專利名稱：陶瓷電子部件和制造陶瓷電子部件的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及陶瓷電子部件和制造陶瓷電子部件的方法。
背景技術：
近年來，隨著在例如包括手機的移動通信器件、AV器件和電腦器件的領域中產(chǎn)品的小型化和高性能化的發(fā)展，也要求用于這些器件的各種電子部件的小型化和高性能化。 為了處理此類各種電子部件的小型化和高性能化，作為電子器件，目前在基板中具有導體 (下文中，稱為“內部導體”)如電極和配線的表面安裝器件(SMD)成為主流。SMD具有印制電路板，在所述印制電路板上安裝各部件如IC芯片和其它芯片部件。作為在SMD上安裝的電子器件，使用通過將多種具有不同材料特性的陶瓷組合物同時煅燒獲得的層壓陶瓷電子部件。層壓陶瓷電子部件包括例如由磁性材料和介電材料的組合而組成的LC濾波器以及包含由高介電常數(shù)材料和低介電常數(shù)材料的組合而組成的電容器的電路基板(元件)。在LC濾波器的情況下，由具有低介電常數(shù)和高Q因子的陶瓷材料制成以提供高自諧振頻率的感應器部和由具有優(yōu)異的溫度特性和高介電常數(shù)的材料制成的電容器部的組合導致具有高Q因子和優(yōu)異的溫度特性的LC元件。在包含于電路基板的電容器的情況下， 高介電常數(shù)材料和低介電常數(shù)材料的組合導致與僅由高介電常數(shù)材料制成的電容器相比降低的分布電容，以及與僅由低介電常數(shù)材料制成的電容器相比增加的電容。例如，作為通過將在微波帶具有高相對介電常數(shù)和此外高Q因子的絕緣層與具有低相對介電常數(shù)的絕緣層同時煅燒和一體化而制作的電路基板，提供已知的層壓陶瓷電子部件(例如，參見日本特開專利公布2001-284807)。作為通過將具有不同介電常數(shù)的層材料配置和一體化煅燒而制作的介質諧振器，提供另一已知的層壓陶瓷電子部件(例如，參見日本特開專利公布61-212101和日本特開專利公布02-086188)。作為其中將組成比為第一生坯片和第二生坯片的組成比之間的中間值的第三玻璃陶瓷的玻璃陶瓷層設置于第一生坯片和第二生坯片之間的生坯片層壓體，提供另一已知的層壓陶瓷電子部件(例如，參見日本專利2739767)。然而，在通過同時煅燒不同材料以層壓多種電介質層而形成的電子器件中，存在電介質層之間的粘合性可能不充分的問題，由此使得電介質層更容易剝離。因而，在包括通過層壓多種電介質層而制作的陶瓷電子部件的電子器件中，期望開發(fā)對于待組合的電介質層材料不進行限制的陶瓷電子部件。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明一方面的陶瓷電子部件包括第一電介質層，所述第一電介質層包含 BaO, Nd2O3和TW2 ；第二電介質層，所述第二電介質層包含與第一電介質層不同的材料；和邊界反應層，所述邊界反應層形成于第一電介質層和第二電介質層之間并包含Zn、Ti、Cu 和Mg的至少一種。根據(jù)本發(fā)明另一方面的制造陶瓷電子部件的方法包括以下步驟將包含Ba、Nd 和Ti的第一母料和至少包含SiO的第一添加劑混合以生產(chǎn)第一混合物；在800°C以上至 9500C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒第一混合物以生產(chǎn)第一成品材料；將包含與第一母料不同的材料的第二母料和至少包含SiO的第二添加劑混合以生產(chǎn)第二混合物；在800°C以上至950°C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒第二混合物以生產(chǎn)第二成品材料；交替層壓第一片體和第二片體以形成片層壓體，所述第一片體通過將包含第一成品材料的第一漿料成形為片形獲得，所述第二片體通過將包含第二成品材料的第二漿料成形為片形獲得；和燒結片層壓體以生產(chǎn)層壓燒結體。當結合附圖考慮時，通過閱讀本發(fā)明的目前優(yōu)選實施方案的以下詳細描述，將更好地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點以及技術和工業(yè)意義。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的陶瓷電子部件構造的簡化截面圖；圖2為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的制造陶瓷電子部件方法的流程圖；圖3為示意性示出當將本發(fā)明中的陶瓷電子部件用作LC濾波器時的實施方案的概念圖；圖4為示出實施例7中芯片邊界附近的COMPO圖像的圖；圖5為示出實施例7中芯片的Si組分的EDS圖像的圖；圖6為示出實施例7中芯片的Ti組分的EDS圖像的圖；圖7為示出實施例7中芯片的Mg組分的EDS圖像的圖；圖8為示出實施例7中芯片的Cu組分的EDS圖像的圖。
具體實施例方式以下將參考附圖詳細描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于以下實施方式(下文中，稱為實施方案)來進行本發(fā)明。以下實施方案中的要素包括本領域熟練技術人員容易想到的那些要素和實質上相同的要素，所謂的等價物(equivalent)。此外，適當時可組合以下實施方案公開的要素。實施方案以下將參考附圖描述本發(fā)明的陶瓷電子部件的實施方案。圖1為示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的陶瓷電子部件構造的簡化截面圖。如圖1所示，本實施方案中的陶瓷電子部件10包括第一電介質層11、第二電介質層12和邊界反應層13。第一電介質層11為包含BaO、Nd2O3和TW2的層，第二電介質層12為包含與第一電介質層11材料不同的材料的層，邊界反應層13為形成于第一電介質層11和第二電介質層12之間并包含Zn、Ti、Cu 和Mg的至少一種的層。
第一電介質層第一電介質層11由主組分包含BaO、Nd2O3和TW2的層構成。主組分第一電介質層11的主組分至少包含BaO、Nd2O3和Ti02。所述主組分為例如 BaO-Nd2O3-TiO2 系或 Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2 系電介質陶瓷。Ba0、Nd203 和 11 的含量不具體限定，可在需要時調整。對于BaO-Nd2O3-TiA系化合物，由下式(1)中的組成式表示且滿足由以下關系式 (2)至關系式(5)表示的關系的化合物是優(yōu)選的，其中在下式(1)和關系式(2)至(5)中的
x、y和ζ以摩爾百分比計。xBaO · yNd203 · zTi02(1)6· 0 彡 χ 彡 23. 0(2)13. 0 ^ y ^ 30. 0(3)64.0 彡 ζ 彡 68.0(4)x+y+z = 100(5)第一電介質層11可進一步包含除BaCKNd2O3和TW2之外的其它材料作為主組分。 其它主組分為例如鎂橄欖石(其化學式通常由2Mg0 · SiO2或Mg2SiO4表示，在本說明書中使用前者)、頑輝石(MgO · SiO2)和透輝石(CaO-MgO · 2Si02)。在這些主組分中，特別優(yōu)選 2Mg0 *Si02?？紤]到使介電損耗更小，2Mg0-SiO2優(yōu)選以鎂橄欖石晶體形式包含于第一電介質層11中。在第一電介質層11中是否包含鎂橄欖石晶體可通過X射線衍射光譜法(XRD) 來檢測。BaO-Nd2O3-TiO2系化合物具有高的相對介電常數(shù)ε r并且該相對介電常數(shù)ε r值的范圍為55至105。2Mg0· SiOJt為單一物質具有低的相對介電常數(shù)ε r，該相對介電常數(shù)ε r的值為約6. 8。第一電介質層11通過包含作為主組分的具有高相對介電常數(shù)ε r的 BaO-Nd2O3-TiO2系化合物和具有低相對介電常數(shù)ε r的2Mg0 · SiO2而降低其相對介電常數(shù) ε r0BaO-Nd2O3-TiO2系化合物的Q · f因子為2000GHz以上至8000GHz以下。另一方面，2Mg0 · SiO2 的 Q · f 因子為約 200000GHz, 2Mg0 · SiO2 的介電損耗與 BaO-Nd2O3-TiO2 系化合物的介電損耗相比更小。在本實施方案中，具有小介電損耗的電介質層可通過包括作為第一電介質層11的主組分的BaO-Nd2O3-TiA系化合物和2Mg0 · SiO2來形成。表示介電損耗大小的Q-f因子為Q因子與共振頻率f的乘積，所述Q因子為損耗角δ的正切tan δ的倒數(shù)，所述損耗角δ為實際電流和電壓之間的相位差與理想電流和電壓的相位差(90度)的差⑴=Ι/tan δ )。當將交流電流施加至理想電介質陶瓷時，電流和電壓通常具有90度的相位差。然而，如果將AC電流的頻率增加至達到高頻，則電介質陶瓷的電極化或極性分子的取向不能追隨高頻電場的變化或者由于電子或離子的傳導導致電通量密度相對于電場具有相位延遲(相位差)，因此實際電流和電壓具有90度以外的相位差。將其中由于此相位差導致高頻能量的一部分轉化為熱并散發(fā)的現(xiàn)象稱為誘電損耗(inductive dielectri closs)。介電損耗的大小由Q 因子表示。Q 因子隨著介電損耗減小而增大，隨著介電損耗增大而減小。
副組分第一電介質層11可進一步包含其副組分。包含于第一電介質層11的副組分包括例如鋅氧化物(ZnO)、硼氧化物(B2O3)、鉍氧化物(Bi2O3)、鈷氧化物(CoO)、錳氧化物(MnO)、 銅氧化物(CuO)、堿土金屬氧化物、玻璃和鈦氧化物(TiO2),但不限于這些。如果將堿土金屬氧化物用作副組分，則堿土金屬氧化物優(yōu)選鈣氧化物(CaCO3)。玻璃優(yōu)選包含鋰氧化物 (Li2O)的玻璃。在各上述副組分包含于第一電介質層11的情況下，可降低第一電介質層11的燒結溫度。將由Ag系金屬等組成的導電性材料用作陶瓷電子部件10的內部導體。通過借助于在第一電介質層11中包括各副組分而降低第一電介質層11的燒結溫度至低于導電性材料的熔點，可在較低溫度下煅燒第一電介質層11。雖然副組分的含量不具體限定，但優(yōu)選所有副組分的總和相對于所有主組分的總和的量為1. 0質量％以上至20. 0質量％以下。如果包含鋅氧化物作為副組分，以當將鋅氧化物的質量換算為ZnO時SiO的質量比計，相對于100質量％的主組分，鋅氧化物的含量優(yōu)選0. 1質量％以上至7. 0質量％以下，特別優(yōu)選1.5質量％以上至7.0質量％以下。如果包含硼氧化物作為副組分，以當將硼氧化物的質量換算為化03時化03的質量比計，相對于100質量％的主組分，硼氧化物的含量優(yōu)選0. 1質量％以上至3. 0質量％以下，特別優(yōu)選1. 0質量％以上至2. 5質量％以下。如果包含鉍氧化物作為副組分，以當將鉍氧化物的質量換算為Bi2O3時Bi2O3的質量比計，相對于100質量％的主組分，鉍氧化物的含量優(yōu)選1. 0質量％以上至4. 0質量％以下，特別優(yōu)選1. 5質量％以上至3. 5質量％以下。如果包含鈷氧化物作為副組分，以當將鈷氧化物的質量換算為CoO時CoO的質量比計，相對于100質量％的主組分，鈷氧化物的含量優(yōu)選0. 5質量％以上至2. 0質量％以下，特別優(yōu)選1. 0質量％以上至1. 5質量％以下。如果包含錳氧化物作為副組分，以當將錳氧化物的質量換算為MnO時MnO的質量比計，相對于100質量％的主組分，錳氧化物的含量優(yōu)選0. 3質量％以上至1. 5質量％以下，特別優(yōu)選0.5質量％以上至1.0質量％以下。如果包含銅氧化物作為副組分，以當將銅氧化物的質量換算為CuO時CuO的質量比計，相對于100質量％的主組分，銅氧化物的含量優(yōu)選0. 1質量％以上至2. 0質量％以下，特別優(yōu)選0.7質量％以上至1.3質量％以下。如果包含作為堿土金屬氧化物的鈣氧化物作為副組分，以當將鈣氧化物的質量換算為CaCO3時CaCO3的質量比計，相對于100質量％的主組分，鈣氧化物的含量優(yōu)選0. 1質量％以上至1.5質量％以下，特別優(yōu)選0.5質量％以上至1.5質量％以下。如果包含玻璃作為副組分，相對于100質量％的主組分，玻璃的含量優(yōu)選2. 0質量％以上至7. 0質量％以下，特別優(yōu)選4. 0質量％以上至5. 5質量％以下。第二電介質層第二電介質層12為包含與第一電介質層11的材料不同的材料的電介質層。像第一電介質層11 一樣，第二電介質層12包括主組分和副組分，但可由主組分專有地構成。在本實施方案中，第二電介質層12包括主組分和副組分。如果第二電介質層12的組分不完全等同于第一電介質層11的那些，則可設置包含與第一電介質層11的材料不同的材料的電介質層。例如，在第二電介質層12中可包含一部分第一電介質層11的組分。主組分第二電介質層12的主組分僅需要為與第一電介質層11的材料不同的材料，其類型不具體限定?？蓪⒐牟牧嫌米鞯诙娊橘|層12的主組分。包含于第二電介質層12的主組分包括例如鎂橄欖石(2Mg0 · SiO2)、頑輝石(MgO · SiO2)和透輝石(CaO-MgO · 2Si02)。 在這些組分中，考慮到低相對介電常數(shù)ε r和大的Q · f因子，優(yōu)選具有鎂橄欖石作為主組分的電介質層。副組分可將與包含于第一電介質層11中的副組分相同的副組分用作包含于第二電介質層12的副組分。如果包含于第二電介質層12的主組分僅為鎂橄欖石，則當在低溫下僅燒結鎂橄欖石時副組分的含量增加。因而，作為所有副組分的總和相對于所有主組分的總和的量，包含于第二電介質層12的副組分的含量優(yōu)選16. 1質量％以上至48. 0質量％以下。如果包含鋅氧化物作為副組分，以當將鋅氧化物的質量換算為ZnO時SiO的質量比計，相對于100質量％的主組分，鋅氧化物的含量優(yōu)選9. 0質量％以上至18. 0質量％以下，特別優(yōu)選10.0質量％以上至16.0質量％以下。如果包含硼氧化物作為副組分，以當將硼氧化物的質量換算為化03時化03的質量比計，相對于100質量％的主組分，硼氧化物的含量優(yōu)選4. 0質量％以上至10. 0質量％以下，特別優(yōu)選4.0質量％以上至10.0質量％以下。如果包含銅氧化物作為副組分，以當將銅氧化物的質量換算為CuO時CuO的質量比計，相對于100質量％的主組分，銅氧化物的含量優(yōu)選1. 0質量％以上至8. 0質量％以下，特別優(yōu)選2. 0質量％以上至6. 0質量％以下。如果包含作為堿土金屬氧化物的鈣氧化物作為副組分，以當將鈣氧化物的質量換算為CaCO3時CaCO3的質量比計，相對于100質量％的主組分，鈣氧化物的含量優(yōu)選0. 1質量％以上至6.0質量％以下，特別優(yōu)選0. 1質量％以上至4.0質量％以下。如果包含玻璃作為副組分，相對于100質量％的主組分，玻璃的含量優(yōu)選2. 0質量％以上至6. 0質量％以下，特別優(yōu)選4. 0質量％以上至6. 0質量％以下。如果包含鈦氧化物作為副組分，以當將鈦氧化物的質量換算為TiA時TiA的質量比計，相對于100質量％的主組分，鈦氧化物的含量優(yōu)選0. 5質量％以上至5. 0質量％以下，特別優(yōu)選1. 0質量％以上至2. 0質量％以下。副組分不限于上述鋅氧化物、硼氧化物、銅氧化物、堿土金屬氧化物、玻璃和鈦氧化物，可包含Bi203、CoO和MoO等的至少一種。邊界反應層邊界反應層13為形成于第一電介質層11和第二電介質層12之間并包含&i、Ti、 Cu和Mg的至少一種的層。在第一電介質層11和第二電介質層12之間存在邊界反應層13 的情況下，可將第一電介質層11和第二電介質層12進行層壓同時經(jīng)由邊界反應層13保持強的粘合強度。因而，在第一電介質層11和第二電介質層12之間形成邊界反應層13的情況下，能夠抑制層壓的第一電介質層11和第二電介質層12的剝離。當將第一電介質層11和第二電介質層12層壓同時煅燒時，認為包含于第一電介質層11或第二電介質層12的各組分移動至第一電介質層11和第二電介質層12之間的界面附近，從而形成邊界反應層13。邊界反應層13通過煅燒包含于第一電介質層11或第二電介質層12中的各組分形成，因而，邊界反應層13以固定厚度形成于第一電介質層11和第二電介質層12之間。此外，邊界反應層13通過包括和燒結與第一電介質層11或第二電介質層12的組分等效的組分形成，因而認為作為形成邊界反應層13的至少一種組分的包含于邊界反應層13中的Zn、Ti、Cu和Mg形成Zn、Ti、Cu和Mg的各自的氧化物。由于ZnO 和TW2是高反應性的，因此認為在相對低溫度下形成SiTiO3結晶相。在邊界反應層13內部存在SiTiO3結晶相的情況下，認為其有助于第一電介質層11和第二電介質層12之間的粘合性。因此，可將第一電介質層11和第二電介質層12穩(wěn)定地層壓同時經(jīng)由邊界反應層 13保持強的粘合強度。如上所述，認為包含于邊界反應層13中的SuTi、Cu和Mg形成SuTi、Cu和Mg的各自的氧化物。當將包含ZnO和TW2的層浸漬于鍍覆液中以鍍覆包含ZnO和TW2的層的表面時，能夠抑制鍍覆液滲透入ZnO和TW2的層。邊界反應層13為包含ZnO和TW2作為其組分的層，因而，當鍍覆陶瓷電子部件10的表面時，鍍覆液將不會滲透入邊界反應層13 中。在第一電介質層11和第二電介質層12之間形成邊界反應層13的情況下，能夠防止鍍覆液滲透入邊界反應層13中。因而，能夠防止層壓的第一電介質層11和第二電介質層12 剝離，同時防止鍍覆液滲透入邊界反應層13中。邊界反應層13為包含Cu和/或Mg的層。邊界反應層13通過層壓和燒結第一電介質層11和第二電介質層12形成，因而，認為作為構成邊界反應層13的組分包含的Cu和 /或Mg被氧化，并分別作為CuO和/或MgO被包含。此外，認為Cu和Mg容易與Ti形成化合物。在CuO和/或MgO作為構成邊界反應層13的組分與TiO —起包含于邊界反應層13 的情況下，認為CuO和/或MgO以其中CuO和/或MgO結合至TW2的狀態(tài)存在于邊界反應層13內部。因而，邊界反應層13除了 Si和Ti之外還包含Cu和/或Mg的情況下，邊界反應層13可使得第一電介質層11和第二電介質層12通過經(jīng)由邊界反應層13保持強的粘合強度同時通過維持邊界反應層13的固定厚度而穩(wěn)定地層壓。因而，即使第一電介質層11和第二電介質層12為不同材料的層并且將第一電介質層11和第二電介質層12層壓和形成，在第一電介質層11和第二電介質層12之間存在包含Si、Ti、Cu和Mg的至少一種的邊界反應層13的情況下，可將第一電介質層11和第二電介質層12穩(wěn)定地層壓同時經(jīng)由邊界反應層13保持強的粘合強度。因此，在第一電介質層11和第二電介質層12之間形成邊界反應層13的情況下，能夠抑制層壓的第一電介質層 11和第二電介質層12的剝離。包含于邊界反應層13的Si的形式不具體限定，包含如單質、氧化物和鋅化合物。 鋅化合物包括硫酸鋅和氯化鋅?？紤]到當用于陶瓷電子部件10時的導電性和壽命，期望包含于邊界反應層13的Si的形式為&10。包含于邊界反應層13的Ti的形式不具體限定，包含如單質、鈦氧化物和鈦化合物。鈦化合物包括如氯化鈦。考慮到當用于陶瓷電子部件10時的導電性和壽命，期望包含于邊界反應層13的Ti的形式為Ti02。包含于邊界反應層13的Cu的形式不具體限定，包含如單質、銅氧化物和銅化合物。銅化合物包括如硫酸銅和氯化銅。考慮到當用于陶瓷電子部件10時的導電性和壽命，期望包含于邊界反應層13的Cu的形式為CuO。包含于邊界反應層13的Mg的形式不具體限定，包含如單質、鎂氧化物和化合物。 該化合物包括如硫酸鎂和氯化鎂?？紤]到當用于陶瓷電子部件10時的導電性和壽命，期望包含于邊界反應層13的Mg的形式為MgO。在本實施方案中，Ti、Zn、Cu和Mg的配混比不具體限定，可在需要時調整。在本實施方案中，假定邊界反應層13為包含Si、Ti、Cu或Mg的層，但在本實施方案中的陶瓷電子部件10不限于此，邊界反應層13僅需要為包含Zn、Ti、Cu或Mg的至少一種的層?？紤]到更有效地抑制像第一電介質層11和第二電介質層12 —樣的包含不同材料的電介質層剝離的發(fā)生，優(yōu)選邊界反應層13為包含Si和Ti及選自Cu和Mg之一或兩者的層。此外，除了組分Zn、Ti、Cu和Mg之外，邊界反應層13還可包含CoO、Fe2O3和NiO等作為包含于邊界反應層13的組分。邊界反應層13的厚度可視情況基于第一電介質層11和第二電介質層12的材料為合適的厚度，并且不具體限定?？紤]到使第一電介質層11和第二電介質層12穩(wěn)定地層壓，同時維持邊界反應層13與第一電介質層11和第二電介質層12的邊界面附近的介電特性，邊界反應層13的厚度優(yōu)選Iym以上至IOym以下。這是因為，如果邊界反應層13的厚度低于1 μ m，則不能維持與第一電介質層11和第二電介質層12的邊界面附近的介電特性。如果邊界反應層13的厚度超過10 μ m,則不能具有穩(wěn)定性地將第一電介質層11和第二電介質層12進行層壓。在本實施方案中，邊界反應層13與第一電介質層11和第二電介質層12的邊界面不必須明確，邊界反應層13與第一電介質層11和第二電介質層12的邊界面可從邊界反應層13與第一電介質層11和第二電介質層12的邊界面附近包含的材料組分量的比或在使用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察組成(COMPO)圖像期間觀察到的對比度等來確定。作為邊界反應層13的形成方法，已知同時煅燒第一電介質層11和第二電介質層 12以形成邊界反應層13的方法。第一電介質層11由用于構成第一電介質層11的第一母料和第一添加劑構成，第二電介質層12由用于構成第二電介質層12的第二母料和第二添加劑構成。將這些第一母料、第一添加劑、第二母料和第二添加劑同時煅燒以引起反應，從而形成第一電介質層11和第二電介質層12，可構成邊界反應層13的材料移動至第一電介質層11和第二電介質層12之間，因而，邊界反應層13形成于第一電介質層11和第二電介質層之間，同時能夠將第一電介質層11、第二電介質層12和邊界反應層13 —體化。形成邊界反應層13的方法不具體限于此，在將構成第一電介質層11和邊界反應層13的材料層壓和煅燒后，可將第二電介質層12堆疊于形成的邊界反應層13上?；蛘?， 在將構成第二電介質層12和邊界反應層13的材料層壓和煅燒后，可將第一電介質層11堆疊于形成的邊界反應層13上。在本實施方案中，優(yōu)選在第一電介質層11和第二電介質層12兩者中均包含&ι0。 當將包含ZnO和TW2的層浸漬于鍍覆液中時，該層具有抑制鍍覆液滲透入包含ZnO和TW2 的層中的效果。如果在第一電介質層11和第二電介質層12兩者中均包含&10，認為通過 ZnO和TW2的反應產(chǎn)生的化合物的量在第一電介質層11和第二電介質層12之間的邊界反應層13中增加。因此，更加可靠地防止鍍覆液滲透入邊界反應層13中。此外，認為通過 ZnO和TW2的反應產(chǎn)生的SiTiO3結晶相有助于第一電介質層11和第二電介質層12之間的粘合。因此，通過在第一電介質層11和第二電介質層12中均包括&10，能夠更可靠地防止層壓的第一電介質層11和第二電介質層12剝離。當通過在第一電介質層11和第二電介質層12中均包括ZnO制造陶瓷電子部件10 時，通過包括ZnO分別作為第一添加劑和第二添加劑同時煅燒包含Ba、Nd和Ti的第一母料和第二母料。第二母料包含Ti，第一添加劑和第二添加劑包含Si。通過同時煅燒包含于第一電介質層11中的Ti和包含于第一添加劑和第二添加劑中的Si以引起反應，形成第一電介質層11和第二電介質層12，在第一電介質層11和第二電介質層12之間形成包含ZnO和 TiO2的邊界反應層13，此外在第一電介質層11和第二電介質層12中均包含&ι0。當煅燒第一母料和第一添加劑以生產(chǎn)煅燒粉末時，煅燒溫度優(yōu)選800°C以上至 9500C以下，更優(yōu)選800°C以上至900°C以下，最優(yōu)選830°C以上至870°C以下。煅燒時間不具體限定，但優(yōu)選兩小時以上至五小時以下。當煅燒第二母料和第二添加劑以生產(chǎn)煅燒粉末時，與上述情況一樣，煅燒溫度優(yōu)選800°C以上至950°C以下，更優(yōu)選800°C以上至900°C以下，最優(yōu)選830°C以上至870°C以下。煅燒時間不具體限定，但優(yōu)選兩小時以上至五小時以下。當煅燒中間材料以生產(chǎn)煅燒粉末時，與上述情況一樣，煅燒溫度優(yōu)選800°C以上至 9500C以下，更優(yōu)選800°C以上至900°C以下，最優(yōu)選830°C以上至870°C以下。煅燒時間不具體限定，但優(yōu)選兩小時以上至五小時以下。在煅燒第一母料和第一添加劑之后，進行粉碎處理以粉碎至期望的晶粒尺寸，從而獲得第一成品材料。在煅燒第二母料和第二添加劑之后，進行粉碎處理以粉碎至期望的晶粒尺寸，從而獲得第二成品材料。如稍后所述，通過添加各第一成品材料和第二成品材料至漿料而制作涂料，然后，制作片體并將各片體交替層壓，從而同時煅燒為片層壓體。最佳煅燒溫度為對于形成邊界反應層13優(yōu)選的溫度，優(yōu)選例如850°C以上至950°C以下，更優(yōu)選 8800C以上至920°C以下，最優(yōu)選900°C以上至920°C以下。煅燒時間不具體限定，但優(yōu)選半小時以上至兩個半小時以下，特別優(yōu)選約兩小時。因而，根據(jù)本實施方案中的陶瓷電子部件10，在邊界反應層13包含Zn、Ti、Cu和 Mg的至少一種以及在第一電介質層11和第二電介質層12之間存在邊界反應層13的情況下，可將第一電介質層11和第二電介質層12穩(wěn)定地層壓，同時經(jīng)由邊界反應層13保持強的粘合強度。因此，即使層壓和形成像第一電介質層11和第二電介質層12 —樣的不同材料的電介質層，根據(jù)本實施方案的陶瓷電子部件10也能夠防止在層壓的第一電介質層11 和第二電介質層12之間剝離。制造陶瓷電子部件的方法接下來，將使用附圖描述制造具有上述構造的陶瓷電子部件的適合方法。圖2為示出制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的陶瓷電子部件的方法的流程圖。如圖2所示，制造根據(jù)本實施方案的陶瓷電子部件10的方法包括以下示出的工藝(a)至(C)。(a)成品材料生產(chǎn)工藝(步驟Sll)將包含Ba、Nd和Ti的第一母料和至少包含SiO的第一添加劑混合；在800°C以上至950°C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒所述混合物以生產(chǎn)第一成品材料；將包含與第一母料的材料不同的材料的第二母料和至少包含aio的第二添加劑混合；和在800°C以上至950°C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒所述混合物以生產(chǎn)第二成品材料。(b)片層壓體形成工藝(步驟S12)交替層壓通過將包含第一成品材料的第一漿料成形為片形獲得的第一片體(第一生坯片)和通過將包含第二成品材料的第二漿料成形為片形獲得的第二片體(第二生坯片)，從而形成片層壓體。(c)層壓燒結體生產(chǎn)工藝(步驟S13)燒結片層壓體以生產(chǎn)層壓燒結體。成品材料牛產(chǎn)工藝步驟Sll成品材料生產(chǎn)工藝(步驟Sll)為其中將第一母料和第一添加劑混合并煅燒以生產(chǎn)第一成品材料以及將第二母料和第二添加劑混合并煅燒以生產(chǎn)第二成品材料的工藝。第一母料包含Ba、Nd和Ti。除了 Ba、Nd和Ti之外，第一母料可進一步包含Mg。 第一添加劑包含ai0、&03、Bi203、Co0、Mn0、Cu0、堿土金屬氧化物和玻璃等的至少一種?？紤]到改進第一電介質層11和邊界反應層13之間的粘合強度，第一添加劑優(yōu)選至少包含&10。在成品材料生產(chǎn)工藝(步驟Sll)中，將第一母料和第一添加劑混合以生產(chǎn)第一混合物。將第一混合物在氧氣氛中煅燒以獲得第一成品材料。用于煅燒的煅燒溫度優(yōu)選800°c 以上至950°C以下，更優(yōu)選800°C以上至900°C以下，最優(yōu)選830°C以上至870°C以下。煅燒時間不具體限定，但優(yōu)選兩小時以上至五小時以下。第一成品材料為粉末形式，并通過濕式球磨機等粉碎。為了與第一添加劑有效混合，在將第一母料與第一添加劑混合之前，可將第一母料粉碎為粉末并煅燒。在此情況下，用于煅燒的煅燒溫度優(yōu)選1200°C以上至1300°C以下，更優(yōu)選1250°C以上至1270°C以下，最優(yōu)選約1270°C。煅燒時間不具體限定，但優(yōu)選兩小時以上至五小時以下。如上所述，第二母料包含與第一母料的材料不同的材料。像第一添加劑一樣，第二添加劑包含aiO、B2O3> Bi203、CoO、MnO, CuO、堿土金屬氧化物和玻璃等的至少一種?？紤]到改進第二電介質層12和邊界反應層13之間的粘合強度，像第一添加劑一樣，第二添加劑優(yōu)選至少包含aio。在成品材料生產(chǎn)工藝(步驟Sll)中，將第二母料和第二添加劑混合以生產(chǎn)第二混合物。與當生產(chǎn)第一混合物時一樣，將第二混合物在氧氣氛中煅燒以獲得第二成品材料。 用于煅燒的煅燒溫度優(yōu)選800°c以上至950°C以下，更優(yōu)選800°C以上至900°C以下，最優(yōu)選 830°C以上至870°C以下。煅燒時間不具體限定，但優(yōu)選兩小時以上至五小時以下。像第一成品材料一樣，第二成品材料也為粉末形式并通過濕式球磨機等粉碎。像第一母料一樣，為了與第二添加劑有效混合，在將第二母料與第二添加劑混合之前，可將第二母料粉碎為粉末并煅燒。在生產(chǎn)第一成品材料和第二成品材料之后，制造方法繼續(xù)進行至片層壓體形成工藝(步驟S12)。片層壓體形成工藝步驟S12片層壓體形成工藝(步驟Si》為其中交替層壓通過將包含第一成品材料的第一漿料成形為片形獲得的第一生坯片(第一片體)和通過將包含第二成品材料的第二漿料成形為片形獲得的第二生坯片(第二片體)以形成片層壓體的工藝。在片層壓體形成工藝(步驟Si》中，將預定量的聚乙烯醇、丙烯酸類或乙基纖維素類有機粘合劑配混入第一成品材料中并混合以生產(chǎn)包含第一成品材料的第一漿料。將第一漿料用于片成形并通過刮刀法等以片形在多個位置處施涂至基板上。將施涂至基板的第一漿料干燥，從而獲得多個第一生坯片。第一生坯片的形成方法不具體限定，只要能夠以片形施涂第一漿料并且可為濕式形成方法如成片法(sheet method)或印刷法(printing method)或干式形成方法如加壓成型即可。像第一成品材料一樣，對于第二成品材料，生產(chǎn)包含第二成品材料的第二漿料。像第一漿料一樣，也將第二漿料用于片成形。將第二漿料以片形施涂至于基板上形成的第一片體上。將第二漿料通過刮刀法等施涂至第一生坯片上并將施涂至第一生坯片上的第二漿料干燥，從而形成多個第二生坯片。通過交替層壓多個第一生坯片和多個第二生坯片在基板上形成片層壓體。在生產(chǎn)片層壓體之后，在進行層壓燒結體生產(chǎn)工藝(步驟Si； )之前從基板除去片層壓體。層壓饒結體牛產(chǎn)工藝步驟S13層壓燒結體生產(chǎn)工藝(步驟Si;3)為其中將片層壓體燒結和固化以生產(chǎn)層壓燒結體的工藝。在層壓燒結體生產(chǎn)工藝(步驟Si； )中，將獲得的片層壓體切割為預定形式，從而生產(chǎn)芯片型片層壓體，并且在除去包含于第一生坯片和第二生坯片的粘合劑之后，燒結片層壓體，從而生產(chǎn)層壓燒結體。優(yōu)選在氧氣氛如空氣中進行燒結。最佳燒結溫度為對于形成邊界反應層13優(yōu)選的溫度，優(yōu)選例如850°C以上至950°C以下，更優(yōu)選880°C以上至920°C 以下，最優(yōu)選900°C以上至920°C以下。第一生坯片通過煅燒成為第一電介質層11，第二生坯片通過煅燒成為第二電介質層12。第一生坯片為通過使用第一母料成形為片形的片，因而，包含于第一母料的Ba、Nd 和Ti也包含于第一生坯片中。通過燒結片層壓體，包含于第一生坯片的Ba、Nd和Ti分別變?yōu)锽a0、Nd203和TiO2,第一電介質層11包含Ba0、Nd203和TiO2作為主組分。此外，通過燒結片層壓體，邊界反應層13形成于第一電介質層11和第二電介質層12之間。邊界反應層 13包含&i、Ti、Cu和Mg的至少一種，在第一電介質層11和第二電介質層12之間存在邊界反應層13的情況下，可將第一電介質層11和第二電介質層12穩(wěn)定地層壓，同時經(jīng)由邊界反應層13保持強的粘合強度。在獲得的層壓燒結體中形成外部電極和內部電極后，可通過鍍覆層壓燒結體至預定厚度來獲得陶瓷電子部件10。因而，通過根據(jù)本實施方案的制造陶瓷電子部件的方法獲得的陶瓷電子部件能夠防止第一生坯片和第二生坯片之間剝離的發(fā)生，因此能夠制造高度可靠的陶瓷電子部件。可將玻璃粉末與第一生坯片和第二生坯片之一或兩者混合。優(yōu)選使用其玻璃軟化點為450°C以上至650°C以下的玻璃粉末。作為形成邊界反應層13的組分包含的Zn、Ti、 Cu和Mg促進通過玻璃軟化點低的玻璃的液相燒結，從而促進邊界反應層13的燒結，因而形成具有固定厚度的邊界反應層13。此外，可將第一電介質層11和第二電介質層12進行層壓同時經(jīng)由邊界反應層13保持強的粘合強度。如果將第一電介質層和第二電介質層同時燒結，則通過包含于第一電介質層11和第二電介質層12之一或兩者中的玻璃能夠改進陶瓷電子部件的Q因子。
為了印刷內部電極，將第一生坯片和第二生坯片多次交替堆疊同時在其間配置要作為內部電極的導電性材料的Ag系金屬，并將層壓產(chǎn)物切割為預定尺寸，從而形成芯片型片層壓體。在此情況下，最佳燒結溫度為對于形成邊界反應層13優(yōu)選的溫度，優(yōu)選例如 8500C以上至950°C以下，更優(yōu)選880°C以上至920°C以下，最優(yōu)選900°C以上至920°C以下。 通過在獲得的層壓燒結體中形成外部電極，能夠生產(chǎn)包含由Ag系金屬組成的內部電極的陶瓷電子部件。對于外部電極，在電極中通常包含輔助材料如玻璃粉和氧化物。因而，將低于燒結芯片的溫度的印刷溫度用于印刷/煅燒。例如，將650°C以上至700°C以下的溫度用于印刷。陶瓷電子部件本實施方案中的陶瓷電子部件可適合使用例如作為一種高頻器件的多層器件的陶瓷電子部件。多層器件具有通過使用在其中一體化嵌入的多層陶瓷層組成的多層陶瓷基板在其中一體化生產(chǎn)或制造的電介質器件如電容器和感應器。此類多層陶瓷基板通過使用如上所述根據(jù)本實施方案的制造陶瓷電子部件的方法制造。除了多層器件之外，根據(jù)本實施方案的陶瓷電子部件也可適合用于LC濾波器。圖3為示意性示出當將本實施方案中的陶瓷電子部件用作LC濾波器時的實施方案的概念圖。如圖3所示，LC濾波器20包括電容器21-1至21-3和線圈22。電容器21-1至21_3通過通路(via)(通路導體)23連接至線圈22。LC濾波器20的電容器部分具有三層結構，但在本實施方案中的陶瓷電子部件不限于三層結構，可采取任何多層結構。因而，本實施方案中的陶瓷電子部件可適合用作用于LC 濾波器的多層SMD。本實施方案中的陶瓷電子部件也適合用作用于以下的陶瓷電子部件電容器、低通濾波器(LPF)、帶通濾波器(BPF)、雙工器(DPX)、耦合器(定向耦合器)和不平衡變壓器 (平衡-不平衡阻抗變換器)。以下將使用實施例和比較例更具體地描述本發(fā)明，但本發(fā)明不限于以下實施例。將描述生產(chǎn)母料的方法，該母料包含構成各第一電介質層和第二電介質層以及形成用于第一電介質層和第二電介質層成形的片體的組分。使用的母料包括BaNdTiO系氧化物、2Mg0 · SiO2以及BaNdTiO系氧化物和2Mg0 · SiO2的混合物。片體包括BaNdTiO系氧化物片體、2Mg0 · SiO2片體以及BaNdTiO系氧化物和2Mg0 · SiO2混合物的片體。1-1. BaNdTiO 系氧化物(BaO-NcU^-TiO2)的生產(chǎn)稱量36質量％的碳酸鋇(BaCO3) ,40.四質量％的氫氧化釹(Nd(OH)3)和；35. 35 質量％的氧化鈦(TiO2)。將BaC03> Nd(OH)3和TiO2的總和調整為100質量％，將稱量的粉末放入尼龍球磨機中，并添加離子交換水和商購分散劑，從而生產(chǎn)漿料濃度為25%的漿料并將該漿料混合16小時。將混合的漿料回收并在120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機(Wiley mill)(商品名WT_50，由MikiSeisakusho制造)研磨以借助于使用#30篩孔在搖動下篩分使粉末通過。將回收的粉末包入由氧化鎂制成的小盒子中并在1270°C下在空氣氣氛中在電爐中煅燒兩小時，從而獲得母料的煅燒粉末(稱為“一次煅燒粉末”)。相對于100質量％的一次煅燒粉末，稱量1. 5質量％的氧化硼(B2O3)、2. 0質量％ 的氧化鋅(aio)和1.0質量％的氧化銅(Cuo)。將稱量的粉末放入尼龍球磨機中并添加離子交換水，從而生產(chǎn)漿料濃度為33%的漿料并將該漿料混合16小時。
將混合的漿料回收并在120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機研磨以借助于使用#300篩孔在搖動下篩分使粉末通過。將回收的粉末包入由氧化鎂制成的小盒子中并在850°C下在空氣氣氛中在電爐中煅燒兩小時，從而獲得母料和添加劑的混合物的煅燒粉末(稱為“二次煅燒粉末”)。稱量99質量％的獲得的二次煅燒粉末并稱量1質量％的Ag粉末，將這些粉末放入尼龍球磨機中并添加乙醇以生產(chǎn)漿料濃度為33%的漿料并將該漿料混合16小時，從而獲得粉碎的成品材料。將混合的乙醇漿料回收并在80°C至120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機研磨以借助于使用#300篩孔在搖動下篩分使粉末通過，從而獲得成品材料。1-2. BaNdTiO 系氧化物(BaO-NcUX-TiOj 片體的牛產(chǎn)將預定量的商購甲苯(一級)、乙醇(特級)、分散劑、丙烯酸類樹脂漆和作為增塑劑的商購正丁基鄰苯二甲酰羥乙酸正丁酯添加至根據(jù)上述方法獲得的成品材料中，將成品材料和添加劑放入聚乙烯球磨機中并混合16小時，從而獲得片體形成用漿料。將該漿料通過刮刀法施涂至基板上，從而生產(chǎn)多個片體。2-1. 2MgQ · SiO,的牛產(chǎn)相對于100質量％的鎂橄欖石(2Mg0 · SiO2)，稱量8. 0質量％的氧化硼(B2O3)、 12. 0質量％的氧化鋅(SiO)、4. 0質量％的氧化銅(CuO)和1. 0質量％的碳酸鈣(CaCO3)。 將稱量的粉末放入尼龍球磨機中并添加離子交換水，從而生產(chǎn)漿料濃度為33%的漿料并將該漿料混合16小時。將混合的漿料回收并在120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機研磨以借助于使用#300篩孔在搖動下篩分使粉末通過。將回收的粉末包入由氧化鎂制成的小盒子中并在850°C下在空氣氣氛中在電爐中煅燒兩小時，從而獲得母料和添加劑的混合物的煅燒粉末。稱量100質量％的獲得的煅燒粉末并稱量3質量％的鋰系玻璃(LS-5，由Asahi Glass制造)，將煅燒粉末放入尼龍球磨機中并添加乙醇以生產(chǎn)漿料濃度為33%的漿料并將該漿料混合16小時，從而獲得粉碎的成品材料。將包含成品材料的漿料回收并在80°C至120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機研磨以借助于使用#300篩孔在搖動下篩分使粉末通過，從而獲得成品材料。2-2. 2Mr0 · SiO,片體的生產(chǎn)將預定量的商購甲苯(一級)、乙醇(特級)、分散劑、丙烯酸類樹脂漆和作為增塑劑的商購正丁基鄰苯二甲酰羥乙酸正丁酯添加至根據(jù)上述方法獲得的成品材料中，將成品材料和添加劑放入聚乙烯球磨機中并混合16小時，從而獲得片體形成用漿料。將該漿料通過刮刀法施涂至基板上，從而生產(chǎn)多個片體。3-1. BaNdTiO系氧化物和2Mg0 · SiO,的復合材料的生產(chǎn)稱量36質量％的碳酸鋇(BaCO3) ,40.四質量％的氫氧化釹(Nd(OH)3)和；35. 35 質量％的氧化鈦(TiO2)，將BaC03> Nd(OH)3和TiO2的總和調整為100質量％。將稱量的粉末放入尼龍球磨機中，并添加離子交換水和商購分散劑，從而生產(chǎn)漿料濃度為25%的漿料并將該漿料混合16小時。將混合的漿料回收并在120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機研磨以借助于使用#30篩孔在搖動下篩分使粉末通過。將回收的粉末包入由氧化鎂制成的小盒子中并在1270°C下在空氣氣氛中在電爐中煅燒兩小時，從而獲得母料的煅燒粉末 (稱為“一次煅燒粉末”)。相對于68. 5質量％的一次煅燒粉末，稱量31. 5質量％的鎂橄欖石(2Mg0 -SiO2)， 以將一次煅燒粉末和鎂橄欖石的總和調整為100質量％。稱量2.48質量％的化03、6.67質量％的&10、3. 14 質量％的 Bi2O3U. 12 質量％的&)0、0. 66 質量^mMnCO3 和 1.07 質量％ 的CaCO3,將稱量的粉末放入尼龍球磨機中并添加離子交換水以生產(chǎn)漿料濃度為33%的漿料并將該漿料混合16小時。將混合的漿料回收并在120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機研磨以借助于使用#300篩孔在搖動下篩分使粉末通過。將回收的粉末包入由氧化鎂制成的小盒子中并在850°C下在空氣氣氛中在電爐中煅燒兩小時，從而獲得母料和添加劑的混合物的煅燒粉末(稱為“二次煅燒粉末”)。稱量100質量％的獲得的二次煅燒粉末并稱量0. 75質量％的Ag粉末，將這些粉末放入尼龍球磨機中并添加乙醇以生產(chǎn)漿料濃度為33%的漿料并將該漿料混合16小時， 從而獲得粉碎的成品材料。將混合的乙醇漿料回收并在80°C至120°C下干燥M小時，然后，將干燥的物質通過維利氏磨粉機研磨以借助于使用#300篩孔在搖動下篩分使粉末通過，從而獲得成品材料。3-2. BaNdTiO系氧化物和2Mg0 · SiO,的復合材料的片體的生產(chǎn)將預定量的商購甲苯(一級)、乙醇(特級)、分散劑、丙烯酸類樹脂漆和作為增塑劑的商購正丁基鄰苯二甲酰羥乙酸正丁酯添加至根據(jù)上述方法獲得的成品材料中，將成品材料和添加劑放入聚乙烯球磨機中并混合16小時，從而獲得片體形成用漿料。將該漿料通過刮刀法施涂至基板上，從而生產(chǎn)多個片體。實施例1至11和比較例1至10將如上所述獲得的BaNdTiO系氧化物、2Mg0 · SW2以及BaNdTiO系氧化物和 2Mg0-SiO2的復合材料用作母料從而形成第一電介質層和第二電介質層。將ai0、403、Co0、 MnO、Bi203、CaCO3> Ag、CuO, Li系玻璃、Na系玻璃、Bi系玻璃、Ba系玻璃和Mg系玻璃的一種或多種用作添加劑。通過使用這些母料和添加劑，在示于表1-1、1_2、2-1和2-2的條件下生產(chǎn)成形為芯片形的層壓燒結體(芯片)。檢驗邊界反應層的這些主組分、鍍覆液是否已滲透入邊界反應層中、邊界反應層的孔比率、邊界反應層的厚度、玻璃的軟化點以及第一電介質層和第二電介質層的剝離條件。這些測量結果示于表1-1、1_2、2-1和2-2中。除了改變示于表1-1、1_2、2-1和2-2中的條件之外，生產(chǎn)芯片的方法及其評價方法與以下實施例 7中所示的那些相同。
權利要求
1.一種陶瓷電子部件，其包括第一電介質層，所述第一電介質層包含BaO、Nd2O3和TiO2 ；第二電介質層，所述第二電介質層包含與所述第一電介質層不同的材料；和邊界反應層，所述邊界反應層形成于所述第一電介質層和所述第二電介質層之間并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一種。
2.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷電子部件，其中在所述第一電介質層和所述第二電介質層兩者中均包含&ι0。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的陶瓷電子部件，其中至少Si包含于所述第一電介質層和所述第二電介質層的至少之一中。
4.一種陶瓷電子部件，其包括燒結的片層壓體，其中所述燒結的片層壓體通過將片層壓體燒結來獲得，在所述片層壓體中將第一片體和第二片體交替層壓，所述第一片體通過將包含第一成品材料的第一漿料成形為片形獲得，所述第二片體通過將包含第二成品材料的第二漿料成形為片形獲得，所述第一成品材料通過將包含Ba、Nd和Ti的第一母料和至少包含SiO的第一添加劑混合以生產(chǎn)第一混合物并通過在800°C以上至950°C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒所述第一混合物來獲得，所述第二成品材料通過將包含與所述第一母料不同的材料的第二母料和至少包含SiO的第二添加劑混合以生產(chǎn)第二混合物并通過在800°C 以上至950°C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒所述第二混合物來獲得，玻璃軟化點為450°C 以上至650°C以下的玻璃粉末包含于所述第一片體和所述第二片體的至少之一中，和在作為所述第一片體的包含BaCKNd2O3和TiO2的第一電介質層和作為所述第二片體的包含與所述第一電介質層不同的材料的第二電介質層之間形成包含ai、Ti、Cu和Mg至少一種的邊界反應層。
5.一種制造陶瓷電子部件的方法，其包括將包含Ba、Nd和Ti的第一母料和至少包含ZnO的第一添加劑混合以生產(chǎn)第一混合物；在800°C以上至950°C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒所述第一混合物以生產(chǎn)第一成品材料；將包含與所述第一母料不同的材料的第二母料和至少包含SiO的第二添加劑混合以生產(chǎn)第二混合物；在800°C以上至950°C以下的溫度下在氧氣氛中煅燒所述第二混合物以生產(chǎn)第二成品材料；交替層壓第一片體和第二片體以形成片層壓體，所述第一片體通過將包含所述第一成品材料的第一漿料成形為片形獲得，所述第二片體通過將包含所述第二成品材料的第二漿料成形為片形獲得；和燒結所述片層壓體以生產(chǎn)層壓燒結體。
6.根據(jù)權利要求5所述的制造陶瓷電子部件的方法，其中將玻璃軟化點為450°C以上至650°C以下的玻璃粉末混合于所述第一片體和所述第二片體的至少之一中。
全文摘要
一種陶瓷電子部件，其包括第一電介質層、第二電介質層和邊界反應層。所述第一電介質層為包含BaO、Nd2O3和TiO2的層，所述第二電介質層為包含與所述第一電介質層不同的材料的層，所述邊界反應層為形成于所述第一電介質層和所述第二電介質層之間并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一種的層。
文檔編號B32B15/04GK102248719SQ20111005628
公開日2011年11月23日 申請日期2011年3月9日 優(yōu)先權日2010年3月9日
發(fā)明者宮內泰治, 小更恒, 嵐友宏, 櫻井俊雄, 畑中潔 申請人:Tdk株式會社