專利名稱：膜的表面處理方法及裝置以及偏振片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本 發(fā)明涉及對樹脂膜的表面進行處理的方法及裝置、以及偏振片的制造方法，特別涉及在將難粘接性的樹脂膜和易粘接性的樹脂膜進行粘接時對上述難粘接性樹脂膜進行的表面處理方法等。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置中裝入有偏振片。偏振片使用粘接劑將保護膜與偏振膜粘接而構(gòu)成，其中所述偏振膜由作為主成分而包含聚乙烯醇(以下，適當稱為“PVA”)的樹脂膜(以下，適當稱為“PVA膜”)構(gòu)成，所述保護膜由作為主成分而包含三乙酸纖維素(以下，適當稱為“TAC”)的樹脂膜(以下，適當稱為“TAC膜”)構(gòu)成。作為粘接劑，使用聚乙烯醇系或聚醚系等水系粘接劑。雖然PVA膜與上述粘接劑之間的粘接性良好，但TAC膜與上述粘接劑之間的粘接性不好。于是，通常TAC膜在進行粘接之前，被浸入氫氧化鈉或氫氧化鉀等的堿性水溶液中而被進行皂化處理。由此，TAC膜的表面因加水分解而使親水性提高，從而使粘接劑容易附著于TAC膜。作為皂化處理之外的表面處理方法，例如在專利文獻1中，提出有如下方法利用氦和氬的混合氣體在大氣壓下對被處理物的表面進行等離子體處理后，通過噴槍噴出丙烯酸，使丙烯酸接枝聚合，從而對被處理物的表面進行改性。在專利文獻2中，提出有如下方法將氮、氬等惰性氣體與有機系薄膜形成用氣體混合，在大氣壓下使該混合氣體進行等離子體放電并供給到被處理物，以提高被處理物的親水性。專利文獻1 日本特許第3292924號公報專利文獻2 日本特開2006-299000號公報發(fā)明人等得到如下見解在使用等離子體處理裝置進行用于提高難粘接性樹脂膜的粘接性的表面處理的情況下，因等離子體內(nèi)的氧的濃度不同而導(dǎo)致粘接性產(chǎn)生變動。若氧濃度超過一定量，則不能得到足夠的粘接強度(參照后述實施例1)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的膜處理方法是基于上述見解而作出的，其是對與易粘接性樹脂膜粘接的難粘接性樹脂膜的表面進行處理的方法，所述膜表面處理方法的特征在于，利用等離子體使聚合性單體活化并使其與配置在接近大氣壓的處理空間的所述難粘接性樹脂膜反應(yīng)，將所述處理空間內(nèi)的氧濃度(體積濃度)設(shè)定為3000ppm以下。而且，本發(fā)明的等離子體表面處理裝置是對與易粘接性樹脂膜粘接的難粘接性樹脂膜的表面進行處理的裝置，該膜表面處理裝置的特征在于，具有等離子體處理部，該等離子體處理部利用等離子體使聚合性單體活化并使其與配置于接近大氣壓的處理空間的難粘接性樹脂膜接觸，所述處理空間內(nèi)的氧濃度為0以上3000ppm以下。聚合性單體的活化包含聚合性單體的斷裂、聚合、分解?；罨木酆闲詥误w與難粘接性樹脂膜發(fā)生反應(yīng)。例如，可認為難粘接性樹脂膜表面的c-c、c-o、C-H等的鍵因其與等離子體氣體的接觸或等離子體光的照射而被切斷，在該鍵切斷部接枝聚合聚合性單體的聚合物?；蛘?，可認為在鍵切斷部結(jié)合自聚合性單體分解的官能團。由此，可認為在難粘接性樹脂膜的表面形成有粘接性促進層。通過將處理空間內(nèi)的氧濃度設(shè)為3000ppm以下， 可以防止對聚合性單體的活化、與鍵切斷部的結(jié)合等反應(yīng)產(chǎn)生阻礙，可以在難粘接性樹脂膜的表面切實地形成粘接性促進層。由此，可以切實地提高難粘接性樹脂膜的粘接性。在上述膜處理方法中，優(yōu)選為，在所述處理空間內(nèi)產(chǎn)生放電，將含有所述聚合性單體的蒸氣的工藝氣體供給到所述處理空間內(nèi)，且將所述工藝氣體的供給流量設(shè)定為使所述處理空間內(nèi)的氧濃度達到0以上3000ppm以下。在上述膜處理裝置中，優(yōu)選為，所述等離子體處理部具有在所述處理空間內(nèi)產(chǎn)生放電的一對電極，還具有工藝氣體供給系統(tǒng)，該工藝氣體供給系統(tǒng)將含有所述聚合性單體的蒸氣的工藝氣體供給到所述處理空間內(nèi)，所述工藝氣體供給系統(tǒng)的工藝氣體的供給流量被設(shè)定為使所述處理空間內(nèi)的氧濃度在O以上3000ppm以下。通過向處理空間內(nèi)供給工藝氣體，可以將處理空間內(nèi)的空氣等氣體趕出而置換為工藝氣體。通過調(diào)節(jié)工藝氣體的供給流量，可以調(diào)節(jié)處理空間內(nèi)的氧含量。在上述情況下， 處理空間成為放電空間。作為處理對象的難粘接性樹脂膜配置在放電空間內(nèi)，并與放電空間內(nèi)的等離子體直接接觸。所述處理空間內(nèi)的氧濃度優(yōu)選為2000ppm以下，更優(yōu)選為IOOOppm以下。優(yōu)選的是，設(shè)定所述工藝氣體的供給流量，以使所述處理空間內(nèi)的氧濃度優(yōu)選為 2000ppm以下、更優(yōu)選為IOOOppm以下。由此，可以更切實地提高難粘接性樹脂膜的粘接性。在上述膜處理方法中，優(yōu)選為，使所述難粘接性樹脂膜相對于所述處理空間相對移動，將所述相對移動的速度設(shè)為lOm/min以上。在上述膜處理裝置中，優(yōu)選為，還具有使所述難粘接性樹脂膜相對于所述處理空間進行相對移動的移動機構(gòu)，由所述移動機構(gòu)進行的所述相對移動的速度為lOm/min以上。若使難粘接性樹脂膜相對移動，則空氣等環(huán)境氣體容易與難粘接性樹脂膜一起被卷入處理空間內(nèi)。若使難粘接性樹脂膜的相對移動速度增大，則環(huán)境氣體的卷入流量增大。 因此，與處理空間內(nèi)的氧濃度的上升相關(guān)聯(lián)。于是，增大工藝氣體的供給流量。由此，可以將卷入的環(huán)境氣體自處理空間趕出，從而使處理空間內(nèi)的氧濃度成為所希望的濃度大小。由此，可以在確保難粘接性樹脂膜的良好的粘接性的同時增大難粘接性樹脂 膜的相對移動速度，從而可以進行高速處理。難粘接性樹脂膜的相對移動速度既可以是20m/min以上，也可以是30m/min以上。 根據(jù)相對移動速度的增大，增大工藝氣體的供給流量，從而可以將放電空間內(nèi)的氧濃度形成為3000ppm以下，優(yōu)選形成為2000ppm以下，更優(yōu)選形成為IOOOppm以下。難粘接性樹脂膜的相對移動速度的上限可以根據(jù)移動機構(gòu)等的性能和工藝氣體的供給能力等適當設(shè)定。 例如，難粘接性樹脂膜的相對移動速度的上限優(yōu)選為60m/min左右。 所述工藝氣體優(yōu)選為實質(zhì)上不含有氧氣。 通過將處理空間內(nèi)的空氣等氣體置換為工藝氣體，可以切實地降低處理空間內(nèi)的氧濃度。實質(zhì)上不含有氧氣這種情況除包含工藝氣體的氧含量為零的情況之外，也包含如下情況，即含有不會影響到表面處理的微量的氧的情況。具體而言，實質(zhì)上不含有氧氣的工藝氣體的氧濃度(體積濃度)優(yōu)選為O以上Ippm以下，更優(yōu)選為O以上0. Ippm以下，進一步優(yōu)選為0以上0. Olppm以下。 接近大氣壓的所述處理空間既可以與大氣連通，也可以朝大氣敞開。在此，接近大氣壓指的是1.013X104 50.663X 104Pa的范圍，若考慮到壓力調(diào)節(jié)的容易化和裝置構(gòu)成的簡化，則優(yōu)選為1. 333X IO4 10. 664X IO4Pa,更優(yōu)選為 9. 331 X IO4 10. 397 X IO4Pa0在本發(fā)明的等離子體表面處理裝置中，所述一對電極分別構(gòu)成使軸線朝軸向的圓筒狀，且沿與所述軸向正交的排列方向平行排列，所述電極彼此之間的最窄部位及其周邊構(gòu)成所述處理空間，并且，還具有一對側(cè)部堵塞部件，該一對側(cè)部堵塞部件隔著所述處理空間而設(shè)置于與所述軸向及所述排列方向正交的正交方向的兩側(cè)且沿所述軸向延伸，所述一對側(cè)部堵塞部件跨在所述一對電極的所述周面彼此之間，并在與所述各電極的周面之間形成允許所述難粘接性樹脂膜向所述各電極卷繞的間隙，所述一對側(cè)部堵塞部件中的至少一個構(gòu)成所述工藝氣體供給系統(tǒng)的下游端的工藝氣體噴嘴。利用一對側(cè)部堵塞部件，可以將處理空間的所述正交方向的兩側(cè)大致堵塞。由此， 可以防止或抑制外部的包含氧的環(huán)境氣體自電極的周面彼此間侵入處理空間內(nèi)。因此，可以切實地將處理空間內(nèi)的氧濃度設(shè)為規(guī)定值(3000ppm)以下，從而可以切實地提高難粘接性樹脂膜的粘接性。所述間隙的厚度優(yōu)選為所述一對電極彼此間的最窄部位的間隔以下，更優(yōu)選為所述處理空間的厚度以下。由此，即便減小工藝氣體的供給流量，也可以切實地將處理空間內(nèi)的氧濃度設(shè)為規(guī)定值(3000ppm)以下。在此，所述處理空間的厚度，其大小相當于自所述一對電極彼此間的最窄部位的間隔減去所述難粘接性樹脂膜的兩倍厚度后的大小。所述一對電極彼此之間的最窄部位的間隔至少比所述難粘接性樹脂膜的厚度的兩倍大，且優(yōu)選為 3mm以下，更優(yōu)選為Imm以下。將難粘接性樹脂膜卷繞在圓筒狀電極的周面并使圓筒狀電極旋轉(zhuǎn)，從而可以輸送難粘接性樹脂膜。圓筒狀電極可以兼作上述移動機構(gòu)起作用。在本發(fā)明的等離子體表面處理裝置中，還具有軸端堵塞部件，該軸端堵塞部件跨在所述一對電極及所述一對側(cè)部堵塞部件的、所述軸向上的彼此相同側(cè)的端部之間，且蓋上所述處理空間在所述軸向上的所述相同側(cè)的端部。根據(jù)軸端堵塞部件，可以抑制或防止外部的包含氧的環(huán)境氣體自處理空間軸向的端部進入處理空間內(nèi)。因此，即便使工藝氣體的供給流量更小，也可以將處理空間內(nèi)的氧濃度切實地設(shè)為規(guī)定值(3000ppm)以下。進而，可以切實地提高難粘接性樹脂膜的粘接性。在所述軸端堵塞部件和圓筒狀電極的軸向端部之間，可以形成有迷宮式密封件。 例如，在所述軸端堵塞部件的朝向所述電極的側(cè)面，形成有部分環(huán)狀的凸部，在所述電極的軸向端面形成有環(huán)狀的凹槽，通過使這些凸部和凹槽嚙合，來構(gòu)成上述迷宮式密封件?；蛘?，作為上述迷宮式密封件，也可以構(gòu)成為在所述軸端堵塞部件的朝向所述電極的側(cè)面， 形成有部分環(huán)狀的凹槽，在所述電極的軸向端面形成有環(huán)狀的凸部。
難粘接性樹脂膜指的是相比與該膜粘接的粘接對象側(cè)的膜、相對于粘接劑的粘接性相對低的膜。易粘接性樹脂膜指的是相比與該膜粘接的粘接對象側(cè)的膜、相對于粘接劑的粘接性相對高的膜。同一膜，因被粘接的粘接對象側(cè)的膜不同，既可以構(gòu)成難粘接性樹脂膜，也可以構(gòu)成易粘接性樹脂膜。作為所述難粘接性樹脂膜的主成分，例如例舉三乙酸纖維素(TAC)、聚丙烯(PP)、 聚乙烯(PE)、環(huán)烯烴聚合物(COP)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亞胺(PI)等。
作為所述易粘接性樹脂膜的主成分，例如例舉聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。作為聚合性單體，例舉具有不飽和鍵及規(guī)定的官能團的單體。規(guī)定的官能團優(yōu)選從羥基、羧基、乙酰基、縮水甘油基、環(huán)氧基、碳原子數(shù)1 10的酯基、磺基、醛基中選擇，特別優(yōu)選羧基或羥基等親水基。作為具有不飽和鍵及羥基的單體，例舉甲基丙烯酸乙二醇酯、烯丙醇、甲基丙烯酸羥乙酯等。作為具有不飽和鍵及羧基的單體，例舉丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、2-甲基丙烯?；岬?。作為具有不飽和鍵及乙?；膯误w，例舉乙酸乙烯酯等。作為具有不飽和鍵及縮水甘油基的單體，例舉甲基丙烯酸縮水甘油基酯等。作為具有不飽和鍵及酯基的單體，例舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸2-乙酯等。作為具有不飽和鍵及醛基的單體，例舉丙烯醛、丁烯醛等。優(yōu)選為，所述聚合性單體是具有乙烯性不飽和雙鍵及羧基的單體。作為該單體，例舉丙烯酸(CH2 = CHC00H)、甲基丙烯酸(CH2 = C(CH3)COOH)。所述聚合性單體優(yōu)選為丙烯酸或甲基丙烯酸。由此，可以切實地提高難粘接性樹脂膜的粘接性。所述聚合性單體更優(yōu)選為丙烯酸。所述聚合性單體也可以通過載氣進行輸送。載氣優(yōu)選從氮、氬、氦等惰性氣體中選擇。從經(jīng)濟性方面來看，作為載氣，優(yōu)選使用氮。丙烯酸和甲基丙烯酸等聚合性單體在常溫常壓下大多為液相。這樣的聚合性單體可以如下得到，即在惰性氣體等載氣中氣化而得到由聚合性單體蒸氣和載氣的混合氣體構(gòu)成的含聚合性單體氣體。作為使聚合性單體在載氣中氣化的方法，例舉利用載氣擠出聚合性單體液的液面上的飽和蒸氣的方法、使載氣在聚合性單體液中起泡的方法、對聚合性單體液進行加熱以促進蒸發(fā)的方法等。也可以一并使用擠出和加熱、或一并使用起泡和加熱。在進行加熱氣化時，考慮到加熱器的負載，聚合性單體優(yōu)選沸點為300°C以下的物質(zhì)。而且，聚合性單體優(yōu)選不會因加熱而分解(化學變化)的物質(zhì)。另外，在本發(fā)明的偏振片的制造方法中，所述難粘接性樹脂膜為透明的保護膜，所述易粘接性樹脂膜為偏振膜，所述制造方法的特征在于，在實施上述膜表面處理方法后，經(jīng)由透明的粘接劑將所述難粘接性樹脂膜與易粘接性樹脂膜粘接。通過采用上述表面處理方法，可以確保粘接性，進而可以提高偏振片的品質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，可以切實地提高難粘接性樹脂膜的粘接性，從而可以提高處理質(zhì)量。


圖1是概略表示本發(fā)明第一實施方式的表面處理裝置的主視圖。圖2(a)是偏振片的剖視圖、(b)是帶有硬涂層的偏振片的剖視圖。圖3是概略表示本發(fā)明第二實施方式的表面處理裝置的主視圖。圖4是概略表示本發(fā)明第三實施方式的表面處理裝置的等離子體處理部的主視圖。圖5是第三實施方式的等離子體處理部的立體圖。圖6是表示第三實施方式的變形例的主視圖。圖7是概略表示本發(fā)明第四實施方式的表面處理裝置的等離子體處理部的主視圖。圖8是將電極示為假想線來表示第四實施方式的等離子體處理部的立體圖。圖9是沿著圖7的IX-IX線的剖視圖。圖10是概略表示本發(fā)明第五實施方式的表面處理裝置的等離子體處理部的主視圖。圖11是沿著圖10的XI-XI線的剖視圖。圖12是表示第五實施方式的變形例的主視圖。圖13是沿著圖12的XIII-XIII線的剖視圖。圖14是在圖12中配置于紙面里側(cè)的軸端堵塞部件的立體圖。圖15是實施例1所使用的表面處理裝置的概略構(gòu)成圖。圖16是表示實施例3的結(jié)果的曲線圖。圖17是實施例5所使用的軸端堵塞部件的立體圖。
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施方式。圖2是表示利用本發(fā)明的實施方式的表面處理方法制作的液晶顯示器用偏振片 10的圖。如圖2(a)所示，偏振片10具有偏振膜12和層疊于該偏振膜12的兩面的一對保護膜11。保護膜11由以三乙酸纖維素(TAC)為主成分的TAC膜構(gòu)成。TAC膜11的三乙酸纖維素的含量為90質(zhì)量％以上。在TAC膜11中還可以含有3 10質(zhì)量％左右的磷酸三苯酯(TPP)等磷酸酯增塑劑，也可以含有紫外線吸收劑。TAC膜11的厚度并未特別限定，例如為幾十μ m 一百幾十μπι。TAC膜11的制造方法并未特別限定，例如由鑄膜法制造。偏振膜12由以聚乙烯醇(PVA)為主成分的PVA膜12構(gòu)成。TAC膜11和PVA膜12利用粘接劑13粘接在一起。作為粘接劑13，并非特別限定， 但考慮到使其適用于光學膜10，優(yōu)選使用透明的水系粘接劑。作為水系粘接劑，例舉以聚乙烯醇水溶液、聚乙烯醇縮丁醛溶液等為主成分的聚乙烯醇系粘接劑液、以丁基丙烯酸酯等為主成分的乙烯基系聚合系膠乳、以聚烯烴系多元醇等為主成分的烯烴系水性粘接劑、 聚醚系粘接劑等。作為粘接劑13，更優(yōu)選使用以聚乙烯醇水溶液為主成分的聚乙烯醇系粘接劑。在圖2(b)所 示的偏振片10中，在一側(cè)的TAC膜11的表側(cè)面(與PVA膜12粘接的粘接面的相反側(cè)的面)上，作為功能層而層疊有硬涂層14。也可以代替硬涂層14而層疊有AR層、其他功能層。TAC膜11與粘接劑13的粘接性低，其構(gòu)成難粘接性樹脂膜。PVA膜12與粘接劑 13的粘接性高，其構(gòu)成易粘接性樹脂膜。難粘接性的TAC膜11在與易粘接性的PVA膜12 粘接時，為了提高粘接性而實施表面處理。圖1是表示上述的表面處理所使用的表面處理裝置1的圖。表面處理裝置1具有 等離子體處理部2和工藝氣體供給系統(tǒng)3。等離子體處理部2具有一對電極21。這些電極 21構(gòu)成彼此為相同大小的滾筒狀(圓柱形或圓筒形)，使軸線朝向與圖1正交的軸向，且沿左右(排列方向)排列。以下，在相互區(qū)分兩個電極21時，在左側(cè)電極21的附圖標記上標注“L”，在右側(cè)電極21的附圖標記上標注“R”。所述電極21之間的最窄部分周邊的空間構(gòu)成接近大氣壓的處理空間22。處理空間22的上下兩端敞開而與大氣連通。電極21之間的最窄部分的厚度為0. 5mm 數(shù)mm左右，處理空間22狹窄。一對電極21中的一個電極與電源23的高壓端子連接，另一個電極21接地。在此， 左側(cè)的電極21L與電源23連接，右側(cè)的電極21R接地，但也可以構(gòu)成為電源23與電極21R 連接，電極21L接地。通過自電源23供給電壓，在電極21、21之間形成電場，上述處理空間 22構(gòu)成接近大氣壓的放電空間。自電源23供給的電壓及電極21之間的電場例如構(gòu)成脈沖狀。脈沖的上升時間及/或下降時間優(yōu)選為10 μ s以下，電場強度優(yōu)選為10 lOOOkV/cm， 頻率優(yōu)選為0. 5 100kHz。施加電壓及電場并不限于脈沖狀的間歇波，也可以是正弦波等連續(xù)波。輥電極21兼具有作為被處理物即TAC膜11的支承機構(gòu)及移動機構(gòu)的功能。連續(xù)片狀的TAC膜11跨兩個輥電極21、21，在各輥電極21的上側(cè)周面例如卷繞半圈左右。輥電極21、21彼此之間的TAC膜11穿過處理空間22向下方伸出并卷繞于一對折返輥27、27而折返。利用兩個輥電極21的旋轉(zhuǎn)，TAC膜11向一個方向(右方)輸送。通過調(diào)節(jié)輥電極 21的旋轉(zhuǎn)速度，可以調(diào)節(jié)TAC膜11的移動速度。在各輥電極21的內(nèi)部裝入有膜溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)28。膜溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)28由溫度調(diào)節(jié)流路構(gòu)成。規(guī)定溫度的溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)在輥電極21內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)流路中流通。作為溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)，例如使用水。由此，可以調(diào)節(jié)輥電極21的溫度，進而可以調(diào)節(jié)TAC膜11的與輥電極21相接觸的部分的溫度。TAC膜11的溫度優(yōu)選為室溫以上。在此，室溫通常為20 25°C，更通常為25°C。接下來，說明工藝氣體供給系統(tǒng)3。工藝氣體供給系統(tǒng)3具有聚合性單體供給源30和惰性氣體供給源31。聚合性單體供給源30由恒溫容器(恒溫槽)構(gòu)成。在恒溫容器30內(nèi)，作為表面處理的反應(yīng)成分而蓄積有聚合性單體。聚合性單體優(yōu)選具有不飽和鍵及規(guī)定的官能團，更優(yōu)選具有親水性。作為聚合性單體，更優(yōu)選使用丙烯酸或甲基丙烯酸。在此，作為聚合性單體，使用丙烯酸(CH2 = CHCOOH)。丙烯酸是具有乙烯性不飽和雙鍵及羧基的親水性聚合性單體。丙烯酸AA以液體狀態(tài)被收納在恒溫容器30內(nèi)。在恒溫容器30內(nèi)的液體丙烯酸AA的液面的上側(cè)部分，存在自液體丙烯酸AA氣化的丙烯酸的飽和蒸氣。
在恒溫容器30內(nèi)，作為氣化機構(gòu)而裝入有加熱器32。容器20內(nèi)的液體丙烯酸AA 利用加熱器32被加熱而氣化。根據(jù)液體丙烯酸AA的加熱溫度，可以調(diào)節(jié)丙烯酸的氣化量。 考慮到丙烯酸蒸氣具有爆炸性，丙烯酸AA的加熱溫度優(yōu)選設(shè)為150°C以下，更優(yōu)選設(shè)為不到丙烯酸的閃點(54°C)，進一步優(yōu)選設(shè)為室溫(25°C) 80°C左右；若考慮到閃點，則更優(yōu)選為室溫(25°C) 50°C左右。即便接近室溫，當丙烯酸的氣化量滿足需要量時，也可以省略加熱器32。另外，丙烯酸的燃點為360°C。丙烯酸的閃點為54°C。順便說一下，甲基丙烯酸的燃點為360°C。甲基丙烯酸的閃點為77°C。在惰性氣體供給源31中充有惰性氣體。惰性氣體起如下作用作為輸送聚合性單體蒸氣的載氣的作用和作為用于在處理空間22內(nèi)生成等離子體的等離子體生成用氣體的作用。在此，作為惰性氣體，使用氮氣，但除氮氣之外，也可以使用氬氣、氦氣等其他惰性氣體。載氣或者等離子體生成用氣體優(yōu)選為實質(zhì)上不含有氧。 惰性氣體供給流路33自惰性氣體供給源31延伸。惰性氣體供給流路33分支為等離子體生成用氣體流路34和載流路徑35。在這些流路34、35分別設(shè)置有流量調(diào)節(jié)機構(gòu) 34v、35v。流量調(diào)節(jié)機構(gòu)34v、35v由質(zhì)量流控制器或流量控制閥等構(gòu)成。利用這些流量調(diào)節(jié)機構(gòu)34v、35v，調(diào)節(jié)惰性氣體向各路34、35的分流比。載流路徑35與恒溫容器30連接。載流路徑35的前端部插入恒溫容器30的內(nèi)部而開口且位于丙烯酸AA液面的上側(cè)部分。也可以將載流路徑35的前端部延伸至丙烯酸AA的液體內(nèi)部，在丙烯酸AA內(nèi)使氮氣起泡。聚合性單體蒸氣流路36自恒溫容器30的上側(cè)部延伸。等離子體生成用氣體流路 34與聚合性單體蒸氣流路36匯合。工藝氣體流路37自上述流路34、36的匯合部向等離子體處理部2延伸。在聚合性單體蒸氣流路36及工藝氣體流路37設(shè)置有氣體溫度調(diào)節(jié)機構(gòu) 38。氣體溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)38例如由帶式加熱器構(gòu)成，將構(gòu)成聚合性單體蒸氣流路36及工藝氣體流路37的管的整個外周覆蓋。利用氣體溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)38，可以調(diào)節(jié)在聚合性單體蒸氣流路36及工藝氣體流路37流過的氣體的溫度。在工藝氣體流路37的前端部設(shè)置有工藝氣體噴嘴39。工藝氣體噴嘴39配置于一對輥電極21之間的上側(cè)部分。工藝氣體噴嘴39前端的開口朝下并與處理空間22相對。 工藝氣體噴嘴39的前端部越到下側(cè)越變細，并插入到輥電極21之間的逐漸變窄的部分。雖省略詳細的圖示，但工藝氣體噴嘴39沿與圖1的紙面正交的軸向延伸成與TAC 膜11的寬度大致相同的寬度或比TAC膜11的寬度長。在工藝氣體噴嘴39的內(nèi)部，形成有使來自工藝氣體供給流路37的氣體沿上述軸向(圖1的紙面正交方向)均勻分散的整流路徑。整流路徑包含沿上述軸向延伸的腔室或狹縫、或沿上述軸向分散配置的多個小孔等。 也可以使具有上述整流路徑的整流部自工藝氣體噴嘴39分離且配置于工藝氣體流路37的前端和工藝氣體噴嘴39之間。工藝氣體噴嘴39前端的吹出口與整流路徑相連。工藝氣體噴嘴39的吹出口構(gòu)成沿與圖1的紙面正交的方向延伸的狹縫狀。工藝氣體噴嘴39的吹出口也可以構(gòu)成沿著與圖1的紙面正交的方向隔著間隔地配置的多個小孔狀。并且，在工藝氣體噴嘴39的內(nèi)部，形成有溫度調(diào)節(jié)流路(省略圖示)。規(guī)定溫度的溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)在溫度調(diào)節(jié)流路流過。作為溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)，例如使用水?？梢岳脺囟日{(diào)節(jié)介質(zhì)將工藝氣體噴嘴39的構(gòu)造體維持在規(guī)定溫度，進而可以對在工藝氣體噴嘴39內(nèi)通過的氣體的溫度進行調(diào)節(jié)，進而可以調(diào)節(jié)自工藝氣體噴嘴39吹出的氣體的溫度。說明使用上述構(gòu)成的膜表面處理裝置1對TAC膜11進行表面處理進而制造偏振片10的方法。[工藝氣體供給步驟] 將惰性氣體供給源31的氮氣自惰性氣體供給流路33分配到等離子體生成用氣體流路34和載流路徑35。利用流量調(diào)節(jié)機構(gòu)34v、35v來調(diào)節(jié)分配比。分流到載流路徑35 的氮氣被導(dǎo)入恒溫容器30，將恒溫容器30內(nèi)的液體丙烯酸的液面上側(cè)的丙烯酸蒸氣擠出到聚合性單體蒸氣流路36。在工藝氣體流路37，來自聚合性單體蒸氣流路36的氣體(氮 +丙烯酸蒸氣)和來自等離子體生成用氣體流路34的氮氣混合，從而生成工藝氣體?？紤]到爆炸極限，工藝氣體(丙烯酸+氮)中的丙烯酸的濃度優(yōu)選為2%以下，更優(yōu)選為左右。工藝氣體的濃度可以根據(jù)氮氣向兩條流路34、35分配的分配比、由加熱器32加熱的丙烯酸的加熱溫度來進行調(diào)節(jié)。該工藝氣體經(jīng)過工藝氣體流路37被輸送到工藝氣體噴嘴39。 工藝氣體在工藝氣體噴嘴39中沿TAC膜11的寬度方向(圖1的紙面正交方向)被均勻化后，向處理空間22吹出。[等離子體處理步驟]根據(jù)來自電源23的電壓供給，在電極21、21之間形成大氣壓放電，從而將電極間空間22構(gòu)成放電空間。由此，工藝氣體中的氮被等離子體化，且丙烯酸蒸氣被活化，引起雙鍵的斷裂、聚合等。另外，通過使氮等離子體向TAC膜11接觸、照射來自氮等離子體的紫外線(337nm)，TAC膜11的表面分子的C-C、C-0、C-H等鍵被切斷。可考慮在該鍵切斷部結(jié)合 (接枝聚合)丙烯酸的聚合物、或者結(jié)合自丙烯酸分解的COOH基等。由此，在TAC膜11的表面形成粘接性促進層。[溫度調(diào)節(jié)步驟]并且，利用氣體溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)38，將在聚合性單體蒸氣流路36及工藝氣體流路37 中通過的氣體溫度調(diào)節(jié)為所希望的溫度。且利用工藝氣體噴嘴39內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)流路，將在工藝氣體噴嘴39中通過的工藝氣體溫度調(diào)節(jié)為所希望的溫度。由此，可以將工藝氣體自工藝氣體噴嘴39吹出時的溫度(以下稱為“吹出溫度”)設(shè)為設(shè)定溫度。吹出溫度的上限優(yōu)選設(shè)定在TAC膜11不會產(chǎn)生溶脹等熱變形的范圍。TAC膜11不產(chǎn)生溶脹等熱變形的極限溫度也取決于處理條件等，例如為80°C左右。從防止在氣體流路36、37及噴嘴39內(nèi)結(jié)露的觀點來看，吹出溫度的下限優(yōu)選為室溫以上。吹出溫度優(yōu)選為35°C 80°C左右，更優(yōu)選為 40°C 50°C左右。并且，利用膜溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)28，將TAC膜11的與輥電極21接觸的部分的溫度(以下稱為“膜溫度”)維持在比工藝氣體的吹出溫度低的所希望的溫度。優(yōu)選為，使膜溫度比吹出溫度低5°C以上。更優(yōu)選為，使膜溫度比吹出溫度低10°C以上。通過該溫度調(diào)節(jié)，例如即便在10m/S以上的高速輸送條件下，也可以使丙烯酸切實地冷凝(擔載)在TAC膜11的表面，進而，可以在TAC膜11的表面切實地形成包含丙烯酸的接枝聚合物的粘接性促進層。[移動步驟]與上述的工藝氣體供給步驟及等離子體處理步驟同時地，使輥電極21向圖1中順時針方向連續(xù)旋轉(zhuǎn)，將TAC膜11向右方輸送。TAC膜11的各點(被處理部位)卷繞在左側(cè)的輥電極21上，此后在即將自該左側(cè)的輥電極21離開之前通過處理空間22，在利用折返輥27、27折返后，卷在右側(cè)的輥電極21上并再次通過處理空間22。TAC膜11的各點(被處理部位)在每次通過處理空間22時被等離子體處理。因此，可以在一個處理空間22內(nèi)對TAC膜11進行兩次表面處理。[工藝氣體流量調(diào)節(jié)步驟]在此，伴隨著左側(cè)輥電極21上的TAC膜11的移動，該TAC膜11周邊的環(huán)境氣體 (空氣)與該TAC膜11 一起被卷入處理空間22內(nèi)。存在如下趨勢TAC膜11的移動速度越大，則空氣的卷入量越大。與此相應(yīng)地，增大工藝氣體的供給流量。優(yōu)選為，通過將載流路徑35的流量保持一定的同時對等離子體生成用氣體流路34的流量進行調(diào)節(jié)，來調(diào)節(jié)工藝氣體的供給流量。由此，將處理空間22內(nèi)的氣體置換為工藝氣體(幾乎全部為氮、余量為丙烯酸蒸氣)，自處理空間22將空氣進而氧趕出?？傊谏鲜龉に嚉怏w供給步驟中，設(shè)定工藝氣體的供給流量，以使處理空間22 內(nèi)的氧濃度為規(guī)定值以下。具體而言，使處理空間22內(nèi)的氧濃度優(yōu)選為3000ppm、更優(yōu)選為 2000ppm、進一步優(yōu)選為IOOOppm以下。由此，可以防止對等離子體處理步驟中的丙烯酸的斷裂或聚合、TAC膜11表面分子的C-C、C-0、C-H等的鍵切斷、丙烯酸的聚合物或官能團與上述鍵切斷部之間的結(jié)合等反應(yīng)產(chǎn)生阻礙。因此，可以在TAC膜11的表面切實地形成粘接性促進層，從而可以使處理質(zhì)量穩(wěn)定。并且，可以增大TAC膜11的輸送速度而不用擔心空氣被卷入處理空間22內(nèi)。因此，可以縮短處理時間。[粘接步驟]將通過如上步驟進行了表面處理的難粘接性樹脂的TAC膜11利用粘接劑13與易粘接性樹脂的PVA膜12粘接。由于在TAC膜11的表面切實地形成有粘接性促進層，因此， 可以將TAC膜11與PVA膜12牢固地粘接。由此，可以得到品質(zhì)良好的偏振片10。接下來，對本發(fā)明其他實施方式的表面處理裝置進行說明。在以下的實施方式中， 對于與第一實施方式重復(fù)的構(gòu)成，在圖上標注同一附圖標記并省略說明。圖3表示本發(fā)明的第二實施方式。在第二實施方式中，在等離子體生成部2設(shè)置有三個輥電極21。三個電極21構(gòu)成彼此大小相同的滾筒狀(圓柱形)，使軸線朝向與圖3 正交的方向并沿左右排列。在將三個電極21彼此區(qū)分時，將左側(cè)的電極21標記為“電極 21L”、將中央的電極21標記為“電極21C”、將右側(cè)的電極21標記為“電極21R”。中央的輥電極21C與電源23連接。左右的輥電極21L、21R接地。通過自電源23 供給電壓，在相鄰電極21L、21C之間及電極21C、21R之間形成電場，這些電極間的最窄部分周邊的空間構(gòu)成接近大氣壓的處理空間22。在將兩個處理空間22彼此區(qū)分時，將左側(cè)和中央的電極21L、2IC之間的處理空間22標記為“處理空間22k”、將中央和右側(cè)的電極21C、 21R之間的處理空間22標記為“處理空間22B”。 連續(xù)片狀的TAC膜11跨三個輥電極21，在各輥電極21上側(cè)的周面上例如卷繞半圈左右。相鄰的輥電極21彼此間的TAC膜11向處理空間22下方伸出，卷繞在一對折返輥 27、27上并折返。利用三個輥電極21的旋轉(zhuǎn)，TAC膜11朝一個方向(右方)被輸送。在第二實施方式中，作為氣體供給系統(tǒng)，設(shè)置有第一工藝氣體供給系統(tǒng)3A和第二工藝氣體供給系統(tǒng)4。第一工藝氣體供給系統(tǒng)3A構(gòu)成與第一實施方式的工藝氣體供給系統(tǒng) 3同樣的構(gòu)成。工藝氣體噴嘴39配置在左側(cè)和中央的輥電極21L、21C之間，且與放電空間22A相對。第一工藝氣體供給系統(tǒng)3A將含有丙烯酸蒸氣的工藝氣體供給到放電空間22A。第二工藝氣體供給系統(tǒng)4具有第二工藝氣體供給源41和第二工藝氣體噴嘴43。 第二工藝氣體供給源41蓄積作為第二工藝氣體的氮。作為第二工藝氣體，也可以使用氬、 氦等其他惰性氣體。第二工藝氣體供給流路42自第二工藝氣體供給源41向等離子體處理部2延伸。第二工藝氣體噴嘴43與供給流路42的前端部相連。第二工藝氣體噴嘴43配置在中央和右側(cè)的輥電極21C、21R之間，并與放電空間22B相對。第二工藝氣體供給源41 的氮經(jīng)過供給流路42自噴嘴43被吹出到處理空間22B。在相互區(qū)分供給到兩個處理空間22A、22B的氣體時，將供給到處理空間22A的氣體(丙烯酸蒸氣+氮)標記為“第一工藝氣體”、將供給到處理空間22B的氣體(氮)標記為“第二工藝氣體”。第一、第二工藝氣體供給源31、41也可以由共用的惰性氣體供給源構(gòu)成。在第二實施方式中，向左側(cè)和中央的輥電極21L、21C之間的放電空間22A供給第一工藝氣體(丙烯酸+氮)并進行等離子體化，從而在TAC膜11的表面形成含有丙烯酸的聚合物等的粘接促進層。此時，設(shè)定第一工藝氣體的流量，以使放電空間22A內(nèi)的氧濃度優(yōu)選為IOOOppm以下、更優(yōu)選為lOOOppm。接著，在中央和右側(cè)的輥電極21C、21R之間的放電空間22B，對第二工藝氣體(僅有氮)進行等離子體化并使其與TAC膜11接觸。由此，可以使TAC膜11表面的未反應(yīng)的丙烯酸活化，從而可以更可靠地形成粘接促進層。因此，可以切實地提高TAC膜11的粘接性。圖4及圖5表示本發(fā)明的第三實施方式。第三實施方式的等離子體表面處理裝置 1具有對處理空間22進行堵塞的堵塞機構(gòu)7。堵塞機構(gòu)7包含一對側(cè)部堵塞部件71、72。 側(cè)部堵塞部件71、72隔著處理空間22而配置在上下方向(與電極21的軸向及排列方向正交的正交方向)的兩側(cè)。上述堵塞部件71、72構(gòu)成與電極21的軸向平行延伸的長條狀。上側(cè)的側(cè)部堵塞部件71配置成跨在輥電極21、21的處理空間22上側(cè)的周面彼此之間。側(cè)部堵塞部件71的與長度方向正交的截面構(gòu)成為隨著朝向下方而前端變細。側(cè)部堵塞部件71的下端部插入至一對電極21、21彼此間的最窄部位附近、換言之插入至放電空間附近。側(cè)部堵塞部件71的下端面與處理空間22相面對而劃分出處理空間22的上端。利用側(cè)部堵塞部件71，處理空間22的上側(cè)部被大致堵塞。側(cè)部堵塞部件71的朝向下方而前端變細的部分的左右兩側(cè)面，分別構(gòu)成局部圓筒面形狀的凹曲面73。凹曲面73的曲率半徑比各電極21的半徑稍大。左側(cè)的凹曲面73 的曲率中心與左側(cè)的電極21L的軸線大致一致。右側(cè)的凹曲面73的曲率中心與右側(cè)的電極21R的軸線大致一致。左側(cè)的凹曲面73沿著左側(cè)的電極21L的周面。在左側(cè)的凹曲面73與電極21L的周面之間，形成有側(cè)部間隙73e。利用間隙73e，允許被處理膜11向電極21L卷繞。右側(cè)的凹曲面73沿著右側(cè)的電極21R的周面。在右側(cè)的凹曲面73與電極21R的周面之間，形成有側(cè)部間隙73f。利用間隙73f，允許被處理膜11向電極21R卷繞。下側(cè)的側(cè)部堵塞部件72大體構(gòu)成為上下顛倒上側(cè)的側(cè)部堵塞部件71所形成的形狀。詳述如下即，下側(cè)的側(cè)部堵塞部件72配置成跨在輥電極21、21的處理空間22下側(cè)的周面彼此之間。側(cè)部堵塞部件72的與長度方向正交的截面構(gòu)成為隨著朝向上方而前端變細。側(cè)部堵塞部件72的上端部插入至一對電極21、21彼此間的最窄部位附近、換言之插入至放電空間附近。側(cè)部堵塞部件72的上端面與處理空間22相面對而劃分出處理空間22的下端面。利用側(cè)部堵塞部件72，處理空間22的下側(cè)部被大致堵塞。利用側(cè)部堵塞部件71、 72，自上下兩側(cè)覆蓋處理空間22。側(cè)部堵塞部件72的朝向上方而前端變細的部分的左右兩側(cè)面分別構(gòu)成局部圓筒面形狀的凹曲面74。凹曲面74的曲率半徑比各電極21的半徑稍大。左側(cè)的凹曲面74的曲率中心與左側(cè)的電極21L的軸線大致一致。右側(cè)的凹曲面74的曲率中心與右側(cè)的電極 21R的軸線大致一致。左側(cè)的凹曲面74沿著左側(cè)的電極21L的周面。在左側(cè)的凹曲面74與電極21L的周面之間，形成有側(cè)部間隙74e。利用間隙74e，允許被處理膜11向電極21L卷繞。右側(cè)的凹曲面74沿著右側(cè)的電極21R的周面。在右側(cè)的凹曲面74與電極21R的周面之間，形成有側(cè)部間隙74f。利用間隙74f，允許被處理膜11向電極21R卷繞。間隙73e、73f、74e、74f的厚度比被處理膜11的厚度大，且其大小被設(shè)定成能夠充分抑制周圍的環(huán)境氣體向處理空間22內(nèi)侵入的程度。間隙73e、73f、74e、74f的厚度t 優(yōu)選為至少在電極21、21之間的最窄部位的間隔g以下(t > g)，更優(yōu)選為處理空間22的厚度以下。在此，處理空間22的厚度為從上述間隔g減去被處理膜11的兩倍厚度后的大小。例如，間隙73e、73f、74e、74f的厚度t優(yōu)選為t = 0. 05mm 0. 5mm左右，更優(yōu)選為t =0. 2 0. 3mm左右。間隙73e、73f的厚度與間隙74e、74f的厚度既可以彼此相同，也可以彼此不同。另外，電極21、21之間的最窄部位的間隔g優(yōu)選為比被處理膜11的兩倍厚度大且為3mm以下，更優(yōu)選為Imm以下。另外，在圖4及圖5中，電極21內(nèi)部的溫度調(diào)節(jié)流路28、及工藝氣體供給系統(tǒng)3的氣體溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)38、電源23等的圖示被省略。在此后的實施方式(圖6 圖14)中也同樣省略。側(cè)部堵塞部件71、72中的至少一個構(gòu)成工藝氣體供給系統(tǒng)3下游端的工藝氣體噴嘴。在此，提供上側(cè)的堵塞部件71作為工藝氣體噴嘴。堵塞部件71對應(yīng)于第一實施方式 (圖1)的工藝氣體噴嘴39。在噴嘴兼堵塞部件71的上側(cè)設(shè)置有整流部75。工藝氣體流路37的前端與整流部75連接。整流部75與堵塞部件71平行地沿與圖4的紙面正交的方向延伸。雖省略詳細的圖示，但在整流部75設(shè)置有使來自工藝氣體流路37的氣體沿軸向(與圖4的紙面正交的方向)均勻化的整流路徑。整流路徑包含沿上述軸向延伸的腔室或狹縫、或沿上述軸向分散配置的多個小孔等。在噴嘴兼堵塞部件71的內(nèi)部形成有吹出流路76。吹出流路76構(gòu)成沿軸向(與圖 4的紙面正交的方向)延伸的狹縫狀。吹出流路76的下游端到達堵塞部件71的下端面并開口，從而構(gòu)成吹出口。并且，在噴嘴兼堵塞部件71的內(nèi)部形成有溫度調(diào)節(jié)流路79。溫度調(diào)節(jié)流路79沿軸向(與圖4的紙面正交的方向)延伸。通過使水等溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)流過溫度調(diào)節(jié)流路79， 可以調(diào)節(jié)噴嘴兼堵塞部件71的溫度。下側(cè)的堵塞部件72是虛設(shè)噴嘴，具有與上側(cè)的噴嘴兼堵塞部件71相同的外觀形狀，但在內(nèi)部未形成吹出流路及溫度調(diào)節(jié)流路。堵塞部件72也可以與噴嘴兼堵塞部件71 同樣地具有吹出流路及溫度調(diào)節(jié)流路，也可以利用塞子等將該堵塞部件72的吹出口堵塞。 另外，側(cè)部堵塞部件71、72不具有用于排出工藝氣體的排氣口或吸引口。根據(jù)第三實施方式，包含聚合性單體的工藝氣體自工藝氣體流路37被導(dǎo)入整流部75并沿整流部75的長度方向被均勻化。均勻化后的工藝氣體自吹出流路76吹出并被導(dǎo)入處理空間22。在處理空間22內(nèi)，工藝氣體被等離子體化并且與被處理膜11接觸。由此，可以改善被處理膜11表面的粘接性。此后，工藝氣體自處理空間22的長度方向(與圖 4的紙面正交的軸向)兩端的開口 22e朝處理空間22外部流出。而且，一部分工藝氣體經(jīng)由上下的堵塞部件71、72和左右的電極21L、21R的周面之間的間隙73e、73f、74e、74f朝外部流出。利用上側(cè)的堵塞部件71，可以大致堵塞處理空間22的上側(cè)部。利用下側(cè)的堵塞部件72，可以大致堵塞處理空間22的下側(cè)部。由此，即便減小工藝氣體的供給流量，也可以防止或抑制外部的環(huán)境氣體自電極21、21上側(cè)的周面彼此間及下側(cè)的周面彼此間侵入處理空間22內(nèi)。并且。因上述工藝氣體自軸端開口 22e及間隙73e、73f、74e、74f流出，因此， 可以防止外部的環(huán)境氣體經(jīng)過軸端開口 22e及間隙73e、73f、74e、74f侵入處理空間22內(nèi)。 由此，可以切實地將處理空間22內(nèi)的氧濃度設(shè)定為規(guī)定大小即3000ppm以下。因此，可以切實地提高被處理膜11的粘接性。圖6表示第三實施方式的變形例。在該變形例的上下的側(cè)部堵塞部件中，不僅對上側(cè)的堵塞部件71構(gòu)成工藝氣體噴嘴，而且對于下側(cè)的堵塞部件72A也構(gòu)成工藝氣體噴嘴。在噴嘴兼堵塞部件72A的下部設(shè)置有整流部77。整流部77沿軸向(與圖6的紙面正交的方向)延伸。工藝氣體流路37與整流部77連接。在整流部77，與整流部75同樣地設(shè)置有使工藝氣體沿軸向均勻化的整流路徑。來自共用的聚合性單體供給源30(參照圖1)的工藝氣體流路37也可以進行分支，并分別經(jīng)由整流部75、77與噴嘴兼堵塞部件71、72A連接。噴嘴兼堵塞部件71、72A也可以與彼此相異的氣體供給源連接。優(yōu)選為，彼此相異的氣體供給源中的一個為聚合性單體供給源30，彼此相異的氣體供給源中的另一個為氮氣或稀有氣體等的惰性氣體供給源41 (參照圖2)。在噴嘴兼堵塞部件72A的內(nèi)部，形成有吹出流路78及溫度調(diào)節(jié)流路79。整流部 77的上述整流路徑與吹出流路78相連。吹出流路78構(gòu)成沿軸向(與圖6的紙面正交的方向)延伸的狹縫狀。吹出流路78到達噴嘴兼堵塞部件72A的上端面并開口，從而構(gòu)成吹出口。噴嘴兼堵塞部件72A的吹出口具有與上側(cè)的噴嘴堵塞部件71的吹出口相同的長度及寬度。由此，工藝氣體不僅自上側(cè)的噴嘴兼堵塞部件71被導(dǎo)入處理空間22，而且也自下側(cè)的噴嘴兼堵塞部件72A被導(dǎo)入處理空間22。自上下的噴嘴兼堵塞部件71、72A吹出的流量優(yōu)選彼此為相同大小。由此，可以均勻地對處理空間22內(nèi)施加壓力。在處理空間22內(nèi)， 供被處理膜11的表面處理的工藝氣體此后自處理空間22的軸端開口 22e及間隙73e、73f、 74e、74f流出。利用該工藝氣體的流動，可以防止外部的環(huán)境氣體自軸端開口 22e及間隙 73e、73f、74e、74f進入處理空間22內(nèi)。通過均勻地對處理空間22內(nèi)施加壓力，可以防止外部的環(huán)境氣體自間隙73e、73f、74e、74f的一部分集中流入處理空間22。由此，可以切實地將處理空間22內(nèi)的氧濃度設(shè)定為規(guī)定值(3000ppm)以下。因此，可以切實地提高被處理膜11的粘接性。另外，側(cè)部堵塞部件71、72A不具有用于將工藝氣體排出的排氣口或吸引口。圖7 圖9表示本發(fā)明的第四實施方式。在該實施方式中，除第三實施方式(圖4及圖5)的側(cè)部堵塞部件71、72之外，還設(shè)置有軸端堵塞部件80。如圖8所示，軸端堵塞部件80分別配置于電極21、21的軸向兩端部。如圖7所示，各軸端堵塞部件80跨在一對電極21、21及一對側(cè)部堵塞部件71、72的、 軸向上的彼此相同側(cè)的端部間，并且蓋上處理空間22在軸向上的上述相同側(cè)的端部22e。如圖8及圖9所示，軸端堵塞部件80具有正面板81和一對側(cè)板82，在俯視時呈-形(U形、Π形)。正面板81構(gòu)成上下延伸的平板狀。在正面板81的左右緣分別設(shè)置有側(cè)板82。各側(cè)板82與正面板81正交。正面板81自電極21的端面朝軸向外側(cè)離開。如圖7所示，從軸向外側(cè)看，正面板 81具有跨左右電極21L、21R彼此間的寬度尺寸，且從軸向外側(cè)看，正面板81具有跨上下的側(cè)部堵塞部件71、72彼此間的上下尺寸。從軸向外側(cè)看，正面板81蓋上處理空間22的端部 22e。如圖9所示，左側(cè)板82自正面板81朝向電極21L的端面突出。右側(cè)板82自正面板81朝向電極2IR的端面突出。側(cè)部堵塞部件71、72相比電極21朝軸向外側(cè)突出，并插入軸端堵塞部件80的內(nèi)部。側(cè)部堵塞部件71、72的軸向端部抵接正面板81的內(nèi)側(cè)面，并利用螺栓89固定。由此， 軸端堵塞部件80被支承于側(cè)部堵塞部件71、72。在正面板81的上側(cè)部與側(cè)部堵塞部件71 的軸向端面之間未形成間隙。在正面板81的下側(cè)部與側(cè)部堵塞部件72的軸向端面之間未形成間隙。左右各側(cè)板82的上端緣與側(cè)部堵塞部件71的凹曲面73的上側(cè)部抵接。在各側(cè)板82的上端緣與側(cè)部堵塞部件71之間未形成間隙。各側(cè)板82的下端緣與側(cè)部堵塞部件 72的凹曲面74的下側(cè)部抵接。在各側(cè)板82的下端緣與側(cè)部堵塞部件72之間未形成間隙。另外，也可以在側(cè)板82的上下端緣與側(cè)部堵塞部件71、72之間形成有間隙。如圖9所示，左右各側(cè)板82的處于電極21端面?zhèn)鹊木壸噪姌O21離開。在側(cè)板82 和電極21的軸向端面之間形成有軸端間隙82e。由此，在電極21旋轉(zhuǎn)時可以防止側(cè)板82 與電極21產(chǎn)生摩擦。間隙82e的厚度t8優(yōu)選為t8 = 0. 05mm 0. 5mm左右，更優(yōu)選為t8 =0. Imm 左右。在該第四實施方式中，不僅可以利用側(cè)部堵塞部件71、72抑制或防止外部的環(huán)境氣體自處理空間22的上下兩側(cè)進入處理空間22內(nèi)，而且，由于軸端堵塞部件80蓋上處理空間22在軸向上的端部22e，因此可以抑制或防止外部的環(huán)境氣體自端部22e進入處理空間22內(nèi)。因此，可以進一步減少工藝氣體的供給流量。并且，工藝氣體自處理空間22內(nèi)經(jīng)過上下側(cè)部的間隙73e、73f、74e、74f流出，并且也自軸向的端部間隙82e流出。利用該工藝氣體的流動，可以防止外部的環(huán)境氣體自側(cè)部間隙73e、73f、74e、74f及軸端間隙82e進入處理空間22內(nèi)。即便外部的環(huán)境氣體經(jīng)過軸端間隙82e而進入軸端堵塞部件80的內(nèi)部，也可以使進入的環(huán)境氣體擴散到軸端堵塞部件80的內(nèi)部空間以降低該環(huán)境氣體的濃度。由此，可以切實地將處理空間22內(nèi)的氧濃度設(shè)定在規(guī)定大小以下即3000ppm以下。因此，可以切實地提高被處理膜11的粘接性。圖10及圖11表示本發(fā)明的第五實施方式。在第五實施方式中，替代二形(U形)的軸端堵塞部件80而設(shè)置有平板狀軸端堵塞部件90。軸端堵塞部件90分別設(shè)置在電極 21,21的軸向兩端部。各軸端堵塞部件90跨在一對電極21、21及一對側(cè)部堵塞部件71、 72的、軸向上的彼此相同側(cè)的端部間，并且蓋上處理空間22在軸向上的上述相同側(cè)的端部 22e。側(cè)部堵塞部件71、72的軸向端面比電極21朝軸向稍微突出(例如突出0. Imm左右)。軸端堵塞部件90的上側(cè)部與側(cè)部堵塞部件71的軸向端面抵接并利用螺栓99連結(jié)。 軸端堵塞部件90的下側(cè)部與側(cè)部堵塞部件72的軸向端面抵接并利用螺栓99連結(jié)。由此， 軸端堵塞部件90被上下的側(cè)部堵塞部件71、72支承。軸端堵塞部件90自電極21、21的軸向端面稍微離開地配置。在軸端堵塞部件90 和電極21、21之間形成有間隙91。由此，在電極21旋轉(zhuǎn)時可以防止軸端堵塞部件90與電極21產(chǎn)生摩擦。間隙91的厚度對應(yīng)于側(cè)部堵塞部件71、72自電極21突出的突出量。間隙91的厚度t9優(yōu)選為t9 = 0. 05mm 0. 5mm左右、更優(yōu)選為t9 = 0. Imm左右。在該第五實施方式中，軸端堵塞部件90蓋上處理空間22的軸向端部22e，從而可以抑制或防止外部的環(huán)境氣體自端部22e進入處理空間22內(nèi)。由此，即便工藝氣體的供給流量減小，也可以切實地將處理空間22內(nèi)的氧濃度設(shè)定為規(guī)定值(3000ppm)以下。因此， 可以切實地提高被處理膜11的粘接性。圖12及圖13表示第五實施方式的變形例。在該變形例中，在板狀的軸端堵塞部件92與左側(cè)的電極21L之間形成有迷宮式密封件93。在軸端堵塞部件92與右側(cè)的電極 21R之間形成有迷宮式密封件94。詳述如下，即如圖14所示，在軸端堵塞部件90內(nèi)側(cè)(朝向電極21的一側(cè))的面的左側(cè)部分，形成有多個圓弧狀或部分環(huán)狀的凸部95。這些部分環(huán)狀凸部95構(gòu)成彼此以左側(cè)的電極21的軸線為中心的同心圓狀。在軸端堵塞部件90內(nèi)側(cè)(電極21側(cè))的面的右側(cè)部分，形成有多個圓弧狀或部分環(huán)狀的凸部96。這些部分環(huán)狀凸部96構(gòu)成彼此以右側(cè)的電極21的軸線為中心的同心圓狀。如圖12及圖13所示，在左側(cè)的電極21L的軸向兩端面，分別形成有多個環(huán)狀的凹槽97。這些環(huán)狀凹槽97構(gòu)成彼此以電極21L的軸線為中心的同心圓狀。環(huán)狀凹槽97與軸端堵塞部件90的部分環(huán)狀凸部95 —一對應(yīng)。各部分環(huán)狀凸部95插入對應(yīng)的環(huán)狀凹槽97 中。由部分環(huán)狀凸部95和環(huán)狀凹槽97構(gòu)成迷宮式密封件93。在右側(cè)的電極21R的軸向兩端面，分別形成有多個環(huán)狀的凹槽98。這些環(huán)狀凹槽 98構(gòu)成彼此以電極21R的軸線為中心的同心圓狀。環(huán)狀凹槽98與軸端堵塞部件90的部分環(huán)狀凸部96—一對應(yīng)。各部分環(huán)狀凸部96插入對應(yīng)的環(huán)狀凹槽98中。由部分環(huán)狀凸部 96和環(huán)狀凹槽98構(gòu)成迷宮式密封件94。部分環(huán)狀凸部95、96及環(huán)狀凹槽97、98的數(shù)量在圖中分別為兩個，但并不限定于此，可以分別具有三個以上，也可以分別具有一個。從提高迷宮式密封件93、94的密封性的觀點來看，更優(yōu)選部分環(huán)狀凸部95、96及環(huán)狀凹槽97、98的數(shù)量較多。作為迷宮式密封件，也可以在軸端堵塞部件90形成部分環(huán)狀的凹槽，并在電極21 的端面形成與上述凹槽嚙合的環(huán)狀凸部。利用迷宮式密封件93、94，可以將各電極21與軸端堵塞部件90之間密封，從而可以更切實地抑制或防止外部的環(huán)境氣體經(jīng)過各電極21與軸端堵塞部件90之間而進入處理空間22內(nèi)。由此，即便減小工藝氣體的供給流量，也可以更切實地將處理空間22內(nèi)的氧濃度設(shè)定為規(guī)定值(300ppm)以下。因此，可以切實地提高被處理膜11的粘接性。本發(fā)明并不限定于上述實施方式，在其要旨的范圍內(nèi)可以進行各種變更。例如，在工藝氣體流量調(diào)節(jié)步驟中，除等離子體生成用氣體流路34的流量調(diào)節(jié)之外，也可以調(diào)節(jié)載流路徑35的流量，以此來調(diào)節(jié)工藝氣體的供給流量。也可以在將等離子體生成用氣體流路34的流量保持一定的同時調(diào)節(jié)載流路徑35的流量，以此來調(diào)節(jié)工藝氣體的供給流量。也可以使等離子體生成用氣體流路34的流量為零并調(diào)節(jié)載流路徑35的流量，以此來調(diào)節(jié)工藝氣體的供給流量。通過將處理空間22及其周邊的環(huán)境氣體置換為惰性氣體(例如氮)，可以將處理空間22的氧濃度調(diào)節(jié)為規(guī)定值以下，即優(yōu)選3000ppm以下、更優(yōu)選2000ppm以下、進一步優(yōu)選IOOOppm以下。也可以利用腔室包圍處理空間22及其周邊，通過將腔室內(nèi)部的氣體置換為惰性氣體(例如氮)，從而將處理空間22的氧濃度調(diào)節(jié)為規(guī)定值以下。在處理空間22的周邊部分形成惰性氣體(例如氮氣)的氣簾(力‘7力一〒> )， 利用該氣簾阻止或抑制空氣等環(huán)境氣體進入處理空間22內(nèi)，從而可以調(diào)節(jié)處理空間22的氧濃度至規(guī)定濃度以下。雖然工藝氣體優(yōu)選不含有氧，但若所述工藝氣體優(yōu)選為3000ppm以下、更優(yōu)選為 IOOOppm以下，則也可以含有氧。等離子體處理部2的電極構(gòu)造并不限于輥電極構(gòu)造，也可以是具有一對平板狀電極的平行平板電極構(gòu)造(參照圖15)，還可以是使平板電極和輥電極對置的構(gòu)造，還可以是使具有凹曲面的電極和輥電極對置的構(gòu)造。作為工藝氣體中的聚合性單體，也可以替代丙烯酸而使用甲基丙烯酸，還可以使用其他親水性的聚合性單體。難粘接性樹脂膜11不限于TAC膜，也可以使用COP、ΡΡ、ΡΕ、PET等難粘接性的樹脂膜。也可以構(gòu)成為使難粘接性樹脂膜11不動而移動處理空間22。也可以不使難粘接性樹脂膜11及處理空間22相對移動地進行等離子體處理。實施方式的等離子體處理部是所謂直接式等離子體處理裝置，即處理空間22為放電空間，且對配置于處理空間22的被處理膜11直接照射等離子體，但本發(fā)明也可以適用于如下的所謂遠程式等離子體處理裝置，即處理空間和放電空間分開構(gòu)成，處理空間與放電空間相連，在放電空間使工藝氣體等離子體化后向處理空間吹出，并使其與處理空間的被處理膜11接觸。在所謂遠程式等離子體處理裝置中，將處理空間的氧濃度優(yōu)選設(shè)定為 3000ppm、更優(yōu)選設(shè)定為2000ppm、進而更優(yōu)選設(shè)定為lOOOppm。也可以將包含聚合性單體蒸氣的氣體供給到難粘接性樹脂膜并使其在難粘接性樹脂膜的表面上擔載(冷凝等)，此后，使與上述含有聚合性單體氣體不同的其他等離子體生成用氣體等離子體化，并使其與難粘接性樹脂膜的擔載有上述聚合性單體的部分接觸。 或者，也可以使等離子體生成用氣體等離子體化并使其與難粘接性樹脂膜接觸，此后，使聚合性單體與上述難粘接性樹脂膜的上述等離子體接觸部分接觸。等離子體生成用氣體和聚合性單體蒸氣的載氣既可以由同一成分(例如氮)構(gòu)成，也可以將載氣兼用作等離子體生成用氣體。
在等離子體處理步驟之后、粘接步驟之前，可以利用水性清洗液清洗難粘接性樹脂膜。難粘接性樹脂膜的表面處理方法及表面處理裝置也可以應(yīng)用于偏振片的制造之外的用途。側(cè)部堵塞部件72可以由對處理空間22的氣體進行吸引的吸引噴嘴構(gòu)成。此時， 對下述方面加以注意外部的環(huán)境氣體容易被吸入至處理空間22內(nèi)、或者在聚合性單體的活性種不與被處理膜11接觸期間容易被吸引噴嘴吸引。也可以將多個實施方式的要素相互組合。例如，在第二實施方式(圖3)中也可以設(shè)置第三 第五實施方式或它們的變形例的堵塞機構(gòu)7。此時，堵塞機構(gòu)7至少對應(yīng)于處理空間22A、22B中的處理空間22A而設(shè)置。軸端堵塞部件80、90、92也可以僅設(shè)置于軸向的單側(cè)。實施例1以下說明實施例，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。在實施例1中，對向放電空間混入氧的氧混入量與粘接性之間的關(guān)系進行了研究。圖15表示所使用的表面處理裝置的概略構(gòu)成。將惰性氣體供給源31的純氮氣經(jīng)過惰性氣體流路33導(dǎo)入恒溫容器30，從而得到由氮和丙烯酸的混合氣體構(gòu)成的工藝氣體。氮的流量以及工藝氣體的流量設(shè)為lOL/min。 恒溫容器30內(nèi)的液體丙烯酸AA的溫度設(shè)為40°C。將工藝氣體(丙烯酸+氮)自恒溫容器30送出到工藝氣體供給流路37。使氧混入流路51與工藝氣體供給流路37匯合，將來自混入流路51的氧混入供給流路37的工藝氣體。氧的混入量在使混入后的工藝氣體中的氧濃度處于O 2體積％的范圍內(nèi)進行了調(diào)節(jié)。將該工藝氣體自噴嘴39朝處理空間22吹出。工藝氣體的吹出溫度為32°C。等離子體處理部2的電極構(gòu)造構(gòu)成為由上下對置的一對平板電極24、25構(gòu)成的平行平板電極構(gòu)造。 在上側(cè)的電極24的一側(cè)部配置工藝氣體供給噴嘴39，在電極24的另一側(cè)部設(shè)置吸引噴嘴 62，利用吸引噴嘴62吸入處理空間22內(nèi)的已處理的氣體，并自排氣機構(gòu)61排出。將電源23與上側(cè)的電極24連接，并使下側(cè)的電極25接地。向電極24輸入的電力為ιιον。在下側(cè)的電極25上放置TAC膜11。將電極25的溫度以及膜溫度調(diào)節(jié)到25°C。因此，工藝氣體與TAC膜的溫度差為7°C。使電極24、25中的一個相對于另一個相對地往復(fù)移動(掃略)。移動速度設(shè)為 lOm/min，往復(fù)次數(shù)設(shè)為一次(兩次掃略)。將表面處理后的TAC膜11與PVA膜12粘接。作為粘接劑，使用如下所述的溶液 將㈧聚乙烯醇5襯％的水溶液和⑶羧甲基纖維素鈉2wt%的水溶液以(A) (B)= 20 1的體積比進行混合后的溶液。(A)的聚乙烯醇的平均聚合度為500。接著，進行了粘接性評價。粘接性評價是試驗者用手將TAC膜與PVA膜剝離的手評價。以上的操作反復(fù)進行3次，對于同一條件(氧混入量)的試行數(shù)據(jù)，各取得三個。結(jié)果在表1中表示。該表1的“ ◎”表示粘接性非常好?！癌枴北硎菊辰有粤己?。 “Δ”表示粘接性稍好?！?X ”表示粘接性差。
[表1]
權(quán)利要求
1.一種膜表面處理方法，對與易粘接性樹脂膜粘接的難粘接性樹脂膜的表面進行處理，所述膜表面處理方法的特征在于，利用等離子體使聚合性單體活化并使其與配置在接近大氣壓的處理空間的所述難粘接性樹脂膜反應(yīng)，將所述處理空間內(nèi)的氧濃度設(shè)定為3000ppm以下。
2.如權(quán)利要求1所述的膜表面處理方法，其特征在于，在所述處理空間內(nèi)產(chǎn)生放電，將含有所述聚合性單體的蒸氣的工藝氣體供給到所述處理空間內(nèi)，且將所述工藝氣體的供給流量設(shè)定為使所述處理空間內(nèi)的氧濃度成為3000ppm 以下的供給流量。
3.如權(quán)利要求2所述的膜表面處理方法，其特征在于， 所述工藝氣體實質(zhì)上不含有氧氣。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的膜表面處理方法，其特征在于， 將所述處理空間內(nèi)的氧濃度設(shè)定為2000ppm以下。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的膜表面處理方法，其特征在于， 將所述處理空間內(nèi)的氧濃度設(shè)定為IOOOppm以下。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項所述的膜表面處理方法，其特征在于，使所述難粘接性樹脂膜相對于所述處理空間相對移動，將所述相對移動的速度設(shè)為 10m/min 以上。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的膜表面處理方法，其特征在于， 所述聚合性單體為丙烯酸或甲基丙烯酸。
8.一種偏振片的制造方法，其特征在于，所述難粘接性樹脂膜為透明的保護膜，所述易粘接性樹脂膜為偏振膜，在實施權(quán)利要求1 7中任一項所述的膜表面處理方法之后，將所述難粘接性樹脂膜經(jīng)由透明的粘接劑與易粘接性樹脂膜粘接。
9.一種膜表面處理裝置，對與易粘接性樹脂膜粘接的難粘接性樹脂膜的表面進行處理，該膜表面處理裝置的特征在于，具有等離子體處理部，該等離子體處理部利用等離子體使聚合性單體活化并使其與配置于接近大氣壓的處理空間的難粘接性樹脂膜接觸， 所述處理空間內(nèi)的氧濃度為3000ppm以下。
10.如權(quán)利要求9所述的膜表面處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理部具有在所述處理空間內(nèi)產(chǎn)生放電的一對電極， 還具有工藝氣體供給系統(tǒng)，該工藝氣體供給系統(tǒng)將含有所述聚合性單體的蒸氣的工藝氣體供給到所述處理空間內(nèi)，所述工藝氣體供給系統(tǒng)的工藝氣體的供給流量被設(shè)定為使所述處理空間內(nèi)的氧濃度成為3000ppm以下的供給流量。
11.如權(quán)利要求10所述的膜表面處理裝置，其特征在于，所述一對電極分別構(gòu)成使軸線朝軸向的圓筒狀，且沿與所述軸向正交的排列方向平行排列，所述電極彼此之間的最窄部位及其周邊構(gòu)成所述處理空間，并且，具有一對側(cè)部堵塞部件，該一對側(cè)部堵塞部件隔著所述處理空間而設(shè)置于與所述軸向及所述排列方向正交的正交方向的兩側(cè)且沿所述軸向延伸，所述一對側(cè)部堵塞部件跨在所述一對電極的所述周面彼此之間，并在與所述各電極的周面之間形成允許所述難粘接性樹脂膜向所述各電極卷繞的間隙，所述一對側(cè)部堵塞部件中的至少一個構(gòu)成所述工藝氣體供給系統(tǒng)的下游端的工藝氣體噴嘴。
12.如權(quán)利要求11所述的膜表面處理裝置，其特征在于，還具有軸端堵塞部件，該軸端堵塞部件跨在所述一對電極及所述一對側(cè)部堵塞部件的、所述軸向上的彼此相同側(cè)的端部之間，且蓋上所述處理空間在所述軸向上的所述相同側(cè)的端部。
13.如權(quán)利要求9 12中任一項所述的膜表面處理裝置，其特征在于，還具有使所述難粘接性樹脂膜相對于所述處理空間進行相對移動的移動機構(gòu)，由所述移動機構(gòu)進行的所述相對移動的速度為lOm/min以上。
14.如權(quán)利要求9 13中任一項所述的膜表面處理裝置，其特征在于， 所述聚合性單體為丙烯酸或甲基丙烯酸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種膜的表面處理方法及裝置以及偏振片的制造方法。將與易粘接性樹脂膜(12)粘接的難粘接性樹脂膜(11)配置在接近大氣壓的處理空間(22)內(nèi)。通過工藝氣體供給系統(tǒng)(3)，將含有丙烯酸(聚合性單體)蒸氣的工藝氣體供給到處理空間(22)。在等離子體處理部(2)，將工藝氣體等離子體化并使其與難粘接性樹脂膜(11)接觸。設(shè)定工藝氣體的供給流量，以使處理空間(22)內(nèi)的氧濃度達到3000ppm以下。由此，可以提高難粘接性樹脂膜的粘接性，進而能夠進行高速處理。
文檔編號B32B27/16GK102257045SQ2009801512
公開日2011年11月23日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者中野良憲, 屋良卓也, 山本真矢, 川崎真一, 松崎純一, 野上光秀, 長谷川平 申請人:積水化學工業(yè)株式會社