柵極集成驅(qū)動電路、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種柵極集成驅(qū)動電路、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，顯示技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)以及公共信息的顯示，用于顯示畫面的顯示面板也多種多樣，而且可以顯示豐富多彩的畫面。越來越多的顯示面板，例如薄膜晶體管液晶顯不面板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，簡稱 TFT-LCD)，有機(jī)發(fā)光顯示面板(Organic Light Emitting D1de，簡稱OLED)等，都需要利用柵極集成驅(qū)動(Gate Driver on Array，簡稱G0A)技術(shù)，將柵極驅(qū)動電路集成在顯示面板中的玻璃基板上，形成對顯示面板的掃描驅(qū)動，從而可以從材料成本和制作工藝兩方面降低產(chǎn)品成本。
[0003]圖1示出了現(xiàn)有的柵極集成驅(qū)動電路的排布示意圖。由于柵極集成驅(qū)動電路中的移位寄存器都是由多個薄膜晶體管(Thin-film Transistor，簡稱TFT)和電容構(gòu)成，而且是移位寄存的，實際生產(chǎn)過程中，當(dāng)某個移位寄存器的一個TFT器件發(fā)生損壞時，例如溝道粘連，會帶來該行移位寄存器的異常工作，根據(jù)GOA移位寄存的原理，發(fā)生損壞的該行移位寄存器會無法拉低上一行移位寄存器的輸出，同樣也無法給下一行移位寄存器充電，導(dǎo)致不良行及以下均不能正常輸出，進(jìn)而會使整個柵極集成驅(qū)動電路異常工作，如果溝道粘連發(fā)生在像素中，根據(jù)顯示模式，像素會變成暗點或亮點，導(dǎo)致面板顯示異常；另外，一些異物如灰塵顆粒，會導(dǎo)致TFT器件中的溝道區(qū)域發(fā)生靜電擊穿，靜電擊穿同樣會導(dǎo)致面板顯示異常。
[0004]因此，如何可以有效地修復(fù)柵極集成驅(qū)動電路，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種柵極集成驅(qū)動電路、其修復(fù)方法、顯示面板及顯不裝置，可以修復(fù)不良，提尚廣品良率。
[0006]因此，本發(fā)明實施例提供了一種柵極集成驅(qū)動電路，包括:級聯(lián)設(shè)置的多個移位寄存器；
[0007]每個所述移位寄存器內(nèi)部設(shè)置有至少一個修復(fù)薄膜晶體管；所述修復(fù)薄膜晶體管用于代替所述移位寄存器中出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管。
[0008]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，所述修復(fù)薄膜晶體管的柵極、源極和漏極中的一個或多個具有至少一個尖端結(jié)構(gòu)。
[0009]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，所述源極和漏極呈梳狀結(jié)構(gòu)，所述源極和/或漏極的尖端結(jié)構(gòu)位于所述梳狀結(jié)構(gòu)的梳柄末端。
[0010]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，每個所述移位寄存器內(nèi)部設(shè)置有至少一對修復(fù)薄膜晶體管；
[0011]所述一對修復(fù)薄膜晶體管的柵極的尖端結(jié)構(gòu)的尖端聚為一點；和/或
[0012]所述一對修復(fù)薄膜晶體管的源極的尖端結(jié)構(gòu)的尖端聚為一點；和/或
[0013]所述一對修復(fù)薄膜晶體管的漏極的尖端結(jié)構(gòu)的尖端聚為一點。
[0014]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，所述修復(fù)薄膜晶體管位于所述移位寄存器的中間位置。
[0015]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，每相鄰的兩個移位寄存器為一組，共用一條位于所述兩個移位寄存器之間的低電平信號線。
[0016]本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路的修復(fù)方法，包括:
[0017]確定一移位寄存器中的薄膜晶體管出現(xiàn)缺陷；
[0018]通過激光切斷所述出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管在所述移位寄存器中的連接處；
[0019]將位于所述移位寄存器內(nèi)部的修復(fù)薄膜晶體管連接至所述移位寄存器中切斷的所述連接處，來代替所述出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管進(jìn)行工作。
[0020]在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路的修復(fù)方法，還包括:
[0021]將與所述出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管的移位寄存器共用一條低電平信號線的另一移位寄存器內(nèi)部的修復(fù)薄膜晶體管連接至所述移位寄存器中切斷的所述連接處，來代替所述出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管進(jìn)行工作。
[0022]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路。
[0023]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板。
[0024]本發(fā)明實施例的有益效果包括:
[0025]本發(fā)明實施例提供的一種柵極集成驅(qū)動電路、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置，該柵極集成驅(qū)動電路包括:級聯(lián)設(shè)置的多個移位寄存器；每個移位寄存器內(nèi)部設(shè)置有至少一個修復(fù)薄膜晶體管；該修復(fù)薄膜晶體管用于代替移位寄存器中出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管。當(dāng)移位寄存器中的薄膜晶體管出現(xiàn)缺陷時，本發(fā)明實施例中提供的修復(fù)薄膜晶體管可以有效地進(jìn)行修復(fù)，代替出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管進(jìn)行工作，因此，修復(fù)薄膜晶體管可以修復(fù)不良，進(jìn)而提尚棚■極集成驅(qū)動電路的廣品良率。
【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中柵極集成驅(qū)動電路的排布示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實施例提供的柵極集成驅(qū)動電路的排布示意圖之一；
[0028]圖3為本發(fā)明實施例提供的修復(fù)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明實施例提供的一對修復(fù)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明實施例提供的柵極集成驅(qū)動電路的排布示意圖之二；
[0031]圖6a為本發(fā)明實施例提供的柵極集成驅(qū)動電路的排布示意圖之三；
[0032]圖6b為本發(fā)明實施例提供的柵極集成驅(qū)動電路的排布示意圖之四；
[0033]圖7a為本發(fā)明實施例提供的柵極集成驅(qū)動電路的修復(fù)方法的流程圖之一；
[0034]圖7b為本發(fā)明實施例提供的柵極集成驅(qū)動電路的修復(fù)方法的流程圖之二。
【具體實施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的柵極集成驅(qū)動電路、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0036]本發(fā)明實施例提供了一種柵極集成驅(qū)動電路，如圖2所示，包括:級聯(lián)設(shè)置的多個移位寄存器I ;
[0037]每個移位寄存器I內(nèi)部設(shè)置有至少一個修復(fù)薄膜晶體管2 ;該修復(fù)薄膜晶體管2用于代替移位寄存器I中出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管。
[0038]在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路，當(dāng)移位寄存器中的薄膜晶體管出現(xiàn)缺陷時，本發(fā)明實施例中提供的在柵極集成驅(qū)動電路中設(shè)置的修復(fù)薄膜晶體管可以有效地進(jìn)行修復(fù)，代替出現(xiàn)缺陷的薄膜晶體管進(jìn)行工作，因此，修復(fù)薄膜晶體管可以修復(fù)不良，進(jìn)而提尚棚■極集成驅(qū)動電路的廣品良率。
[0039]需要說明的是，附圖中移位寄存器都是用方框表示，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
；在移位寄存器中的薄膜晶體管均正常工作時，修復(fù)薄膜晶體管的柵極、源極和漏極均懸空，不與移位寄存器中的任何器件相連。
[0040]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，當(dāng)移位寄存器正常工作時，為了預(yù)防發(fā)生靜電擊穿，該修復(fù)薄膜晶體管的柵極、源極和漏極中的一個或多個可以具有至少一個尖端結(jié)構(gòu)，圖3示出了修復(fù)薄膜晶體管2的柵極21和源極22具有一個尖端結(jié)構(gòu)(虛線圓圈標(biāo)注處)，漏極23具有兩個尖端結(jié)構(gòu)(虛線圓圈標(biāo)注處)，根據(jù)尖端放電的原理，該尖端結(jié)構(gòu)可以使修復(fù)薄膜晶體管起到預(yù)防靜電的作用，即當(dāng)柵極集成驅(qū)動電路產(chǎn)生靜電時，靜電可以通過尖端結(jié)構(gòu)的設(shè)計釋放掉，可以有效地預(yù)防不良，不會造成靜電擊穿的問題。需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的尖端結(jié)構(gòu)的總數(shù)量可以根據(jù)實際情況而定，不限于本發(fā)明附圖中涉及的總數(shù)量。
[0041]進(jìn)一步地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，該修復(fù)薄膜晶體管的源極和漏極可以呈梳狀結(jié)構(gòu)，源極和/或漏極的尖端結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在梳狀結(jié)構(gòu)的梳柄末端。如圖3所示，該修復(fù)薄膜晶體管2的源極22和漏極23均設(shè)置為梳狀結(jié)構(gòu)，該源極22和漏極23的尖端結(jié)構(gòu)均設(shè)置在梳狀結(jié)構(gòu)的梳柄末端(虛線圓圈標(biāo)注處)。需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的修復(fù)薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)可以是任何適合設(shè)置在移位寄存器中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，對于修復(fù)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實際情況而定，不限于本發(fā)明附圖中涉及的結(jié)構(gòu)。
[0042]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述柵極集成驅(qū)動電路中，為了進(jìn)一步