專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，更具體地，涉及雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法，該雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件包括具有薄膜晶體管陣列單元的第一基板和具有有機(jī)電致發(fā)光單元的第二基板。
背景技術(shù)：
一般而言，有機(jī)電致發(fā)光器件(ELD)通過(guò)從陰極向發(fā)光層注入電子并從陽(yáng)極向發(fā)光層注入空穴、電子和空穴結(jié)合生成激子、激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)，從而發(fā)出光。和液晶顯示(LCD)器件不同，有機(jī)ELD不需要另外的光源來(lái)發(fā)光，因?yàn)榧ぷ釉诟鱾€(gè)狀態(tài)之間的躍遷使得有機(jī)ELD發(fā)出光。因此，有機(jī)ELD的尺寸和重量小于可比的液晶顯示(LCD)器件。有機(jī)ELD還具有其它理想的特性，比如低功耗、高亮度和快速響應(yīng)時(shí)間。因?yàn)檫@些有利的特性，有機(jī)ELD被當(dāng)作各種下一代消費(fèi)電子產(chǎn)品(如便攜電話、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)(CNS)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式攝像機(jī)和掌上電腦等)的有前景的候選。另外，因?yàn)榕cLCD器件相比制造有機(jī)ELD的工藝較為簡(jiǎn)單，并且工藝步驟要少于LCD器件，所以有機(jī)ELD比LCD的制造成本更低。有兩種不同類型的有機(jī)ELD無(wú)源矩陣型和有源矩陣型。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件的示意性剖面圖。如圖1所示，有機(jī)電致發(fā)光器件(ELD)30具有面對(duì)第二基板48并與之隔開(kāi)的第一基板32。在第一基板32的內(nèi)表面上形成有包括薄膜晶體管(TFT)“T”的陣列層34。在陣列層34上順序地形成有第一電極36、有機(jī)電致發(fā)光(EL)層38和第二電極40。對(duì)于各個(gè)像素區(qū)域“P”，有機(jī)EL層38分別地顯示紅、綠和藍(lán)色。
第一基板32和第二基板48由密封劑47接合在一起。通過(guò)把第一基板32和第二基板48接合在一起而封裝有機(jī)ELD。在第二基板48上設(shè)置有吸濕干燥劑41，其去除侵入有機(jī)電致發(fā)光層38的封裝中的濕氣和氧氣。具體而言，對(duì)第二基板48的一部分進(jìn)行刻蝕，在刻蝕部分中放入吸濕干燥劑41，并由固定元件25固定住。
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件的陣列層的示意性平面圖。如圖2所示，有機(jī)電致發(fā)光器件(ELD)的陣列層包括開(kāi)關(guān)元件“TS”、驅(qū)動(dòng)元件“TD”和存儲(chǔ)電容“CST”。開(kāi)關(guān)元件“TS”和驅(qū)動(dòng)元件“TD”可以包括多個(gè)開(kāi)關(guān)元件(包括至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT))的組合。第一基板32(可以是透明絕緣基板，其上形成有陣列層)可以由玻璃或塑料制成。在第一基板32上形成有相互交叉的選通線42和數(shù)據(jù)線44。由選通線42和數(shù)據(jù)線44限定了像素區(qū)域“P”。在選通線42和數(shù)據(jù)線44之間夾有絕緣層(未示出)。與選通線42交叉的電源線55平行于數(shù)據(jù)線44并與之間隔開(kāi)。
圖2所示的開(kāi)關(guān)元件“TS”是薄膜晶體管，包括開(kāi)關(guān)柵極46、開(kāi)關(guān)有源層50、開(kāi)關(guān)源極56和開(kāi)關(guān)漏極60。同樣的，圖2中的驅(qū)動(dòng)元件“TD”是薄膜晶體管，包括驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O66、驅(qū)動(dòng)有源層62、驅(qū)動(dòng)源極66和驅(qū)動(dòng)漏極63。開(kāi)關(guān)柵極46連接到選通線42，開(kāi)關(guān)源極56連接到數(shù)據(jù)線44。開(kāi)關(guān)漏極60通過(guò)露出一部分驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O68的第一接觸孔64連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O68。驅(qū)動(dòng)源極66通過(guò)露出一部分電源線55的第二接觸孔58連接到電源線55。另外，驅(qū)動(dòng)漏極63連接到像素區(qū)域“P”中的第一電極36。電源線55與第一電容電極35重合，其間夾有絕緣層，從而形成存儲(chǔ)電容“CST”。
圖3是沿圖2中“III-III”線的示意剖面圖。如圖3所示，在第一基板32上形成有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)“TD”，其包括驅(qū)動(dòng)有源層62、驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O68、驅(qū)動(dòng)源極66和驅(qū)動(dòng)漏極63。在驅(qū)動(dòng)TFT“TD”上形成有絕緣層67，在絕緣層67上形成有第一電極36，第一電極36連接到驅(qū)動(dòng)漏極63。在第一電極36上形成有有機(jī)電致發(fā)光(EL)層38，在有機(jī)EL層38上形成有第二電極40。第一電極36、第二電極40和夾在第一和第二電極之間的有機(jī)EL層38構(gòu)成了有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“DEL”。包含第一電容電極35和第二電容電極55的存儲(chǔ)電容“CST”與驅(qū)動(dòng)TFT“TD”在電學(xué)上是并聯(lián)的。具體而言，與第一電容電極35重合的一部分電源線55(圖2)被用作為第二電容電極55a。第二電容電極55a連接到驅(qū)動(dòng)源極56。第二電極40位于第一基板32上的驅(qū)動(dòng)TFT“TD”、存儲(chǔ)電容“CST”和有機(jī)EL層38之上。
圖4是一個(gè)示意性剖面圖，顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的基板的側(cè)壁。如圖4所示，在基板80中限定了多個(gè)像素區(qū)域“P”。在基板80上形成有多個(gè)第一電極82。各個(gè)第一電極82分別位于一個(gè)像素區(qū)域“P”中。另外，在像素區(qū)域“P”的邊界上形成有具有正斜率的側(cè)壁84。在各個(gè)第一電極82上形成有多個(gè)電致發(fā)光層86。換句話說(shuō)，各個(gè)電致發(fā)光層86位于各個(gè)像素區(qū)域“P”中。另外，在側(cè)壁84的表面和有機(jī)電致發(fā)光層86上形成有第二電極88。側(cè)壁84分隔開(kāi)相鄰的像素區(qū)域“P”。可以利用掩模通過(guò)蒸鍍工藝形成電致發(fā)光層86。
圖4中的側(cè)壁84具有錐形的形狀，從而側(cè)壁84的寬度從第二電極88向著基板80逐漸減小。側(cè)壁84的側(cè)邊與第二基板80形成大于約90的角度“θ1”，如圖4所示。第一電極82是形成在各個(gè)像素區(qū)域“P”中的下電極，第二電極88是形成在基板80上的第一電極82和電致發(fā)光層86之上的上電極。但是，由于使用掩模的工藝很費(fèi)時(shí)且需要掩模對(duì)準(zhǔn)工藝，因此提出了使用這些側(cè)壁的蔭罩工藝(shadow mask process)。
圖5是一個(gè)示意性剖面圖，顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)。圖6是沿圖5中的“VI-VI”線的示意性剖面圖，包含電致發(fā)光層和第二電極。如圖5和6所示，在基板90上限定了多個(gè)像素區(qū)域“P”。在基板90上形成有第一電極92。在第一電極92上在像素區(qū)域“P”的邊界處形成有具有負(fù)斜率的側(cè)壁94。側(cè)壁94具有錐形的形狀，從而側(cè)壁94的寬度從基板90開(kāi)始逐漸增大。另外，側(cè)壁94的側(cè)邊與基板90成小于約90°的角度“θ2”。
在第一電極92上順序地淀積有電致發(fā)光材料95和第二電極材料97，并分別構(gòu)圖形成多個(gè)電致發(fā)光層96和多個(gè)第二電極98。倒錐形的側(cè)壁94自動(dòng)地把電致發(fā)光層96和第二電極98分隔成各個(gè)像素區(qū)域“P”。因此，電致發(fā)光材料95和第二電極材料97處于側(cè)壁94之間。但是，各個(gè)像素區(qū)域“P”中所分隔的電致發(fā)光材料95和第二電極材料97并不與另一個(gè)像素區(qū)域“P”中的電致發(fā)光材料95和第二電極材料97連接，因?yàn)閭?cè)壁94的高度和錐形形狀防止了它們相互短接。
圖7是顯示通過(guò)蔭罩方法進(jìn)行的蒸鍍處理的示意性剖面圖。一般地，可以利用蔭罩工藝通過(guò)熱蒸鍍方法或者電子束蒸鍍方法來(lái)形成各個(gè)像素的各個(gè)電極。圖7顯示了圖6所示具有側(cè)壁94的基板90以及面對(duì)基板90并與之隔開(kāi)的金屬源99。通常，金屬源99與基板相比具有較小的面積。
在基板90的“A”部分(這是基板90不與金屬源的區(qū)域相應(yīng)的區(qū)域)，來(lái)自金屬源99的材料以傾斜的淀積角“α1”淀積。從而，材料淀積在側(cè)壁94的側(cè)邊上。因此，會(huì)在側(cè)壁94(其可以連接到像素區(qū)域“P”中的第二電極)上形成金屬層。另外，隨著基板90的尺寸相對(duì)于金屬源99的面積增大，這個(gè)短接問(wèn)題變得更加嚴(yán)重。為了解決這個(gè)短接問(wèn)題，提出了具有非常大的倒錐度的側(cè)壁。但是，因?yàn)閭?cè)壁材料具有較低的耐熱性和較低的機(jī)械硬度，很難用具有大倒錐形形狀的側(cè)壁來(lái)解決這個(gè)短問(wèn)題。側(cè)壁應(yīng)該具有蘑菇這樣的形狀，以可靠地用作分隔裝置。但是，需要使用雙層的側(cè)壁來(lái)形成蘑菇形狀，這是個(gè)復(fù)雜的工藝并且增大了制造成本。
最近開(kāi)發(fā)出了使用聚合材料的有機(jī)電致發(fā)光器件。使用聚合材料的有機(jī)電致發(fā)光器件稱作聚合物發(fā)光二極管(PLED)或者聚合物電致發(fā)光器件(PELD)，以和使用單體材料的有機(jī)電致發(fā)光器件區(qū)別開(kāi)來(lái)。與單體電致發(fā)光器件相比，聚合物材料具有較高的熱穩(wěn)定性和更好的機(jī)械硬度。利用聚合物材料，可以解決單體材料蒸鍍?cè)O(shè)備的投資成本和顯示尺寸的限制等問(wèn)題。PLED使用更少的功率，因?yàn)镻LED的驅(qū)動(dòng)電壓低于單體電致發(fā)光器件中的驅(qū)動(dòng)電壓。另外，可以使用各種方法來(lái)產(chǎn)生不同顏色的發(fā)光。相應(yīng)地，需要PLED中聚合物材料的構(gòu)圖方法。
圖8的示意性剖面圖示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的使用了應(yīng)用于PLED的負(fù)側(cè)壁的有機(jī)電致發(fā)光器件。如圖8所示，在基板90中限定了多個(gè)像素區(qū)域“P”，在基板90上形成有第一電極92。在像素區(qū)域“P”的邊界處，在第一電極92上形成有具有負(fù)斜率的側(cè)壁94。另外，在第一電極92上形成有多個(gè)聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c，并且聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c被側(cè)壁94劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”。
側(cè)壁94具有倒錐形的形狀，比如倒梯形，從而一個(gè)側(cè)壁94的外側(cè)與基板90形成小于約90°的角度。通過(guò)熱蒸鍍方法而淀積電致發(fā)光層96(圖5)，但是通常通過(guò)旋涂溶液型聚合物材料來(lái)涂布聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c。因此，由于聚合物材料的性質(zhì)，聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c很難在所有像素區(qū)域“P”的整個(gè)基板表面上具有一致的厚度。
如圖8所示，因?yàn)榫酆衔镫娭掳l(fā)光層91a、91b和91c由溶液型材料制成，并且位于各個(gè)像素區(qū)域“P”中，所以一個(gè)側(cè)壁94旁邊的聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c的第一厚度“d1”高于位于各個(gè)像素區(qū)域“P”的中央的聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c的第二厚度“d2”。具有負(fù)斜率的側(cè)壁94圍繞位于像素區(qū)域“P”的邊界處的各個(gè)聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c。此時(shí)，當(dāng)在具有側(cè)壁94的基板90上涂布聚合物電致發(fā)光材料時(shí)，由于聚合物電致發(fā)光材料與側(cè)壁94的表面張力，聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c無(wú)法具有均勻的厚度。因此，聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c的上表面會(huì)與側(cè)壁94的上部接觸。這會(huì)在基板處理中引起電極的分隔失敗問(wèn)題。另外，可能會(huì)在各個(gè)像素區(qū)域“P”的中央形成不了聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c。
側(cè)壁94具有倒梯形的形狀，以自動(dòng)分隔開(kāi)相鄰的像素區(qū)域“P”。但是，由于聚合物電致發(fā)光層91a、91b和91c的邊界表面的升起，可能無(wú)法分隔開(kāi)多個(gè)第二電極93a、93b和93c。因此，相鄰的第二電極93a、93b和93c相互連接，從而無(wú)法獨(dú)立地向各個(gè)像素區(qū)域“P”施加信號(hào)。因此，如果向具有負(fù)斜率側(cè)壁的有機(jī)電致發(fā)光器件施加有機(jī)電致發(fā)光材料，難以把各個(gè)聚合物電致發(fā)光層和第二電極分別劃分到各個(gè)像素區(qū)域中。
當(dāng)TFT的陣列層和有機(jī)EL二極管形成在同一個(gè)基板上時(shí)，有機(jī)ELD的成品率由TFT的成品率和有機(jī)EL層的成品率的乘數(shù)確定。因?yàn)橛袡C(jī)EL層的成品率較低，有機(jī)ELD的成品率受到有機(jī)EL層的成品率的限制。例如，即使順利制成了TFT，也會(huì)由于使用了約1000厚的薄膜的有機(jī)EL層的缺陷，導(dǎo)致有機(jī)ELD被判斷為劣品。
根據(jù)第一和第二電極以及有機(jī)EL二極管的透明性，把有機(jī)ELD分為底發(fā)光型和頂發(fā)光型。底發(fā)光型ELD的優(yōu)勢(shì)在于它們高的圖像穩(wěn)定性和由于封裝帶來(lái)的可變制造處理。但是，由于在這種類型的有機(jī)ELD中孔徑比的限制，底發(fā)光型有機(jī)ELD在需要高分辨率的設(shè)備中并不適用。另一方面，由于頂發(fā)光型有機(jī)ELD在基板朝上的方向上發(fā)光，所以可以不影響位于有機(jī)EL層之下的陣列層而發(fā)光。因此，可以簡(jiǎn)化包含TFT的陣列層的總體設(shè)計(jì)。另外，可以增大孔徑比，從而增加有機(jī)ELD的工作壽命。但是，因?yàn)樵陧敯l(fā)光型有機(jī)ELD中在有機(jī)EL層上公共地形成陰極，所以材料選擇和透光率受到了限制，從而降低了發(fā)光效率。如果形成薄膜型鈍化層來(lái)防止透光率的降低，則薄膜型鈍化層可能會(huì)無(wú)法防止外界空氣侵入到器件中。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷所造成的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種通過(guò)在分別的基板上形成陣列層和有機(jī)電致發(fā)光二極管并將這些基板接合起來(lái)而制成的有機(jī)電致發(fā)光器件，以及其制造方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能夠?qū)@示區(qū)域分隔成多個(gè)像素區(qū)域的側(cè)壁。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明中進(jìn)行闡述，一部分可以通過(guò)說(shuō)明書而明了，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而體驗(yàn)到。通過(guò)說(shuō)明書、權(quán)利要求書和附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)或獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里所實(shí)施并加以廣泛描述的，一種有機(jī)電致發(fā)光器件包括相互面對(duì)并隔開(kāi)的第一和第二基板，該第一和第二基板具有像素區(qū)域；第一基板的內(nèi)表面上的選通線；與選通線交叉的數(shù)據(jù)線；與選通線和數(shù)據(jù)線連接的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；與開(kāi)關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的電源線；第二基板的內(nèi)表面上的第一電極；在第一電極上位于像素區(qū)域的邊界處的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，該第一側(cè)壁和第二側(cè)壁相互隔開(kāi)；在第一電極上位于像素區(qū)域中的電致發(fā)光層；在電致發(fā)光層上位于像素區(qū)域中的第二電極；以及與第一和第二基板電連接的連接電極。
在另一個(gè)方面，一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括在具有像素區(qū)域的基板上形成選通線；形成與選通線交叉的數(shù)據(jù)線；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部位形成開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；形成與開(kāi)關(guān)薄膜晶體管相連的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；形成與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的電源線；在第二基板上在像素區(qū)域之上形成第一電極；在像素區(qū)域的邊界處形成相互隔開(kāi)的第一和第二側(cè)壁；在第一電極上在像素區(qū)域中形成電致發(fā)光層；在電致發(fā)光層上形成第二電極；形成與第一和第二基板電連接的連接電極；以及接合第一和第二基板。
在另一個(gè)方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基板包括具有像素區(qū)域的基板；位于基板的整個(gè)內(nèi)表面上的第一電極；在第一電極上位于像素區(qū)域的邊界處的第一和第二側(cè)壁，該第一和第二側(cè)壁相互隔開(kāi)；在第一電極上位于像素區(qū)域中的電致發(fā)光層；以及在電致發(fā)光層上位于像素區(qū)域中的第二電極。
在另一個(gè)方面，一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的方法包括在具有像素區(qū)域的基板上形成第一電極；在基板上在像素區(qū)域的邊界處形成相互隔開(kāi)的第一和第二側(cè)壁；在第一電極上在像素區(qū)域中形成電致發(fā)光層；以及在電致發(fā)光層上在像素區(qū)域中形成第二電極。
可以理解，前面的概述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的，旨在為權(quán)利要求所限定的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


附圖幫助更好地理解本發(fā)明，并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖顯示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起解釋本發(fā)明的原理。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的示意剖面圖。
圖2是一個(gè)示意平面圖，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件的陣列層。
圖3是沿圖2中“III-III”線的示意剖面圖。
圖4是一個(gè)示意剖面圖，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的基板的側(cè)壁。
圖5是一個(gè)示意平面圖，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)。
圖6是沿圖5中“IV-IV”線的示意剖面圖。
圖7是一個(gè)示意剖面圖，示出了通過(guò)蔭罩法進(jìn)行的蒸鍍處理。
圖8是一個(gè)示意剖面圖，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的使用了應(yīng)用于PLED的負(fù)側(cè)壁的有機(jī)電致發(fā)光器件。
圖9是一個(gè)示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件。
圖10是一個(gè)示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的限定了網(wǎng)格輪廓的雙層側(cè)壁。
圖11A至11C是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件的TFT陣列基板的制造工藝。
圖12A至12D是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件的具有發(fā)光部件的有機(jī)電致發(fā)光基板的制造工藝。
圖13是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有雙層側(cè)壁的有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸鍍工藝。
圖14是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型PLED。
圖15是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件的負(fù)和正側(cè)壁的作用。
圖16A至16D是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型PLED的具有發(fā)光部件的有機(jī)電致發(fā)光基板的制造工藝。
圖17A和17B是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型PLED的具有發(fā)光部件的有機(jī)電致發(fā)光基板的制造工藝。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)附圖所示的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖9是一個(gè)示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件。如圖9所示，有機(jī)電致發(fā)光器件(ELD)100包括第一基板100和第二基板200，第二基板200與第一基板100相對(duì)并與之隔開(kāi)。第一基板100和第二基板200分別包括陣列器件(未示出)和有機(jī)電致發(fā)光二極管(未示出)。另外，第一基板100和第二基板200通過(guò)密封劑300接合在一起。
在第一和第二基板100和200中限定了多個(gè)像素區(qū)域“P”。在像素區(qū)域“P”邊上在第一基板100的內(nèi)表面上形成有開(kāi)關(guān)TFT(未示出)和驅(qū)動(dòng)TFT“TD”。盡管在圖9中沒(méi)有示出，在第一基板100的內(nèi)表面上形成有多個(gè)陣列線，如選通線、數(shù)據(jù)線和電源線。在第二基板200的內(nèi)表面上形成有第一電極202。另外，在各個(gè)像素區(qū)域“P”間的邊界處，在第一電極202上形成有多個(gè)側(cè)壁206。相鄰的側(cè)壁206相互隔開(kāi)，例如，在平面圖中側(cè)壁206可以限定一個(gè)網(wǎng)格輪廓。另外，側(cè)壁206可以具有倒梯形的形狀，從而側(cè)壁206的寬度在沿第二基板200的法線的垂直方向上從第二基板200開(kāi)始逐漸增大，在與第二基板200相接的地方最薄。
在第一電極202上順序地形成有多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層208和多個(gè)第二電極210。側(cè)壁206利用倒梯形的形狀把有機(jī)電致發(fā)光層208和第二電極210分隔成各個(gè)像素區(qū)域“P”。例如，如果第一電極202作為陽(yáng)極，則第一電極202由包括氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電金屬組中的一種制成。如果第二電極210作為陽(yáng)極，則第二電極210由包括鈣(Ca)、鋁(Al)和錳(Mg)的金屬組中的一種或者諸如氟化鋰/鋁等的雙金屬層制成。
圖10是一個(gè)示意平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的限定了網(wǎng)格輪廓的雙側(cè)壁。如圖10所示，在第二基板200上的第一電極202上限定了多個(gè)像素區(qū)域“P”。在像素區(qū)域“P”的各個(gè)邊界處，在第一電極202上形成有多個(gè)側(cè)壁206。側(cè)壁206限定了相鄰像素區(qū)域“P”之間的間隔“K”，從而可以把有機(jī)電致發(fā)光層208(圖9)和第二電極210(圖9)劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”，并由其間具有間距“K”的側(cè)壁206隔開(kāi)。
盡管圖10中沒(méi)有示出，間隔“K”的寬度可以小于側(cè)壁206的高度。側(cè)壁206在截面圖中具有倒梯形的形狀或者倒錐形的形狀，并在平面圖中限定了一個(gè)網(wǎng)格輪廓。如果第二電極210(圖9)作為陰極，則第二電極210(圖9)可以由Al、Ca和Mg中的一種制成，或者由雙金屬層制成，如LiF/Al。這個(gè)第二電極210(圖9)可以通過(guò)熱蒸鍍方法或電子束蒸鍍方法制成。
圖11A至11C是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件的TFT陣列基板的制造工藝。如圖11A所示，在形成有緩沖層102的第一基板100中限定有多個(gè)像素區(qū)域“P”(圖9)。緩沖層102可以由包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)的硅絕緣材料組中的一種制成。
通過(guò)淀積本征非晶硅材料并利用脫氫進(jìn)行結(jié)晶處理而在緩沖層102上形成多個(gè)有源層104。有源層104包括有源區(qū)104a、與有源區(qū)104a鄰接的源區(qū)104b和漏區(qū)104c。在具有有源層104的第一基板100的整個(gè)表面上形成了柵絕緣層106。柵絕緣層106可以由包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)的硅絕緣材料組中的一種制成。在柵絕緣層106上對(duì)應(yīng)于有源區(qū)104a形成有多個(gè)柵極108?？梢詫?duì)源區(qū)104b和漏區(qū)上的柵絕緣層106的多個(gè)部分進(jìn)行刻蝕，以露出源區(qū)104b和漏區(qū)104c。柵極108可以由包括鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、鎢(W)、鉭(Ta)和鉬(Mo)的導(dǎo)電金屬組中的一種制成。
盡管在圖11A中沒(méi)有示出，具有柵極108的第一電極100摻有包括硼(B)在內(nèi)的III族元素，或者包括磷(P)在內(nèi)的V族元素。具體而言，對(duì)源區(qū)和漏區(qū)104b和104c進(jìn)行摻雜。在具有柵極108的基板100上形成隔層110。另外，隔層110包括分別露出摻雜的源區(qū)和漏區(qū)104b和104c的第一和第二接觸孔112和114。隔層110可以通過(guò)淀積與柵絕緣層106相同的材料并進(jìn)行構(gòu)圖而制成。
如圖11B所示，在隔層110上形成多個(gè)源極和漏極116和118，它們分別通過(guò)第一和第二接觸孔112和114接觸有源層104的摻雜源區(qū)和漏區(qū)104b和104c。通過(guò)淀積、涂布無(wú)機(jī)絕緣材料組或有機(jī)絕緣材料組(包括苯并環(huán)丁烯(BCB)、丙烯酸樹脂)中的一種并進(jìn)行構(gòu)圖而在包括源極和漏極116和118的第一基板100上形成鈍化層120。鈍化層120包括露出一部分漏極118的漏極接觸孔122。
盡管在圖11B中沒(méi)有示出，利用有機(jī)電致發(fā)光器件的薄膜晶體管包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管具有開(kāi)關(guān)柵極、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層、開(kāi)關(guān)源極和開(kāi)關(guān)漏極。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層、驅(qū)動(dòng)源極和驅(qū)動(dòng)漏極。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O連接倒開(kāi)關(guān)漏極。驅(qū)動(dòng)源極連接到電源線，而驅(qū)動(dòng)漏極連接到有機(jī)電致發(fā)光器件的一個(gè)電極。
如圖11C所示，通過(guò)淀積導(dǎo)電金屬材料并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖而在鈍化層120上形成多個(gè)連接電極124。連接電極124通過(guò)漏極接觸孔122而連接到漏極118。
圖12A至12D是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件的具有發(fā)光部件的有機(jī)電致發(fā)光基板的制造工藝。如圖12A所示，在形成有第一電極202的第二基板200上限定多個(gè)像素區(qū)域“P”。如果第一電極202作為陽(yáng)極，則通過(guò)淀積一種具有高溢出功的導(dǎo)電材料(如氧化銦錫(ITO))并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖而形成第一電極202。通過(guò)淀積諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等的無(wú)機(jī)絕緣材料并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖而在像素區(qū)域“P”的邊界處在第一電極202上形成多個(gè)隔斷圖案204。
在圖12B中，在隔斷圖案204上形成側(cè)壁206。在相鄰的側(cè)壁206之間存在中間區(qū)域“K”。盡管在圖12B中沒(méi)有示出，在平面圖中側(cè)壁206限定了網(wǎng)格輪廓。
在圖12C中，在第一電極202上形成多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層208，這多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層208被側(cè)壁206自動(dòng)地劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”。有機(jī)電致發(fā)光層208包括紅、綠和藍(lán)發(fā)光材料層。有機(jī)電致發(fā)光層208可以是單層或多層。在多層的情況中，如果第一電極202作為陽(yáng)極，則有機(jī)電致發(fā)光層208包括第一電極202上的空穴傳輸層208a，以及后面形成的第二電極上的發(fā)光層208b和電子傳輸層208c。
在圖12D中，在具有有機(jī)電致發(fā)光層208的第二基板200上形成多個(gè)第二電極210。第二電極210被側(cè)壁206自動(dòng)地劃分成了各個(gè)像素區(qū)域“P”。另外，通過(guò)隔斷圖案204防止了第二電極210與第一電極202短接。第二電極210可以由Al、Ca和Mg中的一種制成，或者由雙金屬層制成，如LiF/Al。例如，連接電極124(圖11C)可以由與第二電極210同樣的材料制成，以改善與第二電極210的接觸效果。盡管在圖11A至11C和圖12A至12D中沒(méi)有示出，接下來(lái)進(jìn)行利用密封劑將第一基板100和第二基板200接合起來(lái)的處理。
圖13是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有雙層側(cè)壁的有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸鍍工藝。如圖13所示，利用源金屬220通過(guò)蒸鍍處理形成第二電極210。與圖7相比，因?yàn)閭?cè)壁206具有倒梯形的形狀，并且相鄰的側(cè)壁206之間具有間隔“K”，所以第二電極210可以由側(cè)壁206自動(dòng)地劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”。在第二基板200的不與金屬源220直接對(duì)應(yīng)的區(qū)域的側(cè)邊部位“C”，由于相鄰側(cè)壁206之間的間隔“K”，金屬源220的材料不會(huì)淀積太多。因此，可以在各個(gè)像素區(qū)域“P”中獨(dú)立地形成各個(gè)第二電極210，而不會(huì)發(fā)生短接。盡管沒(méi)有示出，間隔“K”的寬度可以小于側(cè)壁206的高度。
圖14是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型PLED。在圖14中，第一基板310面對(duì)第二基板350，第二基板350與第一基板310隔開(kāi)。在第一和第二基板310和350中限定了多個(gè)像素區(qū)域“P”。在第一基板310的內(nèi)表面上形成有陣列層340，陣列層340包括多個(gè)薄膜晶體管“T”。在陣列層340上形成有多個(gè)連接電極330。連接電極330連接到薄膜晶體管“T”。例如，連接電極330可以通過(guò)另外的連接裝置連接到薄膜晶體管“T”。連接電極330可以由絕緣材料制成。
盡管在圖14中沒(méi)有示出，薄膜晶體管“T”包括半導(dǎo)體層312、柵極314、源極316和漏極318，并且連接電極330可以連接到漏極318。更具體而言，圖14所示的薄膜晶體管“T”作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。雖然圖14所示的薄膜晶體管“T”是頂柵型薄膜晶體管，并且半導(dǎo)體層312由多晶硅材料制成，但薄膜晶體管“T”可以是底柵型薄膜晶體管，這種底柵型薄膜晶體管的半導(dǎo)體層可以由多晶硅材料制成。
盡管在圖14中沒(méi)有示出，陣列層340還包括多個(gè)選通線、多個(gè)數(shù)據(jù)線和多個(gè)電源線。在第二基板350的內(nèi)表面上形成有第一電極352。在像素區(qū)域“P”中在第一電極352上形成有紅、綠和藍(lán)聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c。具體而言，紅、綠和藍(lán)聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c分別包含紅、綠和藍(lán)發(fā)光層。
另外，在紅、綠和藍(lán)聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c上形成有多個(gè)第二電極362。第一和第二電極352和362以及其間的聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c構(gòu)成了PLED二極管“DEL”。來(lái)自薄膜晶體管“T”的電流施加到PLED二極管“DEL”上。具體而言，來(lái)自薄膜晶體管“T”的電流施加到第二電極362上。
聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c由具有高熱穩(wěn)定性和良好機(jī)械硬度的聚合物材料制成。因此，該聚合物材料可以應(yīng)用于大尺寸型號(hào)。另外，在各個(gè)像素區(qū)域“P”之間的邊界處，在各個(gè)第一電極352和聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c之間形成有側(cè)壁355，從而聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c和第二電極362被自動(dòng)地劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”。
側(cè)壁355包括多個(gè)第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b，以及分別與第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b的側(cè)邊接觸的多個(gè)第一和第二正側(cè)壁356a和356b。第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b具有倒梯形的形狀，從而第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b的寬度沿著第二基板350的垂線從第二基板350開(kāi)始逐漸增大，并且在與第二基板350相接的地方最小。相反，第一和第二正側(cè)壁356a和356b具有梯形的形狀，從而第一和第二正側(cè)壁356a和364b的寬度沿著第二基板350的垂線從第二基板350開(kāi)始逐漸減小，并且在與第二基板350相接的地方最大。
因此，第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b的外側(cè)與第二基板350成一個(gè)小于90°的角度。第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b在像素區(qū)域“P”的邊界處位于第一和第二正側(cè)壁356a和356b之間。第一和第二正側(cè)壁356a和356b的側(cè)邊與第二基板350成一個(gè)大于約90°的角度。在各個(gè)像素區(qū)域“P”中，第一和第二正側(cè)壁356a和356b位于具有均勻厚度的的聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c之間并與它們相接。
連接電極330連接到第二電極362。來(lái)自驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管“TD”的電流通過(guò)連接電極330施加到第二電極362上。另外，通過(guò)密封圖案370將第一基板310與第二基板350接合在一起，密封圖案370位于第一和第二基板310和350的外周區(qū)域。
因?yàn)榫酆衔镫娭掳l(fā)光層360a、360b和360c由聚合物材料制成，并且側(cè)壁355包括負(fù)和正側(cè)壁354a和354b、356a和356b，由于正側(cè)壁356a和356b而使聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c在像素區(qū)域“P”中具有均勻的厚度，同時(shí)由于之間具有間隔“K”的負(fù)側(cè)壁354a和354b(圖10)而防止了相鄰的第二電極362之間第二電極362發(fā)生短接。正側(cè)壁356a和356b作為負(fù)側(cè)壁354a和354b的補(bǔ)償圖案。另外，因?yàn)橛袡C(jī)ELD是頂發(fā)光型，所以可以獲得大的孔徑比。由于在各個(gè)基板上獨(dú)立地形成包含薄膜晶體管和有機(jī)EL二極管的陣列層，所以可以防止由于有機(jī)EL二極管的制造處理而產(chǎn)生的不利影響，從而提高總的成品率。
圖15是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件的負(fù)和正側(cè)壁的作用。如圖15所示，在形成有第一電極452的基板450上限定多個(gè)像素區(qū)域“P”。在第一電極452上，在像素區(qū)域“P”的邊界處形成第一和第二負(fù)側(cè)壁454a和454b以及第一和第二正側(cè)壁456a和456b。另外，第一和第二負(fù)側(cè)壁454a和454b相互分隔開(kāi)，第一和第二正側(cè)壁456a和456b與第一和第二負(fù)側(cè)壁454a和454b的側(cè)邊接觸。第一和第二負(fù)側(cè)壁454a和454b具有倒梯形的形狀，并且第一和第二正側(cè)壁456a和456b的外側(cè)與基板450成一個(gè)大于約90°的角度“θ3”。
在使用聚合物材料的情況下，可以通過(guò)負(fù)和正側(cè)壁454a和454b、456a和456b把聚合物電致發(fā)光層460a、460b和460c以及第二電極462a、462b和462c劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”。負(fù)側(cè)壁454a和454b相互隔開(kāi)，同時(shí)在第一電極452上形成與第一和第二負(fù)側(cè)壁454a和454b的側(cè)邊接觸的第一和第二正側(cè)壁456a和456b。
圖16A至16D是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型PLED的具有發(fā)光部件的有機(jī)電致發(fā)光基板的制造工藝。如圖16A所示，在第一基板350上形成第一電極352，包括具有多個(gè)像素區(qū)域“P”的顯示區(qū)域“DR”。在第一電極352上，在像素區(qū)域“P”的邊界處形成第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b。第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b相互隔開(kāi)。負(fù)側(cè)壁354a和354b的側(cè)邊與第一基板350成一個(gè)小于約90 的角度。
如圖16B所示，在第一基板350上形成與第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b的側(cè)邊接觸的第一和第二正側(cè)壁356a和356b。第一和第二正側(cè)壁356a和356b具有與第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b的負(fù)斜率相應(yīng)的斜率。第一和第二正側(cè)壁356a和356b的側(cè)邊與第一基板350成一個(gè)大于約90的角度。另外，第一負(fù)和正側(cè)壁354a和356a可以構(gòu)成第一側(cè)壁358a，第二負(fù)和正側(cè)壁354b和356b可以構(gòu)成第二側(cè)壁358b。第一和第二側(cè)壁358a和358b相互隔開(kāi)，并且各自具有大致平行的負(fù)和正斜率的側(cè)邊。
應(yīng)該注意，第一和第二側(cè)壁358a和358b的第一外側(cè)“S1”與第一基板350成一個(gè)大于約90的角度“θ4”，第一和第二側(cè)壁358a和358b的第二外側(cè)“S2”與第一基板350成一個(gè)小于約90的角度“θ5”。第一外側(cè)“S1”與像素區(qū)域“P”相接，第二外側(cè)“S2”位于第一和第二側(cè)壁358a和358b的相對(duì)部位。
可以利用光敏有機(jī)材料通過(guò)光刻處理來(lái)形成第一和第二側(cè)壁358a和358b，斜坡形狀可以根據(jù)光敏有機(jī)材料的性質(zhì)而改變，并且負(fù)和正側(cè)壁354a和354b、356a和356b可以具有不同的形狀。
如圖16C所示，通過(guò)涂布聚合物材料而在第一電極352上形成聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c，聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c被第一和第二側(cè)壁358a和358b自動(dòng)地劃分成了各個(gè)像素區(qū)域“P”。聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c在第一側(cè)邊“S1”處與第一和第二側(cè)壁358a和358b接觸，并由于第一和第二正側(cè)壁356a和356b的正斜率而在像素區(qū)域“P”中具有均勻的厚度。
如圖16D所示，通過(guò)淀積導(dǎo)電金屬材料而在各個(gè)像素區(qū)域“P”中的聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c上形成多個(gè)第二電極362a、362b和362c。第二電極362a、362b和362c被相互隔開(kāi)的第一和第二側(cè)壁358a和358b自動(dòng)地劃分成了各個(gè)像素區(qū)域“P”。
第一和第二側(cè)壁358a和358b的第二側(cè)壁“S2”與第一基板350成一個(gè)小于約90的角度。導(dǎo)電金屬材料可以通過(guò)第一和第二側(cè)壁358a和358b之間的間隔“K”而劃分開(kāi)來(lái)，從而無(wú)需另外的處理即可自動(dòng)地把第二電極362a、362b和362c劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”。
在使用聚合物材料的情況下，聚合物電致發(fā)光層360a、360b和360c和第二電極362a、362b和362c可以被第一和第二側(cè)壁358a和358b劃分成各個(gè)像素區(qū)域“P”。第一和第二側(cè)壁358a和358b包括第一和第二正側(cè)壁356a和356b，以及第一和第二負(fù)側(cè)壁354a和354b。
圖17A和17B是示意剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙板型PLED的具有發(fā)光部件的有機(jī)電致發(fā)光基板的制造工藝。如圖17A所示，在第二基板310上形成薄膜晶體管“T”。各個(gè)薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層312、柵極314、以及源極和漏極316和318。盡管在圖17A中顯示薄膜晶體管“T”是頂柵型的，但薄膜晶體管“T”可以是底柵型的。另外，半導(dǎo)體層312可以是從非晶硅和多晶硅中選擇的一種。
盡管在圖17A中沒(méi)有示出，薄膜晶體管“T”包括形成在各個(gè)像素區(qū)域中的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。在第二基板310上還形成選通線、與選通線交叉的數(shù)據(jù)線、以及電源線。另外，開(kāi)關(guān)薄膜晶體管位于選通線和數(shù)據(jù)線交叉處的附近。另外，圖17B所示的薄膜晶體管“T”作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
如圖17B所示，在具有薄膜晶體管“T”的第二基板310上形成鈍化層320。在鈍化層320上形成多個(gè)由導(dǎo)電金屬材料制成的連接電極330。具體而言，連接電極330連接到漏極318。盡管在圖17B中沒(méi)有示出，在完成形成第一和第二基板的處理之后，在第一和第二基板中的一個(gè)上，在顯示區(qū)域的外周區(qū)域形成密封圖案。接著，利用密封圖案將第一和第二基板接合起來(lái)，并通過(guò)連接電極330使它們相互連接。同時(shí)，可以在有機(jī)電致發(fā)光二極管和陣列元件處于同一基板上的OLED上形成根據(jù)本發(fā)明的第一和第二側(cè)壁358a和358b(圖16D)。
本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(ELD)及其制造方法有很多優(yōu)點(diǎn)。首先，因?yàn)橛袡C(jī)ELD是頂發(fā)光型，所以可以獲得大的孔徑比。第二，因?yàn)樵诟鱾€(gè)基板上獨(dú)立地形成包括薄膜晶體管和有機(jī)EL二極管的陣列層，所以可以防止由于有機(jī)EL二極管的制造處理而產(chǎn)生的不利影響，從而提高總成品率。第三，因?yàn)樵谙噜彽膫?cè)壁之間具有間隔區(qū)，并且側(cè)壁的截面是倒置形狀，所以可以獨(dú)立地形成第二電極，并且防止了各個(gè)像素區(qū)域與相鄰的像素區(qū)域短接。另外，不再需要掩模步驟，從而提高了成品率。第四，聚合物電致發(fā)光層可以具有均勻的厚度，并且可以通過(guò)包含負(fù)斜率的負(fù)側(cè)壁和正斜率的正側(cè)壁的側(cè)壁把第二電極劃分成各個(gè)像素區(qū)域，從而降低了制造成本，減少了處理時(shí)間，并可以提供性能良好的OLED。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法進(jìn)行各種改進(jìn)和變化。因此，本發(fā)明涵蓋落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)的所有改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括相互面對(duì)并間隔開(kāi)的第一和第二基板，所述第一和第二基板包含像素區(qū)域；所述第一基板的內(nèi)表面上的選通線；與所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線；與所述選通線和數(shù)據(jù)線連接的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；與所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的電源線；所述第二基板的內(nèi)表面上的第一電極；在所述第一電極上位于所述像素區(qū)域的邊界處的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁相互間隔開(kāi)；在所述第一電極上位于所述像素區(qū)域中的電致發(fā)光層；在所述電致發(fā)光層上位于所述像素區(qū)域中的第二電極；以及與所述第一和第二基板電連接的連接電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁各具有大致平行的負(fù)和正斜邊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述電致發(fā)光層包括聚合物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁與所述像素區(qū)域相接的外側(cè)分別與所述第二基板成大于約90的角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁相互面對(duì)的外側(cè)分別與所述第二基板成小于約90的角度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一側(cè)壁包括第一和第二負(fù)側(cè)壁，所述第二側(cè)壁包括第一和第二正側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中所述第一和第二負(fù)側(cè)壁相互間隔開(kāi)，并且各個(gè)第一和第二負(fù)側(cè)壁具有倒梯形的形狀，從而沿著所述第二基板的垂線測(cè)量時(shí)，所述負(fù)側(cè)壁的寬度從所述第二基板開(kāi)始逐漸增大，并且所述負(fù)側(cè)壁在與所述第二基板相接的地方最薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述第一和第二負(fù)側(cè)壁的外側(cè)分別與所述第二基板成小于約90的角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中所述第一和第二正側(cè)壁與所述第一和第二負(fù)側(cè)壁接觸，并且各個(gè)第一和第二正側(cè)壁具有錐形的形狀，從而沿著所述第二基板的垂線測(cè)量時(shí)，所述正側(cè)壁的寬度從所述第二基板開(kāi)始逐漸減小，并且所述正側(cè)壁在與所述第二基板相接的地方最寬。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第一和第二正側(cè)壁的外側(cè)分別與所述第二基板成大于約90的角度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一電極作為陽(yáng)極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第二電極作為陰極。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述第一電極包含氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)中的一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中所述第二電極包含Ca、Al和Mg中的一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管包括與所述選通線連接的開(kāi)關(guān)柵極、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層、與所述數(shù)據(jù)線連接的開(kāi)關(guān)源極、以及與所述開(kāi)關(guān)源極隔開(kāi)的開(kāi)關(guān)漏極；并且所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括與所述開(kāi)關(guān)漏極連接的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O、與所述電源線連接的驅(qū)動(dòng)源極、以及與所述連接電極連接的驅(qū)動(dòng)漏極。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述電源線與所述選通線交叉，并且所述電源線與所述數(shù)據(jù)線隔開(kāi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述連接電極連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和所述第二電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中所述連接電極包含與所述第二電極同樣的材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述電致發(fā)光層包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，所述空穴傳輸層從陽(yáng)極向所述發(fā)光層供應(yīng)空穴，所述電子傳輸層從陰極向所述發(fā)光層供應(yīng)電子。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括在所述第一電極和第二電極之間位于所述像素區(qū)域的邊界處的隔斷圖案。
21.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，包括在包含像素區(qū)域的第一基板上形成選通線；形成與所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線；在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉部位形成開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；形成與所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；形成與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的電源線；在第二基板上，在所述像素區(qū)域上形成第一電極；在所述像素區(qū)域的邊界處形成相互隔開(kāi)的第一和第二側(cè)壁；在所述第一電極上，在所述像素區(qū)域中形成電致發(fā)光層；在所述電致發(fā)光層上形成第二電極；形成與所述第一和第二基板電連接的連接電極；以及接合所述第一和第二基板。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一和第二側(cè)壁各具有大致平行的負(fù)和正斜邊。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中通過(guò)涂布聚合物材料而形成所述電致發(fā)光層。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁與所述像素區(qū)域相接的外側(cè)分別與所述第二基板成大于約90的角度。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁相互面對(duì)的外側(cè)分別與所述第二基板成小于約90的角度。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述第一和第二側(cè)壁的步驟包括形成相互間隔開(kāi)的第一和第二負(fù)側(cè)壁，并且所述第一和第二負(fù)側(cè)壁各具有倒梯形的形狀，從而沿著所述第二基板的垂線測(cè)量時(shí)，所述負(fù)側(cè)壁的寬度從所述第二基板開(kāi)始逐漸增大，并且在與所述第二基板相接的地方所述負(fù)側(cè)壁最薄；形成與所述第一和第二負(fù)側(cè)壁的外側(cè)接觸的第一和第二正側(cè)壁，并且所述第一和第二正側(cè)壁具有錐形的形狀，從而沿著所述第二基板的垂線測(cè)量時(shí)，所述正側(cè)壁的寬度從所述第二基板開(kāi)始逐漸減小，并且所述正側(cè)壁在與所述第二基板相接的地方最寬。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第一和第二負(fù)側(cè)壁的側(cè)邊分別與所述第二基板成小于約90的角度。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第一和第二正側(cè)壁的側(cè)邊分別與所述第二基板成大于約90的角度。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一電極作為陽(yáng)極。
30.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二電極作為陰極。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述第一電極包含氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)中的一種。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述第二電極包含Ca、Al和Mg中的一種。
33.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管包括與所述選通線連接的開(kāi)關(guān)柵極、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層、與所述數(shù)據(jù)線連接的開(kāi)關(guān)源極、以及與所述開(kāi)關(guān)源極隔開(kāi)的開(kāi)關(guān)漏極；并且所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括與所述開(kāi)關(guān)漏極連接的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O、與所述電源線連接的驅(qū)動(dòng)源極、以及與所述連接電極連接的驅(qū)動(dòng)漏極。
34.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述電源線與所述選通線交叉，并且所述電源線與所述數(shù)據(jù)線隔開(kāi)。
35.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述連接電極連接到像素區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二電極。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中所述連接電極包含與所述第二電極同樣的材料。
37.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述電致發(fā)光層包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，所述空穴傳輸層從陽(yáng)極向所述發(fā)光層供應(yīng)空穴，所述電子傳輸層從陰極向所述發(fā)光層供應(yīng)電子。
38.根據(jù)權(quán)利要求2 1所述的方法，還包括在所述第一電極、所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁之間，在像素區(qū)域的邊界處形成隔斷圖案。
39.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基板，包括包含像素區(qū)域的基板；所述基板的整個(gè)內(nèi)表面上的第一電極；在所述第一電極上位于所述像素區(qū)域的邊界處的第一和第二側(cè)壁，所述第一和第二側(cè)壁相互間隔開(kāi)；所述第一電極上位于所述像素區(qū)域中的電致發(fā)光層；以及所述電致發(fā)光層上位于所述像素區(qū)域中的第二電極。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的基板，其中所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁各具有大致平行的負(fù)和正斜邊。
41.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的方法，包括在具有像素區(qū)域的基板上形成第一電極；在所述基板上在所述像素區(qū)域的邊界處形成相互隔開(kāi)的第一和第二側(cè)壁；在所述第一電極上在所述像素區(qū)域中形成電致發(fā)光層；以及在所述電致發(fā)光層上在所述像素區(qū)域中形成第二電極。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述第一和第二側(cè)壁各具有大致平行的負(fù)和正斜邊。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括相互面對(duì)并間隔開(kāi)的第一和第二基板，所述第一和第二基板包含像素區(qū)域；所述第一基板的內(nèi)表面上的選通線；與所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線；與所述選通線和數(shù)據(jù)線連接的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；與所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的電源線；所述第二基板的內(nèi)表面上的第一電極；在所述第一電極上位于所述像素區(qū)域的邊界處的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁相互間隔開(kāi)；在所述第一電極上位于所述像素區(qū)域中的電致發(fā)光層；在所述電致發(fā)光層上位于所述像素區(qū)域中的第二電極；以及與所述第一和第二基板電連接的連接電極。
文檔編號(hào)G09F9/30GK1638554SQ200410062
公開(kāi)日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2004年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月30日
發(fā)明者李在允, 金京滿, 樸宰用, 俞忠根, 金玉姬 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社