專利名稱：基板處理裝置的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，尤其涉及對實施基板處理的基板處理裝置進(jìn)行清洗的基板處理裝置的清洗方法。
背景技術(shù)：
基板處理裝置作為實施蝕刻、蒸鍍等規(guī)定的基板處理的裝置，一般包括處理室， 其形成密封的處理空間；氣體供給部，其設(shè)置在處理室內(nèi)，用于向處理空間內(nèi)供給處理氣體；基板支承部，其設(shè)置在處理室內(nèi)，用于放置基板。另一方面，基板處理裝置在反復(fù)進(jìn)行基板處理工序時，會在處理室內(nèi)沉積或堆積作為副產(chǎn)物的聚合物等微粒，在實施工序時，這樣的微粒會從處理室的內(nèi)壁剝離，從而導(dǎo)致在基板上形成污痕的問題。因此，以往的基板處理裝置周期性地實施去除堆積在處理室內(nèi)的微粒的清洗工序。但是，堆積在處理室的微粒根據(jù)其物質(zhì)的種類，牢固地堆積在處理室的內(nèi)壁等處， 在根據(jù)以往的清洗工序進(jìn)行清洗的情況下，導(dǎo)致以下問題因無法充分去除微粒，對基板處理造成影響，或者用于徹底去除微粒的清洗工序的所需時間增加，從而整體工序時間也增加。特別是，在以往的基板處理裝置使用LF (Low Frequency，低頻)電源來實施蒸鍍工序的情況下，與使用HF (High Frequency，高頻)電源或者VHF (Very High Frequency，甚高頻)電源的工序相比，微粒會更加牢固地形成在處理室的內(nèi)壁等處，因而存在通過以往的清洗方法無法徹底去除微粒的問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的清洗方法，組合RPG(Remote Plasma Generator ；遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器)清洗以及直接清洗來對處理室進(jìn)行清洗，由此能夠充分去除處理室內(nèi)的微粒。本發(fā)明是為了達(dá)成如上所述的本發(fā)明的目的而提出的，本發(fā)明提供一種基板處理裝置的清洗方法，對處理室的內(nèi)部進(jìn)行清洗，其特征在于，包括RPG清洗步驟，在與所述處理室相連接的遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器中對清洗氣體進(jìn)行自由基化，并向所述處理室的內(nèi)部噴射該清洗氣體來清洗所述處理室；以及直接清洗步驟，通過氣體供給部向處理空間噴射清洗氣體，同時對噴射到所述處理空間的清洗氣體進(jìn)行等離子化來清洗處理室，在所述基板處理裝置的清洗方法中，組合實施所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟。優(yōu)選方案中，在所述RPG清洗步驟后以及所述直接清洗步驟后的至少一個步驟之后實施副產(chǎn)物去除步驟，該副產(chǎn)物去除步驟中，向所述處理空間供給吹掃氣體，并通過排氣管去除產(chǎn)生在所述處理室的內(nèi)部的副產(chǎn)物。優(yōu)選方案中，在所述RPG清洗步驟之前實施穩(wěn)定化步驟，該穩(wěn)定化步驟通過所述氣體供給部向所述處理空間噴射惰性氣體。 優(yōu)選方案中，所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟中的任一步驟或者這兩種步驟是在改變所述處理室內(nèi)部的壓力的情況下實施的。優(yōu)選方案中，所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟中的任一步驟或者這兩種步驟都是組合定壓步驟及變壓步驟來實施的，在所述定壓步驟中，維持所述處理室的內(nèi)部壓力為規(guī)定壓力來進(jìn)行清洗，在所述變壓步驟中，變化所述處理室的內(nèi)部壓力來進(jìn)行清洗。優(yōu)選方案中，所述RPG清洗步驟之后，在實施所述直接清洗步驟之前實施壓力下降步驟，該壓力下降步驟中，降低所述處理室內(nèi)部的壓力。優(yōu)選方案中，在所述直接清洗步驟中，通過上升支承基板的基板支承部來實施。優(yōu)選方案中，所述基板處理裝置通過使用LF電源在基板的表面實施蒸鍍工序。優(yōu)選方案中，所述基板是太陽能電池基板。優(yōu)選方案中，所述基板處理裝置在通過裝載有多個基板的托盤移送的同時實施基板處理；在實施所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟時，所述托盤以裝載于基板支承部上的狀態(tài)進(jìn)行清洗。優(yōu)選方案中，所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟分別實施一次以上。優(yōu)選方案中，以所述RPG清洗步驟、所述直接清洗步驟以及所述RPG清洗步驟的順序?qū)嵤蛘咭运鲋苯忧逑床襟E、所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟的順序?qū)嵤?。?yōu)選方案中，所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟在整個清洗時間中，在全部或一部分時間內(nèi)同時實施；或者所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟在整個清洗時間內(nèi)，相互交替地實施。 根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的清洗方法，利用RPG對處理室的內(nèi)部實施RPG清洗， 并且，在RPG清洗后或者與RPG清洗過程同時地組合實施直接清洗過程，由此能夠充分去除處理室內(nèi)的微粒，所述直接清洗過程中，向處理室內(nèi)施加電源來在處理空間形成等離子體， 由此對處理室的內(nèi)部進(jìn)行清洗。特別是，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的清洗方法，在如使用LF電源的蒸鍍工序時那樣當(dāng)微粒牢固地堆積在處理室的內(nèi)壁等而形成例如SiN層的情況下，通過首先實施RPG 清洗，然后單獨實施直接清洗，或者與RPG清洗一起實施直接清洗，能夠有效地去除堆積在處理室內(nèi)的微粒。


圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明基板處理裝置的清洗方法的基板處理裝置一例的剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的基板處理裝置的清洗方法的流程圖。圖3是表示圖2的基板處理裝置的清洗方法的清洗過程的曲線圖。(附圖標(biāo)記說明)110處理室130基板支承部150氣體供給部160遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器
具體實施例方式下面，通過參照附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的清洗方法。圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明基板處理裝置的清洗方法的基板處理裝置一例的剖視圖。首先，應(yīng)用本發(fā)明基板處理裝置的清洗方法的基板處理裝置，是實施蒸鍍工序、蝕刻工序等基板處理的裝置，特別是實施使用LF電源來對基板的表面進(jìn)行蒸鍍的蒸鍍工序的裝置，其可以有各種結(jié)構(gòu)，簡單舉例說明為如下所述。如圖1所示，作為上述基板處理裝置的一例，包括處理室110，其形成處理空間S ； 氣體供給部150，其設(shè)置在處理室110，用于向處理空間S供給氣體；基板支承部130，其設(shè)置在處理室110，用于支承基板10。其中，作為基板處理對象的基板10可舉例IXD面板用玻璃基板、半導(dǎo)體晶片以及太陽能電池基板等。上述處理室110用于形成處理空間S，可構(gòu)成各種結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括處理室本體112，其上側(cè)開放，并且形成有一個以上的門101、102 ；上蓋111，其可裝拆地與處理室本體112進(jìn)行結(jié)合。上述氣體供給部150為了實施工序，設(shè)置在處理空間S的上側(cè)，用于從氣體供給裝置170接收氣體來向處理空間S供給，根據(jù)工序及氣體供給方式可構(gòu)成各種結(jié)構(gòu)。上述基板支承部130用于支承基板10，根據(jù)設(shè)計條件以及工序條件可具備各種結(jié)構(gòu)。此時，在多個基板10裝載于托盤20上移送的情況下，基板支承部130能夠支承托盤 20。并且，上述基板支承部130為了實施工序，設(shè)置有用于加熱基板10的加熱器，也可能會僅由加熱器構(gòu)成。此時，構(gòu)成基板支承部130的加熱器以一體方式構(gòu)成，或者由多個加熱器分割設(shè)置。另一方面，上述基板處理裝置為了實施工序而施加電源，在此情況下，根據(jù)其電源施加方式構(gòu)成各種結(jié)構(gòu)，作為一例，在上述氣體供給部150施加RF (Radio Freqency，射頻) 電源或LF電源來構(gòu)成上部電源，對基板支承部130進(jìn)行接地來構(gòu)成下部電源。并且，上述基板處理裝置包括遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器(Remote Plasma Generator ； RPG) 160，該遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器160與氣體供給部150連接，從而實現(xiàn)對從氣體供給裝置 170供給到的清洗氣體進(jìn)行自由基化(radical)，并通過氣體供給部150向處理空間S噴射。在圖1中未進(jìn)行說明的附圖標(biāo)記180是指與真空泵相連接的排氣管。圖2是表示本發(fā)明基板處理裝置的清洗方法的流程圖，圖3是表示圖2的基板處理裝置的清洗方法的清洗過程的曲線圖。根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的清洗方法如圖2所示，對處理室110的內(nèi)部進(jìn)行清洗的基板處理裝置的清洗方法，包括如下步驟RPG清洗步驟S10，在與上述處理室110相連接的遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器160中對清洗氣體進(jìn)行自由基(radical)化，并向上述處理室110 的內(nèi)部噴射來清洗上述處理室110 ；直接清洗步驟S20，在實施RPG清洗步驟SlO的過程中或者在實施完RPG清洗步驟SlO后，通過氣體供給部150向處理空間S噴射清洗氣體，同時對噴射到處理空間S的清洗氣體進(jìn)行等離子化來清洗處理室110。上述RPG清洗步驟SlO作為第一次清洗工序，利用遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器160來對清洗氣體進(jìn)行自由基化，并通過作為噴淋頭的氣體供給部150，向處理空間S內(nèi)噴射清洗氣體。其中，清洗氣體包括氟或氯，除了順3之夕卜，還可以包括(^6丄&12、(冊3、3&及(12等。另一方面，在進(jìn)行上述RPG清洗步驟SlO之前，為了對基板處理裝置實施穩(wěn)定的清洗工序，還可以實施穩(wěn)定化步驟S11，該穩(wěn)定化步驟Sll中，通過氣體供給部150向處理室 110的內(nèi)部噴射惰性氣體。實施上述穩(wěn)定化步驟Sll的目的在于在實施RPG清洗步驟SlO以及直接清洗S20 之前進(jìn)行處理室110的內(nèi)部壓力的調(diào)節(jié)、殘留氣體的排出等，向處理室110內(nèi)部注入不對處理室110產(chǎn)生影響的如Ar等惰性氣體。此時，如圖3所示，在上述穩(wěn)定化步驟Sll中，使處理室110的內(nèi)部壓力慢慢地從1. OTorr (托)以下的壓力上升到數(shù)十Torr的壓力。上述RPG清洗步驟SlO是利用遠(yuǎn)距離等離子來實施第一次清洗工序的步驟，通過遠(yuǎn)距離等離子裝置160對清洗氣體進(jìn)行自由基化，并向處理空間S噴射。其中，上述清洗氣體噴射為使得處理室110的內(nèi)部壓力維持?jǐn)?shù)十Torr的壓力，并能與如Ar等惰性氣體混合而進(jìn)行噴射。另一方面，優(yōu)選如圖2及圖3所示那樣，上述RPG清洗步驟SlO在改變處理室110 的內(nèi)部壓力的同時實施。S卩，上述RPG清洗步驟SlO以數(shù)秒鐘為單位改變處理室110的內(nèi)部壓力的同時，向處理室110的內(nèi)部噴射已自由基化的清洗氣體來實施。其中，處理室110的內(nèi)部壓力能夠通過對所噴射的已自由基化的清洗氣體的噴射量(sccm單位)、或者通過對排氣管的排氣量進(jìn)行調(diào)節(jié)等各種方法來改變。如果在實施上述RPG清洗步驟SlO時改變處理室110的內(nèi)部壓力，則已自由基化的清洗氣體可滲入到處理室110的內(nèi)部深處，從而能夠增大清洗效果。并且，對于上述RPG清洗步驟SlO而言，與將處理室110的內(nèi)部壓力經(jīng)由整體時間來實施相比，優(yōu)選地組合實施定壓步驟及變壓步驟，上述定壓步驟中，維持規(guī)定的處理室 110的內(nèi)部壓力來對氣體供給部150、氣體供給部150附近的部件等實施清洗，上述變壓步驟中，為了對遠(yuǎn)離氣體供給部150的處理室110的處理室本體112等部件進(jìn)行清洗，通過改變處理室110的內(nèi)部壓力來進(jìn)行清洗。上述定壓步驟以及變壓步驟能夠按照各種組合來實施，例如可分別僅實施一次， 或者改變其順序來實施多次。在實施上述直接清洗步驟S20時，在處理室110的內(nèi)部壓力為數(shù)Torr壓力下實施，此時可以實施用于降低壓力的壓力下降步驟S13，以在RPG清洗步驟SlO后能夠?qū)嵤┲苯忧逑床襟ES20。上述壓力下降步驟S13通過減少清洗氣體的噴射量(sccm單位)來實施，使處理室Iio的內(nèi)部壓力下降，直至達(dá)到數(shù)Torr壓力為止。上述直接清洗步驟S20是實施如下的第二次清洗工序的步驟通過氣體供給部 150噴射清洗氣體，并在基板處理裝置施加電源，即，在氣體供給部150施加LF電源，對處理室110及基板支承部130進(jìn)行接地，由此在氣體供給部150與基板支承部130之間形成等離子體。如圖3所示，上述直接清洗步驟S20中，優(yōu)選為了穩(wěn)定地實施清洗工序，以數(shù)秒鐘為單位，慢慢地增加施加的電源大小。并且，上述直接清洗步驟S20的實施時間為數(shù)分鐘，其壓力維持在數(shù)Torr左右。
并且，在實施上述直接清洗步驟S20時所需的清洗氣體，能夠使用與在RPG清洗步驟SlO中所使用的清洗氣體相同的氣體。另一方面，在上述直接清洗步驟S20，通過使用于支承基板10的基板支承部130上升來實施該直接清洗步驟S20。特別是，如果在實施上述直接清洗步驟S20時，使基板支承部130上升，則會加強(qiáng)等離子體的強(qiáng)度，進(jìn)而能夠提高清洗效果。并且，在上述基板處理裝置通過將裝載有多個基板10的托盤20移送的同時實施基板處理的情況下，當(dāng)實施RPG清洗步驟SlO以及直接清洗步驟S20時，托盤20以裝載于基板支承部130上的狀態(tài)進(jìn)行清洗。如上所述，如果在進(jìn)行基板處理裝置的清洗工序時，如果托盤20也同時被清洗， 則會使因附著在托盤20上的微粒而導(dǎo)致的影響最小化，從而能夠?qū)嵤└恿己玫幕逄幚?，并且，減少用于清洗托盤20自身的清洗周期，從而能夠延長基板處理的整體時間。另一方面，在上述直接清洗步驟S20后，實施副產(chǎn)物去除步驟S30，該副產(chǎn)物去除步驟S30中，向處理空間S供給如惰性氣體的吹掃氣體(purge gas)，通過排氣管180去除實施RPG清洗步驟SlO以及直接清洗步驟S20時產(chǎn)生在處理室110的內(nèi)部的副產(chǎn)物。雖然在例子中上述副產(chǎn)物去除步驟S30是在直接清洗步驟S20之后實施的，但是當(dāng)然也可以在RPG清洗步驟SlO及直接清洗步驟S20中的至少某一個步驟之后實施。另一方面，本發(fā)明的特征在于，組合實施RPG清洗以及直接清洗，因而其順序以及次數(shù)能夠由各種方式來組合實施。S卩，上述RPG清洗步驟SlO以及直接清洗步驟S20可分別實施一次以上。并且，能以上述RPG清洗步驟S10、直接清洗步驟S20以及RPG清洗步驟SlO的順序?qū)嵤?，或者能以直接清洗步驟S20、RPG清洗步驟SlO以及直接清洗步驟S20的順序?qū)嵤?。并且，上述RPG清洗步驟SlO以及直接清洗步驟S20，能夠由如下的各種組合來實施在整體清洗時間中，在全部或一部分時間內(nèi)同時實施，或者上述RPG清洗步驟SlO以及直接清洗步驟S20在整體清洗時間內(nèi)，相互交替地實施。如上所述，在組合上述RPG清洗步驟SlO及直接清洗步驟S20來對處理室110實施清洗工序的情況下，由于相互組合了對誘導(dǎo)堆積物龜裂有利的RPG清洗效果和對剝離堆積在各部件上的堆積物有利的直接清洗效果，因而具有能夠更加有效地去除堆積在處理室 110內(nèi)的堆積物的優(yōu)點。S卩，如果組合上述RPG清洗步驟SlO及直接清洗步驟S20，不僅能夠縮短處理室 110的清洗時間，而且還能提高針對堆積物的去除效果，從而能夠提高對清洗工序后的處理室110中工序的可靠性。特別是，在為了形成在太陽能電池元件的受光面上所形成的如SiNx膜等保護(hù)膜而實施蒸鍍工序時，在氣體供給部150、處理室110以及各種部件的表面上也形成由SiNx膜形成的堅固的堆積物。但是，如果組合上述RPG清洗步驟SlO及直接清洗步驟S20，就能有效地去除如 SiNx膜的堅固的堆積物，該如SiNx膜的堅固的堆積物是在為了形成如51隊膜的保護(hù)膜而實施的蒸鍍工序中形成的。另一方面，上述直接清洗步驟S20還可以與前面所說明的RPG清洗步驟SlO類似地改變處理室110的內(nèi)部壓力來實施，例如可由一次以上的定壓步驟及變壓步驟的組合來實施。如上所述，在上述直接清洗步驟S20或者RPG清洗步驟SlO中改變內(nèi)部壓力來實施，例如由一次以上的定壓步驟及變壓步驟的組合來實施的理由如下所述。首先，氣體供給部150情況下，由于其直接在清洗氣體中露出，即使沒有壓力變化，也能通過直接清洗步驟S20或者RPG清洗步驟SlO來有效地去除堆積物。但是，對于處理室110的處理室本體112、設(shè)置于處理室本體112的側(cè)面及底面等處的各種部件，則因突出的部分或因其他部件而可能會阻斷或妨礙到清洗氣體的流動，因而存在針對所述部件得不到順利清洗的問題。然而，如果在上述直接清洗步驟S20或RPG清洗步驟SlO中改變內(nèi)部壓力，則會在清洗氣體的流動上發(fā)生變化，使得清洗氣體到達(dá)處理室本體112、設(shè)置于處理室本體112的側(cè)面及底面等處的各種部件中的突出的部分或因其他部件而導(dǎo)致清洗氣體的流動受到阻斷或妨礙的部分為止，從而能夠順利地實施清洗。以上僅對能夠根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的優(yōu)選實施例的一部分進(jìn)行了說明，將不能解釋為本發(fā)明的范圍限定于上述實施例，應(yīng)視為如上說明的本發(fā)明的技術(shù)思想與基于本發(fā)明主旨的技術(shù)思想均包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置的清洗方法，對處理室的內(nèi)部進(jìn)行清洗，其特征在于，包括RPG清洗步驟，在與所述處理室相連接的遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器中對清洗氣體進(jìn)行自由基化，并向所述處理室的內(nèi)部噴射該清洗氣體來清洗所述處理室；以及直接清洗步驟，通過氣體供給部向處理空間噴射清洗氣體，同時對噴射到所述處理空間的清洗氣體進(jìn)行等離子化來清洗處理室，在所述基板處理裝置的清洗方法中，組合實施所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步馬聚ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，在所述RPG清洗步驟后以及所述直接清洗步驟后的至少一個步驟之后實施副產(chǎn)物去除步驟，該副產(chǎn)物去除步驟中，向所述處理空間供給吹掃氣體，并通過排氣管去除產(chǎn)生在所述處理室的內(nèi)部的副產(chǎn)物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，在所述RPG清洗步驟之前實施穩(wěn)定化步驟，該穩(wěn)定化步驟中，通過所述氣體供給部向所述處理空間噴射惰性氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述 RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟中的任一步驟或者這兩種步驟是在改變所述處理室內(nèi)部的壓力的情況下實施的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述 RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟中的任一步驟或者這兩種步驟都是組合定壓步驟及變壓步驟來實施的，在所述定壓步驟中，維持所述處理室的內(nèi)部壓力為規(guī)定壓力來進(jìn)行清洗， 在所述變壓步驟中，變化所述處理室的內(nèi)部壓力來進(jìn)行清洗。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述 RPG清洗步驟之后，在實施所述直接清洗步驟之前實施壓力下降步驟，該壓力下降步驟中， 降低所述處理室內(nèi)部的壓力。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，在所述直接清洗步驟中，通過上升支承基板的基板支承部來實施。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述基板處理裝置通過使用LF電源在基板的表面實施蒸鍍工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述基板是太陽能電池基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述基板處理裝置在通過裝載有多個基板的托盤移送的同時實施基板處理；在實施所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟時，所述托盤以裝載于基板支承部上的狀態(tài)進(jìn)行清洗。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述 RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟分別實施一次以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，以所述RPG清洗步驟、所述直接清洗步驟以及所述RPG清洗步驟的順序?qū)嵤?，或者以所述直接清洗步驟、所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟的順序?qū)嵤?br> 13.權(quán)利要求1至7中任一項所述的基板處理裝置的清洗方法，其特征在于，所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟在整個清洗時間中，在全部或一部分時間內(nèi)同時實施；或者所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟在整個清洗時間內(nèi)，相互交替地實施。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，尤其涉及對實施基板處理的基板處理裝置進(jìn)行清洗的基板處理裝置的清洗方法。本發(fā)明的基板處理裝置的清洗方法對清洗處理室內(nèi)部進(jìn)行清洗，其包括RPG清洗步驟，在與所述處理室相連接的遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器中對清洗氣體進(jìn)行自由基化，并向所述處理室的內(nèi)部噴射該清洗氣體來清洗所述處理室；直接清洗步驟，通過氣體供給部向處理空間噴射清洗氣體，同時對噴射到所述處理空間的清洗氣體進(jìn)行等離子化來清洗處理室，在所述基板處理裝置的清洗方法中，組合實施所述RPG清洗步驟以及所述直接清洗步驟。
文檔編號B08B5/02GK102446791SQ201110300209
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月1日
發(fā)明者白春金 申請人:圓益Ips股份有限公司