磁盤的制造方法及信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠在高溫下形成磁記錄層的磁盤的制造方法。本發(fā)明涉及一種磁盤的制造方法，其包括在溫度為550℃以上的玻璃基板上形成磁記錄層的工序，其中，該玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有60～75％的SiO2、7～17％的Al2O3、0以上且小于2％的B2O3、合計(jì)大于18％且為26％以下的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一種以上的成分，上述7種成分的含量合計(jì)為95％以上，并且含有合計(jì)小于1％的Li2O、Na2O和K2O中的任意一種以上的成分、或者這3種成分均不含有。
【專利說(shuō)明】磁盤的制造方法及信息記錄介質(zhì)用玻璃基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及磁盤的制造方法及信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，特別是在高溫下形成磁 記錄層的磁盤的制造方法及適合于這種制造方法的玻璃基板。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，隨著硬盤驅(qū)動(dòng)器的記錄容量的增大，高記錄密度化正在高速發(fā)展。但是， 伴隨著高記錄密度化，磁性粒子的微細(xì)化損害熱穩(wěn)定性，串?dāng)_或再生信號(hào)的SN比降低成為 問(wèn)題。
[0003] 因此，作為光和磁的融合技術(shù)，熱輔助磁記錄技術(shù)受到矚目。該技術(shù)是在使對(duì)磁記 錄層照射激光或近場(chǎng)光而局部被加熱的部分的矯頑力降低的狀態(tài)下施加外部磁場(chǎng)來(lái)進(jìn)行 記錄并利用GMR元件等讀取記錄磁化的技術(shù)，由于能夠在高保持力介質(zhì)上進(jìn)行記錄，因此， 能夠在保持熱穩(wěn)定性的同時(shí)將磁性粒子微細(xì)化。
[0004] 但是，為了將高保持力介質(zhì)形成多層膜而進(jìn)行成膜，需要將基板充分加熱，要求高 耐熱基板。
[0005] 另外，對(duì)于垂直磁記錄方式而言，為了應(yīng)對(duì)高記錄密度化的要求，也提出了不同于 以往的磁記錄層，但這種磁記錄層的形成大多需要使基板達(dá)到高溫來(lái)進(jìn)行。
[0006] 作為能夠應(yīng)對(duì)前面敘述的熱輔助磁記錄技術(shù)的基板，提出了硅基板（參考專利文 獻(xiàn)1)。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2009-199633號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 發(fā)明所要解決的問(wèn)題
[0011] 但是，一般而言，與玻璃基板相比，硅基板在強(qiáng)度方面令人擔(dān)心。因此，在使基板達(dá) 到高溫來(lái)形成磁記錄層的磁盤的制造中，也優(yōu)選使用玻璃基板。
[0012] 因此，本發(fā)明的目的在于提供這種磁盤的制造方法和制造適合于這種制造方法的 信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的方法。
[0013] 用于解決問(wèn)題的手段
[0014] 本發(fā)明提供一種磁盤的制造方法，其包括在溫度為550°C以上的玻璃基板上形成 磁記錄層的工序，其中，該玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有60?75 %的Si02、7?17 %的 A1203、0以上且小于2%的B203、合計(jì)大于18%且為26%以下的Mg0、Ca0、Sr0和BaO中的任 意一種以上的成分，上述7種成分的含量合計(jì)為95%以上，并且含有合計(jì)小于1 %的Li20、 Na2O和K2O中的任意一種以上的成分、或者這3種成分均不含有。
[0015] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有 合計(jì)為10. 5?20%的MgO和CaO中的任意一種以上的成分。
[0016] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有 6%以上的MgO。
[0017] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板含有以質(zhì)量百分率計(jì) 大于18%的A1203。
[0018] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板的SiO2的含量（摩爾 百分率）除以MgO、CaO、SrO和BaO的含量（摩爾百分率）的總量RO而得到的值為4. 3以 下。
[0019] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板的粘度達(dá)到102dPa*s 時(shí)的溫度T2S1710°C以下。
[0020] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板的退火點(diǎn)為650°C以 上。
[0021] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板的比模量為 32MNm·kg以上。
[0022] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板的耐酸性指標(biāo)A為 0. 025nm/小時(shí)以下。
[0023] 另外，本發(fā)明提供上述磁盤的制造方法，其中，上述玻璃基板的耐堿性指標(biāo)B為 0. 28nm/小時(shí)以下。
[0024] 另外，本發(fā)明提供一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，以摩爾百分率計(jì)含有60?75% 的Si02、7?17%的A1203、0以上且小于2%的B203、合計(jì)大于18%且為26%以下的MgO、 Ca0、Sr0和BaO中的任意一種以上的成分，上述7種成分的含量合計(jì)為95 %以上，并且含有 合計(jì)小于1%的Li20、Na2O和K2O中的任意一種以上的成分、或者這3種成分均不含有。
[0025]另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，以摩爾百分率計(jì)含有合計(jì) 為10. 5?20%的MgO和CaO中的任意一種以上的成分。
[0026] 另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，以摩爾百分率計(jì)含有6% 以上的MgO。
[0027] 另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，含有以質(zhì)量百分率計(jì)大于 18%的六1 203。
[0028] 另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，SiO2的含量（摩爾百分 率）除以MgO、CaO、SrO和BaO的含量（摩爾百分率）的總量RO而得到的值為4. 3以下。
[0029] 另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，上述信息記錄介質(zhì)為磁 盤。
[0030] 本發(fā)明中的這些玻璃基板的發(fā)明的目的在于，不僅在形成磁記錄層的磁盤的制造 中能夠使基板達(dá)到高溫，而且如后所述能夠容易地進(jìn)行制造。
[0031] 國(guó)際公開(kāi)第2011/136027號(hào)中公開(kāi)了耐熱性優(yōu)良的玻璃的組成。但是可知，其實(shí) 施例14所示的組成的玻璃的粘度達(dá)到102dPa·s時(shí)的溫度T2高，因此，熔化性差且不易將 氣泡等缺陷除去。
[0032] 另外可知，國(guó)際公開(kāi)第2011/136027號(hào)的實(shí)施例14所示的組成的玻璃的比模量 低至31. 2MNm·kg,在磁盤高速旋轉(zhuǎn)時(shí)容易產(chǎn)生顫動(dòng)現(xiàn)象，無(wú)法應(yīng)對(duì)高記錄密度。此外還可 知，該組成的玻璃的耐酸性不充分，在研磨工序等后容易產(chǎn)生表面粗糙等現(xiàn)象，無(wú)法應(yīng)對(duì)高 記錄密度。另外還可知，該組成的玻璃的耐堿性不充分，在清洗工序等后容易產(chǎn)生表面粗糙 等現(xiàn)象，無(wú)法應(yīng)對(duì)高記錄密度。
[0033]本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了前面記載的事實(shí)，從而完成了本發(fā)明的玻璃基板的發(fā)明，其目的 在于提供具有能夠適用于熱輔助磁記錄技術(shù)的耐熱性、具有優(yōu)良的機(jī)械特性、具有優(yōu)良的 化學(xué)耐久性并且熔化性也優(yōu)良的玻璃基板。
[0034]另外，本發(fā)明提供一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，包括將玻璃板加工 為玻璃圓板的圓板加工工序、對(duì)玻璃圓板的主表面進(jìn)行磨削的磨削工序、對(duì)玻璃圓板的磨 削后的主表面進(jìn)行研磨的主表面研磨工序和在這些工序間、這些工序內(nèi)或這些工序后對(duì)玻 璃圓板進(jìn)行清洗的清洗工序，所述制造方法中，該玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有60?75% 的Si02、7?17%的A1203、0以上且小于2%的B2O3、合計(jì)大于18%且為26%以下的MgO、 Ca0、Sr0和BaO中的任意一種以上的成分，上述7種成分的含量合計(jì)為95 %以上，并且含有 合計(jì)小于1%的Li20、Na2O和K2O中的任意一種以上的成分、或者這3種成分均不含有。
[0035] 上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，玻璃圓板可以為在中央具有孔的所 謂環(huán)形的玻璃圓板，也可以為不具有孔的玻璃圓板。另外，對(duì)于端面，除了通常進(jìn)行倒角加 工以外，有時(shí)還進(jìn)行蝕刻處理或鏡面研磨。
[0036] 另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，上述玻璃基板 的退火點(diǎn)為650°C以上。
[0037] 另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，使用浮法或下 拉法制造上述玻璃基板。作為下拉法，可以列舉例如熔融法和狹縫下拉法。
[0038] 另外，本發(fā)明提供上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，上述信息記錄 介質(zhì)為磁盤。
[0039] 發(fā)明效果
[0040]根據(jù)本發(fā)明的磁盤的制造方法，能夠在高溫下在玻璃基板上形成磁記錄層，因此， 能夠?qū)崿F(xiàn)磁盤的高記錄密度化。另外，根據(jù)本發(fā)明的磁盤的制造方法，形成磁記錄層的玻璃 基板的比模量高，在研磨工序或清洗工序等中不易產(chǎn)生表面粗糙，因此，能夠得到能夠應(yīng)對(duì) 高記錄密度的磁盤。
[0041] 另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板是能夠在高溫下形成磁記錄層、能夠?qū)?現(xiàn)磁盤的高密度化的玻璃基板。
[0042] 另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板不易因玻璃基板的研磨工序等中的酸性 研磨漿料液（以下稱為酸液）而產(chǎn)生表面粗糙，通過(guò)使用本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基 板，能夠以良好的生產(chǎn)率制造高記錄密度的信息記錄介質(zhì)。玻璃基板容易因酸液而產(chǎn)生表 面粗糙時(shí)，需要替換為pH值大的酸液。使用pH值大的酸液進(jìn)行玻璃基板的研磨時(shí)，研磨速 度降低，需要花費(fèi)時(shí)間來(lái)達(dá)到預(yù)定的研磨量，生產(chǎn)率降低。或者，在產(chǎn)生表面粗糙之前的研 磨時(shí)間縮短，無(wú)法達(dá)到預(yù)定的表面粗糙度。
[0043]另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板不易因玻璃基板的清洗工序等中的堿液 而產(chǎn)生表面粗糙，通過(guò)使用本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，能夠以良好的生產(chǎn)率制造 高記錄密度的信息記錄介質(zhì)。玻璃基板容易因堿液而產(chǎn)生表面粗糙時(shí)，需要替換為pH值小 的堿液。使用PH值小的堿液進(jìn)行玻璃基板的清洗時(shí)，清洗力降低，需要花費(fèi)時(shí)間來(lái)達(dá)到預(yù) 定的清潔度，生產(chǎn)率降低?；蛘撸诋a(chǎn)生表面粗糙之前的時(shí)間縮短，無(wú)法達(dá)到預(yù)定的清潔度。
[0044] 另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板是不僅能夠在高溫下形成磁記錄層、而 且熔化性即量產(chǎn)性優(yōu)良的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板。

【具體實(shí)施方式】
[0045] 作為本發(fā)明的磁盤的制造方法中使用的磁記錄層的材料，典型地為FePt或SmCo5。
[0046] 上述磁記錄層形成在溫度典型地為550°C以上的玻璃基板上。該玻璃基板的溫度 優(yōu)選根據(jù)需要設(shè)定為例如600°C以上或650°C以上。另外，該玻璃基板的溫度通常設(shè)定為 800°C以下。
[0047] 本發(fā)明的磁盤的制造方法中，根據(jù)需要在玻璃基板與磁記錄層之間形成基底層等 層，另外，根據(jù)需要在磁記錄層上形成保護(hù)膜等層。
[0048] 構(gòu)成本發(fā)明的磁盤的制造方法中使用的玻璃基板的玻璃（以下，有時(shí)稱為基板玻 璃或本發(fā)明的玻璃）和本發(fā)明的玻璃基板的退火點(diǎn)Ta優(yōu)選為650°C以上，以便能夠抑制磁 記錄層形成時(shí)的玻璃的變形而使磁盤能夠正常進(jìn)行讀取。更優(yōu)選為700°C以上，特別優(yōu)選為 750°C以上，典型地為800°C以下。
[0049] 為了使熔化性良好，基板玻璃的粘度達(dá)到102dPa·s時(shí)的溫度T2優(yōu)選為1710°C以 下。更優(yōu)選為1700°C以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1680°C以下。
[0050]為了使磁盤旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定化、減輕旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)的負(fù)荷、減小消耗電力、減小由電動(dòng)機(jī)的 發(fā)熱產(chǎn)生的散熱負(fù)荷，并且為了使玻璃不易損傷，本發(fā)明的玻璃的密度優(yōu)選為2. 7g/cm3以 下，典型地為2.62g/cm3以下。
[0051] 為了在高速旋轉(zhuǎn)時(shí)不易產(chǎn)生顫動(dòng)現(xiàn)象從而應(yīng)對(duì)高記錄密度，基板玻璃的比模量?jī)?yōu) 選為32MNm/kg以上。更優(yōu)選為32. 5MNm/kg以上，進(jìn)一步優(yōu)選為33MNm/kg以上。
[0052] 為了在不產(chǎn)生研磨工序等中的表面粗糙等現(xiàn)象的情況下應(yīng)對(duì)高記錄密度，基板玻 璃的耐酸性指標(biāo)A優(yōu)選為0. 025nm/小時(shí)以下。更優(yōu)選為0. 02nm/小時(shí)以下。
[0053] 為了在不產(chǎn)生清洗工序等中的表面粗糙等現(xiàn)象的情況下應(yīng)對(duì)高記錄密度，基板玻 璃的耐堿性指標(biāo)B優(yōu)選為0. 28nm/小時(shí)以下。更優(yōu)選為0. 27nm/小時(shí)以下。
[0054] 耐酸性指標(biāo)A通過(guò)以下的測(cè)定方法來(lái)確定。
[0055] 將利用膠態(tài)二氧化硅對(duì)厚度為1?2mm、大小為4cm見(jiàn)方的玻璃板的兩面進(jìn)行鏡面 研磨并利用二氧化鈰磨粒對(duì)端面進(jìn)行鏡面研磨而得到的玻璃板作為測(cè)定樣品。將其在保持 于室溫的pH= 2 (0. 01摩爾/升）的HNO3水溶液中浸漬3小時(shí)。通過(guò)ICP質(zhì)譜分析法對(duì) 溶出到上述水溶液中的溶出Si量進(jìn)行分析，得到測(cè)定值。利用下式由上述溶出Si量、玻璃 中的SiO2含量和玻璃的密度算出玻璃的蝕刻速度。
[0056]耐酸性指標(biāo)A= 1000XLl/[dXPX(Si的原子量=28)ASiO2 的分子量=60)]/3
[0057] 耐酸性指標(biāo)A的單位為nm/小時(shí)，Ll為每單位面積玻璃板的上述溶出Si量，單位 為μg/cm2，d為玻璃的密度，單位為g/cm3,P為玻璃中的SiO2的以質(zhì)量百分率計(jì)的含量，單 位為質(zhì)量％。
[0058] 耐堿性指標(biāo)B通過(guò)以下的測(cè)定方法來(lái)確定。
[0059] 將利用膠態(tài)二氧化硅對(duì)厚度為1?2mm、大小為4cm見(jiàn)方的玻璃板的兩面進(jìn)行鏡面 研磨并利用二氧化鈰磨粒對(duì)端面進(jìn)行鏡面研磨而得到的玻璃板作為測(cè)定樣品。將其在保持 于室溫的pH= 12(0. 01摩爾/升）的NaOH水溶液中在施加IOOkHz的超聲波的同時(shí)浸漬3 小時(shí)。通過(guò)ICP質(zhì)譜分析法對(duì)溶出到上述水溶液中的溶出Si量進(jìn)行分析，得到測(cè)定值。利 用下式由上述溶出Si量、玻璃中的SiO2含量和玻璃的密度算出玻璃的蝕刻速度。
[0060]耐酸性指標(biāo)B= 1000XL2/[dXPX(Si的原子量=28)ASiO2 的分子量=60)]/3[0061]耐酸性指標(biāo)B的單位為nm/小時(shí)，L2為每單位面積玻璃板的上述溶出Si量，單位 為μg/cm2，d為玻璃的密度，單位為g/cm3,P為玻璃中的SiO2的以質(zhì)量百分率計(jì)的含量，單 位為質(zhì)量％。
[0062]接著，對(duì)于本發(fā)明的玻璃的組成，若無(wú)特別說(shuō)明，則使用以摩爾百分率計(jì)的含量來(lái) 進(jìn)行說(shuō)明。
[0063]SiO2為必要成分。為了基板的輕量化、為了不易損傷、并且為了保持基本的化學(xué)耐 久性，SiO2為60%以上。優(yōu)選為63%以上，更優(yōu)選為65%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為66%以上。 另一方面，為了降低玻璃的粘性、使熔化性良好、以接近本發(fā)明的組成提高化學(xué)耐久性，將 SiO2設(shè)定為75%以下。優(yōu)選為71 %以下，更優(yōu)選為70%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為69%以下。
[0064]Al2O3為必要成分。為了提高耐熱性、抑制分相、維持基板的研磨/清洗后的基板 表面的平滑性，并且為了保持不易損傷性，將Al2O3設(shè)定為7%以上。優(yōu)選為9%以上，更優(yōu) 選為11 %以上，進(jìn)一步優(yōu)選大于12%，進(jìn)一步優(yōu)選大于12. 5%。另一方面，為了使玻璃的烙 化性良好，將Al2O3設(shè)定為17%以下。優(yōu)選為16%以下，更優(yōu)選為15%以下，進(jìn)一步優(yōu)選為 14%以下。另外，Al2O3的含量?jī)?yōu)選大于18質(zhì)量％。
[0065]B2O3不是必要成分，但具有改善玻璃的熔化性、易損傷性的效果，可以含有。為了 維持耐酸性、提高Ta，將B2O3設(shè)定為小于2%。優(yōu)選為1.5%以下，更優(yōu)選為1.0%以下，進(jìn) 一步優(yōu)選為0.5 %以下。
[0066]MgO、CaO、SrO和BaO是改善玻璃的熔化性、提高耐酸性和耐堿性的成分，必須含 有以合計(jì)（RO)量計(jì)大于18%的任意一種以上的成分。優(yōu)選為18. 5%以上，更優(yōu)選為19% 以上。另一方面，為了提高失透特性且使玻璃不易損傷，將RO量設(shè)定為26%以下。優(yōu)選為 24%以下，更優(yōu)選為22%以下。
[0067]這4種成分中，優(yōu)選含有10. 5%以上的MgO和CaO中的任意一種以上的成分。為了 使熔化性良好，并且為了降低T2、使玻璃不易損傷，優(yōu)選將MgO和CaO的含量的合計(jì)MgO+CaO 設(shè)定為10. 5%以上。更優(yōu)選為11%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為12%以上。為了降低失透溫度且容 易成形，優(yōu)選將MgO+CaO設(shè)定為20%以下。更優(yōu)選為18%以下。
[0068]為了增大比模量、提高耐酸性和耐堿性、降低粘度達(dá)到102dPa*s時(shí)的溫度T2,SiO2 的含量（摩爾百分率）除以MgO、CaO、SrO和BaO的含量（摩爾百分率）的總量RO而得到 的值優(yōu)選設(shè)定為4. 3以下。更優(yōu)選為4. 1以下，進(jìn)一步優(yōu)選為3. 9以下。
[0069]另外，MgO是提高楊氏模量的成分，具有提高玻璃的剛性的效果，因此，優(yōu)選含有 6%以上。更優(yōu)選為7%以上。
[0070]本發(fā)明的玻璃在本質(zhì)上包含上述7種成分，但可以在不損害本發(fā)明的目的的范圍 內(nèi)含有其他成分。但是，即使在這種情況下，為了維持不易損傷性、維持耐酸性和耐堿性、維 持比模量，這些成分的含量的合計(jì)也小于5%。以下，對(duì)上述7種成分以外的成分進(jìn)行例示 性的說(shuō)明。
[0071]ZnO是發(fā)揮與MgO、CaO、SrO和BaO同樣的效果的成分，可以在小于5 %的范圍內(nèi)含 有。ZnO的含量與RO的合計(jì)優(yōu)選大于18 %且為26%以下。
[0072] Li20、Na2O和K2O使Ta降低，因此，優(yōu)選這3種成分的含量的合計(jì)小于I%或?qū)嵸|(zhì) 上不含有這些成分。
[0073]V等原子序號(hào)比Ti大的原子的氧化物可能使玻璃容易損傷，因此，在含有這些氧 化物的情況下，優(yōu)選使它們的含量的合計(jì)為3%以下。更優(yōu)選為2%以下，特別優(yōu)選為1 %以 下，最優(yōu)選為0.3%以下。
[0074]S03、F、Cl、As203、Sb2O3和SnO2等是作為澄清劑的代表性成分。 實(shí)施例
[0075] 準(zhǔn)備具有表1中的SiO2?BaO的欄中以摩爾百分率表示的組成的7種玻璃。另 夕卜，表1中的MgCa為MgO和CaO的含量的合計(jì)，RO為MgO、CaO、SrO和BaO的含量的合計(jì)。 對(duì)于這些玻璃，測(cè)定密度d(單位：g/cm3)、退火點(diǎn)Ta(單位：°C)、楊氏模量E(單位：GPa)、t匕 模量E/d(單位：MNm/kg)、粘度達(dá)到104dPa*s時(shí)的溫度T4 (單位：°C)、粘度達(dá)到102dPa*s 時(shí)的溫度T2 (單位：°C)、失透溫度（單位：°C)、耐酸性指標(biāo)A、耐堿性指標(biāo)B。
[0076] 上述測(cè)定如下進(jìn)行。
[0077] 密度：通過(guò)阿基米德法對(duì)沒(méi)有氣泡的20?50g玻璃進(jìn)行測(cè)定。
[0078] 退火點(diǎn)：基于JISR3103 (2001年）進(jìn)行測(cè)定。
[0079] 楊氏模量：利用超聲波脈沖法對(duì)厚度為5?10_、大小為3cmX3cm的玻璃板進(jìn)行 測(cè)定。
[0080] 比模量：通過(guò)用上述中求出的楊氏模量除以密度來(lái)求出。
[0081] T4、T2 :利用旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。
[0082] 失透溫度：將玻璃用研缽粉碎成約2mm的玻璃粒，將該玻璃粒排列置于鉬舟皿中， 在溫度梯度爐中進(jìn)行24小時(shí)的熱處理。將析出結(jié)晶的玻璃粒的溫度的最高值作為失透溫 度。
[0083] 耐酸性指標(biāo)A通過(guò)以下的測(cè)定方法來(lái)確定。
[0084] 將利用膠態(tài)二氧化硅對(duì)厚度為1?2mm、大小為4cm見(jiàn)方的玻璃板的兩面進(jìn)行鏡面 研磨并利用二氧化鈰磨粒對(duì)端面進(jìn)行鏡面研磨而得到的玻璃板作為測(cè)定樣品。將其在保持 于室溫的pH=2 (0. 01摩爾/升）的HNO3水溶液中浸漬3小時(shí)。通過(guò)ICP質(zhì)譜分析法對(duì) 溶出到上述水溶液中的溶出Si量進(jìn)行分析，得到測(cè)定值。利用下式由上述溶出Si量、玻璃 中的SiO2含量和玻璃的密度算出玻璃的蝕刻速度。
[0085]耐酸性指標(biāo)A= 1000XLl/[dXPX(Si的原子量=28)ASiO2 的分子量=60)]/3
[0086] 耐酸性指標(biāo)A的單位為nm/小時(shí)，Ll為每單位面積玻璃板的上述溶出Si量，單位 為μg/cm2，d為玻璃的密度，單位為g/cm3,P為玻璃中的SiO2的以質(zhì)量百分率計(jì)的含量，單 位為質(zhì)量％。
[0087] 耐堿性指標(biāo)B通過(guò)以下的測(cè)定方法來(lái)確定。
[0088]將利用膠態(tài)二氧化硅對(duì)厚度為1?2mm、大小為4cm見(jiàn)方的玻璃板的兩面進(jìn)行鏡面 研磨并利用二氧化鈰磨粒對(duì)端面進(jìn)行鏡面研磨而得到的玻璃板作為測(cè)定樣品。將其在保持 于室溫的pH= 12(0. 01摩爾/升）的NaOH水溶液中在施加IOOkHz的超聲波的同時(shí)浸漬3 小時(shí)。通過(guò)ICP質(zhì)譜分析法對(duì)溶出到上述水溶液中的溶出Si量進(jìn)行分析，得到測(cè)定值。利 用下式由上述溶出Si量、玻璃中的SiO2含量和玻璃的密度算出玻璃的蝕刻速度。
[0089] 耐堿性指標(biāo)B= 1000XL2/[dXPX(Si的原子量=28)ASiO2 的分子量=60)]/3
[0090] 耐堿性指標(biāo)B的單位為nm/小時(shí)，L2為每單位面積玻璃板的上述溶出Si量，單位 為μg/cm2，d為玻璃的密度，單位為g/cm3,P為玻璃中的SiO2的以質(zhì)量百分率計(jì)的含量，單 位為質(zhì)量％。
[0091] 例1?6為本發(fā)明中使用的基板玻璃的例子。例7為用于比較的基板玻璃。
[0092] 表 1
[0093]

【權(quán)利要求】
1. 一種磁盤的制造方法，其包括在溫度為550°C以上的玻璃基板上形成磁記錄層的工 序，其中， 該玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有60?75%的Si02、7?17%的A1203、0以上且小于2% 的8203、合計(jì)大于18%且為26%以下的1%0、0&0、51〇和8 &0中的任意一種以上的成分，上 述7種成分的含量合計(jì)為95%以上，并且含有合計(jì)小于1 %的Li20、Na20和K20中的任意一 種以上的成分、或者這3種成分均不含有。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有合 計(jì)為10. 5?20%的MgO和CaO中的任意一種以上的成分。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板以摩爾百分率計(jì)含有 6%以上的MgO。
4. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板含有以質(zhì)量 百分率計(jì)大于18%的A1203。
5. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的Si02的 摩爾百分率含量除以MgO、CaO、SrO和BaO的摩爾百分率含量的總量R0而得到的值為4. 3 以下。
6. 如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的比模量為 32MNm ? kg 以上。
7. 如權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的耐酸性指 標(biāo)A為0. 025nm/小時(shí)以下。
8. 如權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的耐堿性指 標(biāo)B為0. 28nm/小時(shí)以下。
9. 如權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的粘度達(dá)到 102dPa ? s時(shí)的溫度T2為1710°C以下。
10. 如權(quán)利要求1?9中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的退火點(diǎn) 為650°C以上。
11. 一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，以摩爾百分率計(jì)含有60?75 %的Si02、7?17 %的 A1203、0以上且小于2%的B203、合計(jì)大于18%且為26%以下的MgO、CaO、SrO和BaO中的任 意一種以上的成分，上述7種成分的含量合計(jì)為95%以上，并且含有合計(jì)小于1 %的Li20、 Na20和K20中的任意一種以上的成分、或者這3種成分均不含有。
12. 如權(quán)利要求11所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中,所述信息記錄介質(zhì)為磁盤。
【文檔編號(hào)】C03C3/087GK104364212SQ201380029770
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月5日
【發(fā)明者】中島哲也, 辻村知之, 西澤學(xué), 小池章夫 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社