本發(fā)明涉及電子顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路、驅(qū)動方法及顯示器。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的像素電路中，一般通過一個薄膜晶體管驅(qū)動像素電路中的發(fā)光二極管發(fā)光，這個薄膜晶體管稱為驅(qū)動晶體管。驅(qū)動晶體管工作在飽和狀態(tài)，這是因為飽和狀態(tài)中，驅(qū)動晶體管輸出的驅(qū)動電流對源漏電壓的敏感度較線性狀態(tài)下的驅(qū)動晶體管低，可以為發(fā)光二極管提供更為穩(wěn)定的驅(qū)動電流。圖1為現(xiàn)有的最基礎(chǔ)的像素電路，如圖1所示，像素電路由兩個晶體管t11和t12，以及一個電容c11構(gòu)成。當sn信號控制晶體管t12導通時，數(shù)據(jù)信號data寫入至n1節(jié)點，給電容c11充電，同時使驅(qū)動晶體管t11開啟，t11產(chǎn)生的驅(qū)動電流使在第一電源elvdd和第二電源elvss之間的發(fā)光二極管el11發(fā)光。驅(qū)動電流iel如公式一所示。

其中，μ為載流子遷移率，cox為t11的柵氧單位面積電容，l為t11的溝道長度，w為t11的柵寬，vgs為t11的柵源電壓，vth為t11的閾值電壓。由公式一可見，驅(qū)動電流的大小與t11的閾值電壓有關(guān)。然而，由于閾值漂移現(xiàn)象的存在，使得驅(qū)動晶體管t11的閾值電壓并不穩(wěn)定，進而造成了驅(qū)動電流的漂移，使發(fā)光二級管的亮度不均。

為了解決上述問題，設(shè)計人員們研究了一系列可以消除驅(qū)動晶體管閾值漂移影響的電路，稱為閾值補償電路。圖2為現(xiàn)有的一種閾值補償電路，如圖2所示，在數(shù)據(jù)寫入階段信號sn開啟晶體管t22和t23，使驅(qū)動晶體管t21的柵極和漏極短接，同時，信號en關(guān)閉晶體管t25，信號sn-1關(guān)閉晶體管t24，數(shù)據(jù)信號data經(jīng)t22輸入至t21的源極，由于t21的柵極和漏極此時短接，數(shù)據(jù)信號經(jīng)t21的漏極傳輸至柵極，電容c21開始存儲電荷使得t22的柵極電壓逐漸下降至(vdata+vth)后，t21進入截止狀態(tài)，c21停止充電。發(fā)光階段，信號en控制晶體管t25開啟，信號sn-1關(guān)閉晶體管t24，信號sn關(guān)閉晶體管t22和t23，電源elvdd經(jīng)晶體管t25傳輸至驅(qū)動晶體管t21，此時，驅(qū)動晶體管產(chǎn)生驅(qū)動電流如公式二所示。

從公式二可見，驅(qū)動電流的大小不再與驅(qū)動晶體管t21的閾值電壓有關(guān)。

然而，以圖2為代表的現(xiàn)有的閾值補償電路，在數(shù)據(jù)寫入階段，電源elvdd和數(shù)據(jù)信號之間只間隔著晶體管t25，由于電源elvdd的電壓遠遠其它信號電壓，以及t25漏電流的存在，使得數(shù)據(jù)信號極易受到電源elvdd的影響從而影響了發(fā)光二極管的發(fā)光穩(wěn)定性。

綜上，現(xiàn)有技術(shù)中存在著發(fā)光二極管發(fā)光不穩(wěn)定的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種像素電路、驅(qū)動方法及顯示器，用以解決現(xiàn)有像素電路中存在的發(fā)光二極管發(fā)光不穩(wěn)定的問題。

本發(fā)明實施例提供一種像素電路，包括：補償單元、驅(qū)動單元、發(fā)光單元、電容及外接電源；

補償單元通過第一節(jié)點與驅(qū)動單元電連接；外接電源、驅(qū)動單元及發(fā)光單元依次串聯(lián)連接；電容位于第一節(jié)點和外接電源之間；

補償單元外接數(shù)據(jù)信號和第一掃描信號，補償單元用于在第一掃描信號的作用下，將第一節(jié)點的電壓置為第一電壓，第一電壓為通過補償單元中的補償晶體管對數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；

電容，用于保持第一節(jié)點的電壓為第一電壓；

驅(qū)動單元外接第一控制信號，驅(qū)動單元用于根據(jù)第一控制信號，產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源和驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管。

可選的，驅(qū)動晶體管與補償晶體管為鏡像晶體管。

可選的，還包括初始化單元；

初始化單元位于第一節(jié)點和發(fā)光單元之間，初始化單元外接第二掃描信號和初始化電壓；

初始化單元，用于在第二掃描信號的控制下，利用初始化電壓初始化第一節(jié)點和發(fā)光單元。

可選的，初始化單元包括第一初始化晶體管和第二初始化晶體管；

第一初始化晶體管的第一電極外接初始化電壓；第一初始化晶體管的第二電極與第一節(jié)點電連接；第一初始化晶體管的柵極與第二掃描信號電連接；

第二初始化晶體管的第一電極外接初始化電壓；第二初始化晶體管的第二電極與發(fā)光單元電連接；第二初始化晶體管的柵極與第二掃描信號電連接。

可選的，驅(qū)動單元包括驅(qū)動晶體管和發(fā)光控制晶體管；

驅(qū)動晶體管第一電極外接外接電源；驅(qū)動晶體管柵極與補償單元電連接；驅(qū)動晶體管第二電極與發(fā)光控制晶體管的第一電極電連接；

發(fā)光控制晶體管的第二電極與發(fā)光單元電連接，發(fā)光控制晶體管的柵極外接第一控制信號。

可選的，驅(qū)動單元包括驅(qū)動晶體管和發(fā)光控制晶體管；

發(fā)光控制晶體管的第一電極外接外接電源；發(fā)光控制晶體管的第二電極與驅(qū)動晶體管的第一電極電連接，發(fā)光控制晶體管的柵極外接第一控制信號；

驅(qū)動晶體管的柵極與補償單元電連接；驅(qū)動晶體管第二電極與發(fā)光單元電連接。

本發(fā)明實施例提供一種像素電路驅(qū)動方法，應用于上述像素電路，包括：

數(shù)據(jù)寫入階段，控制第一掃描信號開啟補償單元，補償單元將第一節(jié)點的電壓置為第一電壓；并控制第一控制信號關(guān)閉驅(qū)動單元，發(fā)光單元不發(fā)光；電容保持第一節(jié)點的電壓為第一電壓；其中，第一電壓為通過補償單元中的補償晶體管對數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；

發(fā)光階段，控制第一掃描信號關(guān)閉補償單元，并控制第一控制信號開啟驅(qū)動單元，驅(qū)動單元產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源和驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；電容處于保持狀態(tài)。

可選的，在數(shù)據(jù)寫入階段之前，還包括：

初始化階段，控制第二掃描信號開啟初始化單元，初始化單元利用初始化電壓初始化第一節(jié)點和發(fā)光單元，電容保持初始化電壓；控制第一掃描信號關(guān)閉補償單元并控制第一控制信號關(guān)閉驅(qū)動單元。

可選的，在數(shù)據(jù)寫入階段，還包括：控制第二掃描信號關(guān)閉初始化單元；

在發(fā)光階段，還包括：控制第二掃描信號關(guān)閉初始化單元。

本發(fā)明實施例提供一種顯示器，包括上述像素電路。

綜上，本發(fā)明實施例提供一種像素電路、驅(qū)動方法及顯示器，包括：補償單元、驅(qū)動單元、發(fā)光單元、電容及外接電源；補償單元通過第一節(jié)點與驅(qū)動單元電連接；外接電源、驅(qū)動單元及發(fā)光單元依次串聯(lián)連接；電容位于第一節(jié)點和外接電源之間；補償單元外接數(shù)據(jù)信號和第一掃描信號，補償單元用于在第一掃描信號的作用下，將第一節(jié)點的電壓置為第一電壓，第一電壓為通過補償單元中的補償晶體管對數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；電容，用于保持第一節(jié)點的電壓為第一電壓；驅(qū)動單元外接第一控制信號，驅(qū)動單元用于根據(jù)第一控制信號，產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源和驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管。補償單元外接數(shù)據(jù)信號，驅(qū)動單元外接外接電源，使得在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)信號通過補償單元中的補償晶體管進行補償，將補償晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓從而獲得第一電壓。由于補償單元并沒有外接外接電源，從而避免了外接電源對數(shù)據(jù)信號的影響。而且，驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管，二者具有相同的閾值電壓變化趨勢，因此將補償晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓相當于將驅(qū)動晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓，從而保證了像素電路的閾值補償功能。因此，本發(fā)明實施例可以在實現(xiàn)像素電路的閾值補償功能的同時，避免外接電源對數(shù)據(jù)信號的影響，提高發(fā)光二極管的發(fā)光穩(wěn)定性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有的最基礎(chǔ)的像素電路；

圖2為現(xiàn)有的一種閾值補償電路；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路架構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種具有初始化功能的像素電路架構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種初始化單元結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動單元結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動單元結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路驅(qū)動方法流程示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動信號示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動信號示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路的可行的實現(xiàn)方式之一；

圖12為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路的可行的實現(xiàn)方式之一；

圖13為本發(fā)明實施例提供的一種顯示器結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部份實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例公開了一種像素電路，包括：補償單元、驅(qū)動單元、發(fā)光單元、電容及外接電源；補償單元通過第一節(jié)點與驅(qū)動單元電連接；外接電源、驅(qū)動單元及發(fā)光單元依次串聯(lián)連接；電容位于第一節(jié)點和外接電源之間；補償單元外接數(shù)據(jù)信號和第一掃描信號，補償單元用于在第一掃描信號的作用下，將第一節(jié)點的電壓置為第一電壓，第一電壓為通過補償單元中的補償晶體管對數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；電容，用于保持第一節(jié)點的電壓為第一電壓；驅(qū)動單元外接第一控制信號，驅(qū)動單元用于根據(jù)第一控制信號，產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源和驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管。圖3為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路架構(gòu)示意圖，如圖3所示，像素電路包括補償單元1、驅(qū)動單元2、電容c3、發(fā)光單元el4以及外接電源elvdd，補償單元1通過第一節(jié)點n1與驅(qū)動單元2電連接；外接電源elvdd、驅(qū)動單元2及發(fā)光單元el4依次串聯(lián)連接；電容c3位于第一節(jié)點n1和外接電源elvdd之間；補償單元1外接數(shù)據(jù)信號data和第一掃描信號sn，補償單元1用于在第一掃描信號sn的作用下，將第一節(jié)點n1的電壓置為第一電壓，即(vdata+vtht1)，其中，vtht1為補償單元1中補償晶體管的閾值電壓；電容c3，用于保持第一節(jié)點n1的電壓為第一電壓(vdata+vtht1)；驅(qū)動單元2外接第一控制信號en，當?shù)谝豢刂菩盘杄n控制驅(qū)動單元2開啟時，驅(qū)動單元2產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元el4發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源elvdd和驅(qū)動單元2中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到，由公式一可知，此時，流經(jīng)發(fā)光單元el4的驅(qū)動電流iel4的大小如公式三所示。

其中，velvdd為外接電源elvdd的電壓，vn1為第一電壓，vtht2為驅(qū)動晶體管的閾值電壓。由于驅(qū)動晶體管和補償晶體管為共柵晶體管，因此驅(qū)動晶體管的閾值電壓與補償晶體管t1的閾值電壓的差值固定，即vtht1-vtht2＝a，a為常數(shù)。從而，公式三可以進一步變形為：

從而消除了驅(qū)動晶體管閾值電流對發(fā)光二極管的影響。此外，在如圖3所示的像素電路中，數(shù)據(jù)信號data接入補償單元1，elvdd接入驅(qū)動單元2，使得，在數(shù)據(jù)寫入階段數(shù)據(jù)信號data由補償單元1寫入第一節(jié)點n1，在發(fā)光階段，elvdd接入驅(qū)動單元2，數(shù)據(jù)信號data與外接電源elvdd相互隔離，從而避免了外接電源elvdd對數(shù)據(jù)信號data的影響，提高了發(fā)光晶體管的發(fā)光穩(wěn)定性。具體實施過程中，本發(fā)明實施例對補償單元1和驅(qū)動單元2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并不作具體限定，只要滿足上述實施例中補償單元1和驅(qū)動單元2的功能及交互關(guān)系的像素電路都應包含于本發(fā)明實施例中。

可選的，驅(qū)動晶體管和補償晶體管為鏡像晶體管，二者具有相同的閾值電壓，即vtht1＝vtht2，此時，公式四可進一步簡化為公式二所示關(guān)系。

可選的，本發(fā)明實施例所提供的像素電路中還包括初始化單元，如圖4所示，為本發(fā)明實施例提供的一種具有初始化功能的像素電路架構(gòu)示意圖，圖4中，初始化單元5位于第一節(jié)點n1和發(fā)光單元el4之間，外接第二掃描信號sn-1和初始化電壓vin。當?shù)诙呙栊盘杝n-1開啟初始化單元時，初始化單元便將初始化電壓輸出至第一節(jié)點n1和發(fā)光單元el4，電容c3放電，直至電壓降到vin，從而實現(xiàn)了第一節(jié)點n1和發(fā)光單元el4的初始化。初始化可以釋放n1處的電壓，確保接下來的數(shù)據(jù)寫入階段中，數(shù)據(jù)信號可以寫入n1節(jié)點。發(fā)明實施例對初始化單元5的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并不做具體限定，只要滿足上述實施例中初始化單元5的功能及其與補償單元1和驅(qū)動單元2的交互關(guān)系的像素電路都應包含于本發(fā)明實施例中。

可選的，本發(fā)明實施例提供一種可行的初始化單元的實現(xiàn)方式，如圖5所示，為本發(fā)明實施例提供的一種初始化單元結(jié)構(gòu)示意圖，圖5中，初始化單元5包含第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7，第一初始化晶體管t6的第一電極外接初始化電壓vin；第一初始化晶體管t6的第二電極與第一節(jié)點n1電連接；第一初始化晶體管t6的柵極與第二掃描信號sn-1電連接；第二初始化晶體管t7的第一電極外接初始化電壓vin；第二初始化晶體管t7的第二電極與發(fā)光單元el4電連接；第二初始化晶體t7管的柵極與第二掃描信號sn-1電連接。當?shù)诙呙栊盘杝n-1開啟第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7時，初始化電壓經(jīng)第一初始化晶體管t6傳遞至第一節(jié)點n1并初始化第一節(jié)點n1，經(jīng)第二初始化晶體管t7傳遞至發(fā)光單元el4并初始化發(fā)光單元el4。具體實施過程中，vin可以是一個單獨的初始化信號，也可以是第二掃描信號sn-1，在vin為第二掃描信號的情況下，第二掃描信號sn-1開啟第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7時，第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7處于飽和狀態(tài)，第二掃描信號經(jīng)第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7分別輸入第一節(jié)點n1和發(fā)光單元el4的陽極直至第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7截止，從而完成對第一節(jié)點n1和發(fā)光單元el4的初始化。

可選的，本發(fā)明實施例提供一種可行的驅(qū)動單元的實現(xiàn)方式，如圖6所示，為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動單元結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，驅(qū)動單元2包括驅(qū)動晶體管t2和發(fā)光控制晶體管t4；驅(qū)動晶體管t2第一電極外接外接電源elvdd；驅(qū)動晶體管t2柵極與補償單元電連接；驅(qū)動晶體管t2第二電極與發(fā)光控制晶體管t4的第一電極電連接；發(fā)光控制晶體管t4的第二電極與發(fā)光單元el4電連接，發(fā)光控制晶體管t4的柵極外接第一控制信號en。當en開啟發(fā)光控制晶體管t4時，驅(qū)動晶體管t2根據(jù)柵極電壓、外接電源elvdd產(chǎn)生驅(qū)動電流，驅(qū)動電流經(jīng)發(fā)光控制晶體管t4輸入發(fā)光單元el4并驅(qū)動el4發(fā)光。

可選的，本發(fā)明實施例還提供另一種可行的驅(qū)動單元的實現(xiàn)方式，如圖7所示，為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動單元結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7所示，驅(qū)動單元2包括驅(qū)動晶體管t2和發(fā)光控制晶體管t4；發(fā)光控制晶體管t4的第一電極外接外接電源elvdd；發(fā)光控制晶體管t4的第二電極與驅(qū)動晶體管t2的第一電極電連接，發(fā)光控制晶體管t4的柵極外接第一控制信號en；驅(qū)動晶體管t2的柵極與補償單元1電連接；驅(qū)動晶體管t2第二電極與發(fā)光單元el4電連接。當en開啟發(fā)光控制晶體管t4時，外接電源elvdd經(jīng)發(fā)光控制晶體管t4與驅(qū)動晶體管t2的第一電極連通，驅(qū)動晶體管t2根據(jù)柵極電壓和外接電源elvdd產(chǎn)生驅(qū)動電流，驅(qū)動電流經(jīng)發(fā)光控制晶體管輸入發(fā)光單元el4并驅(qū)動el4發(fā)光。

綜上，本發(fā)明實施例提供一種像素電路，包括：補償單元、驅(qū)動單元、發(fā)光單元、電容及外接電源；補償單元通過第一節(jié)點與驅(qū)動單元電連接；外接電源、驅(qū)動單元及發(fā)光單元依次串聯(lián)連接；電容位于第一節(jié)點和外接電源之間；補償單元外接數(shù)據(jù)信號和第一掃描信號，補償單元用于在第一掃描信號的作用下，將第一節(jié)點的電壓置為第一電壓，第一電壓為通過補償單元中的補償晶體管對數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；電容，用于保持第一節(jié)點的電壓為第一電壓；驅(qū)動單元外接第一控制信號，驅(qū)動單元用于根據(jù)第一控制信號，產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源和驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管。補償單元外接數(shù)據(jù)信號，驅(qū)動單元外接外接電源，使得在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)信號通過補償單元中的補償晶體管進行補償，將補償晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓從而獲得第一電壓。由于補償單元并沒有外接外接電源，從而避免了外接電源對數(shù)據(jù)信號的影響。而且，驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管，二者具有相同的閾值電壓變化趨勢，因此將補償晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓相當于將驅(qū)動晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓，從而保證了像素電路的閾值補償功能。因此，本發(fā)明實施例可以在實現(xiàn)像素電路的閾值補償功能的同時，避免外接電源對數(shù)據(jù)信號的影響，提高發(fā)光二極管的發(fā)光穩(wěn)定性。

基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供一種像素電路驅(qū)動方法，用于驅(qū)動本發(fā)明實施例所提供的像素電路。圖8為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路驅(qū)動方法流程示意圖，如圖8所示，包括：

s801：數(shù)據(jù)寫入階段，控制第一掃描信號開啟補償單元，補償單元將第一節(jié)點的電壓置為第一電壓；并控制第一控制信號關(guān)閉驅(qū)動單元，發(fā)光單元不發(fā)光；電容保持第一節(jié)點的電壓為第一電壓；其中，第一電壓為通過補償單元中的補償晶體管對數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；

s802：發(fā)光階段，控制第一掃描信號關(guān)閉補償單元，并控制第一控制信號開啟驅(qū)動單元，驅(qū)動單元產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源和驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；電容處于保持狀態(tài)。

具體實施過程中，上述實施例可以驅(qū)動如圖3所示的像素電路?？蛇x的，通過控制補償單元1、驅(qū)動單元2中的晶體管的導通實現(xiàn)對補償單元1和驅(qū)動單元2的開啟或關(guān)閉，此時，圖3所示的像素電路對應的驅(qū)動信號如圖9所示，為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動信號示意圖，圖9中的驅(qū)動信號包括了第一掃描信號sn和第一控制信號en兩種，并公開了當圖3所示的電路中補償單元1和驅(qū)動單元2的晶體管為p型金屬氧化物半導體晶體管(positivechannelmetaloxidesemiconductor，pmos)時，第一掃描信號sn和第一控制信號en的時序。

在數(shù)據(jù)寫入階段，如圖9所示，第一掃描信號sn為低電平，補償單元1開啟，第一控制信號en為高電平，驅(qū)動單元2關(guān)閉。補償單元1將數(shù)據(jù)信號data寫入第一節(jié)點n1，電容c3開始充電直至第一節(jié)點n1的電壓被置為第一電壓(vdata+vtht1)。之后，補償單元1中的補償晶體管截止，電容c3保持第一節(jié)點n1的電壓為第一電壓(vdata+vtht1)。

在發(fā)光階段，如圖9所示，第一掃描信號sn為高電平，補償單元1關(guān)閉，第一控制信號en為低電平，驅(qū)動單元2開啟。驅(qū)動單元2產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元el4發(fā)光。由于第一節(jié)點的電壓為第一電壓(vdata+vtht1)，可以對驅(qū)動單元2中的驅(qū)動晶體管的柵極電壓進行閾值補償，使得驅(qū)動電流不再受驅(qū)動晶體管閾值漂移的影響。

與圖4所示的像素電路相對應的，本發(fā)明實施例還提供另一種像素電路驅(qū)動方法。圖10為本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動信號示意圖，如圖10所示，驅(qū)動信號包括第一掃描信號sn、第二掃描信號sn-1以及第一控制信號en。此外，還公開了當圖4所示的電路中補償單元1、驅(qū)動單元2和初始化單元5的晶體管為pmos晶體管時，第一掃描信號sn、第二掃描信號sn-1和第一控制信號en的時序，在數(shù)據(jù)寫入階段之前，還應包括初始化階段，具體為：

初始化階段，控制第二掃描信號sn-1開啟初始化單元5，初始化單元5利用初始化電壓vin初始化第一節(jié)點n1和發(fā)光單元el4，電容c3保持初始化電壓vin；控制第一掃描信號sn關(guān)閉補償單元1并控制第一控制信號en關(guān)閉驅(qū)動單元2。

數(shù)據(jù)寫入階段，如圖10所示，第一掃描信號sn為低電平，補償單元1開啟，第一控制信號en為高電平，驅(qū)動單元2關(guān)閉，第二掃描信號sn-1為高電平，初始化單元關(guān)閉。補償單元1將數(shù)據(jù)信號data寫入第一節(jié)點n1，電容c3開始充電直至第一節(jié)點n1的電壓被置為第一電壓(vdata+vtht1)。之后，補償單元1中的補償晶體管截止，電容c3保持第一節(jié)點n1的電壓為第一電壓(vdata+vtht1)。

在發(fā)光階段，如圖10所示，第一掃描信號sn為高電平，補償單元1關(guān)閉，第二掃描信號sn-1為高電平，初始化單元關(guān)閉，第一控制信號en為低電平，驅(qū)動單元2開啟。驅(qū)動單元2產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元el4發(fā)光。由于第一節(jié)點的電壓為第一電壓(vdata+vtht1)，可以對驅(qū)動單元2中的驅(qū)動晶體管的柵極電壓進行閾值補償，使得驅(qū)動電流不再受驅(qū)動晶體管閾值漂移的影響。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的發(fā)光二極管發(fā)光不穩(wěn)定的問題，本發(fā)明實施例在現(xiàn)有閾值補償電路的基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化，避免了外接電源對數(shù)據(jù)信號的影響，使發(fā)光二極管的發(fā)光更加穩(wěn)定。以下以pmos為例介紹幾種具體的實現(xiàn)方式，需指出的是，對以下幾種具體實施方式的變形，如變形后獲得的nmos或coms電路也應落入本發(fā)明實施例的保護范圍內(nèi)，本申請不對所有變形后的像素電路一一列舉，只針對其中幾種像素電路進行介紹以解釋本發(fā)明實施例所公開的技術(shù)方案。

(實施例一)

圖11為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路的可行的實現(xiàn)方式之一，如圖11所示，補償單元包括數(shù)據(jù)選通晶體管t3、補償晶體管t1和開關(guān)晶體管t5，驅(qū)動單元包括驅(qū)動晶體管t2、發(fā)光控制晶體管t4，初始化單元包括第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7。

補償單元中，數(shù)據(jù)選通晶體管t3的漏極與補償晶體管t1的源極電連接，數(shù)據(jù)選通晶體管t3的源極與數(shù)據(jù)信號data電連接；數(shù)據(jù)選通晶體管t3的柵極與第一掃描信號sn電連接；補償晶體管t1的柵極通過第一節(jié)點n1與驅(qū)動晶體管t2的柵極電連接，補償晶體管t1的漏極與開關(guān)晶體管t5的源極電連接。開關(guān)晶體管t5的漏極與補償晶體管t1的柵極電連接，開關(guān)晶體管t5的柵極與第一掃描信號sn電連接。

驅(qū)動單元中，驅(qū)動晶體管t2源極外接外接電源elvdd；驅(qū)動晶體管t2漏極與發(fā)光控制晶體管t4的源極電連接；發(fā)光控制晶體管t4的漏極與發(fā)光單元el4電連接，發(fā)光控制晶體管t4的柵極外接第一控制信號en。

初始化單元中，第一初始化晶體管t6的源極外接初始化電壓vin；第一初始化晶體管t6的漏極與第一節(jié)點n1電連接；第一初始化晶體管t6的柵極與第二掃描信號sn-1電連接；第二初始化晶體管t7的源極外接初始化電壓vin；第二初始化晶體管t7的漏極與發(fā)光單元el4電連接；第二初始化晶體t7管的柵極與第二掃描信號sn-1電連接。

電容c3位于第一節(jié)點n1和外接電源elvdd之間。

根據(jù)如圖10所示的驅(qū)動信號，圖11所示像素電路的驅(qū)動方法為：

初始化階段，第一掃描信號sn為高電平，致使數(shù)據(jù)選通晶體管t3和開關(guān)晶體管t5截止，補償單元關(guān)閉。第一控制信號en為高電平，致使發(fā)光控制晶體管t4截止，驅(qū)動單元關(guān)閉。第二控制信號sn-1為低電平，致使第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7導通，t6將初始化電壓傳遞至第一節(jié)點n1，從而將第一節(jié)點n1初始化，t7將初始化電壓vin傳遞至發(fā)光單元el4，從而將發(fā)光單元el4初始化。

數(shù)據(jù)寫入階段，第一掃描信號sn為低電平，致使數(shù)據(jù)選通晶體管t3和開關(guān)晶體管t5導通，補償單元開啟。第一控制信號en為高電平，致使發(fā)光控制晶體管t4截止，驅(qū)動單元關(guān)閉。第二掃描信號sn-1為高電平，致使第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7截止，初始化單元關(guān)閉。數(shù)據(jù)信號data經(jīng)數(shù)據(jù)選通晶體管t3到達補償晶體管t1的源極，由于開關(guān)晶體管t5導通，補償晶體管t1工作在飽和區(qū)，數(shù)據(jù)信號data被寫入第一節(jié)點n1直至第一節(jié)點n1的電壓到達第一電壓(vdata+vtht1)后，補償晶體管t1截止。

發(fā)光階段，第一掃描信號sn為高電平，致使數(shù)據(jù)選通晶體管t3和開關(guān)晶體管t5截止，補償單元關(guān)閉。第一控制信號en為低電平，致使發(fā)光控制晶體管t4導通，驅(qū)動單元開啟。第二掃描信號sn-1為高電平，致使第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7截止，初始化單元關(guān)閉。驅(qū)動晶體管t2產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元el4發(fā)光。由于第一節(jié)點的電壓為第一電壓(vdata+vtht1)，可以對驅(qū)動晶體管的柵極電壓進行閾值補償，使得驅(qū)動電流不再受驅(qū)動晶體管t2閾值漂移的影響。

(實施例二)

圖12為本發(fā)明實施例提供的一種像素電路的可行的實現(xiàn)方式之一，如圖12所示，補償單元包括數(shù)據(jù)選通晶體管t3和補償晶體管t1，驅(qū)動單元包括驅(qū)動晶體管t2、發(fā)光控制晶體管t4，初始化單元包括第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7。

補償單元中，數(shù)據(jù)選通晶體管t3的漏極與補償晶體管t1的源極電連接，數(shù)據(jù)選通晶體管t3的源極與數(shù)據(jù)信號data電連接；數(shù)據(jù)選通晶體管t3的柵極與第一掃描信號sn電連接；補償晶體管t1的柵極通過第一節(jié)點n1與驅(qū)動晶體管t2的柵極電連接，補償晶體管t1的漏極與補償晶體管t1的柵極電連接。

驅(qū)動單元中，驅(qū)動晶體管t2源極外接外接電源elvdd；驅(qū)動晶體管t2漏極與發(fā)光控制晶體管t4的源極電連接；發(fā)光控制晶體管t4的漏極與發(fā)光單元el4電連接，發(fā)光控制晶體管t4的柵極外接第一控制信號en。

初始化單元中，第一初始化晶體管t6的源極外接初始化電壓vin；第一初始化晶體管t6的漏極與第一節(jié)點n1電連接；第一初始化晶體管t6的柵極與第二掃描信號sn-1電連接；第二初始化晶體管t7的源極外接初始化電壓vin；第二初始化晶體管t7的漏極與發(fā)光單元el4電連接；第二初始化晶體t7管的柵極與第二掃描信號sn-1電連接。

電容c3位于第一節(jié)點n1和外接電源elvdd之間。

根據(jù)如圖10所示的驅(qū)動信號，圖12所示像素電路的驅(qū)動方法為：

初始化階段，第一掃描信號sn為高電平，致使數(shù)據(jù)選通晶體管t3截止，補償單元關(guān)閉。第一控制信號en為高電平，致使發(fā)光控制晶體管t4截止，驅(qū)動單元關(guān)閉。第二控制信號sn-1為低電平，致使第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7導通，t6將初始化電壓傳遞至第一節(jié)點n1，從而將第一節(jié)點n1初始化，t7將初始化電壓vin傳遞至發(fā)光單元el4，從而將發(fā)光單元el4初始化。

數(shù)據(jù)寫入階段，第一掃描信號sn為低電平，致使數(shù)據(jù)選通晶體管t3導通，補償單元開啟。第一控制信號en為高電平，致使發(fā)光控制晶體管t4截止，驅(qū)動單元關(guān)閉。第二掃描信號sn-1為高電平，致使第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7截止，初始化單元關(guān)閉。數(shù)據(jù)信號data經(jīng)數(shù)據(jù)選通晶體管t3到達補償晶體管t1的源極，由于補償晶體管t1的漏極和柵極短接，補償晶體管t1工作在飽和區(qū)，數(shù)據(jù)信號data被寫入第一節(jié)點n1直至第一節(jié)點n1的電壓到達第一電壓(vdata+vtht1)后，補償晶體管t1截止。

發(fā)光階段，第一掃描信號sn為高電平，致使數(shù)據(jù)選通晶體管t3截止，補償單元關(guān)閉。第一控制信號en為低電平，致使發(fā)光控制晶體管t4導通，驅(qū)動單元開啟。第二掃描信號sn-1為高電平，致使第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7截止，初始化單元關(guān)閉。驅(qū)動晶體管t2產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元el4發(fā)光。由于第一節(jié)點的電壓為第一電壓(vdata+vtht1)，可以對驅(qū)動晶體管的柵極電壓進行閾值補償，使得驅(qū)動電流不再受驅(qū)動晶體管t2閾值漂移的影響。

在上述實施例一和實施例二中，還有以下幾點需特別指出：

(1)第二初始化晶體管t7也可以外接第一掃描信號或者第三掃描信號，使得第一節(jié)點n1的初始化和發(fā)光單元el4的初始化可以不同時進行，從而防止同時對第一節(jié)點n1和發(fā)光單元el4初始化時，初始化電壓vin造成的瞬時電流過大，燒壞像素電路或為像素電路供電的供電電路。

(2)圖11中的補償單元也可以只保留補償晶體管t1和開關(guān)晶體管t5而省略數(shù)據(jù)選通晶體管t3，宗旨是補償單元中至少有開關(guān)晶體管t5和數(shù)據(jù)選通晶體管t3中的至少一個。

(3)初始化單元中第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7也可以采用以下連接方式：第一初始化晶體管t6的第一電極與第一節(jié)點n1電連接，第一初始化晶體管t6的柵極外接第二掃描信號sn-1，第一初始化晶體管t6的第二電極與發(fā)光單元el4電連接，第二初始化晶體管t7的第一電極與發(fā)光單元el4電連接，第二初始化晶體管t7的第二電極外接初始化電壓vin，第二初始化晶體管t7的柵極外接第二掃描信號sn-1；第一初始化晶體管t6和第二初始化晶體管t7為一個雙柵晶體管，采用一個雙柵晶體管代替原來的t6和t7使得像素電路中的晶體管數(shù)量減少，從而簡化了電路。

基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供一種顯示器，采用如上述任一實施例所提供的像素電路，如圖13所示，為本發(fā)明實施例提供的一種顯示器結(jié)構(gòu)示意圖，圖13中，顯示器包含一個n×m的像素電路陣列，掃描驅(qū)動單元產(chǎn)生掃描信號s0、s1、s2……sn，sn為掃描驅(qū)動單元輸入第n行像素的掃描信號，n＝1，2，……n；數(shù)據(jù)驅(qū)動單元產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號data，包括d1、d2…dm共m個data信號，分別對應m列像素，dm為第m列像素的數(shù)據(jù)信號data，m＝1，2，……m；發(fā)光驅(qū)動單元產(chǎn)生第一控制信號e1、e2……en，en為發(fā)光驅(qū)動單元輸入第n行像素的第一控制信號，n＝1，2，……n。

本發(fā)明實施例提供一種像素電路、驅(qū)動方法及顯示器，包括：補償單元、驅(qū)動單元、發(fā)光單元、電容及外接電源；補償單元通過第一節(jié)點與驅(qū)動單元電連接；外接電源、驅(qū)動單元及發(fā)光單元依次串聯(lián)連接；電容位于第一節(jié)點和外接電源之間；補償單元外接數(shù)據(jù)信號和第一掃描信號，補償單元用于在第一掃描信號的作用下，將第一節(jié)點的電壓置為第一電壓，第一電壓為通過補償單元中的補償晶體管對數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；電容，用于保持第一節(jié)點的電壓為第一電壓；驅(qū)動單元外接第一控制信號，驅(qū)動單元用于根據(jù)第一控制信號，產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光；驅(qū)動電流根據(jù)第一電壓、外接電源和驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管。補償單元外接數(shù)據(jù)信號，驅(qū)動單元外接外接電源，使得在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)信號通過補償單元中的補償晶體管進行補償，將補償晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓從而獲得第一電壓。由于補償單元并沒有外接外接電源，從而避免了外接電源對數(shù)據(jù)信號的影響。而且，驅(qū)動晶體管與補償晶體管為共柵晶體管，二者具有相同的閾值電壓變化趨勢，因此將補償晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓相當于將驅(qū)動晶體管的閾值電壓補償至數(shù)據(jù)信號的電壓，從而保證了像素電路的閾值補償功能。因此，本發(fā)明實施例可以在實現(xiàn)像素電路的閾值補償功能的同時，避免外接電源對數(shù)據(jù)信號的影響，提高發(fā)光二極管的發(fā)光穩(wěn)定性。

盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。