專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過將半導(dǎo)體薄膜例如LED外延膜接合到襯底上形成 的半導(dǎo)體器件、使用該半導(dǎo)體器件的LED打印頭、使用該LED打印頭 的圖像形成設(shè)備以及制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
在常規(guī)技術(shù)中，通過接合引線進(jìn)行LED芯片和用于驅(qū)動(dòng)和控制LED 芯片的驅(qū)動(dòng)器IC芯片之間的電連接(例如，日本專利特許公開 No. 2001-244543 )。圖13是表示其中LED芯片和驅(qū)動(dòng)器IC芯片通過 接合引線連接的常規(guī)半導(dǎo)體器件的透視圖，而圖14是示出圖13的LED 芯片放大了的透視圖。如圖13或圖14中所示，半導(dǎo)體器件包括單元 板301、 LED芯片302和驅(qū)動(dòng)器IC芯片303。 LED芯片302包括發(fā)光部 件304、分立電極305和電極焊墊306。 LED芯片302的電極焊墊306 和接合IC芯片303的電極焊墊307通過接合引線308連接。而且，驅(qū) 動(dòng)器IC芯片303的電極焊墊309和單元板301的電極焊墊310通過接 合引線311連接。
然而，在前述的常規(guī)半導(dǎo)體器件中，電極焊墊306的表面積(例 如，約為100 pmx 100 pm的量級(jí))比由LED芯片302上的發(fā)光部件 304所占的表面積更大。因此，只要提供電極焊墊306，就難以減少LED 芯片302的芯片寬度，且難以降低LED芯片302的材料成本。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種允許材料成本較大降低的半 導(dǎo)體器件、使用該半導(dǎo)體器件的LED打印頭、使用該LED打印頭的圖
像形成設(shè)備，以及制造半導(dǎo)體器件的方法。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括襯底，和接合到村底的半導(dǎo)體薄膜。
半導(dǎo)體薄膜包括多個(gè)分立的工作區(qū)，每一個(gè)分立工作區(qū)具有工作層， 以及元件隔離區(qū)，其是將多個(gè)分立工作區(qū)的工作層相互隔離的所述半 導(dǎo)體薄膜的變薄區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的LED打印頭包括上述的半導(dǎo)體器件和用于支撐半導(dǎo) 體器件的支架。
根據(jù)本發(fā)明的圖像形成包括上述的LED打印頭和面對(duì)LED打印頭 安裝的感光體。
根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在第一村底上形成包 括多個(gè)分立工作區(qū)的半導(dǎo)體薄膜，每一個(gè)分立工作區(qū)具有工作層，以 便半導(dǎo)體薄膜可以與第一襯底分離；將已與第一襯底分離的半導(dǎo)體薄 膜接合到第二村底；以及通過將除了接合到第二襯底的半導(dǎo)體薄膜的 多個(gè)分立工作區(qū)以外的區(qū)域進(jìn)行蝕刻而形成元件隔離區(qū)，以便相互隔 離多個(gè)分立工作區(qū)的工作層。
從以下給出的詳細(xì)說明和附圖，本發(fā)明將變得更充分理解，其僅 僅是通過示例的方式給出，因此不是本發(fā)明的限定，且其中
圖l是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的透視圖； 圖2是表示圖1的半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)器IC芯片、金屬層和LED外
延膜的透視圖3是表示圖1的半導(dǎo)體器件中穿過線S3-S3的剖面的剖面圖； 圖4是表示根據(jù)笫一實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體器件的工藝的剖面圖； 圖5是表示根據(jù)第一實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體器件工藝的剖面圖； 圖6是表示比較例中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的透視圖； 圖7是表示圖6的半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)器IC芯片、金屬層和LED外 延膜的透視圖8是表示圖6的半導(dǎo)體器件中穿過線S8-Ss的剖面的剖面圖； 圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的透視圖； 圖IO是表示圖9的半導(dǎo)體器件中穿過線Si。-S,。的剖面的剖面圖； 圖ll是表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的LED打印頭結(jié)構(gòu)的剖面圖； 圖12是表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的圖像形成設(shè)備結(jié)構(gòu)的剖面
圖13是表示常規(guī)半導(dǎo)體器件的透視圖；以及
圖14是圖13的半導(dǎo)體器件中部分LED芯片放大了的透視圖。
具體實(shí)施例方式
從下文給出的詳細(xì)說明，本發(fā)明的適用范圍將變得顯而易見。然 而，應(yīng)當(dāng)理解，表示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明和具體實(shí)例僅是通 過示例的方式給出，因此對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，從詳細(xì)地說明中 各種改變和變型將變得顯而易見。
第一實(shí)施例
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的透視圖。 圖2是示出圖1的半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)器IC芯片、金屬層和LED外延膜 的透視圖，以及圖3是表示圖1的半導(dǎo)體器件中穿過線S3-S,的剖面的 剖面圖。
如圖1、圖2或圖3所示，根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括單 元板11、固定在單元板11上的驅(qū)動(dòng)器IC芯片12、形成在驅(qū)動(dòng)器IC 芯片12上的金屬層13、以及LED外延膜14， LED外延膜14是接合在 金屬層13上的半導(dǎo)體薄膜。
驅(qū)動(dòng)器IC芯片12為Si村底，在其中形成LED控制驅(qū)動(dòng)器IC。在 驅(qū)動(dòng)器IC芯片12的表面上提供連接到驅(qū)動(dòng)器IC的多個(gè)電極端子12a 和多個(gè)電極端子12b。
LED外延膜14包括多個(gè)分立工作區(qū)(發(fā)光部件，即LED) 14a和與 將多個(gè)分立工作區(qū)14a彼此電隔離的元件隔離區(qū)14b。元件隔離區(qū)14b 是其中將LED外延膜14蝕刻為比LED外延膜14的厚度更淺的深度的 區(qū)域，并且是比多個(gè)分立工作區(qū)14a更薄的區(qū)域。如圖3所示，LED外 延膜14具有多層半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，其中從驅(qū)動(dòng)器IC芯片U的一側(cè)依 次提供下部接觸層21、下部包層22、激活層23作為工作層、上部包 層24以及上部接觸層25。 例如，下部接觸層21為n-GaAs層，下部 包層22為n-AlzGa卜zAs層，激活層23為AlyGa, yAs層，上部包層24為 p-AlxGa卜,As層，上部接觸層25為p-GaAs層。這里，將x、 y和z的值 分別設(shè)置為從零到一的范圍內(nèi)，以便獲得高的發(fā)光效率。形成LED外 延膜14的外延層不限于上述的實(shí)例。 LED外延膜14的厚度T可以從各種厚度中選擇，但可以將厚度T 制作為約2 pm薄。需要隔離發(fā)光區(qū)14a的蝕刻深度可以直接在激活層 23以上(當(dāng)激活層23未摻雜時(shí))、或可以在下部包層22的頂表面以 下。圖3示出進(jìn)行蝕刻到下部包層22的頂表面以下的情況。
例如，金屬層13形成在形成驅(qū)動(dòng)器IC的區(qū)域中或者與形成驅(qū)動(dòng) 器IC的區(qū)域相鄰接的區(qū)域中，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片12的表面上，其中形 成驅(qū)動(dòng)器IC的區(qū)域是平坦區(qū)域。金屬層13例如可以是鈀、金等。金 屬層13例如可以通過化學(xué)汽相淀積或賊射形成。將LED外延膜14接 合到金屬層13的表面。金屬層13具有將粘附于金屬層13的LED外延 膜14固定到驅(qū)動(dòng)器IC芯片12上的功能，以及電連接LED外延膜14 的下表面上的公共端子區(qū)(下部接觸層21 )和驅(qū)動(dòng)器IC芯片12的公 共端子區(qū)(未示出)的功能。優(yōu)選，在金屬層13和LED外延膜14中 的下部接觸層21之間、以及金屬層13和驅(qū)動(dòng)器IC芯片12的公共端 子區(qū)之間形成歐姆接觸。例如LED外延膜14到金屬層13的接合可以 通過外延膜和金屬層之間的分子間力、以及通過外延膜和金屬層之間 的反應(yīng)(界面的原子重排列)來實(shí)現(xiàn)。
如圖1和圖3所示，根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件還包括從分立 工作區(qū)14a的頂部、穿過元件隔離區(qū)14b到達(dá)驅(qū)動(dòng)器IC芯片l2延伸 的分立互連層(薄膜互連)32。如圖3中所示，在LED外延膜14和分 立互連層32之間提供層間絕緣膜31，分立互連層32通過層間絕緣膜 31中的開口 31a連接到上部接觸層25。分立互連層32電連接LED外 延膜14的發(fā)光部件14a上表面，以及IC.芯片12的分立端子區(qū)12a 分立互連層32為薄膜金屬互連等，例如Au層、Pd層、Pd/Au疊層、 Al層或多晶硅層。利用光刻技術(shù)可以同時(shí)形成所有的多個(gè)分立互連層 32。
單元板11在其表面上具有電極焊墊lla。驅(qū)動(dòng)器IC芯片l2的電 極端子nb和單元板11的電極焊墊lla碌過接合引線"連接。
接著，將描述根據(jù)笫一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法。圖4和 圖5是表示根據(jù)第一實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體器件的工藝的剖面圖。如 圖4所示，首先，在制造襯底(例如，GaAs村底)111上形成分離層 (犧牲層)112用于形成LED外延層114，在犧牲層ll2上形成包括多 個(gè)分立工作區(qū)的LED外延層(半導(dǎo)體薄膜)ll4?？梢酝ㄟ^金屬氧化物
化學(xué)汽相淀積方法(M0CVD方法)、金屬氧化物汽相外延方法(M0VPE 方法)、分子束外延方法(MBE方法)等公知技術(shù)制造LED外延層114。 LED夕卜延層114包括n-GaAs層121、 n-AlzGa, zAs層122、 AlyGai—yAs層 123、 p-AlxGa,—,As層124和p-GaAs層125,其分別對(duì)應(yīng)下部接觸層21、 下部包層22、激活層23、上部包層24和上部接觸層25。
另一方面，如圖1中所示，通過化學(xué)汽相淀積或?yàn)R射，在驅(qū)動(dòng)器 IC芯片(Si襯底)12上形成金屬層13。接著，通過如圖5所示的蝕 刻部分LED外延層114和犧牲層112，并通過化學(xué)剝離方法從GaAs襯 底111上剝離(即，分離)LED外延層114，從而獲得LED外延膜(LED 外延層114)，且將LED外延膜接合到驅(qū)動(dòng)器IC芯片12的金屬層13。
接著，如圖1中所示，通過將除了接合到驅(qū)動(dòng)器IC芯片的LED外 延膜14的多個(gè)分立工作區(qū)14a之外的區(qū)域蝕刻為比LED外延膜14的 厚度更淺的深度，來形成電隔離多個(gè)分立工作區(qū)14a的元件隔離區(qū) 14b。在蝕刻中，4吏用抗蝕劑以防止分立工作區(qū)1"的蝕刻，并蝕刻元 件隔離區(qū)14b。 y使用的蝕刻溶液例如可以是磷酸溶液，且蝕刻溫度例如 可以是30t:的量級(jí)?；陬A(yù)先獲得的蝕刻速率和希望的蝕刻深度確定 蝕刻時(shí)間。然而，蝕刻條件并不限于這些實(shí)例。接著，形成層間絕緣 膜31，并通過光刻技術(shù)形成分立互連層32，該分立互連層32從元件 隔離區(qū)14b之上的分立工作區(qū)14a的頂部延伸到驅(qū)動(dòng)器IC芯片l2的 分立電極端子12a的頂部。 ，
如上所述，在根據(jù)笫一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，使用具有幾微米 厚度的薄LED外延膜14作為發(fā)光元件器件，因此LED外延膜14的發(fā) 光部件14a和驅(qū)動(dòng)器IC芯片12的分立電極端子12a可以通過分立互 連層32連接。因此，沒有必要在LED外延膜14上提供電極焊墊，且 由于LED外延膜14的表面積的縮減，可以獲得主要材料的成本節(jié)省。
在根據(jù)笫一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，形成元件隔離區(qū)14b以致于 不縮減LED外延膜14和驅(qū)動(dòng)器IC芯片12之間的接觸面積，由此可以 增強(qiáng)分立工作區(qū)14a的電特性，而不減小驅(qū)動(dòng)器IC芯片12上的LED 外延膜14的粘附強(qiáng)度。
同樣，在根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，具有驅(qū)動(dòng)器ic芯片n 的LED外延膜14的接觸表面積很大，所以可以降低接觸電阻。這里， 為了參考的目的，通過完全蝕刻除LED外延膜的發(fā)光部件之外的區(qū)域
來分離元件的情況下，將進(jìn)行比較(比較例)。圖6是表示根據(jù)該比 較例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的透視圖。圖7是示出圖6中半導(dǎo)體器件的驅(qū) 動(dòng)器IC芯片、金屬層和LED外延膜的透視圖，圖8是表示圖6的半導(dǎo) 體器件中穿過線Ss-Ss的剖面的剖面圖。在圖6至圖8中示出的比較例 的情況下，由于半導(dǎo)體薄膜僅是發(fā)光部件14a，所以接觸面積極小，但 第一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的LED外延膜14的接觸表面積是發(fā)光部件 14a和元件隔離區(qū)14b的表面積總和，因此接觸表面積極大。
在根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，將金屬層13設(shè)置于LED外延 膜14的下表面上，因此，從發(fā)光部件14a在下表面的方向中(即，朝 向驅(qū)動(dòng)器IC芯片12)發(fā)出的光可以在如由金屬層13反射的光的表面 方向中被提取，且由此增加了發(fā)光的功率。
而且，在根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，部分LED外延膜"保 留在LED外延膜14的元件隔離區(qū)14b上，由此減少了 LED外延膜l4 上的步驟，且可以減少薄膜互連，例如分立互連層中的破裂情況的發(fā) 生。
在前述的說明中，描述了半導(dǎo)體器件為發(fā)光元件陣列的情況，但 本發(fā)明也可以應(yīng)用除了發(fā)光元件陣列之外的半導(dǎo)體器件。
第二實(shí)施例
圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的透視圖。 圖IO是表示圖9的半導(dǎo)體器件中穿過線S,。-S,。的剖面的剖面圖。
如圖9或圖10所示，根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括單元板51、 固定到單元板51的驅(qū)動(dòng)器IC芯片52、以及LED外延膜54，該LED外 延膜54是接合到驅(qū)動(dòng)器IC芯片52的半導(dǎo)體薄膜。驅(qū)動(dòng)器IC芯片52 和LED外延膜54通過粘接劑接合。
LED外延膜54包括多個(gè)分立工作區(qū)(發(fā)光區(qū)，即LED)5"，和將 多個(gè)分立工作區(qū)54a彼此電隔離的元件隔離區(qū)54b。元件隔離區(qū)54b 是其中將LED外延膜54蝕刻到比LED外延膜54的厚度更淺的深度的 區(qū)域，并且是比多個(gè)分立工作區(qū)54a更薄的區(qū)域。如圖10所示，LED 外延膜54具有多層半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，從驅(qū)動(dòng)器IC芯片52—側(cè)依次包 括下部接觸層61、下部包層62、激活層63、上部包層64和上部接觸 層65。例如，下部接觸層61為n-GaAs層，下部包層62為n-AlzGa,—zAs
層，激活層63為AlyGai—yAs層，上部包奉64為p-AlxGa,—xAs層，而上 部接觸層65為p-GaAs層。這里，將x、 y和z的值分別設(shè)置為從零到 一的范圍內(nèi)，以便獲得高的發(fā)光效率。形成LED外延膜54的外延層不 限于上述的實(shí)例。
LED外延膜54的厚度T可以從各種厚度中選擇，但可以將厚度T 制作為約2 pm薄。而且，在第二實(shí)施例中，由部分下部接觸層61構(gòu) 成元件隔離區(qū)54b。這里，示出了其中用于電隔離發(fā)光部件54的蝕刻 深度延伸到下部接觸層61中的中間的情況。結(jié)果，使下部接觸層61 的厚度比第一實(shí)施例中的接觸層n的厚度更大?？梢詫⑾虏拷佑|層61 的厚度設(shè)置于其中蝕刻可以停止在下部接觸層61中的中間的范圍內(nèi)。
如圖9和圖10所示，根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件還包括分立互 連層(薄膜互連)72，其從元件隔離區(qū)54b之上的分立工作區(qū)54a的 頂部延伸到驅(qū)動(dòng)器IC芯片52的頂部。如圖10所示，在LED外延膜54 和分立互連層72之間提供層間絕緣膜71，分立互連層72通過層間絕 緣膜71中的開口 71a連接上部接觸層65。分立互連層72電連接LED 外延膜54的發(fā)光部件上表面和驅(qū)動(dòng)器IC芯片52的分立端子區(qū)5h。
單元板51在其表面上具有電極焊墊51a。驅(qū)動(dòng)器IC芯片52的電 極端子52b和單元板51的電極焊墊51a通過接合引線73連接。
如圖9和圖10所示，在下部接觸層61上提供電極焊墊74，電極 焊墊74和驅(qū)動(dòng)器IC芯片52的公共電極端子52c通過公共互連層(薄 膜互連)75連接。分立互連層72和公共^連層75例如可以是薄膜金 屬互連，且可以通過光刻技術(shù)同時(shí)全部形成。因此，在第二實(shí)施例中， 在LED外延膜54的上側(cè)面上提供分立至連層72和公共互連層75，所 以不必考慮LED外延膜54下側(cè)的接觸電阻。結(jié)果，在用于提高LED外 延膜54的接合強(qiáng)度的粘接劑53方面具有更大的選擇自由度，且可以 增強(qiáng)粘附強(qiáng)度。同樣，由于LED外延膜5,4的整體通過下部接觸層61 連接，與第一實(shí)施例相比，其可以通過公共電極焊墊74加寬，且可以 降低接觸電阻。
在根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，以與第一實(shí)施例相同的方式， 可以獲得主要材料的成本降低、提高的LED外延膜54的粘附強(qiáng)度、以 及改善的分立工作區(qū)的電特性。除了上述幾點(diǎn)外，第二實(shí)施例的半導(dǎo) 體器件與第一實(shí)施例相同。
第三實(shí)施例
圖ll是表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的LED打印頭結(jié)構(gòu)的剖面圖。 如圖11所示，第三實(shí)施例的LED打印頭100包括基座部件101、 固定到基座部件101的LED單元102、包含多個(gè)桿狀光學(xué)元件排列的桿 透鏡陣列103、支撐桿透鏡陣列103的支架104、以及夾持且固定這些 組件101-104的夾具105。在圖中，101a和104a是夾具105從其中穿 過的開口。 LED單元102包括LED陣列芯片102a。 LED陣列芯片102a 包括笫一或第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或多個(gè)。由LED陣列芯 片102a產(chǎn)生的光穿過桿透鏡陣列103并向外部發(fā)射。使用LED打印頭 100作為用于形成電子照相印刷機(jī)或電子照相復(fù)印機(jī)中靜電潛像的曝 光設(shè)備。包括第一或第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的LED打印頭的結(jié)構(gòu)并 不限于圖11中示出的結(jié)構(gòu)。
在第三實(shí)施例的LED打印頭中，LED單元102使用第一或笫二實(shí)施 例的半導(dǎo)體器件，因此可以獲得優(yōu)良的發(fā)光特性、器件緊湊性和主要 材料的成本降低。
第四實(shí)施例 ,
圖12是表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的圖像形成設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖面
如圖12所示，笫四實(shí)施例的圖像形成設(shè)備200包括四個(gè)處理單元 201-204，其通過電子照相技術(shù)形成黃色(Y)、品紅色(M)、青色(C) 和黑色(K)圖像。處理單元201-204前后串列地排列于記錄媒質(zhì)205 的輸送路徑中。處理單元201-2(M每一個(gè)包括感光鼓20h、充電器件 203b和曝光器件203c，其中感光鼓203a用作圖像載體，充電器件203b 設(shè)置于感光鼓203a附近并為感光鼓203a的表面充電，曝光器件203c 通過用光選擇地輻照充電的感光鼓203a的表面而形成靜電潛像。曝光 器件203c可以用于第三實(shí)施例中描述的LED打印頭100，且包含第一 或第二實(shí)施例中描述的半導(dǎo)體器件。
圖像形成設(shè)備200也包括顯影器件203d和清洗器件203e，其中顯 影器件203d將調(diào)色劑傳送到其上形成靜電潛像的感光鼓203a的表面， 清洗器件203e去除殘留在感光鼓203a表面上的調(diào)色劑。通過包括未
示出的電源和傳動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使每個(gè)感光鼓203a在箭頭的方向中 旋轉(zhuǎn)。圖像形成設(shè)備200還包括存紙盒206和跳動(dòng)滾軸207，其中存紙 盒206容納例如紙等的記錄媒質(zhì)205，跳滾軸207 —次一張地分開并傳 送記錄媒質(zhì)205。壓帶滾軸208、 209和阻擋滾軸210、 211安裝在記錄 媒質(zhì)205的傳送方向中跳動(dòng)滾軸的下游處，其中阻擋滾軸210、 211與 壓帶滾軸208、 209 —起校正記錄媒質(zhì)205的偏斜并將其傳送到處理單 元201-204。跳動(dòng)滾軸207和阻擋滾軸210、 211與未示出的電源同步 旋轉(zhuǎn)。
圖像形成設(shè)備200還包括面向感光鼓203a設(shè)置的傳送滾軸212。 傳送滾軸212每一個(gè)由半導(dǎo)電橡膠等構(gòu)成。設(shè)置感光鼓203a和傳送滾 軸212的電位以便將感光鼓203a上的調(diào)色劑圖像傳送到記錄媒質(zhì)205。 此外，圖像形成設(shè)備200提供有固定器件213和滾軸214、 216和215、 217，其中固定器件213加熱并加壓記錄媒質(zhì)205上的調(diào)色劑圖像，滾 軸214、 216和215、 217用于彈出穿過固定器件213的記錄媒質(zhì)205。
通過跳動(dòng)滾軸207使堆疊于存紙盒206中的記錄媒質(zhì)205每次一 張地分開并傳送。記錄媒質(zhì)205穿過阻擋滾軸210、 211以及壓帶滾軸 208、 209，并依次穿過處理單元201-204。在處理單元201-204中，記 錄媒質(zhì)205穿過感光鼓203a和傳送滾軸212之間，在其上順次傳送彩 色調(diào)色劑圖像，并通過固定器件213加熱/加壓，以便將彩色調(diào)色劑圖 像固定在記錄媒質(zhì)205上。隨后，通過彈出滾軸將記錄媒質(zhì)205彈出 到堆積機(jī)218。包括笫一或第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件或第三實(shí)施例的 LED打印頭的圖像形成設(shè)備的結(jié)構(gòu)并不限于圖12中示出的。
在第四實(shí)施例的圖像形成設(shè)備200中，使用第三實(shí)施例的LED打 印頭100,以便通過曝光器件優(yōu)良的發(fā)光特性可以形成高質(zhì)量的圖像。 此外，由于曝光器件的緊湊性，節(jié)省了空間，且可以實(shí)現(xiàn)主要材料的 成本降低。也可以將本發(fā)明應(yīng)用到單色打印機(jī)，在具有多個(gè)曝光單元 的全彩色打印機(jī)的情況下獲得了特別大的休點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在第一襯底上形成包含多個(gè)分立工作區(qū)的半導(dǎo)體薄膜，每一個(gè)分立工作區(qū)具有工作層，以便所述的半導(dǎo)體薄膜可以與第一襯底分離；將已與所述第一襯底分離的所述半導(dǎo)體薄膜接合在第二襯底上；以及通過將除了接合在所述第二襯底上的所述半導(dǎo)體薄膜的所述多個(gè)分立工作區(qū)之外的區(qū)域進(jìn)行蝕刻而形成元件隔離區(qū)，以便相互隔離所述多個(gè)分立工作區(qū)的所述工作層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述的第二襯底是包括集成電路 的驅(qū)動(dòng)電路襯底，所述方法還包4舌形成分立互連層，其從所述分立工作區(qū)的頂部穿過所述元件隔離 區(qū)延伸到所述第二襯底的頂部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體薄膜接合在所述第二襯底上之前，在所述第二襯 底上形成金屬層，其中在將所述半導(dǎo)體薄膜接合在所述第二襯底上的步驟中，將所 述半導(dǎo)體薄膜接合到所述金屬層。v4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中使用粘接劑接合所述半導(dǎo)體薄膜至所述襯底。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括襯底和接合到襯底的半導(dǎo)體薄膜，其中半導(dǎo)體薄膜包括多個(gè)分立工作區(qū)和隔離多個(gè)分立工作區(qū)的元件隔離區(qū)，且將元件隔離區(qū)蝕刻到比半導(dǎo)體薄膜的厚度更淺的深度，并且是比多個(gè)分立工作區(qū)更薄的區(qū)域。
文檔編號(hào)B41J2/455GK101359623SQ200810092559
公開日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2004年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月11日
發(fā)明者藤原博之, 鈴木貴人 申請(qǐng)人:日本沖信息株式會(huì)社