本實(shí)用新型涉及一種硅棒切片機(jī)，尤其是涉及一種硅棒切片機(jī)的復(fù)合槽導(dǎo)輪。

背景技術(shù)：

在太陽(yáng)能晶片生產(chǎn)過程中，需要將硅棒通過硅棒切片機(jī)切出一片片晶片，而硅棒切片機(jī)中就是將切片鋼絲纏繞在硅棒切片機(jī)導(dǎo)輪上對(duì)硅棒進(jìn)行切割，其中硅棒切片機(jī)導(dǎo)輪包括輥體及包覆在輥體外側(cè)的聚氨酯包覆層，為便于切片鋼絲纏繞在硅棒切片機(jī)導(dǎo)輪上，在聚氨酯包覆層開有若干鋼絲凹槽，目前，在聚氨酯包覆層上開設(shè)的鋼絲凹槽通常采用截面呈V型的凹槽，截面呈圓形的鋼絲與截面呈V型的凹槽在理論上只有兩點(diǎn)接觸，接觸面積小，當(dāng)硅棒切片機(jī)導(dǎo)輪使用一定的時(shí)間后，鋼絲對(duì)鋼絲凹槽極易產(chǎn)生磨損，在對(duì)硅棒進(jìn)行切割時(shí)，鋼絲會(huì)出現(xiàn)左右擺動(dòng)的現(xiàn)象，造成切割出的晶片厚度不均，影響產(chǎn)品質(zhì)量，同時(shí)，導(dǎo)輪的使用壽命較短，需要將輥體表面的聚氨酯包覆層去除后再重新包覆一層聚氨酯包覆層，然后再重新開設(shè)鋼絲凹槽，增加生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)人針對(duì)上述的問題，進(jìn)行了研究改進(jìn)，提供一種硅棒切片機(jī)的復(fù)合槽導(dǎo)輪，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊，制造成本低，延緩導(dǎo)輪的磨損，延長(zhǎng)導(dǎo)輪的使用壽命，降低生產(chǎn)成本，確保切割出的晶片厚度均勻，保證產(chǎn)品質(zhì)量。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案：

一種硅棒切片機(jī)的復(fù)合槽導(dǎo)輪，包括輥體及包覆在所述輥體外的聚氨酯包覆層，在所述聚氨酯包覆層表面開設(shè)有若干用于繞過切片鋼絲的凹槽，所述凹槽由第一V型槽段及第二V型槽段構(gòu)成，所述凹槽的第一V型槽段的二個(gè)側(cè)面及第二V型槽段的二個(gè)側(cè)面分別與切片鋼絲相切，所述凹槽的第一V型槽段的V型槽角度在80~100°之間，所述凹槽的第二V型槽段的V型槽角度在15~25°之間。

進(jìn)一步的：

所述凹槽的第一V型槽段的V型槽角度為90°。

所述凹槽的第二V型槽段的V型槽角度為19°之間。

本實(shí)用新型的技術(shù)效果在于：

本實(shí)用新型公開的一種硅棒切片機(jī)的復(fù)合槽導(dǎo)輪，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊，制造成本低，延緩導(dǎo)輪的磨損，延長(zhǎng)導(dǎo)輪的使用壽命，降低生產(chǎn)成本，確保切割出的晶片厚度均勻，保證產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1的A處局部放大圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1、2所示，本實(shí)用新型包括輥體1及包覆在輥體1外的聚氨酯包覆層2，在聚氨酯包覆層2表面開設(shè)有若干用于繞過切片鋼絲的凹槽3，凹槽3為由第一V型槽段31及第二V型槽段32構(gòu)成的復(fù)合槽，凹槽3的第一V型槽段31的二個(gè)側(cè)面及第二V型槽段32的二個(gè)側(cè)面分別與切片鋼絲4相切，凹槽3的第一V型槽段31的V型槽角度B在80~100°之間，凹槽3的第二V型槽段32的V型槽角度C在15~25°之間，在本實(shí)施例中，凹槽3的第一V型槽段31的V型槽角度B為90°，凹槽3的第二V型槽段32的V型槽角度C為19°。

由圖2可以看出，由于凹槽3的第一V型槽段31的二個(gè)側(cè)面及第二V型槽段32的二個(gè)側(cè)面分別與切片鋼絲4相切，在切片鋼絲4繞過凹槽3時(shí)，截面呈圓形的切片鋼絲4與凹槽3在四個(gè)點(diǎn)接觸，增大接觸面積來(lái)分擔(dān)切片鋼絲4對(duì)凹槽3表面的壓力，減小對(duì)凹槽3表面的磨損，延長(zhǎng)導(dǎo)輪的使用壽命。在實(shí)際使用中，凹槽3的第一V型槽段31承擔(dān)大部分的鋼絲壓力，表面磨損更快，而凹槽3的第二V型槽段32承擔(dān)較小的鋼絲壓力，磨損較慢，當(dāng)凹槽3的第一V型槽段31出現(xiàn)一定程度的磨損時(shí)，由第二V型槽段32限制鋼絲出現(xiàn)的左右擺動(dòng)，從而確保切割出的晶片厚度均勻，保證產(chǎn)品質(zhì)量。