專利名稱：一種瓷質(zhì)拋光磚及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及建筑陶瓷技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種瓷質(zhì)拋光磚的生產(chǎn)方法及用該方法生產(chǎn)的瓷質(zhì)拋光磚。
背景技術(shù)：
目前，作為建筑裝飾材料的瓷質(zhì)磚尤其是瓷質(zhì)拋光磚，經(jīng)過(guò)近幾年的迅速發(fā)展和推廣，其配方體系、布料機(jī)械、生產(chǎn)工藝等均日益成熟，出現(xiàn)了從純色到顆粒、滲花、再到微粉以及現(xiàn)在市場(chǎng)最受青睞的線條微粉瓷質(zhì)拋光磚產(chǎn)品。但是，瓷質(zhì)拋光磚為達(dá)到較高的白度和裝飾效果，需要大量使用優(yōu)質(zhì)原料，尤其是優(yōu)質(zhì)高嶺土類原料和優(yōu)質(zhì)鉀鈉長(zhǎng)石類原料，隨著優(yōu)質(zhì)原料資源的日益枯竭，高白瓷質(zhì)拋光磚已經(jīng)難以為繼。目前，市場(chǎng)上的瓷質(zhì)拋光磚一般采用一次布料或者一次以上的“夢(mèng)幻布料”、“多管布料”、“微粉多次布料”等多次布料工藝進(jìn)行生產(chǎn)，其中一次布料工藝用于生產(chǎn)純色通體拋光磚，一次以上的“夢(mèng)幻布料”、“多管布料”、“微粉多次布料”等多次布料工藝用于生產(chǎn)微粉拋光磚。多次布料工藝是先將所需不同性質(zhì)、色彩的粉料經(jīng)過(guò)混料器或加料器攪拌混料，混好的料直接用下料斗或推料架送入壓機(jī)的模框，刮平后壓制而成。非通體的微粉拋光磚在倒角后，微粉層和底坯層出現(xiàn)明顯的顏色差異，影響美觀。為達(dá)到仿天然石材紋理的效果，還在滲花磚系列產(chǎn)品中采用了 “滲花”拋光技術(shù)。其中“滲花”技術(shù)是拋光磚生產(chǎn)中對(duì)釉面磚印花技術(shù)的改進(jìn)，通過(guò)絲網(wǎng)給磚坯印刷網(wǎng)版上固有的圖案紋理，采用諸如鉻離子、鎳離子、錳離子、鈷離子等可溶性化工鹽滲透到坯體的深部，經(jīng)過(guò)高溫?zé)尚纬呻x子固有的顏色，產(chǎn)生圖案。由于可溶性鹽的滲透性，使得產(chǎn)品燒成和拋光后仍能留下花紋圖案。采用“滲花”技術(shù)生產(chǎn)的滲花拋光磚圖案較為豐實(shí)，但該類拋光磚滲花深度較深，約為 2-3mm,可選的滲花釉用可溶性化工鹽類極其有限，導(dǎo)致滲花拋光磚的色彩極為有限，發(fā)色不夠鮮艷，花色不夠豐富，而且“滲花鹽”價(jià)格昂貴，缺陷也比較多。另外，拋光磚燒成后需要進(jìn)行磨邊拋光和防污處理。在拋光過(guò)程中，需要進(jìn)行刮平定厚，然后再粗拋、精拋，整個(gè)磨削厚度約1mm，不僅消耗大量磨料、能源和工業(yè)用水，而且產(chǎn)生大量拋光廢渣；由于這些拋光廢渣容易產(chǎn)生發(fā)泡作用而難以在生產(chǎn)中回收利用，目前只能采用填埋的方式處理，不僅占用大量土地，而且影響和污染環(huán)境。雖然，近年來(lái)發(fā)展出磨削量較少的釉拋磚產(chǎn)品，但是現(xiàn)有的釉拋磚由于透明干粒顆粒之間的空隙在燒成過(guò)程中難以消除而在燒結(jié)后的透明玻璃層中留下很多氣孔，拋光后成為開(kāi)口氣孔，影響防污效果，同樣需要進(jìn)行防污處理。工業(yè)磚需要采用鏡面鋼模進(jìn)行成型，這種成型工藝會(huì)因粉料性能與天氣變化而產(chǎn)生粘模、表面毛糙等缺陷，從而造成產(chǎn)量低，產(chǎn)品品質(zhì)控制難度高。另一方面，瓷質(zhì)拋光磚的原料本身優(yōu)劣差別較大，主要體現(xiàn)在白度、雜質(zhì)含量等指標(biāo)上，如生產(chǎn)品相較好的產(chǎn)品，則需用較好的原料，造成生產(chǎn)成本的上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的是現(xiàn)有瓷質(zhì)拋光磚對(duì)材料要求較高及浪費(fèi)較大的技術(shù)問(wèn)題，提供一種更環(huán)保經(jīng)濟(jì)的瓷質(zhì)拋光磚的生產(chǎn)方法。本發(fā)明的另一目的是提供一種用該方法生產(chǎn)的瓷質(zhì)拋光磚。為完成第一個(gè)發(fā)明目的，所采用的技術(shù)方案是這樣的一種瓷質(zhì)拋光磚生產(chǎn)方法， 其特征在于它包括以下步驟(1)按常規(guī)方法制備瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料，備用；(2)制備瓷質(zhì)拋光磚面漿，面漿成分與步驟1中所述的坯體粉料相同，但其中 Κ20+Νει20 :6 8%，雜質(zhì)彡4% (均為重量份)；細(xì)度為500目篩余量在0. 5%以內(nèi)，流速為 25-30s (50mL)，比重為 1. 68-1. 72g/cm3，備用；(3)瓷質(zhì)拋光磚坯體的制備將步驟(1)中制得的瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料均勻鋪布在壓磚機(jī)模腔中，在20-50MPa的壓力下，將瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料壓制成瓷質(zhì)拋光磚生坯；(4)干燥將瓷質(zhì)拋光磚生坯在干燥窯中于150-300°c下烘干；(5)施面漿將步驟( 制得的瓷質(zhì)拋光磚面漿施在干燥后的瓷質(zhì)拋光磚生坯上， 單位面積施面漿重量為1000-1500g/m2。(6)干燥和燒成將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯再在干燥窯中于150-300°C下烘干，接著在輥道窯中使用常規(guī)的陶瓷燒成溫度制度、壓力制度和氣氛制度，將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯一次燒成，燒成溫度為1150-1250°C，燒成周期為40-90min，制得瓷質(zhì)拋光磚半成品；(7)磨邊和拋光處理利用常規(guī)的磨邊和拋光加工設(shè)備，采用彈性磨塊，對(duì)半成品進(jìn)行磨邊和拋光處理，磨削量在0. 1-0. 2mm，制得瓷質(zhì)拋光磚成品；(8)揀選、包裝、入庫(kù)。以上步驟中，凡未加特別說(shuō)明的，都采用現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)控制手段。為完成第二個(gè)發(fā)明目的，采用的是按上述步驟生產(chǎn)的瓷質(zhì)拋光磚。本發(fā)明的生產(chǎn)步驟中，步驟(2)、(5)和(7)是本發(fā)明的關(guān)鍵。在步驟O)中，本發(fā)明采用的瓷質(zhì)拋光磚面漿的化學(xué)組成既不同于瓷質(zhì)拋光磚坯體的化學(xué)組成，又與普通釉漿的化成組成有很大區(qū)別。這是因?yàn)閷?duì)耐磨和耐污等性能要求嚴(yán)格的瓷質(zhì)拋光磚來(lái)說(shuō)，其坯體尤其是表面層的化學(xué)組成需從以下幾個(gè)方面進(jìn)行考慮①對(duì)耐磨性來(lái)講，氧化硅與氧化鋁含量較多可生成莫來(lái)石晶相，有利于耐磨性的提高，因此一般瓷質(zhì)磚配方中氧化硅占65-75 % (重量份)，氧化鋁也需盡量高，達(dá)到 15-25% (重量份)；②對(duì)耐污性來(lái)講，一般會(huì)考慮添加熔劑型原料產(chǎn)生足夠量玻璃相來(lái)填充陶瓷坯體中的氣孔，但玻璃相太多時(shí)會(huì)導(dǎo)致瓷質(zhì)磚的耐磨性下降；③采用高溫快速燒成需考慮熔劑和助熔劑的比例，使其滿足瓷化程度和性能指標(biāo)要求，同時(shí)需考慮坯體與表面層的適應(yīng)性。相比于瓷質(zhì)拋光磚坯體配方中鉀、鈉等熔劑型成分的典型含量為3.5% -4.5% (重量份)，本發(fā)明的瓷質(zhì)拋光磚面漿中鉀、鈉等熔劑型成分含量較高，典型含量為6-8% (重量份)；相比于普通釉漿中鋁含量普遍小于10% (重量份)，本發(fā)明的瓷質(zhì)拋光磚面漿中鋁含量較高，典型含量為16-18% (重量份)。這就使得介于瓷質(zhì)拋光磚坯體和普通陶瓷釉之間的瓷質(zhì)拋光磚面漿層燒結(jié)后既有較高的莫來(lái)石晶相含量來(lái)提高耐磨性，又有足夠量的玻璃相填充氣孔來(lái)提高耐污性，從而使得本發(fā)明的瓷質(zhì)拋光磚既具有瓷質(zhì)磚坯體的高耐
4磨性，又有普通陶瓷釉層的高耐污性。在步驟(5)中，本發(fā)明瓷質(zhì)拋光磚施面漿的目的不僅是為了裝飾美觀，而且能提高耐磨性和耐污性，同時(shí)為保持通體感面漿層需盡量的薄。在本發(fā)明中，瓷質(zhì)拋光磚面漿的細(xì)度為500目篩余量在0. 5%以內(nèi)，流速為25-30s (50mL)，比重為1. 68-1. 72g/cm3，單位面積施面漿重量為1000-1500g/m2，面漿層厚度為小于0.5mm。本發(fā)明的瓷質(zhì)拋光磚通過(guò)面漿進(jìn)行裝飾，可以使得坯體和面漿的顏色不必完全一致，從而可以大大減少瓷質(zhì)拋光磚坯體對(duì)優(yōu)質(zhì)原料資源的使用量，不僅可以保護(hù)資源和環(huán)境，而且可以降低成本。同時(shí)使得非通體瓷質(zhì)拋光磚的生產(chǎn)工藝大大簡(jiǎn)化，即使大角度倒角后，也不會(huì)出現(xiàn)表面層和坯體層的顏色差異。在步驟(7)中，瓷質(zhì)拋光磚一般采用刮平定厚一粗拋一精拋的拋光工藝流程，本發(fā)明瓷質(zhì)拋光磚的面漿層燒結(jié)后形成的表面層厚度較薄，約為0. 5mm，可以無(wú)需進(jìn)行刮平定厚而直接進(jìn)行粗拋和精拋，并且可以采用彈性磨塊進(jìn)行拋光即可達(dá)到最終的拋光效果。因此，本發(fā)明對(duì)現(xiàn)有的拋光工藝流程進(jìn)行改進(jìn)，摒棄刮平定厚工序，在粗拋和精拋工序采用彈性磨塊，確保瓷質(zhì)拋光磚處在同一個(gè)水平面，并且所有拋光磨頭與瓷質(zhì)磚坯體的接觸接近等高接觸，以此來(lái)保證瓷質(zhì)磚各處受力基本均勻，使得整個(gè)磚面磨削量基本一致，從而得到良好的拋光效果。瓷質(zhì)拋光磚原有拋光工藝的磨削量約為1mm，而本發(fā)明采用的瓷質(zhì)拋光磚的新拋光工藝的磨削量約為0. 1-0. 2mm，大大降低了磨削量，減少了磨料消耗、能源消耗和工業(yè)用水消耗，而且減少了拋光廢渣的產(chǎn)生量，整個(gè)拋光過(guò)程所需時(shí)間也比瓷質(zhì)拋光磚的原有拋光時(shí)間減少1/3左右。拋光后，本發(fā)明的瓷質(zhì)拋光磚表面層基本無(wú)氣孔，可以無(wú)需進(jìn)一步涂敷防污劑，進(jìn)一步降低成本。而現(xiàn)有的釉拋磚由于透明干粒顆粒之間的空隙在燒成過(guò)程中難以消除而在燒結(jié)后的透明玻璃層中留下很多氣孔，拋光后成為開(kāi)口氣孔影響防污效果，必須涂敷防污劑進(jìn)行處理。作為進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述的瓷質(zhì)拋光磚的面漿層施過(guò)后，可以采用絲網(wǎng)印刷機(jī)、輥筒印刷機(jī)或者噴墨印刷機(jī)進(jìn)行滲花釉的印刷裝飾。由于本發(fā)明中瓷質(zhì)拋光磚的面漿層厚度較薄，約為0. 5mm,因此，滲花釉的滲入深度大大降低，由原來(lái)的2-3mm降為0. 5mm以下。這就使得滲花釉用可溶性化工鹽類的可選擇范圍大大擴(kuò)寬，使用量大大降低，原來(lái)不可用的某些滲花釉用可溶性化工鹽類，如鐵鹽等也可以應(yīng)用于本發(fā)明中；也使得原來(lái)由于滲入深度較深，需要大量使用而使成本大幅上升難以接受的滲花釉用可溶性化工鹽類，如鋅鹽等也可以應(yīng)用于本發(fā)明中，而使其成本在可以接受的范圍內(nèi)。采用上述裝飾方法后使得本發(fā)明的瓷質(zhì)拋光磚較現(xiàn)有的滲花拋光磚的花色更豐富，花紋更精細(xì)，圖案更細(xì)膩，裝飾效果更好。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 (1)瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料的制備采用普通陶瓷粉料制備工藝，選用高嶺土、 長(zhǎng)石、石英等類原料，通過(guò)配料、濕法球磨制漿、噴霧干燥造粒，制得含水率為6%、粒徑在20-120目的顆粒狀陶瓷粉料，化學(xué)組成范圍為(重量份)=SiO2 :70%、Al2O3 :20%、 CaO+MgO :2%、K2CHNa2O 4%, Fe2O3 :0. 6%, TiO2 :0. 2%、雜質(zhì)余量。作為瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料備用；
(2)瓷質(zhì)拋光磚面漿的制備采用普通陶瓷釉漿制備工藝，選用高嶺土、長(zhǎng)石、 石英等類原料，通過(guò)配料、濕法球磨，制得細(xì)度為500目篩余量在0. 5 %以內(nèi)，流速為 27s(50mL)，比重為1. 70g/cm3的瓷質(zhì)拋光磚面漿，化學(xué)組成范圍為(重量份)=SiO2 70%, Al2O3 :17%,Ca0+Mg0 :3%,K20+Na20 7%, Fe2O3 :0. 5%, TiO2 :0. 2%、雜質(zhì)余量。備用；(3)瓷質(zhì)拋光磚坯體的制備將步驟(1)中制得的瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料均勻鋪布在壓磚機(jī)模腔中，在40MPa的壓力下，將瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料壓制成瓷質(zhì)拋光磚生坯；(4)干燥將瓷質(zhì)拋光磚生坯在干燥窯中于250°C下烘干；(5)施面漿將步驟( 制得的瓷質(zhì)拋光磚面漿施在干燥后的瓷質(zhì)拋光磚生坯上， 單位面積施面漿重量為1500g/m2。(6)干燥和燒成將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯再在干燥窯中于300°C下烘干，接著在輥道窯中使用常規(guī)的陶瓷燒成溫度制度、壓力制度和氣氛制度，將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯一次燒成，燒成溫度為1200°C，燒成周期為85min，制得瓷質(zhì)拋光磚半成品；(7)磨邊和拋光處理利用常規(guī)的磨邊和拋光加工設(shè)備，對(duì)瓷質(zhì)拋光磚半成品進(jìn)行磨邊和拋光處理，制得瓷質(zhì)拋光磚成品；(8)揀選、包裝、入庫(kù)。實(shí)施例2 (1)瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料的制備采用普通陶瓷粉料制備工藝，選用高嶺土、 長(zhǎng)石、石英等類原料，通過(guò)配料、濕法球磨制漿、噴霧干燥造粒，制得含水率為7%、粒徑在20-120目的顆粒狀陶瓷粉料，化學(xué)組成范圍為(重量份)Si02 : 75 ^^41^3:15 ^ CaO+MgO :1%、K2CHNa2O :4. 5%, Fe2O3 :0. 4%, TiO2 :0. 1%、雜質(zhì)余量。作為瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料備用；(2)瓷質(zhì)拋光磚面漿的制備采用普通陶瓷釉漿制備工藝，選用高嶺土、長(zhǎng)石、 石英等類原料，通過(guò)配料、濕法球磨，制得細(xì)度為500目篩余量在0. 5 %以內(nèi)，流速為 30s(50mL)，比重為1. 72g/cm3的瓷質(zhì)拋光磚面漿，化學(xué)組成范圍為(重量份)=SiO2 68%, Al2O3 18%, CaO+MgO :3%,K20+Na20 8%, Fe2O3 :0. 3%, TiO2 :0. 1%、雜質(zhì)余量。備用；(3)瓷質(zhì)拋光磚坯體的制備將步驟(1)中制得的瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料均勻鋪布在壓磚機(jī)模腔中，在50MPa的壓力下，將瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料壓制成瓷質(zhì)拋光磚生坯；(4)干燥將瓷質(zhì)拋光磚生坯在干燥窯中于200°C下烘干；(5)施面漿將步驟( 制得的瓷質(zhì)拋光磚面漿施在干燥后的瓷質(zhì)拋光磚生坯上， 單位面積施面漿重量為1000g/m2。(6)干燥和燒成將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯再在干燥窯中于150°C下烘干，接著在輥道窯中使用常規(guī)的陶瓷燒成溫度制度、壓力制度和氣氛制度，將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯一次燒成，燒成溫度為1210°C，燒成周期為70min，制得瓷質(zhì)拋光磚半成品；(7)磨邊和拋光處理利用常規(guī)的磨邊和拋光加工設(shè)備，對(duì)瓷質(zhì)拋光磚半成品進(jìn)行磨邊和拋光處理，制得瓷質(zhì)拋光磚成品；(8)揀選、包裝、入庫(kù)。實(shí)施例3 (1)瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料的制備采用普通陶瓷粉料制備工藝，選用高嶺土、 長(zhǎng)石、石英等類原料，通過(guò)配料、濕法球磨制漿、噴霧干燥造粒，制得含水率為5%、粒徑CN 102503359 A
說(shuō)明書(shū)
5/5頁(yè) 在20-120目的顆粒狀陶瓷粉料，化學(xué)組成范圍為(重量份)Si02 65%, Al2O3 =25%, CaO+MgO :2%、K2CHNa2O :3. 5%, Fe2O3 :0. 4%, TiO2 :0. 1%、雜質(zhì)余量。作為瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料備用；(2)瓷質(zhì)拋光磚面漿的制備采用普通陶瓷釉漿制備工藝，選用高嶺土、長(zhǎng)石、 石英等類原料，通過(guò)配料、濕法球磨，制得細(xì)度為500目篩余量在0. 5 %以內(nèi)，流速為 30s(50mL)，比重為1. 72g/cm3的瓷質(zhì)拋光磚面漿，化學(xué)組成范圍為(重量份)=SiO2 69%, Al2O3 16%, CaO+MgO :3%,K20+Na20 :7. 5%, Fe2O3 :0. 2%, TiO2 :0. 1%、雜質(zhì)余量。備用；(3)瓷質(zhì)拋光磚坯體的制備將步驟(1)中制得的瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料均勻鋪布在壓磚機(jī)模腔中，在30MPa的壓力下，將瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料壓制成瓷質(zhì)拋光磚生坯；(4)干燥將瓷質(zhì)拋光磚生坯在干燥窯中于150°C下烘干；(5)施面漿將步驟( 制得的瓷質(zhì)拋光磚面漿施在干燥后的瓷質(zhì)拋光磚生坯上， 單位面積施面漿重量為1300g/m2。(6)干燥和燒成將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯再在干燥窯中于280°C下烘干，接著在輥道窯中使用常規(guī)的陶瓷燒成溫度制度、壓力制度和氣氛制度，將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯一次燒成，燒成溫度為1180°C，燒成周期為90min，制得瓷質(zhì)拋光磚半成品；(7)磨邊和拋光處理利用常規(guī)的磨邊和拋光加工設(shè)備，對(duì)瓷質(zhì)拋光磚半成品進(jìn)行磨邊和拋光處理，制得瓷質(zhì)拋光磚成品；(8)揀選、包裝、入庫(kù)。
權(quán)利要求
1.一種瓷質(zhì)拋光磚生產(chǎn)方法，其特征在于它包括以下步驟(1)按常規(guī)方法制備瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料，備用；(2)制備瓷質(zhì)拋光磚面漿，面漿成分與步驟1中所述的坯體粉料相同，但其中 Κ20+Νει20 :6 8%，雜質(zhì)彡4% (均為重量份)；細(xì)度為500目篩余量在0. 5%以內(nèi)，流速為 25-30s (50mL)，比重為 1. 68-1. 72g/cm3，備用；(3)瓷質(zhì)拋光磚坯體的制備將步驟(1)中制得的瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料均勻鋪布在壓磚機(jī)模腔中，在20-50MPa的壓力下，將瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料壓制成瓷質(zhì)拋光磚生坯；(4)干燥將瓷質(zhì)拋光磚生坯在干燥窯中于150-300°C下烘干；(5)施面漿將步驟( 制得的瓷質(zhì)拋光磚面漿施在干燥后的瓷質(zhì)拋光磚生坯上，單位面積施面漿重量為1000-1500g/m2。(6)干燥和燒成將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯再在干燥窯中于150-300°C下烘干，接著在輥道窯中使用常規(guī)的陶瓷燒成溫度制度、壓力制度和氣氛制度，將施過(guò)面漿的瓷質(zhì)拋光磚生坯一次燒成，燒成溫度為1150-1250°C，燒成周期為40-90min，制得瓷質(zhì)拋光磚半成Pm ；(7)磨邊和拋光處理利用常規(guī)的磨邊和拋光加工設(shè)備，采用彈性磨塊，對(duì)半成品進(jìn)行磨邊和拋光處理，磨削量在0. 1-0. 2mm，制得瓷質(zhì)拋光磚成品；(8)揀選、包裝、入庫(kù)。
2.如權(quán)利要求1所述的瓷質(zhì)拋光磚生產(chǎn)方法，其特征在于在步驟(5)之后，采用絲網(wǎng)印刷機(jī)、輥筒印刷機(jī)或者噴墨印刷機(jī)進(jìn)行滲花釉的印刷裝飾。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法所得的瓷質(zhì)拋光磚。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種瓷質(zhì)拋光磚及其生產(chǎn)方法，包括以下步驟(1)按常規(guī)方法制備瓷質(zhì)拋光磚坯體粉料；(2)制備瓷質(zhì)拋光磚面漿；(3)瓷質(zhì)拋光磚坯體的制備；(4)干燥；(5)施面漿；(6)干燥和燒成；(7)磨邊和拋光處理；(8)揀選、包裝、入庫(kù)。本發(fā)明的有益效果是解決了現(xiàn)有瓷質(zhì)拋光磚對(duì)材料要求較高及浪費(fèi)較大的技術(shù)問(wèn)題，提供了一種更環(huán)保經(jīng)濟(jì)的瓷質(zhì)拋光磚生產(chǎn)方法。
文檔編號(hào)C04B35/14GK102503359SQ20111030909
公開(kāi)日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者余愛(ài)民, 傅林剛, 夏昌奎, 曾為民, 樊葉利, 甄燕萍, 胡曉文, 郭程長(zhǎng) 申請(qǐng)人:杭州諾貝爾集團(tuán)有限公司