專利名稱：樹脂基底的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及用于電子設備領域并且具有優(yōu)異的水蒸汽阻隔性質(zhì)的 樹脂基底。
背景技術(shù)：
液晶顯示器元件(LCD:液晶顯示器)已經(jīng)被用于大尺寸顯示，包括作 為典型實例的平板電視，以及用于汽車導航系統(tǒng)或手提電話的中等或小尺 寸顯示器。作為能夠?qū)崿F(xiàn)清晰圖像的顯示器，還深入地研究了有機電致發(fā) 光(OLED:有機發(fā)光二極管)顯示器。
已經(jīng)用于這些LCD和OLED顯示器中的玻璃基底在它們跌落時容易 破碎。而且，為了滿足降低重量和減小被安裝在便攜式器件中的LCD的 厚度的要求，玻璃基底的厚度已經(jīng)被減小。這樣已經(jīng)引起另外的問題，比 如增加了玻璃基底在其生產(chǎn)過程中的破碎的風險，這樣導致產(chǎn)品收率降 低，操作性質(zhì)降低和生產(chǎn)率降低。
因而，已經(jīng)嘗試使用樹脂基底的LCD和OLED顯示器的生產(chǎn)。這些 柔性顯示器的驅(qū)動方法粗略地分為兩種容易實現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn)的無源矩陣驅(qū) 動法和適合于實現(xiàn)高清晰屏幕的有源矩陣驅(qū)動法。每一種方法的顯示器都 得到了積極的研究。
同時，作為用于光伏發(fā)電元件的基底，使用硅晶片。光伏發(fā)電模件通 過將硅晶片鋪滿設置在由必要電布線的一種或多種基材的一個表面上而 制備。在硅晶片上形成作為表面層的半導體層具有發(fā)電的功能。然而，大
3部分的昂貴晶片僅被用作載體。因此，模件變得昂貴，重量增加，并且從 資源利用的角度考慮，也存在問題。已經(jīng)通過在玻璃基底或樹脂基底上形 成硅薄膜來研究具有同等效率的光伏發(fā)電元件的實現(xiàn)。預期樹脂基底由于 其耐沖擊性和輕重量而是有優(yōu)勢的，然而發(fā)電效率比現(xiàn)階段中的硅晶片產(chǎn) 品的發(fā)電效率低。而且，使用樹脂基底增加了設計的自由度，比如器件的 形狀等，這樣使得能夠滿足各種需要。
鑒于降低重量、耐沖擊性等的目的，需要可以代替電子產(chǎn)品領域中的 玻璃基底的樹脂基底。膜基底由于其柔性和彎曲性質(zhì)，在用作樹脂基底時 允許進行輥-對-輥的制備方法，由此還預期生產(chǎn)速度相比于已經(jīng)被用于玻 璃基底的單晶類型是顯著改善的。
在LCD領域，樹脂基底所需要的性質(zhì)之一是水蒸汽阻隔性質(zhì)。據(jù)報導， 例如，對于LCD，水蒸汽阻隔性質(zhì)為不大于0.1g/mV天，而對于OLED， 進一步為其1/100,000以下。使用單一的樹脂基底，不能夠?qū)崿F(xiàn)所需水蒸 汽阻隔性質(zhì)。因此，通過真空蒸汽沉積法、噴濺法或其它已有的膜形成方 法，將薄阻隔膜沉積在樹脂基底的表面上。日本公開專利公布號 2004-292877 (專利文獻l)和日本公開專利公布號2005-342975 (專利文獻 2)公開了通過催化化學氣相沉積法(催化-CVD法)形成的氮化硅膜表現(xiàn)出 作為阻隔薄膜的優(yōu)異性質(zhì)。
在LCD領域中，樹脂基底所需要的另一種性質(zhì)是基底的表面平坦性。 例如，在日本公開專利公布號2006-351523 (專利文獻3)中，將四層以上 的具有單獨功能的約5至20 tim厚的極薄層層壓以構(gòu)成OLED顯示器。 因此，透明的電導膜作為底層的表面性質(zhì)可能變成在生產(chǎn)過程期間的布線 斷裂或短路的原因，以及非均勻發(fā)光或缺陷的原因，以及由此影響器件可 靠性。根據(jù)日本公開專利公布號2004-111201 (專利文獻4)的權(quán)利要求書， 即使在玻璃基底的表面上，沉積在其上的透明導電膜的平均粗糙度(Ra)也 優(yōu)選為不大于1 nm。
專利文獻1:日本公幵專利公布號2004-292877專利文獻2:日本公開專利公布號2005-342975 專利文獻3:日本公開專利公布號2006-351523 專利文獻4:日本公開專利公布號2004-11120
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
然而，在過去，還不能獲得同時具有確保電子產(chǎn)品的長期可靠性所必 需的水蒸汽阻隔性質(zhì)以及優(yōu)異表面平坦性(即，表面平滑性)的樹脂基底。 因此，本發(fā)明的一個目的是提供同時滿足水蒸汽阻隔性質(zhì)和表面平坦性的 樹脂基底。
解決問題的手段
本發(fā)明涉及下列各項。
1. 一種樹脂基底，其包括樹脂層和形成在所述樹脂層的表面上的 表面層，其中
所述表面層是包含作為主要組分的氮化硅并且是通過化學氣相沉積 而沉積的層，并且
在所述樹脂層和所述表面層之間的界面上，其上百分比從80%改變?yōu)?20%的界面區(qū)域具有不大于25 nm的厚度，其中在所述表面層中的最大氮 濃度和在樹脂層中的穩(wěn)態(tài)氮濃度之間的差被當作100%。
2. 根據(jù)上述第1項的樹脂基底，其中所述樹脂基底滿足下列中的至少 一個(i)水蒸汽滲透速率為不大于0.1g/m"天，以及(ii)表面層的平均表 面粗糙度(Ra)為不大于lnm，并且優(yōu)選同時滿足(i)和(ii)。
3. 根據(jù)上述第1或2項所述的樹脂基底，其中所述樹脂層包括 聚酰亞胺層。
4. 一種用于制備樹脂基底的方法，所述方法包括如下步驟 提供樹脂層，以及
通過催化化學氣相沉積，在所述樹脂層上形成包含作為主要組分的氮 化硅的表面層。
5. 根據(jù)上述第4項的用于制備樹脂基底的方法，所述方法包括在形
成所述表面層的步驟之前，將所述樹脂層干燥的步驟。
6. 根據(jù)上述第5項的用于制備樹脂基底的方法，其中在形成所述 表面層的步驟中，所述樹脂層在減壓下干燥，并且在保持所述減壓的同時 形成所述表面層。
7. 根據(jù)上述第4至6項中任一項所述的用于制備樹脂基底的方法， 其中所述樹脂層包含聚酰亞胺層。
發(fā)明效果
本發(fā)明的樹脂基底具有優(yōu)異的水蒸汽阻隔性質(zhì)和表面平坦性。因此， 它適當?shù)乩缬米麟娮釉碗娮赢a(chǎn)品比如LCD、 OLED、太陽能電池等
的基底，并且作為結(jié)果，獲得了重量減輕的產(chǎn)品或柔性產(chǎn)品。



圖1是說明樹脂基底的實例的視圖。 圖2是說明樹脂基底的實例的視圖。 圖3是說明樹脂基底的實例的視圖。
圖4是說明測定在樹脂基底的界面附近的原子濃度曲線以及測定該界 面區(qū)域的厚度(d)的方法。
圖5是說明測定界面區(qū)域的厚度(d)的方法的曲線圖。圖6是用掃描電子顯微鏡對實施例1中獲得的樹脂基底的表面(氮化硅 層的表面)觀察到的照片圖像。
圖7是用掃描電子顯微鏡對比較例1中獲得的樹脂基底的表面(氮化硅 層的表面)觀察到的照片圖像。
附圖標記的說明
1樹脂層 la樹脂基層 2表面層 3透明導電膜
4膜(氣體阻隔膜，電極層等) 5表面平滑層 6無機膜 7有機膜
具體實施方式


本發(fā)明的樹脂基底具有圖l所示的結(jié)構(gòu)，其中在樹脂層1的表面上形 成有表面層2。在典型應用中，在樹脂基底的表面層的表面上形成例如透 明導電膜3。此外，必要時，可以在樹脂層l的背表面上形成膜4，比如 氣體阻隔膜，電極層等。
在一個優(yōu)選實施方案中，樹脂層僅由具有樹脂作為主要組分的膜形式 等的樹脂基層la構(gòu)成。然而，必要時，樹脂層可以具有其它層或膜。例 如，如圖2所示，樹脂層可以具有表面平滑層5和樹脂基層la。表面平 滑層5可以使用已知的有機或無機材料形成。在本發(fā)明的一個實施方案 中，在除了表面平滑層之外或沒有表面平滑層的情況下，樹脂基底還可以 進一步具有附加的多層表面層。如圖3所示，該附加的多層表面層由例如 用于提高平滑性的表面平滑層5、主要具有水蒸汽阻隔性質(zhì)功能的無機膜
76、具有補償無機膜的缺陷或平滑性的功能的有機膜7等構(gòu)成。表面平滑 層和附加多層表面層可以使用已知的構(gòu)造。附加表面層可以被安置在表面
層2和樹脂基層la之間，可以安置在與表面層2相對的樹脂基層la的 一側(cè)，或表面層2可以被夾在附加多層表面層的層之間。
然而，在圖1至3中，表面層2形成在樹脂層1的一個表面上，它還 可以形成在其兩個表面上。在這種情況下，可以不形成膜4。
作為樹脂基層，可以使用具有所謂的樹脂層或樹脂基底的已知材料。 該材料沒有特別限制，但是優(yōu)選使用耐熱性樹脂，比如聚酰亞胺樹脂、聚 酰胺酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、液晶聚合物、聚萘二甲酸乙二醇酯等，這 些材料均己經(jīng)作為柔性布線板或耐熱性材料被用于很多產(chǎn)品中，并且這些 材料在其中的高可靠性已經(jīng)得到證實。而且，還可以舉出的是，玻璃化轉(zhuǎn)
變溫度不低于ioo°c的耐熱性透明樹脂，比如聚醚砜、聚碳酸酯、聚環(huán)烯
烴等，具有透明環(huán)氧樹脂作為主要組分的熱固性樹脂，或向熱塑性樹脂或 熱固性樹脂添加無機組分所形成的混合樹脂。
作為樹脂基層，其厚度為例如約1至200 ,，并且優(yōu)選約5至200 jam。 優(yōu)選使用的是可獲得的聚酰亞胺膜。樹脂基層可以通過己知方法制備，并 且其實例包括通過流延法、溶液流延法比如溶液涂布法等制備出的那些， 通過熔體擠出法制備的那些，通過氣相沉積法等制備出的那些。所述層可 以是膜、片、板等的形式。
作為樹脂基層，優(yōu)選使用的是可獲得的聚酰亞胺膜、聚酰胺膜、聚酰 胺酰亞胺膜等。
表面層是含有作為主要組分的氮化硅的層，并且通過化學氣相沉積法 而沉積。盡管表面層除包含氮化硅之外，還可以優(yōu)選包含已經(jīng)被用作添加 劑的鋁氧化物、硅氧化物等作為構(gòu)成材料，但是優(yōu)選的是，在樹脂基底的 界面附近中的氮濃度大于氧濃度(氮濃度>氧濃度)。在表面層中的氮化硅的比率通常不小于30原子％，優(yōu)選不小于50原子％，更優(yōu)選不小于70原 子％，并且還優(yōu)選不小于90原子％。本文中，表示氮化硅的比例的 "原子％"表示氮原子和硅原子相對于所有存在的原子的總比例(百分比)。 而且，滿足"氮濃度 > 氧濃度"條件的界面附近的范圍是指從下面描述的 "氮濃度從80%變化至20%的界面區(qū)域"的80%的位置，經(jīng)由至少為與 界面區(qū)域的厚度相同的距離，到位于表面層內(nèi)部的位置的范圍。更優(yōu)選地， 它是介于80%位置和從該位置開始經(jīng)由25 nm進入內(nèi)部的位置之間的區(qū) 域。
在具有氮化硅作為主要組分的薄膜內(nèi)，已經(jīng)知道，即使表面層的厚度 非常薄，也表現(xiàn)出水蒸汽阻隔性質(zhì)。然而，在考慮到樹脂基底表面的覆蓋， 該厚度為不小于5nm，優(yōu)選不小于10nm，還優(yōu)選不小于20 nm并且特 別優(yōu)選不小于50nm。另一方面，當其非常厚時，容易發(fā)生破裂。因而， 在考慮生產(chǎn)率時，它為不大于l，OOOnm，優(yōu)選為不大于500nm并且還優(yōu) 選為不大于200 nm。構(gòu)成表面層的氮化硅有利地用在顯示器的領域中， 因為它具有透明性，并且從耐化學性等考慮，它也是優(yōu)選的。在He-Ne激 光波長的折射率通常在1.60至2.05的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1.70至2.05的范圍 內(nèi)，并且還優(yōu)選在1.80至2.05的范圍內(nèi)。
通常地，作為形成含有氮化硅作為主要組分的薄膜的方法，已知的有 物理氣相沉積法，比如真空沉積、濺射、離子電鍍等；以及化學氣相沉積 法(化學氣相沉積)比如等離子體CVD,催化化學氣相沉積(催化-CVD法) 等。然而，例如，物理氣相沉積可以實現(xiàn)lg/mV天的水蒸汽滲透速率，但 是在一些情況下，從當前的目的考慮，阻隔性質(zhì)是不夠的。而且，雖然真 空沉積通常具有優(yōu)異的膜沉積速率，但是還存在比如薄膜本身的強度弱的 問題，在形成柔性器件的過程中發(fā)生剝離等的工藝方面的問題，并且它難 于保持長時期的可靠性。根據(jù)濺射方法以及離子電鍍方法，盡管薄膜自身 的強度比根據(jù)真空氣相沉積法的強度強，但是容易在薄膜中殘留更大的殘 留應力，使得在膜沉積之后，容易發(fā)生樹脂基底的變形，比如翹曲或巻曲。
9然后，從阻隔性質(zhì)、粘合性和殘留應力等考慮，在本發(fā)明的樹脂層的 表面上形成表面層的膜沉積優(yōu)選地通過化學氣相沉積法進行，并且特別優(yōu)
選通過催化-CVD法進行，該催化-CVD法具有高的膜沉積速率，并且有
利于規(guī)模生產(chǎn)，而不需要大的高頻電源。
在本發(fā)明的樹脂基底中，在樹脂層和表面層之間的界面上，當表面層 中的最大氮濃度和樹脂層中的穩(wěn)態(tài)氮濃度之間的差被當作100%時，其上 的氮濃度從80%改變?yōu)?0%的界面區(qū)域具有不大于25 nm的厚度。 界面區(qū)域的厚度按下面的方式測定。
圖4示出了對于在聚酰亞胺膜上沉積有氮化硅的樹脂基底，從表面層 到樹脂層的原子濃度曲線變化的實例。從表面層的一側(cè)進行蝕刻的同時， 通過X-射線光電子光譜，測量原子濃度曲線。為了使測量誤差最小化，在 本發(fā)明中，界面區(qū)域的厚度可以通過以下列方式歸一化(normalizing)進行 測量。注意在圖4中的氮原子濃度，獲得在表面層中的最大氮濃度(Nmax); 另一方面，獲得在樹脂層中的穩(wěn)態(tài)氮原子濃度(Ns)。穩(wěn)態(tài)濃度(N》對應于在 聚酰亞胺本體(bulk)中的氮濃度。將N皿-Ns當作歸一化的基礎^ 100°/。)， 氮濃度曲線如圖5所示的曲線改寫。在界面上，其中的歸一化氮濃度從80% 降低至20。/。的距離確定為界面區(qū)域的厚度(d)，
本發(fā)明的特征在于由此獲得的界面區(qū)域的厚度(d)不大于25 nm，優(yōu) 選不大于20 nm并且還優(yōu)選不大于15 nm，并且下限為0 nm，優(yōu)選為1 nm，更優(yōu)選為2 nm并且還優(yōu)選為5 nm。滿足這樣的條件的樹脂基底具有 高的表面平坦性。其表面層的平均表面粗糙度(Ra)通常不大于1 nm，優(yōu) 選為不大于0.5nm并且還優(yōu)選為不大于0.50 nm，并且下限優(yōu)選為0nm， 因為表現(xiàn)出低的水蒸汽滲透速率。
本文中，為了具有不大于1 nm的表面層的平均表面粗糙度(Ra)，其 上形成有表面層的樹脂層的表面(注意，在該表面上可以具有表面平滑層 或一個或多個其它層)的粗糙度(Ra)也為不大于1 nm，優(yōu)選不大于0.5nm并且還優(yōu)選不大于0.50 nm，并且下限優(yōu)選為0nm。
為了具有厚度(d)不大于25 nm的界面區(qū)域，優(yōu)選的是，在形成所述 表面層之前，盡可能地至少從樹脂層的表面上去除濕氣。具體地，樹脂層 可以被干燥，例如整個樹脂層優(yōu)選通過加熱和/或在減壓下干燥。在加熱的 情況下，優(yōu)選在100。C或以上加熱，并且加熱溫度的上限優(yōu)選為樹脂基底 在該溫度中不進行塑性變形或分解的溫度或更低的溫度，并且對于聚酰亞 胺，優(yōu)選不大于300°C。更優(yōu)選的是，同時減小壓力。通過催化-CVD在 從表面適當?shù)厝コ渲械臐駳獾臉渲瑢拥谋砻嫔铣练e含有氮化硅作為主 要組分的表面層，由此制備出具有厚度(d)為不大于25 nm的界面區(qū)域的 樹脂基底。
在一個優(yōu)選實施方案中，由此制備出的具有厚度(d)不大于25 nm的 界面區(qū)域的樹脂基底表現(xiàn)出不大于0.1 g/mV天的水蒸汽阻隔性質(zhì)。本發(fā)明 的樹脂基底可以任選地具有無機膜和/或有機膜，和/或具有如上所述的無 機-有機復合膜組合的多層膜。然而，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，即使樹 脂基層和表面層被結(jié)合，也能夠?qū)崿F(xiàn)不大于0.1 g/m2/天的 水蒸汽阻隔性質(zhì)。
此外，在本發(fā)明中使用的各種材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(特別地涉及樹脂
材料)優(yōu)選為不小于ioo°c。
實施例
氣體阻隔膜的膜沉積
作為樹脂層，使用聚酰亞胺膜(UPILEX膜,S類型，膜厚度50 UBE 工業(yè)有限公司(UBE Industries, Ltd.)的產(chǎn)品)。通過催化-CVD法形成氮化硅
薄膜。當僅有硅垸氣體和氨氣體被用于原料氣體時，硅烷氣體的進料量為 7.5sccm，并且氨氣的進料量為200 sccm。當為了改善膜的質(zhì)量而添加氫 氣時，硅垸氣體的流量為7.5 sccm，氨氣流量為50 sccm，并且氫氣流量 為200 sccm。作為用于分解原料氣體的催化劑，放入絲直徑為0.5 mmcp的鎢絲，以使得膜厚度分布均勻，并且在膜沉積的同時在1700。C加熱。
在氨氣和氫氣被引入在室中并且所述室變得穩(wěn)定之后，通過引入硅烷 氣體進行膜沉積。本文中，用于安置聚酰亞胺膜的基底支架的溫度被視作 膜沉積開始時的膜的表面溫度。設置氣體壓力、在膜沉積開始時的膜的表 面溫度以及其它膜沉積條件，比如生長時間等，使得氮化硅薄膜在He-Ne 激光波長下的折射率為1.80至2.05，并且膜厚度為100 nm。
折射率的測量方法 '
在與聚酰亞胺膜上進行膜沉積相同的條件下，使用He-Ne激光作為光 源，釆用偏振光橢圓率測量儀測量通過在硅晶片上形成氮化硅膜而獲得的 樣品。
水蒸汽阻隔性質(zhì)的評價
為了評價水蒸汽阻隔性質(zhì)，使用阻隔樹脂基底，在該阻隔樹脂基底中， 通過催化-CVD法僅在聚酰亞胺膜的一個表面上形成有氮化硅膜。使用由 現(xiàn)代控制股份公司(Modern Control Inc.)制造的PERMATRAN-W3/31 ，在 40。C和90% RH的測量條件下，對50 mm2的測量區(qū)域，測量 水蒸汽阻隔性質(zhì)以用于分析。檢測下限為0.02g/m々天。
界面區(qū)域的組成分析和厚度測量
將PHI所制造的量子2000 (Quantum2000)掃描X-射線光電子能譜儀用 于測量。對于組成分析，對于主要的組分元素，在100 pm x 100 pm的分 析區(qū)域上，檢測Si2p,Nls, Ols和Cls峰，并且使用由PHI提供的相對靈
敏度因子進行計算。
界面區(qū)域的厚度由通過在合適的間隔重復進行氬氣的離子蝕刻而測量 出的氮濃度曲線和上述的組成分析計算，所述組成分析是從氮化硅膜的表 面到聚酰亞胺膜的內(nèi)部的組成分析。對于通過氬氣的離子蝕刻區(qū)域，設置 面積、加速電壓、離子束曲線等，以在表面區(qū)域達到足夠的平坦性。設定對于一種離子蝕刻的蝕刻深度，使得具有能夠確定界面區(qū)域的分辨率。
平均表面粗糙度(Ra)的評價
使用數(shù)字儀器(Digital Instrument)生產(chǎn)的D3100型的掃描探針顯微鏡進 行測量。掃描尺寸為1 x 1 pm，而數(shù)據(jù)像素為512 x 512。通常地，在很多 情況下，對于樹脂基底，特別是膜，添加作為滑動劑的無機填料以促進生 產(chǎn)。根據(jù)目的，選擇從納米級到微米級的無機填料的尺寸。然而，由于它 相對于本發(fā)明的所需平均表面粗糙度是非常大的，因此選擇使得滑動材料 沒有影響的區(qū)域作為平均表面粗糙度的測量區(qū)域。順便提及，在實際的生 產(chǎn)中，由于為了改善平滑性的目的而形成了表面平滑膜等，因此滑動材料 的不規(guī)則性被遮蓋。
掃描電子顯微鏡觀測
使用5kV的加速電壓和30。的樣品傾斜角，利用獲自日立高技術(shù)有限 公司(Hitachi High-Technologies Corporation)的S-4800場發(fā)射掃描電子顯
微鏡用于觀察。
實施例1
在室溫，將聚酰亞胺膜在1 x 1(^Pa或以下的高真空度中保持12小時， 以去除膜中的水，然后，接著將膜沉積開始時的基底溫度設定為30°C，并 且將膜沉積時的氣體壓力設定為30Pa，由此形成膜厚度為100nm的氮化 硅阻隔膜。界面區(qū)域的厚度(d)、該阻隔膜的平均表面粗糙度(Ra)和水蒸汽 滲透速率顯示在表1中。使用掃描電子顯微鏡觀察該阻隔膜的表面所獲得 的照相圖像顯示在圖6中。
實施例2
將聚酰亞胺膜設定在被加熱至100°C的基底支架上，并且在5 x l(T5Pa 或以下的高真空度中干燥，然后，接著將膜沉積開始時的基底溫度設定為 100。C，并且將膜沉積時的氣體壓力設定為30Pa，由此形成膜厚度為IOO nm的包含作為主要組分的氮化硅的阻隔膜。界面區(qū)域的厚度(d)、該阻隔
13膜的平均表面粗糙度(Ra)和水蒸汽滲透速率均顯示在表1中。
比較例1
在不使用從聚酰亞胺膜中去除水的特殊處理的情況下，將膜沉積開始 時的基底溫度設定為30°C，并且將膜沉積時的氣體壓力設定為30Pa，由 此形成膜厚度為100 nm的包含作為主要組分的氮化硅的阻隔膜。界面區(qū) 域的厚度(d)、該阻隔膜的平均表面粗糙度(Ra)和水蒸汽滲透速率均顯示在 表1中。使用掃描電子顯微鏡觀察該阻隔膜的表面所獲得的照相圖像顯示 在圖7中。
比較例2
在不使用從聚酰亞胺膜中去除水的特殊處理的情況下，將膜沉積開始 時的基底溫度設定為30°C，并且將膜沉積開始時的氣體壓力設定為4Pa， 由此形成膜厚度為100 nm的包含作為主要組分的氮化硅的阻隔膜。界面 區(qū)域的厚度(d)、該阻隔膜的平均表面粗糙度(Ra)和水蒸汽滲透速率均顯示 在表1中。
比較例3
用于各個實施例和比較例中的聚酰亞胺(UPILEX S)的膜的
平均表面粗糙度和水蒸汽滲透速率顯示在表1中。
在界面區(qū)域中的 厚度d(nm)平均表面粗糙度 (Ra) (nm)水蒸汽滲透速率 (g/m2/天)
實施例1110.480.06
實施例2190.540.19
比較例1322.860.07
比較例2271.780.08
比較例3—0.420.9權(quán)利要求
1.一種樹脂基底，其包括樹脂層和形成在所述樹脂層的表面上的表面層，其中所述表面層是包含作為主要組分的氮化硅并且是通過化學氣相沉積而沉積的層，并且在所述樹脂層和所述表面層之間的界面上，其上百分比從80％改變?yōu)?0％的界面區(qū)域具有不大于25nm的厚度，其中在所述表面層中的最大氮濃度和在樹脂層中的穩(wěn)態(tài)氮濃度之間的差被當作100％。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂基底，其中所述水蒸汽滲透速率為 不大于0.1 g/mV天，并且所述表面層的平均表面粗糙度(Ra)為不大于1 nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的樹脂基底，其中所述樹脂層包括 聚酰亞胺層。
4. 一種用于制備樹脂基底的方法，所述方法包括如下步驟提供樹脂層，以及通過催化化學氣相沉積，在所述樹脂層上形成包含作為主要組分的氮 化硅的表面層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制備樹脂基底的方法，所述方法包括在形成所述表面層的步驟之前，將所述樹脂層干燥的步驟。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制備樹脂基底的方法，其中在形成所述 表面層的步驟中，所述樹脂層在減壓下干燥，并且在保持所述減壓的同時 形成所述表面層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項所述的用于制備樹脂基底的方法， 其中所述樹脂層包含聚酰亞胺層。
全文摘要
本發(fā)明的樹脂基底具有樹脂層和形成在所述樹脂層的表面上的表面層，其中所述表面層是包含作為主要組分的氮化硅并且是通過化學氣相沉積法而沉積的層，并且在所述樹脂層和所述表面層之間的界面上，其上百分比從80％改變?yōu)?0％的界面區(qū)域具有不大于25nm的厚度，其中在所述表面層中的最大氮濃度和在樹脂層中的穩(wěn)態(tài)氮濃度之間的差被當作100％。表面層的平均表面粗糙度(Ra)為不大于1nm。樹脂基底具有水蒸汽阻隔和表面平坦性的性質(zhì)。
文檔編號B32B9/00GK101687389SQ200880022450
公開日2010年3月31日 申請日期2008年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者大山隆治, 橋本征典, 淺利伸, 藤長徹志, 高木牧子 申請人:株式會社愛發(fā)科;宇部興宇株式會社