br>[0109]電壓值差異可存在于(從測(cè)試焊盤TVP1和TVP2)經(jīng)由輪廓線0L1和0L2供給至第一測(cè)試晶體管TT1的測(cè)試信號(hào)與不經(jīng)過輪廓線0L1和0L2 (從測(cè)試焊盤TVP1和TVP2)供給至第一測(cè)試晶體管TT1的測(cè)試信號(hào)之間。該電壓值差異可由于輪廓線0L1與0L2之間的導(dǎo)線電阻的差異而出現(xiàn)。
[0110]為了防止出現(xiàn)電壓值差異，電阻R可放置在第一測(cè)試晶體管TT1 (其未耦接至輪廓線0L1和0L2)的第一電極與測(cè)試焊盤TVP1和TVP2之間。因此，可減小或使由輪廓線0L1和0L2的導(dǎo)線電阻所導(dǎo)致的測(cè)試信號(hào)的任何電壓值差異最小化。例如，第一輪廓線0L1的電阻值、第二輪廓線0L2的電阻值以及電阻R的電阻值可設(shè)置為基本上相同，以減小或使由于輪廓線0L1和0L2的導(dǎo)線電阻導(dǎo)致的測(cè)試信號(hào)的電壓值差異最小化。電阻R的示例在上文中參照?qǐng)D6、圖7A和圖7B進(jìn)行了說明。
[0111]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，在顯示面板的陣列襯底LS中，初始化晶體管IT1、IT2和IT3位于上部非顯示區(qū)域NDA中。此外，在該實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、第一測(cè)試控制焊盤TP1、初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3、測(cè)試焊盤TVP1和TVP2、第一測(cè)試晶體管TT1以及電阻R位于下部非顯示區(qū)域NDA中。數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、第一測(cè)試控制焊盤TP1、初始化焊盤IVPUIVP2和IVP3以及測(cè)試焊盤TVP1和TVP2的布置在另一實(shí)施方式中可以不同。
[0112]如上面所討論的，在圖3的實(shí)施方式中，使數(shù)據(jù)線D1至Dm初始化的初始化晶體管耦接至數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm，而在圖9的實(shí)施方式中，使數(shù)據(jù)線D1至Dm初始化的初始化晶體管耦接至初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3。此外，在圖3的實(shí)施方式中，第一測(cè)試晶體管TT1和電阻R位于上部非顯示區(qū)域NDA中并且初始化晶體管IT1、IT2和IT3位于下部非顯示區(qū)域NDA中，而在圖9的實(shí)施方式中，初始化晶體管IT1、IT2和IT3位于上部非顯示區(qū)域NDA中并且第一測(cè)試晶體管TT1和電阻R位于下部非顯示區(qū)域NDA中。
[0113]供給至圖9的實(shí)施方式中的顯示面板的信號(hào)可基本上與圖4相同。例如，供給至初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3的初始化控制信號(hào)IS1、IS2和IS3、供給至第一測(cè)試控制焊盤TP1的測(cè)試控制信號(hào)TS、供給至初始化焊盤IVPUIVP2和IVP3的初始化信號(hào)IV、供給至測(cè)試焊盤TVP1和TVP2的測(cè)試信號(hào)TV以及供給至掃描線S1至S3和Sn的掃描信號(hào)SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn可基本上與圖4相同。在另一實(shí)施方式中，供給至圖9的實(shí)施方式中的顯示面板的信號(hào)可不同于圖4中的供給至顯示面板的信號(hào)。此外，用于檢查根據(jù)圖9的實(shí)施方式的顯示面板的裂縫的方法可基本上與圖3和圖4相同，但是這也不是必須的。
[0114]圖10示出了顯示面板10的陣列襯底的另一實(shí)施方式。參照?qǐng)D10，顯示面板10包括陣列襯底LS和相反的襯底。陣列襯底LS劃分成包括用于顯示圖像的像素P的顯示區(qū)域DA以及位于顯示區(qū)域DA外部的非顯示區(qū)域NDA。
[0115]像素P位于陣列襯底LS的顯示區(qū)域DA中。數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3、測(cè)試控制焊盤TP1-1、TP1-2、TP2-1和TP2-2、測(cè)試焊盤TVP1和TVP2、初始化晶體管IT1、IT2和IT3、測(cè)試晶體管TT1和TT2、電阻R以及輪廓線0L1和0L2位于陣列襯底LS的非顯示區(qū)域NDA中。圖10中的顯示面板10的陣列襯底LS的像素P、數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3、測(cè)試焊盤TVP1和TVP2以及初始化晶體管IT1、IT2和IT3可基本上與圖9中的實(shí)施方式相同，但是這并不是必須的。
[0116]第一測(cè)試控制焊盤TP1-1和TP1-2耦接至第一測(cè)試晶體管TT1的控制電極。第(1-1)測(cè)試控制焊盤TP1-ι耦接至與第一數(shù)據(jù)線D1耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的控制電極和與第m數(shù)據(jù)線Dm耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的控制電極。第(1_2)測(cè)試控制焊盤TP1-2耦接至與剩余的數(shù)據(jù)線D2至Dm-Ι耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的控制電極。第一測(cè)試控制信號(hào)可供給至第一測(cè)試控制焊盤TP1-1和TP1-2。
[0117]圖10的實(shí)施方式還包括第二測(cè)試晶體管TT2以及第二測(cè)試控制焊盤TP2-1和TP2-2。第二測(cè)試控制焊盤TP2-1和TP2-2耦接至第二測(cè)試晶體管TT2的控制電極。第(2-1)測(cè)試控制焊盤TP2-1耦接至與第一數(shù)據(jù)線D1耦接的第二測(cè)試晶體管TT2的控制電極。第(2-2)測(cè)試控制焊盤TP2-2耦接至與第m數(shù)據(jù)線Dm耦接的第二測(cè)試晶體管TT2的控制電極。第二測(cè)試控制信號(hào)供給至第二測(cè)試控制焊盤TP2-1和TP2-2。
[0118]第一測(cè)試晶體管TT1耦接在數(shù)據(jù)線D1至Dm與測(cè)試焊盤TVP1和TVP2之間。第一測(cè)試晶體管TT1的控制電極耦接至第一測(cè)試控制焊盤TP1-1和TP1-2。例如，第一測(cè)試晶體管TT1的每個(gè)控制電極耦接至第一測(cè)試控制焊盤TP1-1和TP1-2之一，第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極耦接至測(cè)試焊盤TVP1和TVP2之一，以及第一測(cè)試晶體管TT1的第二電極耦接至數(shù)據(jù)線D1至Dm之一。
[0119]第二測(cè)試晶體管TT2耦接在數(shù)據(jù)線D1至Dm與輪廓線0L1和0L2之間。第二測(cè)試晶體管TT2的控制電極耦接至第二測(cè)試控制焊盤TP2-1和TP2-2。例如，第二測(cè)試晶體管TT2的每個(gè)控制電極耦接至第二測(cè)試控制焊盤TP2-1和TP2-2中之一，第二測(cè)試晶體管TT2的第一電極耦接至輪廓線0L1和0L2之一，以及第二測(cè)試晶體管TT2的第二電極耦接至數(shù)據(jù)線D1至Dm之一。
[0120]輪廓線0L1和0L2耦接在第二測(cè)試晶體管TT2與測(cè)試焊盤TVP1和TVP2之間。第一輪廓線0L1耦接在與第一數(shù)據(jù)線D1耦接的第二測(cè)試晶體管TT2的第一電極和第一測(cè)試焊盤TVP1之間。第二輪廓線0L2耦接在與第m數(shù)據(jù)線Dm耦接的第二測(cè)試晶體管TT2的第一電極和第二測(cè)試焊盤TVP2之間。
[0121]輪廓線0L1和0L2中的每個(gè)可位于顯示區(qū)域DA的外部。例如，第一輪廓線0L1可與顯示區(qū)域DA的左側(cè)和上側(cè)鄰近且位于顯示區(qū)域DA的左側(cè)和上側(cè)外部。第二輪廓線0L2可位于顯示區(qū)域DA的右側(cè)和上側(cè)外部。此外，當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)器20位于與顯示區(qū)域DA的一側(cè)鄰近的非顯示區(qū)域NDA中時(shí)，輪廓線0L1和0L2可比掃描驅(qū)動(dòng)器20更靠外部。此外，輪廓線0L1和0L2可位于最外側(cè)，以圍繞陣列襯底LS處的結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)可以指代除了焊盤之外的任何結(jié)構(gòu)。
[0122]電壓值差異可存在于(從測(cè)試焊盤TVP1和TVP2)經(jīng)由輪廓線0L1和0L2供給至第二測(cè)試晶體管TT2的測(cè)試信號(hào)與(從測(cè)試焊盤TVP1和TVP2)不經(jīng)過輪廓線0L1和0L2供給至第一測(cè)試晶體管TT1的測(cè)試信號(hào)之間。由于輪廓線0L1和0L2的導(dǎo)線電阻的差異而可出現(xiàn)電壓值差異。
[0123]為了防止出現(xiàn)電壓值差異，電阻R可放置在未與輪廓線0L1和0L2耦接的第一測(cè)試晶體管TT1的第一電極與測(cè)試焊盤TVP1和TVP2之間。因此，可減小或使由于輪廓線0L1和0L2的導(dǎo)線電阻的電阻值差異所導(dǎo)致的測(cè)試信號(hào)的電壓值差異最小化。例如，第一輪廓線0L1的電阻值、第二輪廓線0L2的電阻值以及電阻R的電阻值可基本上相同，以減小或使由于輪廓線0L1和0L2的導(dǎo)線電阻所導(dǎo)致的測(cè)試信號(hào)的差異最小化。電阻R的示例在上文中參照?qǐng)D6、圖7A和圖7B進(jìn)行了說明。
[0124]在圖10的實(shí)施方式中，在顯示面板的陣列襯底LS中，初始化晶體管IT1、IT2和IT3以及第二測(cè)試晶體管TT2位于上部非顯示區(qū)域NDA中，并且數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、測(cè)試控制焊盤TP1-1、TP1-2、TP2-1和TP2-2、初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3、測(cè)試焊盤TVP1和TVP2、第一測(cè)試晶體管TT1以及電阻R位于下部非顯示區(qū)域NDA中。數(shù)據(jù)焊盤DPI至DPm、初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3、第一測(cè)試控制焊盤TP1、初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3以及測(cè)試焊盤TVP1和TVP2的布置在另一實(shí)施方式中可以不同。
[0125]供給至圖10的實(shí)施方式中的顯示面板的信號(hào)可基本上與圖4相同。例如，供給至初始化控制焊盤IP1、IP2和IP3的初始化控制信號(hào)IS1、IS2和IS3、供給至測(cè)試控制焊盤TP1-1、TP1-2、TP2-1和TP2-2的測(cè)試控制信號(hào)TS、供給至初始化焊盤IVP1、IVP2和IVP3的初始化信號(hào)IV、供給至測(cè)試焊盤TVP1和TVP2的測(cè)試信號(hào)TV以及供給至掃描線S1至S3和Sn的掃描信號(hào)SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn可基本上與圖4相同，但這并不是必須的。此外，用于檢查與圖10的實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的顯示面板的裂縫的方法可基本上與圖3和圖4中的相同，但是這并不是必須的。
[0126]圖11示出了用于制造顯示裝置的方法的實(shí)施方式。該方法包括制造顯示面板10的陣列襯底LS (S101)。例如，可根據(jù)圖3、圖8、圖9或圖10的實(shí)施方式制造顯示面板10的陣列襯底LS。
[0127]接下來，執(zhí)行檢查以確定顯示面板10的陣列襯底LS上是否具有裂縫(S102)。例如，可根據(jù)參照?qǐng)D3和圖4描述的方法執(zhí)行對(duì)陣列襯底LS上的裂縫的檢查。當(dāng)確定在顯示面板10的陣列襯底LS上存在裂縫時(shí)，陣列襯底LS可被確定為有缺陷的(S103)。
[0128]當(dāng)確定顯示面板10的陣列襯底LS上沒有裂縫時(shí)，陣列襯底LS可被確定為具有良好的品質(zhì)并且可執(zhí)行模塊過程(S104)。例如，如果陣列襯底LS被確定為具有良好的品質(zhì)，則相反的襯底可附接至顯示面板10的陣列襯底LS，安裝有源極驅(qū)動(dòng)1C的柔性膜可附接至陣列襯底，該柔性膜可附接至源極印刷電路板，并且安裝有時(shí)序控制器的控制印刷電路板與源極印刷電路板可使用柔性線纜進(jìn)行耦接。
[0129]在該實(shí)施方式中，可在執(zhí)行模塊過程之前執(zhí)行檢查以確定在陣列襯底LS上是否已出現(xiàn)了裂縫。當(dāng)陣列襯底LS被確定為具有裂縫時(shí)，陣列襯底LS被識(shí)別為有缺陷的。因此，通過不對(duì)有缺陷的顯示面板執(zhí)行模塊過程來防止制造成本的浪費(fèi)。
[0130]圖12示出了用于制造顯示裝置的方法的另一實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，操作S