專利名稱：2100納米帶通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種濾光片，特別是2100納米帶通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
在許多工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域，需要對物料(如冶金鋼鐵行業(yè)的燒結(jié)物料、食品加工行業(yè)的糧食物料和煙草行業(yè)的煙絲等)的水分進(jìn)行精確檢測，一保證產(chǎn)品的質(zhì)量，提高生產(chǎn)效率，降低能源消耗?，F(xiàn)大多采用紅外水分儀來測量各種物料的水分，為了確保檢測的精準(zhǔn)度,在紅外水分儀內(nèi)設(shè)有濾光片。但是，目前用于水分測量的2100納米帶通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能 滿足市場發(fā)展的需要。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的2100納米帶通紅外濾光片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的2100納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Si和SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層，所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為78nm的Si層、厚度為123nm的SiO層、厚度為123nm的Si層、厚度為15Inm的SiO層、厚度為167nm的Si層、厚度為119nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度 為222nm的SiO層、厚度為93nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為78nm的Si層、厚度為2IOnm的SiO層、厚度為79nm的Si層、厚度為92nm的SiO層、厚度為76nm的Si層、厚度為161nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度為148nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為206nm的SiO層、厚度為82nm的Si層、厚度為129nm的SiO層、厚度為165nm的Si層、厚度為180nm的SiO層、厚度為158nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為70nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為106nm的Si層、厚度為282nm的SiO層、厚度為289nm的Si層、厚度為350nm的SiO層、厚度為185nm的Si層、厚度為287nm的SiO層以及厚度為287nm的Si層；第二鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為571nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為1142nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為158nm的Si層以及厚度為158nm的SiO層。上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。本實(shí)用新型得到的2100納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位在2100±1%納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于O. I %，極大地提高了信噪比，提高應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的探測精度和效能。[0008]
圖I是實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測曲線圖。圖中基板I、第一鍍膜層2、第二鍍膜層3。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。實(shí)施例如圖I所示，本實(shí)施列提供的2100納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板I、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層2和以Si和SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層3，所述基板I位于第一鍍膜層2和第二鍍膜層3之間，第一鍍膜層I包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為78nm的Si層、厚度為123nm的SiO層、厚度為123nm的Si層、厚度為151nm的SiO層、厚度為167nm的Si層、厚度為119nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度為222nm的SiO層、厚度為93nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為78nm的Si層、厚度為2IOnm的SiO層、厚度為79nm的Si層、厚度為92nm的SiO層、厚度為76nm的Si層、厚度為161nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度為148nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為206nm的SiO層、厚度為82nm的Si層、厚度為129nm的SiO層、厚度為165nm的Si層、厚度為180nm的SiO層、厚度為158nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為70nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為106nm的Si層、厚度為282nm的SiO層、厚度為289nm的Si層、厚度為350nm的SiO層、厚度為185nm的Si層、厚度為287nm的SiO層以及厚度為287nm的Si層；第二鍍膜層3包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為571nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為1142nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為158nm的Si層以及厚度為158nm的SiO層。如圖2所示，本實(shí)施例得到的2100納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位為2100 土 I %納米，峰值透過率達(dá)90 %以上，截止區(qū)透過率小于0. I %。
權(quán)利要求1. 一種2100納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板(I)、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層(2)和以Si和SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層(3)，所述基板(I)位于第一鍍膜層(2)和第二鍍膜層(3)之間，其特征是第一鍍膜層(2)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為78nm的Si層、厚度為123nm的SiO層、厚度為123nm的Si層、厚度為151nm的SiO層、厚度為167nm的Si層、厚度為119nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度為222nm的SiO層、厚度為93nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為78nm的Si層、厚度為2IOnm的SiO層、厚度為79nm的Si層、厚度為92nm的SiO層、厚度為76nm的Si層、厚度為161nm的SiO層、厚度為68nm的Si層、厚度為148nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為206nm的SiO層、厚度為82nm的Si層、厚度為129nm的SiO層、厚度為165nm的Si層、厚度為180nm的SiO層、厚度為158nm的Si層、厚度為128nm的SiO層、厚度為70nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為106nm的Si層、厚度為282nm的SiO層、厚度為289nm的Si層、厚度為350nm的SiO層、厚度為185nm的Si層、厚度為287nm的SiO層以及厚度為287nm的Si層；第二鍍膜層(3)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為571nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為285nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為1142nm的SiO層、厚度為143nm的Si層、厚度為305nm的SiO層、厚度為158nm的Si層以及厚度為158nm的SiO層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種2100納米帶通紅外濾光片，包括以Bk7玻璃為原材料的基板、以Si和SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Si和SiO為鍍膜材料的第二鍍膜層，所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層包括從內(nèi)向外依次排列的厚度不同的Si層和SiO層，所述Si層和SiO層交互排列；所述第二鍍膜層包括從內(nèi)向外依次排列的厚度不同的Si層和SiO層，所述Si層和SiO層交互排列。本實(shí)用新型得到的2100納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位在2100±1％納米，峰值透過率達(dá)90％以上，截止區(qū)透過率小于0.1％，極大地提高了信噪比，提高應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的探測精度和效能。
文檔編號B32B9/04GK202472023SQ201220091300
公開日2012年10月3日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司