 體電解質(zhì)膜13而被溶劑La粗化，因此可W阻止過多的溶劑La附著到基板W的表面wf上。
[0081] 接下來，在對基板W的表面處理完成之后，在粗化的表面區(qū)域wa中形成金屬膜MF。 具體而言，在加壓裝置18持續(xù)施加壓力的同時，電源16暫時停止施加電壓。
[0082] 接下來，停止溶劑供給裝置21的操作，操作金屬溶液供給裝置22，并且切換圖3所 示的選擇閥23、24。由此，將被供給到液體供給部15的液體從溶劑La轉(zhuǎn)換為金屬溶液化。然 后，