的一端可經(jīng)由第一接觸孔CNT1耦接至第二數(shù)據(jù)線D2或第三數(shù)據(jù)線D3，并且有源層TT_ACT的另一端可通過第五接觸孔CNT5耦接至橋式電極BE。橋式電極BE可經(jīng)由第四接觸孔CNT4耦接至測(cè)試電壓線TVL。
[0088]第(1-2)測(cè)試晶體管TT1-2的控制電極TT_G和橋式電極BE可包括第一金屬圖案。第(1-2)測(cè)試晶體管TT1-2的有源層TT_ACT可包括半導(dǎo)體圖案。第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3以及測(cè)試電壓線TVL可包括第二金屬圖案。第一金屬圖案可以為柵極金屬圖案，以及第二金屬圖案可以為源極/漏極金屬圖案。半導(dǎo)體圖案可包括例如多晶硅、單晶硅、非晶硅或氧化物半導(dǎo)體材料。柵極絕緣體GI可位于第一金屬圖案與半導(dǎo)體圖案之間，以使第一金屬圖案和半導(dǎo)體圖案絕緣。此外，為了使半導(dǎo)體圖案與第二金屬圖案絕緣，鈍化層PAS可位于半導(dǎo)體圖案與第二金屬圖案之間。
[0089]第(1-2)測(cè)試晶體管TT1-2的有源層TT_ACT可長(zhǎng)于第(1_1)測(cè)試晶體管TT1-1的有源層TT_ACT。例如，第(1-2)測(cè)試晶體管TT1-2的有源層TT_ACT可長(zhǎng)于第(1_1)測(cè)試晶體管TT1-1的有源層TT_ACT并且可用作電阻R。例如，摻雜有雜質(zhì)的第(1-1)測(cè)試晶體管TT1-1的有源層TT_ACT可起電阻R的作用。通過將電阻R的電阻值設(shè)計(jì)為基本上與第一輪廓線0L1的導(dǎo)線電阻值相同，可使由于第一輪廓線0L1的導(dǎo)線電阻所導(dǎo)致的測(cè)試信號(hào)中的電壓值差異最小化。
[0090]圖8示出了顯示面板10的陣列襯底的另一實(shí)施方式。參照?qǐng)D8，顯示面板10包括陣列襯底LS和相反的襯底。陣列襯底LS被劃分成包括用于顯示圖像的像素P的顯示區(qū)域DA，以及位于顯示區(qū)域DA外部的非顯示區(qū)域NDA。
[0091]像素P位于陣列襯底LS的顯示區(qū)域DA中。數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPo、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、第一測(cè)試控制焊盤TP1、測(cè)試焊盤TVP1和TVP2、初始化晶體管IT1、IT2和IT3、第一測(cè)試晶體管TT1、電阻R以及輪廓線0L1和0L2位于陣列襯底LS的非顯示區(qū)域NDA 中。
[0092]圖8中的顯示面板10的陣列襯底LS的像素P、數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPo、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、第一測(cè)試控制焊盤TP1、測(cè)試焊盤TVP1和TVP2、初始化晶體管IT1、IT2和IT3、第一測(cè)試晶體管TT1、電阻R以及輪廓線0L1和0L2可基本上與圖3中的相同。
[0093]顯示面板10的陣列襯底LS的輪廓線0L1和0L2通過第一測(cè)試晶體管TT1耦接至與綠色像素GP耦接的數(shù)據(jù)線D2和Dm。例如，與輪廓線耦接的第一測(cè)試晶體管TT1可耦接至與綠色像素GP耦接的數(shù)據(jù)線。因?yàn)槿祟悓?duì)綠色的顏色感知能力比對(duì)紅色或藍(lán)色的顏色感知能力好，所以根據(jù)圖8的實(shí)施方式，較不亮的線更容易被察覺，從而可更容易地確定非顯示區(qū)域NDA中的裂縫。
[0094]當(dāng)輪廓線0L1和0L2通過第一測(cè)試晶體管TT1耦接至與綠色像素GP耦接的數(shù)據(jù)線D2和Dm時(shí)，電阻R可僅耦接至未與輪廓線0L1和0L2耦接的第一測(cè)試晶體管TT1中的、與耦接至綠色像素GP的數(shù)據(jù)線耦接的第一測(cè)試晶體管TT1。因此，圖8中的實(shí)施方式可比圖3中的實(shí)施方式減少更多的電阻R。由此，在圖8的實(shí)施方式中可具有更少的電路復(fù)雜性。
[0095]圖9示出了顯示面板10的陣列襯底的另一實(shí)施方式。參照?qǐng)D9，顯示面板10包括陣列襯底LS和相反的襯底。陣列襯底LS被劃分成包括像素P以顯示圖像的顯示區(qū)域DA和位于顯示區(qū)域DA外部的非顯示區(qū)域NDA。像素P位于陣列襯底LS的顯示區(qū)域DA中。根據(jù)圖9的實(shí)施方式的顯示面板10的陣列襯底LS的像素P可基本上與圖3的實(shí)施方式相同。
[0096]數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3、第一測(cè)試控制焊盤TP1、測(cè)試焊盤TVP1和TVP2、初始化晶體管IT1、IT2和IT3、第一測(cè)試晶體管TT1、電阻R以及輪廓線0L1和0L2位于陣列襯底LS的非顯示區(qū)域NDA中。此夕卜，當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)器20使用ASG方法或GIP方法形成時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)器20可位于顯示區(qū)域DA外部的非顯示區(qū)域NDA中。
[0097]數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm可親接至數(shù)據(jù)線D1至Dm。當(dāng)檢查陣列襯底LS的裂縫時(shí)，沒有信號(hào)或電力可供給至數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm。源極驅(qū)動(dòng)1C 30可附接至如圖1中所示的完成的顯示面板10。數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm可耦接至源極驅(qū)動(dòng)1C 30。例如，因?yàn)樵礃O驅(qū)動(dòng)1C30向數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm供給數(shù)據(jù)信號(hào)，所以源極驅(qū)動(dòng)1C 30可向完成的顯示面板10的數(shù)據(jù)線D1至Dm供給數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0098]初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3通過第一測(cè)試晶體管TT1耦接至數(shù)據(jù)線D1至Dm。初始化信號(hào)供給至初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3。初始化信號(hào)的相同或不同的電壓值可被供給至初始化焊盤IVPUIVP2和IVP3。例如，初始化信號(hào)的相同電壓值可被供給至第一初始化焊盤至第三初始化焊盤IVPUIVP2和IVP3?？商娲?，初始化信號(hào)的第一電壓值可供給至第一初始化焊盤IVP1，初始化信號(hào)的第二電壓值可供給至第二初始化焊盤IVP2，以及初始化信號(hào)的第三電壓值可供給至第三初始化焊盤IVP3。
[0099]如圖9中所示，可包括三組初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3，并且可包括三組初始化晶體管IT1、IT2和IT3。第一初始化控制焊盤IP1耦接至第一初始化晶體管IT1的控制電極。第二初始化控制焊盤IP2耦接至第二初始化晶體管IT2的控制電極。第三初始化控制焊盤IP3耦接至第三初始化晶體管IT3的控制電極。第一初始化控制信號(hào)供給至第一初始化控制焊盤IP1，第二初始化控制信號(hào)供給至第二初始化控制焊盤IP2，以及第三初始化控制信號(hào)供給至第三初始化控制焊盤IP3。
[0100]第一測(cè)試控制焊盤TP1耦接至第一測(cè)試晶體管TT1的每個(gè)控制電極。測(cè)試控制信號(hào)供給至第一測(cè)試控制焊盤TP1。
[0101]測(cè)試焊盤TVP1和TVP2耦接至第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極。測(cè)試信號(hào)供給至測(cè)試焊盤TVP1和TVP2。相同或不同的測(cè)試信號(hào)供給至第一測(cè)試焊盤TVP1和第二測(cè)試焊盤TVP2。例如，相同的測(cè)試信號(hào)可供給至第一測(cè)試焊盤TVP1和第二測(cè)試焊盤TVP2。可替代地，第一測(cè)試信號(hào)可供給至第一測(cè)試焊盤TVP1，以及第二測(cè)試信號(hào)可供給至第二測(cè)試焊盤 TVP2。
[0102]初始化晶體管IT1、IT2和IT3可耦接在數(shù)據(jù)線D1至Dm與初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3之間。第一初始化晶體管IT1可耦接在數(shù)據(jù)線與第一初始化焊盤IVP1之間。第二初始化晶體管IT2可耦接在數(shù)據(jù)線與第三初始化焊盤IVP3之間。第三初始化晶體管IT3可耦接在數(shù)據(jù)線與第二初始化焊盤IVP2之間。第一初始化晶體管IT1的控制電極可耦接至第一初始化控制焊盤IP1。第二初始化晶體管IT2的控制電極可耦接至第二初始化控制焊盤IP2。第三初始化晶體管IT3的控制電極可耦接至第三初始化控制焊盤IP3。
[0103]例如，第一初始化晶體管IT1的每個(gè)控制電極可均耦接至第一初始化控制焊盤IP1，第一初始化晶體管IT1的第一電極可耦接至數(shù)據(jù)線D1至Dm中的任一個(gè)，以及第一初始化晶體管IT1的第二電極可耦接至第一初始化焊盤IVP1。第二初始化晶體管IT2的每個(gè)控制電極可均耦接至第二初始化控制焊盤IP2，第二初始化晶體管IT2的第一電極可耦接至數(shù)據(jù)線D1至Dm中的任何一個(gè)，以及第二初始化晶體管IT2的第二電極可耦接至第三初始化焊盤IVP3。第三初始化晶體管IT3的每個(gè)控制電極可均耦接至第三初始化控制焊盤IP3，第三初始化晶體管IT3的第一電極可耦接至數(shù)據(jù)線D1至Dm中的任一個(gè)，以及第三初始化晶體管IT3的第二電極可耦接至第二初始化焊盤IVP2。
[0104]相鄰的第一初始化晶體管IT1和第二初始化晶體管IT2可耦接至一個(gè)數(shù)據(jù)線。與第一初始化晶體管IT1和第二初始化晶體管IT2鄰近的第三初始化晶體管IT3可耦接至不同的數(shù)據(jù)線。例如，彼此相鄰的第一初始化晶體管IT1和第二初始化晶體管IT2可耦接至第一數(shù)據(jù)線D1。如圖9中所示，與第一初始化晶體管IT1和第二初始化晶體管IT2鄰近的第三初始化晶體管IT3可耦接至第二數(shù)據(jù)線D2。
[0105]第一測(cè)試晶體管TT1可耦接在數(shù)據(jù)線D1至Dm與測(cè)試焊盤TVP1和TVP2之間。第一測(cè)試晶體管TT1的控制電極可耦接至第一測(cè)試控制焊盤TP1。例如，第一測(cè)試晶體管TT1的每個(gè)控制電極可耦接至第一測(cè)試控制焊盤TP1，第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極可耦接至測(cè)試焊盤TVP1和TVP2中的任何一個(gè)，以及第一測(cè)試晶體管TT1的第二電極可耦接至數(shù)據(jù)線D1至Dm中的任一個(gè)。
[0106]輪廓線可位于第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極與測(cè)試焊盤之間。例如，如圖3中所示，第一輪廓線0L1可位于與第一數(shù)據(jù)線D1耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極與第一測(cè)試焊盤TVP1之間。第二輪廓線0L2可位于與第m數(shù)據(jù)線Dm耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極和第二測(cè)試焊盤TVP2之間。例如，第一輪廓線0L1可耦接在與第一數(shù)據(jù)線D1耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極和第一測(cè)試焊盤TVP1之間。第二輪廓線0L2可耦接在與第m數(shù)據(jù)線Dm耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極和第二測(cè)試焊盤TVP2之間。
[0107]輪廓線0L1和0L2中的每個(gè)可位于顯示區(qū)域DA的外部。例如，第一輪廓線0L1可位于顯示區(qū)域DA的左側(cè)的外部和上側(cè)的外部。第二輪廓線0L2可位于顯示區(qū)域DA的右側(cè)的外部和上側(cè)的外部。此外，當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)器20位于顯示區(qū)域DA —側(cè)外部的非顯示區(qū)域NDA中時(shí)，輪廓線0L1和0L2可比掃描驅(qū)動(dòng)器20更靠外部。此外，在陣列襯底LS處的結(jié)構(gòu)之中，輪廓線0L1和0L2可位于最外側(cè)，以圍繞形成在陣列襯底LS處的結(jié)構(gòu)。陣列襯底LS處的結(jié)構(gòu)可以指代除了焊盤之外的任何結(jié)構(gòu)。
[0108]例如，輪廓線0L1和0L2中的每個(gè)可鄰近于顯示區(qū)域DA并且穿過與顯示區(qū)域DA鄰近的路徑至少一次，從而至少部分地圍繞顯示區(qū)域DA的外部。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一輪廓線0L1可與顯示區(qū)域DA的左側(cè)和上側(cè)鄰近并穿過與顯示區(qū)域DA的左側(cè)和上側(cè)鄰近的路徑至少一次，從而至少部分地圍繞顯示區(qū)域DA的左側(cè)和上側(cè)，并且第二輪廓線0L2可與顯示區(qū)域DA右側(cè)和上側(cè)的外部鄰近并穿過與顯示區(qū)域DA的右側(cè)和上側(cè)鄰近的路徑至少一次，從而至少部分地圍繞顯示區(qū)域DA的右側(cè)和上側(cè)。<