專利名稱：：導電薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有增強的導電性的導電薄膜的制備方法，特別是半透明(translucent)導電薄膜。更具體地說，本發(fā)明涉及導電薄膜的制備方法，該方法包括在載體上形成含有導電材料和粘合劑的導電金屬部分，然后用熱水或蒸汽處理所得金屬部分。
背景技術(shù)：
：近年來隨著各種電器設(shè)備和電子應(yīng)用設(shè)備的使用增多，電磁干涉(EMI)顯著增加。這種EMI不僅導致錯誤的操作和給電子/電器設(shè)備帶來麻煩，而且被指對操作該設(shè)備的人的健康構(gòu)成威脅。因此要求該電子/電器設(shè)備中，電磁發(fā)射的強度限制在標準或規(guī)定范圍內(nèi)。作為前述EMI的對策，需要將電磁波屏蔽。這可以利用金屬不能讓電磁波穿透的性能來實現(xiàn)。例如，使用一種用金屬或高導電材料形成外殼的方法、在電路板之間插入金屬板的方法、和用金屬箔包覆電纜的方法。然而，在CRT或等離子顯示板(PDP)等中，由于操作者必需識別屏幕上顯示的字符等，因此對顯示器的透明度有要求。為此，需要使用既有高電磁波屏蔽性能又有良好透光率以屏蔽從顯示器如PDP的正面產(chǎn)生的電磁波的材料。作為這種材料，已使用電磁波屏蔽板，其中在透明玻璃或塑料基板的表面上形成由金屬薄膜制成的網(wǎng)格(mesh)。順便提及的是，PDP發(fā)出的電磁波要比CRT發(fā)出的多，并且需要較強的電磁屏蔽能力。電磁屏蔽能力可以簡單地用表面電阻率表示。例如，在CRT的半透明電磁屏蔽材料中，要求表面電阻率為約300Q/sq(Q/口，ohm每平方)或更小，而在PDP的半透明電磁屏蔽材料中，要求表面電阻率為2.5Q/sq或更小。特別是，就使用PDP的消費用等離子電視機而言，需要1.5Q/sq或更小的極高電導率，更理想為0.1Q/sq或更小。至于所需的半透明度，總可見光透光率就CTR而言是約70%或更大，就PDP而言是80y。或更大。需要高得多的透明度。為了解決上述問題，迄今已提出各種材料和方法，其中使用具有開口的金屬網(wǎng)格使電磁波屏蔽性能(電導率)和半透明度能夠彼此兼容，如下所述。(1)其上印刷銀漿(silverpaste)的網(wǎng)格例如，JP-A-2000-13088("JP-A"是指未審公開日本專利申請)公開了一種將由銀粉制成的槳印刷成網(wǎng)狀產(chǎn)生銀網(wǎng)格的方法。然而，由于通過印刷形成網(wǎng)格，因此通過該方法制得的銀網(wǎng)格的線寬大；因此，可以產(chǎn)生諸如透光度降低等問題。而且，表面電阻值高并且電磁波屏蔽能力小。因此需要使所得銀網(wǎng)格經(jīng)過鍍覆過程以使電磁波屏蔽能力咼°(2)不規(guī)則網(wǎng)狀的銀網(wǎng)格例如，JP-A-10-340629公開了一種具有不規(guī)則微觀網(wǎng)絡(luò)狀的銀網(wǎng)格及其制備方法。然而，該制備方法的問題在于僅獲得具有10Q/sq的大表面電阻值(低電磁波屏蔽能力)的網(wǎng)格。此外，霧度大至百分之十幾或更大，導致顯示圖像變模糊的問題。(3)通過光刻法形成蝕刻銅網(wǎng)格JP-A-10-41682提出了一種通過光刻法蝕刻銅箔以在透明基板上形成銅網(wǎng)格的方法。該方法，由于能夠微觀加工網(wǎng)格，因此具有能夠生產(chǎn)高窗孔比(高透射)的網(wǎng)格的優(yōu)點，并且甚至屏蔽強電磁波發(fā)射。然而，其缺陷是必需通過許多加工步驟生產(chǎn)網(wǎng)格。而且，由于使用銅箔，因此所得網(wǎng)格不黑，而具有銅色。因此，該方法的問題是引起顯示設(shè)備的圖像對比度降低。而且，由于蝕刻工藝，網(wǎng)格圖案的交叉點比線部分的寬度寬，并且需要改善波紋干擾(moire)問題。(4)使用銀鹽形成導電銀在二十世紀六十年代，JP-B-42-23746("JP-B"是指已審日本專利公告)提出了一種通過在物理顯影核上銀沉積的銀鹽擴散轉(zhuǎn)移方法形成導電薄金屬銀薄膜圖案的方法。6按照該方法，使具有含銀鹽的乳液層的感光材料曝光然后顯影，由此可以形成銀網(wǎng)格。獲得電阻為10Q/sq-100kQ/sq的銀薄膜。然而，該導電水平對PDPs而言不足。因此，即使如此使用銀鹽擴散轉(zhuǎn)移法，也不能獲得光學透光度和電導率優(yōu)異的半透明的、電磁波屏蔽材料，它適合屏蔽從電子顯示儀器的圖像顯示面發(fā)出的電磁波。正如上面解釋的，現(xiàn)有的電磁屏蔽材料及其制備方法具有缺陷。而且，由于這些電磁屏蔽材料非常昂貴，因此迫切需要降低生產(chǎn)成本。而且，就顯示器如PDP而言，需要高圖像亮度，對電磁屏蔽材料而言迫切需要接近100%的透光度。然而，為了改善透光度而在整個區(qū)域增加窗孔比(不存在構(gòu)成網(wǎng)格的細線的區(qū)域的比例)使得電導率降低從而損壞電磁屏蔽效果。因此為了增加電導率，需要鍍覆所得銀網(wǎng)格以具有低電阻。為了降低生產(chǎn)成本，需要一種不進行任意鍍覆過程就提高電導率的方法。
發(fā)明內(nèi)容基于這種情況，完成了本發(fā)明。本發(fā)明的一個目的是提供一種以低成本制備具有高電導率的導電薄膜的方法。本發(fā)明的發(fā)明者們經(jīng)過深入研究，發(fā)現(xiàn)該目的可以通過下面所述的導電薄膜及其制備方法有效地實現(xiàn)。因此，實現(xiàn)本發(fā)明。(1-1)導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含有導電材料和粘合劑的導電金屬部分；和將該導電金屬部分與蒸汽接觸。(1-2)根據(jù)項(l-l)的導電薄膜的制備方法，其中與蒸汽接觸的時間是5分鐘或更短。(1-3)根據(jù)項(l-l)或(l-2)的導電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。(1-4)根據(jù)項(l-l)-(l-3)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述導電薄膜含有膜固化劑。(1-5)根據(jù)項(l-l)-(l-4)任一項的導電薄膜的制備方法，在蒸汽接觸步驟之前，包括將導電金屬部分進行平滑處理的步驟。(1-6)根據(jù)項(l-5)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(1-7)根據(jù)項(l-5)或(l-6)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2,940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(1-8)根據(jù)項(l-5)-(l-7)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(1-9)根據(jù)項(l-l)-(l-8)任一項的導電薄膜的制備方法，在蒸汽接觸步驟之后，包括用水洗滌導電金屬部分的步驟。(1-10)根據(jù)項(l-l)-(l-9)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述蒸汽的溫度是8(TC或更高。(1-11)根據(jù)項(1-1)-(1-10)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述導電材料是導電金屬細粒。(1-12)根據(jù)項(l-l)-(l-ll)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述蒸汽是水蒸汽。(1-13)根據(jù)項(1-1)-(1-12)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬部分是格狀圖案。(1-14)導電薄膜的制備方法，包括步驟將載體上具有含感光銀鹽和水溶性粘合劑的感光層的感光材料曝光，和然后將所得物顯影，由此在載體上形成導電金屬銀部分；和將該導電金屬銀部分與蒸汽接觸。(1-15)根據(jù)項(1-14)的導電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。(1-16)根據(jù)項(1-14)或(1-15)的導電薄膜的制備方法，其中載體上的任何層中不含膜固化劑。(1-17)根據(jù)項(1-14)-(1-16)任一項的導電薄膜的制備方法，在蒸汽接觸步驟之前，包括將導電金屬銀部分進行平滑處理的步驟。(1-18)根據(jù)項(1-17)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1，960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。8(1-19)根據(jù)項(1-17)或(1-18)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2,940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(1-20)根據(jù)項(1-17)-(1-19)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6，860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(1-21)根據(jù)項(l-14)-(l-20)任一項的導電薄膜的制備方法，在蒸汽接觸步驟之后，包括用水洗滌導電金屬銀部分的步驟。(1-22)根據(jù)項(1-14)-(1-21)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述蒸汽的溫度是8(TC或更高。(1-23)根據(jù)項(l-14)-(l-22)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述蒸汽是水蒸汽。(1-24)根據(jù)項(l-14)-(l-23)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬銀部分是格狀圖案。(1-25)導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含導電金屬細粒的導電金屬部分；和將該導電金屬部分與蒸汽接觸。(1-26)根據(jù)項(l-25)的導電薄膜的制備方法，其中與蒸汽接觸的時間是5分鐘或更短。(1-27)根據(jù)項(l-25)或(l-26)的導電薄膜的制備方法，在蒸汽接觸步驟之前，包括將使導電金屬部分進行平滑處理的步驟。(1-28)根據(jù)項(l-27)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(1-29)根據(jù)項(l-27)或(l-28)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2，940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(1-30)根據(jù)項(l-27)-(l-29)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(1-31)根據(jù)項(l-25)-(l-30)任一項的導電薄膜的制備方法，在蒸汽接觸步驟之后，包括用水洗滌導電金屬部分的步驟。(1-32)根據(jù)項(1-25M1-31)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述蒸汽的溫度是8(TC或更高。(1-33)根據(jù)項(l-25)-(l-32)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述蒸汽是水蒸汽。(1-34)根據(jù)項(l-25)-(l-33)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬部分是格狀圖案。(1-35)通過項(1-1)-(1-34)任一項的方法制得的導電薄膜。(1-36)通過項(1-13)、(l-24)或(l-34)的方法制得的半透明導電薄膜。(2-1)導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含有導電材料和水溶性粘合劑的導電金屬部分；和將該導電金屬部分于溫度為4(TC或更高的熱水中浸泡。(2-2)根據(jù)項(2-l)的導電薄膜的制備方法，其中在熱水中的浸泡時間是5分鐘或更短。(2-3)根據(jù)項(2-l)或(2-2)的導電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。(2-4)根據(jù)項(2-l)-(2-3)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是6(TC或更高。(2-5)根據(jù)項(2-l)-(2-4)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是8(TC或更高。(2-6)根據(jù)項(2-l)-(2-5)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的pH是2-13。(2-7)根據(jù)項(2-l)-(2-6)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述導電薄膜含有膜固化劑。(2-8)根據(jù)項(2-l)-(2-7)任一項的導電薄膜的制備方法，在熱水浸泡步驟之前，包括將導電金屬部分進行平滑處理的步驟。(2-9)根據(jù)項(2-8)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1，960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(2-10)根據(jù)項(2-8)或(2-9)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2,940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(2-11)根據(jù)項(2-8)-(2-10)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(2-12)根據(jù)項(2-l)-(2-ll)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述導電材料是導電金屬細粒。(2-13)根據(jù)項(2-l)-(2-12)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬部分是格狀圖案。(2-14)導電薄膜的制備方法，包括步驟將載體上具有含感光銀鹽和水溶性粘合劑的感光層的感光材料曝光，和然后將所得物顯影，由此在載體上形成導電金屬銀部分；和將該導電金屬銀部分于溫度為40"C或更高的熱水中浸泡。(2-15)根據(jù)項(2-14)的導電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。(2-16)根據(jù)項(2-14)-(2-15)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是6(TC或更高。(2-17)根據(jù)項(2-14)-(2-16)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是80'C或更高。(2-18)根據(jù)項(2-14)-(2-17)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的pH是2-13。(2-19)根據(jù)項(2-14)-(2-18)任一項的導電薄膜的制備方法，其中在載體上的任意層中都不含膜固化劑。(2-20)根據(jù)項(2-14)-(2-19)任一項的導電薄膜的制備方法，在熱水浸泡步驟之前，包括將導電金屬銀部分進行平滑處理的步驟。(2-21)根據(jù)項(2-20)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(2-22)根據(jù)項(2-20)或(2-21)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2,940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(2-23)根據(jù)項(2-20)-(2-22)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6，860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(2-24)根據(jù)項(2-14)-(2-23)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬銀部分是格狀圖案。(2-25)導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含導電金屬細粒的導電金屬部分；和將該導電金屬部分于溫度為40'C或更高的熱水中浸泡。(2-26)根據(jù)項(2-25)的導電薄膜的制備方法，其中在熱水中的浸泡時間是5分鐘或更短。(2-27)根據(jù)項(2-25)或(2-26)的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是6(TC或更高。'(2-28)根據(jù)項(2-25)-(2-27)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是8(TC或更高。(2-29)根據(jù)項(2-25)-(2-28)任一項的導電薄膜的制備方法，在熱水浸泡步驟之前，包括將導電金屬部分進行平滑處理的步驟。(2-30)根據(jù)項(2-29)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(2-31)根據(jù)項(2-29)或(2-30)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2，940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(2-32)根據(jù)項(2-29)-(2-31)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(2-33)根據(jù)項(2-25)-(2-32)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬部分是格狀圖案。(2-34)根據(jù)項(2-l)-(2-33)任一項的方法制得的導電薄膜。(2-35)根據(jù)項(2-13)、(2-24)或(2-33)的方法制得的半透明導電薄膜。(3-1)導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含有導電材料和水溶性粘合劑的導電金屬部分；和將其上形成有導電金屬部分的載體進行濕熱處理以使所述載體靜置于保持在溫度是4(TC或更高且相對濕度是5%或更大的調(diào)濕(humidity-adjusted)條件下的環(huán)境中。(3-2)根據(jù)項(3-l)的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是6(TC或更高。12(3-3)根據(jù)項(3-l)或(3-2)的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是80'C或更高。(3-4)根據(jù)項(3-l)-(3-3)任一項的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對濕度是60%或更大。(3-5)根據(jù)項(3-l)-(3-4)任一項的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對濕度是80%或更大。(3-6)根據(jù)項(3-l)-(3-5)任一項的導電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時間是60分鐘或更短。(3-7)根據(jù)項(3-l)-(3-6)任一項的導電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時間是30分鐘或更短。(3-8)根據(jù)項(3-l)-(3-7)任一項的導電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時間是IO分鐘或更短。(3-9)根據(jù)項(3-l)-(3-8)任一項的導電薄膜的制備方法，在濕熱處理步驟之前，包括將導電金屬部分進行平滑處理的平滑處理步驟。(3-10)根據(jù)項(3-9)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(3-11)根據(jù)項(3-9)或(3-10)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2,940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(3-12)根據(jù)項(3-9)-(3-ll)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6，860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(3-13)根據(jù)項(3-l)-(3-12)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述導電材料由導電金屬細粒制成。(3-14)根據(jù)項(3-l)-(3-13)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬部分是格狀圖案。(3-15)導電薄膜的制備方法，包括步驟將載體上具有含感光銀鹽和水溶性粘合劑的感光層的感光材料曝光，和然后將所得物顯影，由此在載體上形成導電金屬銀部分；和將其上形成有導電金屬銀部分的載體經(jīng)過濕熱處理以使所述載體能夠靜置于保持在溫度是4(TC或更高且相對濕度是5%或更大的調(diào)濕條件下的環(huán)境中。(3-16)根據(jù)項(3-15)的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是6(TC或更高。(3-17)根據(jù)項(3-15)或(3-16)的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是8(TC或更高。(3-18)根據(jù)項(3-15)-(3-17)任一項的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對濕度是60%或更高。(3-19)根據(jù)項(3-15)-(3-18)任一項的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對濕度是80%或更高。(3-20)根據(jù)項(3-15)-(3-19)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。(3-21)根據(jù)項(3-15)-(3-20)任一項的導電薄膜的制備方法，其中在載體上的任意層中都不含膜固化劑。(3-22)根據(jù)項(3-15)-(3-21)任一項的導電薄膜的制備方法，在濕熱處理步驟之前，包括將導電金屬銀部分進行平滑處理的步驟。(3-23)根據(jù)項(3-22)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(3-24)根據(jù)項(3-22)或(3-23)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2，940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(3-25)根據(jù)項(3-22)-(3-24)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(3-26)根據(jù)項(3-15)-(3-25)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬銀部分是格狀圖案。(3-27)導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含導電金屬細粒的導電金屬部分；和將其上形成有導電金屬部分的載體經(jīng)過濕熱處理以使所述載體能夠靜置于保持在溫度是4CTC或更高且相對濕度是5%或更大的調(diào)濕條件下的環(huán)境中。(3-28)根據(jù)項(3-27)的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是60"C或更高。(3-29)根據(jù)項(3-27)或(3-28)的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是8(TC或更高。(3-30)根據(jù)項(3-27)-(3-29)任一項的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對濕度是60%或更大。(3-31)根據(jù)項(3-27)-(3-30)任一項的導電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對濕度是80%或更大。(3-32)根據(jù)項(3-27)-(3-31)任一項的導電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時間是60分鐘或更短。(3-33)根據(jù)項(3-27)-(3-32)任一項的導電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時間是30分鐘或更短。(3-34)根據(jù)項(3-27)-(3-33)任一項的導電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時間是10分鐘或更短。(3-35)根據(jù)項(3-27)-(3-34)任一項的導電薄膜的制備方法，在濕熱處理步驟之前，包括將導電金屬部分進行平滑處理的步驟。(3-36)根據(jù)項(3-35)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(3-37)根據(jù)項(3-35)或(3-36)的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2，940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。(3-38)根據(jù)項(3-35)-(3-37)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。(3-39)根據(jù)項(3-27)-(3-38)任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導電金屬部分是格狀圖案。(3-40)根據(jù)項(3-l)-(3-39)任一項的方法制得的導電薄膜。(3-41)根據(jù)項(3-14),(3-26)或(3-39)的方法制得的半透明導電薄膜。(4-1)導電薄膜，包括在載體上的含導電材料和粘合劑的導電金屬部分，其中滿足下式(l)，此時A代表導電金屬部分中導電材料的密度，B代表導電金屬部分中粘合劑的密度，和C代表導電金屬部分的體積電阻.[式1]"1013W訓+"(1)(4-2)根據(jù)項(4-l)的導電薄膜，其中所述導電材料是金屬銀.(4-3)根據(jù)項(4-l)或(4-2)的導電薄膜，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。(4-4)根據(jù)項(4-l)-(4-3)任一項的導電薄膜，其中所述載體是熱塑性樹脂薄膜。(4-5)根據(jù)項(4-l)-(4-4)任一項的導電薄膜，其中所述載體是透明柔性載體，并且其中所述導電金屬部分是格狀圖案。下面，將項(l-l)-(l-36)所述的導電薄膜的制備方法總稱為本發(fā)明的第一實施方式；將項(2-l)-(2-35)所述的導電薄膜的制備方法總稱為本發(fā)明的第二實施方式；將項。-l)-(3-41)所述的導電薄膜的制備方法總稱為本發(fā)明的第三實施方式；并將項(4-l)-(4-5)所述的導電薄膜總稱為本發(fā)明的第四實施方式。在本說明書中，詞語"熱水"是指溫度為4(TC或更高的水。詞語"蒸汽"是指溫度為8(TC或更高的飽和蒸汽或加熱蒸汽?？梢宰兂烧羝牟牧系膶嵗ㄋ陀袡C溶劑(特別是，醇類、醚類及其它)。有機溶劑可以是任意有機溶劑，只要載體不溶于該溶劑中。這些實例中，優(yōu)選水蒸汽。在本說明書中，蒸汽可以是水汽。"濕度"是指相對濕度。由下面的描述，適當參照附圖，更全面地顯示了本發(fā)明的其它和進一步的特征和優(yōu)點。圖1是使用本發(fā)明的導電薄膜的電磁波屏蔽薄膜的優(yōu)選實施方式的截面圖。圖2是顯示將導電金屬部分放入蒸汽浴之前和之后其中的銀顆粒狀態(tài)的照片；圖2(a)、圖2(b)和圖2(c)分別顯示了顯影處理之后、壓延處理之后和蒸汽接觸處理之后的顆粒。具體實施例方式本發(fā)明的導電薄膜的制備方法特征在于包括以下步驟在載體上形成含有導電材料和粘合劑的導電金屬部分，和將該導電金屬部分于溫度為4(TC或更高的熱水中浸泡，或?qū)⒃搶щ娊饘俨糠峙c蒸汽接觸。常規(guī)生產(chǎn)導電薄膜時，需要如上所述的粘合劑在載體上形成導電金屬部分；然而，粘合劑是阻礙導電材料之間結(jié)合從而降低電導率的因素。當使用明膠作為該粘合劑時，薄膜隨著時間的推移變黃或失色導致透明度降低。本發(fā)明是基于如下發(fā)現(xiàn)做出的當將導電金屬部分浸泡在溫度為40'C或更高的熱水中，或者與蒸汽接觸時，可以制得電導率改善的導電薄膜。導電薄膜的電導率改善的原因還不清楚。然而，顯然將至少一部分粘合劑除去使得金屬(導電材料)顆粒之間的結(jié)合部分增加。這種情況下，認為不是將用于粘合載體和導電金屬部分的粘合劑除去了，而是將金屬之間存在的過量粘合劑除去了。作為前述除去粘合劑的工藝，已知有在粉末模制領(lǐng)域使用超聲振蕩的方法(例如，JP-A-5-163504)、使用酸性氣體的方法(例如，JP-A-5-78177)，等等。在任一這些工藝中，需要長時間。還已知在300-400°。下燃燒銀鹽以焚化粘合劑的方法(例如，JP-A-51-16925)。然而，需要高溫，并且塑料薄膜載體也一起融化。沒有一個工藝是除去粘合劑以改善導電薄膜的電導率的工藝。下面，詳細描述本發(fā)明。在本說明書中，"-"是指包括其前面和后面所述的數(shù)值作為最小值和最大值的范圍。在本發(fā)明的方法中，首先在載體上形成含有導電材料和粘合劑的導電金屬部分。由本發(fā)明形成的導電薄膜優(yōu)選是半透明薄膜；然而，該薄膜并不限于此?？梢允褂玫妮d體可以等價于后面所述的感光材料的載體，或者可17以是塑料薄膜(熱塑性樹脂薄膜)、塑料板、玻璃板、或一些其它載體。這些載體中，優(yōu)選透明載體，例如，透明柔性載體。從柔性的角度，載體的薄膜厚度優(yōu)選是200pm或更小，更優(yōu)選100)am或更小。導電材料可以是銅、銀、鋁、氧化錫銦(ITO)、或一些其它材料，尤其優(yōu)選銀。其粒徑優(yōu)選是500nm或更小，更優(yōu)選300Kim或更小。當使用納米級導電金屬細粒時，蒸汽處理步驟、熱水浸泡步驟和濕熱處理步驟的電導率改善效果特別優(yōu)異。導電材料的具體實例有銀漿(使用納米級導電金屬細粒時是納米銀漿)。銀漿是一種通過在合適溶劑如樹脂粘合劑中分散具有預定粒徑的銀顆粒獲得的導電漿狀材料(漿)，并用于粘合樣品、導電處理和其它目的。其可商購獲得的產(chǎn)品例如有，PELTRONK-3424LB(商品名，由Pelnox，Ltd.制造)。當使用納米銀漿時，導電材料顆粒的形狀例如有，粒狀或針狀。至于其大小，以轉(zhuǎn)化為球形的直徑為代表的平均粒徑優(yōu)選是25pm或更小，更優(yōu)選lOOOnm或更小。其下限是10nm或更大。作為粘合劑，可以使用下面所述的粘合劑。粘合劑優(yōu)選是水溶性聚合物。至于粘合劑的用量，導電材料與粘合劑的體積比優(yōu)選是1/4或更大，更優(yōu)選1/1或更大。當導電金屬部分中導電材料的密度用A表示，導電金屬部分中粘合劑的密度用B表示，并且導電金屬部分的體積電阻用C表示時，導電金屬部分的體積電阻優(yōu)選滿足下式(l)。導電材料的密度和粘合劑的密度可以由應(yīng)用中銀和明膠或角叉菜膠的添加量獲得。導電金屬部分的體積電阻可以由表面電阻和薄膜厚度用下面的等式獲得(表面電阻)x(薄膜厚度)。表面電阻和薄膜厚度可以分別用電阻測量設(shè)備和截面SEM(掃描電子顯微鏡)測定。具有該特性的導電薄膜是通過包括蒸汽接觸步驟、熱水浸泡步驟或濕熱處理步驟的本發(fā)明制備方法獲得的。如圖2所示，顯影之后為粒狀的導電金屬經(jīng)過蒸汽處理、熱水處理或濕熱處理，由此獲得熔融且粘合的導電金屬顆粒。"1013(1)由導電材料和粘合劑構(gòu)成的導電金屬部分的形成方法，除了下面所述的使用感光材料的方法之外，還可以是粘附(粘合)或一些其它方法。這里，粘附是指將由金屬和/或合金制成的網(wǎng)狀細線結(jié)構(gòu)部分和透明導電薄膜分別形成，然后將它們彼此層疊，由此制得本發(fā)明的透明導電薄膜。簡言之，可以將由金屬和/或合金制成的細線結(jié)構(gòu)部分和透明導電薄膜彼此層疊。導電金屬部分可以通過印刷形成。印刷可以是絲網(wǎng)印刷或凹版印刷。特別是，可以使用下面所述的方法JP-A-ll-170420、JP-A-2003-109435、JP-A-2007-281290，禾B國際公布WO2007/119707A1的小冊子。下面，描述使用感光材料的方法，作為形成由導電材料和粘合劑構(gòu)成的導電金屬部分的優(yōu)選方法。按照該方法，將在載體上具有含感光銀鹽和粘合劑的感光層的感光材料曝光，然后顯影，由此在載體上形成導電金屬銀部分和光可透過部分。<制備導電薄膜用的感光材料>[基板]本發(fā)明制備方法所用的感光材料的基板可以是，例如，塑料薄膜、塑料板或玻璃板。上述塑料薄膜或塑料板的原材料可以是，例如，聚酯類例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN);聚烯烴類例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯或EVA;乙烯基系列樹脂例如聚氯乙烯或聚偏二氯乙烯；聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰胺、聚酰亞胺、丙烯酸樹脂或三乙酰基纖維素(TAC)。本發(fā)明的塑料薄膜或塑料板可以單層使用或者通過將兩層或多層組合作為多層薄膜使用。可以使用由金屬例如鋁制成的箔片作為基質(zhì)。載體優(yōu)選是由熔點為約29(TC或更低的塑料制成的薄膜或板，例如PET(258°C)、PEN(269°C)、PE(135°C)、PP(163°C)、聚苯乙烯(230°C)、聚氯乙烯(180°C)、聚偏二氯乙烯(212。C)或TAC(290°C)。19從透光度和可加工性的角度，特別優(yōu)選PET作為屏蔽電磁波的半透明薄膜。由于任何透明導電薄膜要求透明度，因此優(yōu)選載體的透明度高。這種情況下，塑料薄膜或塑料板優(yōu)選在整個可見光區(qū)具有70-100%,更優(yōu)選85-100%，和特別優(yōu)選90-100%的透光度。而且，在本發(fā)明中，塑料薄膜或塑料板可以著色，其程度不影響本發(fā)明目的即可。本發(fā)明的塑料薄膜或塑料板可以單層使用或者通過將兩層或多層組合以多層薄膜使用。在用玻璃板作為本發(fā)明的基板的情況下，對其類型沒有特別的限制，但是，就顯示器用的導電薄膜而言，優(yōu)選使用在表面具有鋼化層的鋼化玻璃。與非鋼化玻璃相比，鋼化玻璃具有較高的防破損可能性。而且，通過空氣冷卻法獲得的鋼化玻璃，即使在不太可能的玻璃破損事件中，得到具有不鋒利邊緣的小碎片，因其安全性而優(yōu)選。本發(fā)明制備方法所用的感光材料在基板上具有含作為光敏元件的銀鹽的乳液層(含銀鹽層)。含銀鹽的感光乳液層，除了含有銀鹽和粘合劑之外，還可以含有染料、溶劑等。而且，乳液層優(yōu)選基本上位于最上層。語句"乳液層基本上位于最上層"不僅是指乳液層實際上位于最上層的情形而且是指位于乳液層上的一層或多層的總薄膜厚度是0.5pm或更小的情形。乳液層上的這些層的總薄膜厚度優(yōu)選是0.2(im或更小。下面，描述溶液層中含有的每一組分。<染料〉感光材料至少可以在乳液層中含有染料。染料含在乳液層中作為過濾染料，或者用于各種目的例如防止輻射。染料可以包括固體分散的染料。本發(fā)明優(yōu)選使用的染料包括JP-A-9-179243中式(FA)、(FA1)、(FA2)和(FA3)代表的那些，更具體地說包括其中所述的化合物Fl-F34。也可以優(yōu)選使用JP-A-7-152112中所述的化合物(II-2)-(II誦24)、JP-A-7-152112中所述的化合物(III-5)-(III-18)和JP-A-7-152112中所述的化合物(IV-2)-(IV-7)。而且，作為在顯影或定影過程中脫色的分散狀態(tài)的固體細粒的染料，本發(fā)明可以使用的染料包括JP-A-3-138640中所述的花青染料、吡喃鐵染料和銨染料。而且，作為在該過程中不脫色的染料，可以使用JP-A-9-96891中所述的具有羧基的花青染料、JP-A-8-245902中所述不含酸性基團的花青染料和JP-A-8-333519中所述的色淀型花青染料、JP-A-1-266536中所述的花青染料、JP-A-3-136038中所述的holopola型花青染料、JP-A-62-299959中所述的吡喃錄染料、JP-A-7-253639中所述的聚合物型花青染料、JP-A-2-282244中所述的oxonol型染料的固體細粒分散體、JP-A-63-131135中所述的光散射顆粒、JP-A-9-5913中所述的Yb3+化合物和JP-A-7-113072中所述的ITO粉。也可以使用JP-A-9-179243中所述的式(F1)和(F2)代表的染料，更具體地是其中的化合物F35-F112。而且，在上述染料中可以含有水溶性染料。這種水溶性染料可以是oxonol染料、苯亞甲基染料、部花青染料、花青染料或偶氮染料。其中，本發(fā)明優(yōu)選使用oxonol染料、hemioxonol染料或苯亞甲基染料。可用于本發(fā)明的水溶性染料的具體實例包括BPNos.584,609和1,177,429、JP-A-48-85130、JP-A-49-99620、JP-A-49-114420、JP-A誦52-20822、JP-A-59-154439、JP-A-59-208548和U.S.專禾U號2,274,782、2,533,472、2,956,879、3，148，187、3,177,078、3,247,127、3,540,887、3，575，704、3,653,905和3,718,427中所述的那些。從防輻射效果等的效果、以及感光度隨該含量增加而降低的角度，上述乳液層中染料的含量優(yōu)選是總固體的0.01-10質(zhì)量％，更優(yōu)選0.1-5質(zhì)量％。<銀鹽>本發(fā)明所用的銀鹽可以是無機銀鹽例如鹵化銀、或有機銀鹽例如醋酸銀。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用作為光敏元件具有優(yōu)異性能的鹵化銀。下面解釋優(yōu)選用于本發(fā)明的鹵化銀。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用作為光敏元件在性能上優(yōu)異的鹵化銀，并且與鹵化銀相關(guān)的銀鹽感光薄膜技術(shù)、感光紙、平版感光薄膜、和光掩膜用的乳液掩膜也可用于本發(fā)明。鹵化銀中所含的鹵素可以是氯、溴、碘和氟中任意的或其組合。例如，優(yōu)選使用主要由氯化銀、溴化銀或碘化銀形成的鹵化銀，更優(yōu)選使用主要由溴化銀或氯化銀形成的鹵化銀。而且，可以優(yōu)選使用氯溴化銀、碘氯溴化銀或碘溴化銀。更優(yōu)選使用氯溴化銀、溴化銀、碘氯溴化銀或碘溴化銀，最優(yōu)選含50moiy?；蚋嗦然y的氯溴化銀或碘氯溴化銀。術(shù)語"主要通過溴化銀形成的鹵化銀"是指鹵化銀組合物中溴離子的量所占的摩爾比為50%或更高的鹵化銀。這種主要由溴化銀形成的鹵化銀顆粒除了含有溴離子之外，還可以含有碘離子或氯離子。鹵化銀乳液中碘化銀的含量優(yōu)選每摩爾鹵化銀乳液中不大于1.5mol%。通過將碘化銀含量設(shè)定在不大于1.5mol%，得以防止模糊并且可以改善壓力性能。碘化銀含量更優(yōu)選是每摩爾鹵化銀乳液中1mol%或更小。鹵化銀為固體顆粒狀，并且從曝光和顯影處理之后形成的圖案化金屬銀層的圖像質(zhì)量的角度，以相應(yīng)于球形的直徑計優(yōu)選平均粒徑為0.1-1000nm(lpm)，更優(yōu)選0.1-100nm，再優(yōu)選1-50nm。鹵化銀顆粒的相應(yīng)于球形的直徑是指相同體積的球形顆粒的直徑。鹵化銀顆粒的形狀沒有特別的限制，并且可以具有各種形狀例如球形、立方體、平板(六面平板、三角平板或四角平板)、八面體或十四面體，優(yōu)選立方體或十四面體。在鹵化銀顆粒中，可以通過均相或不同相形成內(nèi)部和表面層。在顆粒內(nèi)部和表面，它也可以包括具有不同鹵素組成的局部層。用于形成本發(fā)明乳液層的鹵化銀乳液優(yōu)選是單分散乳液，其相對標準差(coefficientofvariance)由{(粒度的標準偏差)/(平均粒度)}x100表示，為20%或更小，更優(yōu)選15%或更小，最優(yōu)選10%或更小。本發(fā)明所用的鹵化銀乳液也可以是不同粒度的多鹵化銀乳液的混合物。本發(fā)明所用的鹵化銀乳液可以含有周期表的VIII或VIIB族的金屬。尤其是為了獲得高對比度和低模糊水平，優(yōu)選包括銠化合物、銥化合物、釕化合物、鐵化合物或鋨化合物。這些化合物可以是具有不同配體的化合物，這些配體可以是，例如，氰根離子、鹵離子、硫氰酸根離子、亞硝?；x子、水或氫氧根離子，并且除了這些假鹵素、氨之外，也可以是有機分子例如胺(例如甲胺或乙二胺)、雜環(huán)化合物(例如咪唑、噻唑、5-甲基噻唑或巰基咪唑)、脲或硫脲。而且，為了獲得高感光度，優(yōu)選采用與六氰基金屬絡(luò)合物例如K4[Fe(CN)6]、K4[Ru(CN)6]jK3[Cr(CN)6]摻雜。銠化合物可以是水溶性銠化合物，其實例包括鹵化銠(ni)、六氯銠(in)絡(luò)合鹽、五氯水合銠絡(luò)合鹽、四氯二水合銠絡(luò)合鹽、六溴銠(in)絡(luò)合鹽、六胺銠(III)絡(luò)合鹽、trisalato銠(III)絡(luò)合鹽，和K3Rh2Br9。這些銠化合物是通過溶解在水或適宜溶劑中使用的，并且可以使用穩(wěn)定銠化合物溶液的常用方法，即添加鹵化氫(例如氫氯酸、氫溴酸或氫氟酸)或堿金屬鹵化物(例如KC1、NaCl、KBr或NaBr)的水溶液的方法。代替使用水溶性銠化合物，也可以在制備鹵化銀時添加和溶解預先與銠摻雜的其它鹵化銀顆粒。而且，在本發(fā)明中，可以優(yōu)選使用含Pd(11)離子和/或Pd金屬的的鹵化銀。Pd可以均勻分散在鹵化銀顆粒中，但是優(yōu)選含在鹵化銀顆粒的表面層的附近。短語Pd"含在鹵化銀顆粒的表面層的附近"是指鹵化銀顆粒在距離鹵化銀顆粒的表面深50nm內(nèi)具有比其它層的鈀含量高的層。這種鹵化銀顆粒可以通過在形成鹵化銀顆粒的過程添加Pd制得，并優(yōu)選在以總添加量的50%以上添加銀離子和鹵離子之后添加Pd。而且，可以優(yōu)選通過在后成熟階段添加Pd(II)離子使Pd(II)離子存在于鹵化銀的表面層。這種含Pd的鹵化銀顆粒增加了物理顯影或無電鍍覆的速度從而提高了所需電磁屏蔽材料的生產(chǎn)效率，由此有利于降低生產(chǎn)成本。Pd為23公知并且用作無電鍍覆的催化劑，并且在本發(fā)明中，可以將Pd局限于鹵化銀顆粒的表面層，由此能夠節(jié)省及其昂貴的Pd。在本發(fā)明中，Pd離子和/或Pd金屬優(yōu)選在鹵化銀中的含量比，相對鹵化銀中銀的摩爾數(shù)是l(T4-0.5mole/molAg，更優(yōu)選0.01-0.3mole/molAg。所用的Pd化合物可以是，例如，PdCU或Na2PdCU。在本發(fā)明中，可以與普通鹵化銀照相感光材料相同的方式進行或者不進行化學增感?；瘜W增感的方法可以通過向鹵化銀乳液中添加化學增感劑進行，所述化學增感劑由對照相感光材料具有增感效果的硫族化物化合物或貴金屬化合物制成，該添加方法記載在JP-A-2000-275770的第0078段或之后。本發(fā)明的感光材料中所用的銀鹽乳液優(yōu)選是不施用這種化學增感的乳液，即，化學非增感的乳液。在制備本發(fā)明優(yōu)選的化學非增感乳液的方法中，優(yōu)選將由硫族化物化合物或貴金屬化合物制成的化學增感劑的添加量控制在不大于一定的量，該一定的量不導致基于添加該試劑的感光度上升大于0.1。硫族化物或貴金屬化合物的添加量的具體值沒有限制。在本發(fā)明的化學非增感乳液的優(yōu)選制備方法中，優(yōu)選將化學增感化合物的總添加量調(diào)整至每摩爾鹵化銀中5xl(T7mol或更小。<粘合劑>在乳液層中，使用粘合劑均勻分散銀鹽顆粒并進一步有助于乳液層和載體之間的粘合。本發(fā)明所用的粘合劑可以是可以通過下面詳述的熱水浸泡處理、蒸汽接觸處理或濕熱處理除去的粘合劑。作為這種粘合劑，優(yōu)選使用水溶性聚合物。粘合劑的實例包括明膠、角叉菜膠、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、多糖例如淀粉、纖維素及它們的衍生物、聚氧化乙烯、多糖、聚乙烯基胺、殼聚糖、聚賴氨酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質(zhì)酸、羧基纖維素、阿拉伯膠和海藻酸鈉。這些材料根據(jù)官能團的離子性能而具有中性、陰離子或陽離子性能。作為明膠，除了石灰處理過的明膠之外，可以使用酸處理過的明膠。還可以使用明膠的水解產(chǎn)物、明膠的酶分解產(chǎn)物、或用氨基或羧基改性的明膠(鄰苯二甲酸化明膠或乙酰化明膠)。乳液層所含的粘合劑的量沒有特別的限制，并且可以適當?shù)卦跐M足分散性和粘性的范圍內(nèi)選擇。至于粘合劑在乳液層中的含量，Ag與粘合劑的體積比優(yōu)選是1/2或更大，更優(yōu)選1/1或更大。<溶劑>形成乳液層所用的溶劑沒有特別的限制，并且可以是，例如，水、有機溶劑(例如醇例如甲醇、酮例如丙酮、酰胺例如甲酰胺、亞砜例如二甲亞砜、酯例如乙酸乙酯、或醚)、離子液體或它們的混合物。用于本發(fā)明的乳液層中的溶劑的含量，相對乳液層中所含的銀鹽、粘合劑等的總質(zhì)量，為在30-90質(zhì)量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在50-80質(zhì)量％的范圍內(nèi)。<防靜電劑>本發(fā)明的感光材料優(yōu)選含有防靜電劑，并且該試劑優(yōu)選涂布在與乳液層相對的載體表面上。防靜電劑層優(yōu)選是在25"C溫度和25%RH的環(huán)境中表面電阻率為1012Q或更小的含導電材料的層?？梢詢?yōu)選用于本發(fā)明的防靜電劑的實例包括下面的導電材料其實例包括JP-A-2-18542的第2頁左下第13行-第3頁右上第7行所述的導電材料。更特別是可以使用，上面說明書的第2頁右下第2行-第10行所述的金屬氧化物、上面說明書中所述的導電聚合化合物P-l-P-7，和U.S.專利號5，575，957、JP-A-10-142738的第0045-0043段和JP-A-11-23901的第0013-0019段中所述的針狀金屬氧化物。本發(fā)明所用的導電金屬氧化物顆粒的實例包括ZnO、Ti02、Sn02、A1203、ln203、MgO、BaO和Mo03顆粒；其任意多氧化物顆粒；和通過在這種金屬氧化物中摻入不同原子獲得的金屬氧化物顆粒。金屬氧化物的優(yōu)選實例包括Sn02、ZnO、A1203、Ti02、ln203和MgO。更優(yōu)選Sn02、ZnO、ln203和Ti02，尤其優(yōu)選Sn02。含有少量不同原子的氧化物的實例包括摻雜有Al或In的ZnO、摻雜有Nb或Ta的Ti02、摻雜有Sn的ln203,和摻雜有Sb、Nb、鹵素或一些其它元素的Sn02，這些不同元素的量為0.01-30mol%(優(yōu)選0.1-10mol%)。如果不同元素的添加量小于0.01mol%，那么不能容易地賦予該氧化物或多氧化物足夠的電導率。如果該量大于30mol%，那么顆粒的黑度增加使得防靜電層不利地帶黑色。因此，在本發(fā)明中，導電金屬氧化物顆粒的材料優(yōu)選是金屬氧化物或多金屬氧化物含有少量不同元素的材料。也優(yōu)選使用在晶體結(jié)構(gòu)中具有氧缺陷(oxygendefects)的材料。含有少量上面不同元素的導電金屬氧化物顆粒優(yōu)選是摻雜有銻的Sn02顆粒，尤其優(yōu)選摻雜有0.2-2.0mol。/。的量的銻的Sn02顆粒。用于本發(fā)明的導電金屬氧化物的形狀沒有特別的限制，并且其實例包括粒狀和針狀。至于其大小，轉(zhuǎn)換為球狀的直徑優(yōu)選是0.5nm-25為了獲得導電性，例如，也可以使用下面的物質(zhì)可溶性鹽(例如氯鹽或硝酸鹽)、蒸汽沉積的金屬層、U.S.專利號2,861,056和3，206，312中所述的離子聚合物、或U.S.專利號3,428,451中所述的不溶性無機鹽。含有這種導電金屬氧化物顆粒的防靜電層優(yōu)選是以背表面的下涂層、乳液層的下涂層等形成的。其添加量以兩個表面上的總量計優(yōu)選是0.01-1.0g/m2。在25"C溫度和25%相對濕度的環(huán)境下感光材料的內(nèi)部電阻率優(yōu)選是1.0x107-1.0X1012Q。在本發(fā)明中，除了上述導電材料之外，可以使用JP-A-2-18542第4頁右上第2行-第4頁右下倒數(shù)第3行所述的含氟表面活性劑，和JP-A-3-39948的第12頁左下第6行-第13頁右下第5行所述的含氟表面活性劑，由此進一步改善防靜電性能。<其它添加劑>用于本發(fā)明感光材料的其它添加劑沒有特別的限制，并且可以優(yōu)選使用如下文獻中所述的那些。然而，在本發(fā)明中，優(yōu)選不使用任意膜固化劑。當使用膜固化劑時，電阻上升并且當進行下面所述的熱水浸泡處理、蒸汽接觸處理或濕熱處理時電導率降低。1)成核促進齊U(nucleationpromoter)作為上述成核促進劑，可以列舉有JP-A-6-82943中所述的式(I)、(11)、(III)、(IV)、(V)和(VI)的化合物、或者JP-A-2-103536第9頁右上欄第13行-第16頁左上欄第10行中式(II-m)-(II-p)代表的化合物和JP-A-1-179939中所述的化合物實例11-1-11-22。2)光譜增感染料作為上述光譜增感染料，可以列舉有JP-A-2-12236第8頁左下欄第13行-右下欄第4行、JP-A-2-103536第16頁右下欄第3行-第17頁左下欄第20行中所述的那些，和JP-A-1-112235、JP-A-2-124560、JP-A-3-7928和JP-A-5-11389中所述的那些。3)表面活性劑作為上述表面活性劑，可以列舉有JP-A-2-12236第9頁右上欄第7行-右下欄第7行、和JP-A-2-18542第2頁左下欄第13行-第4頁右下欄第18行中所述的那些。4)防霧劑作為上述防霧劑，可以列舉有JP-A-2-103536第17頁右下欄第19行-第18頁右上欄第4行以及第18頁右下欄第1-5行，和JP-A-1-237538中所述的硫代亞磺酸化合物。5)膠乳聚合物作為上述膠乳聚合物，可以列舉有JP-A-2-103536第18頁左下欄第12-20行中所述的。276)具有酸基的化合物作為上述具有酸基的化合物，可以列舉有JP-A-2-103536第18頁右下欄第6行-第19頁左上欄第1行所述的化合物。7)黑胡椒斑(blackpepperspot)防止劑黑胡椒斑防止劑是用于抑制未曝光區(qū)的斑狀顯影銀的化合物。作為黑胡椒斑防止劑，可以列舉有例如U.S.專利號4,956,257和JP-A-1-118832中所述的化合物。8)氧化還原化合物作為氧化還原化合物，可以列舉有JP-A-2-301743中式(I)代表的化合物(特別是例證化合物1-50)、JP-A-3-174143第3頁-第20頁中所述的式(R-1)、(R-2)和(R-3)代表的化合物或例證化合物1-75，禾卩JP-A-5-257239和JP-A-4-278939中所述的化合物。9)單次甲基(monomethine)化合物作為上述單次甲基化合物，可以列舉有JP-A-2-287532中式(II)所述的化合物(特別是例證化合物11-1-11-26)。10)二羥基苯類作為上述二羥基苯，可以列舉JP-A-3-39948第11頁左上欄-第12頁左下欄和EP452772A中所述的化合物。在乳液層上可以形成保護層。在本發(fā)明中，"保護層"是指由粘合劑例如明膠或聚合物制成的層，并且形成于具有感光性的乳液層上，用于防止擦傷并改善機械特性。保護層優(yōu)選具有0.2或更小的厚度。保護層的涂布方法和形成方法沒有特別的限制，并且可以適當選擇已知的涂布方法。(導電金屬部分的形成方法)下面解釋使用上述感光材料形成導電金屬部分的方法。通過本發(fā)明獲得的導電薄膜可以是通過圖案化曝光在載體上形成金屬的薄膜、或者是通過區(qū)域曝光在其上形成金屬的薄膜。而且，在使用導電薄膜的情況下，例如，作為作為印刷電路板，可以形成金屬銀部分和絕緣部分。本發(fā)明中形成導電金屬部分的方法，根據(jù)感光材料及其顯影處理的形式包括以下三種具體方式方式(l)不含物理顯影核心的感光鹵化銀單色性感光材料經(jīng)化學或熱顯影在該感光材料上形成金屬銀部分；方式(2)在其鹵化銀乳液層中含有物理顯影核心的感光鹵化銀單色性感光材料經(jīng)溶解和物理顯影在該感光材料上形成金屬銀部分；和方式(3)將不含物理顯影核心的感光鹵化銀單色性感光材料放在帶有含物理顯影核心的光不敏感層的圖像接收片上以實現(xiàn)擴散轉(zhuǎn)移顯影，由此在該光不敏感圖像接收片上形成金屬銀部分。方式(l)為集成型單色性顯影模式，并且在該感光材料上形成半透明導電薄膜，例如半透明電磁波屏蔽薄膜。最終顯影銀是化學顯影銀或熱顯影圖像。顯影的銀由于是由具有高比表面的細絲制成的，因此其在連續(xù)鍍覆或物理顯影步驟中的活性高。按照方式(2)，在曝光部分，在物理顯影核心附近的鹵化銀顆粒經(jīng)溶解并沉積在顯影核心上，由此在該感光材料上形成半透明導電薄膜例如半透明電磁波屏蔽薄膜或可透光導電薄膜。這也屬于集成型單色性顯影模式。由于該顯影作用基于在物理顯影核心上沉積，因此作用非常有效；然而，顯影的銀為具有小比表面積的球狀。按照方式(3)，在未曝光部分，鹵化銀顆粒經(jīng)溶解和擴散從而沉積在該圖像接收片上的顯影核心，由此在該圖像接收片上形成半透明導電薄膜例如半透明電磁波屏蔽薄膜或可透光導電薄膜。該方式屬于所謂的獨立模式，并且是從感光材料上剝離圖像接收片然后使用的方式。在任一這些方式中，可以選擇負顯影處理和反向顯影處理中任意一種(在為擴散轉(zhuǎn)移方式的情況下，可以使用自動正感光材料作為該感光材料實現(xiàn)負顯影處理)。這里所述的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影和擴散轉(zhuǎn)移顯影具有本領(lǐng)域常用術(shù)語相同的含義。這些術(shù)語在感光化學的普通教科書，例如，Shin-ichiKikuchi"PhotographicChemistry"(由KyoritsuShuppanCo.、Ltd.出版)，禾口"TheTheoryofPhotographicProcess4thed."由C.E.K.Mees出版(由McmillanCo.于1977出版)中都有解釋。此外，例如，可以參照下面所述的技術(shù)JP-A-2004-184693、JP-A-2004-334077、JP-A-2005-010752和日本專利申請2004-244080禾B2004-085655。在本發(fā)明的制備方法中，在載體上形成的含銀鹽的感光層優(yōu)選經(jīng)曝光。該曝光可以用電磁波進行。該曝光可以經(jīng)電磁輻射進行。作為電磁波，可以列舉有，例如，可見光、如紫外線的光線、或如X-射線的射線。而且，該曝光可以用具有波長分布的光源或者特定波長的光源進行。作為上述光源，例如，可以列舉有利用陰極射線管(CRT)的掃描曝光。與利用激光的設(shè)備相比，陰極射線管曝光設(shè)備更簡單、緊湊并且成本低。也可以容易地調(diào)節(jié)光軸和顏色。用于圖像曝光的陰極射線管利用根據(jù)需要在光譜區(qū)顯示發(fā)光的各種發(fā)光物質(zhì)。例如，將紅色發(fā)光物質(zhì)、綠色發(fā)光物質(zhì)或藍色發(fā)光物質(zhì)單獨使用或者以兩種或多種的混合物使用。光譜區(qū)不限于上述紅色、綠色和藍色區(qū)，并且也可以使用在黃色、橙色、紫色或紅外區(qū)發(fā)光的發(fā)光物質(zhì)。特別是，經(jīng)常使用通過混合這些發(fā)光物質(zhì)發(fā)白光的陰極射線管。也優(yōu)選使用紫外燈，還可以使用g-線或i-線的汞燈。在本發(fā)明的制備方法中，曝光可以用各種激光束進行。本發(fā)明的曝光可以優(yōu)選利用單色性高密度光通過掃描曝光法進行，所述單色性高密度光是氣體激光器、發(fā)光二極管、半導體激光器、通過組合使用半導體激光器作為激發(fā)光源的半導體激光器或固態(tài)激光器和非線性光學晶體形成的第二諧波發(fā)生器(SHG)的單色性高密度光。本發(fā)明的曝光也可以利用KrF受激準分子激光器、ArF受激準分子激光器或F2激光器。為了獲得緊湊和價廉的系統(tǒng)，曝光優(yōu)選用半導體激光器或者通過組合半導體激光器或固態(tài)激光器和非線性光學晶體形成的第二諧波發(fā)生器(SHG)進行。特別是，為了設(shè)計緊湊、價廉、壽命長且穩(wěn)定性高的設(shè)備，曝光優(yōu)選用半導體激光器進行。激光光源的優(yōu)選實例包括波長為430-460nm的藍色半導體激光(由NichiaChemicalCo.出版，at48thUnitedMeetingofAppliedPhysics(3月，2001);通過具有波導型反向域結(jié)構(gòu)的LiNb03SHG晶體將半導體激光的光(振蕩波長約1060nm)進行波長轉(zhuǎn)換獲得的約530nm的綠光激光；和波長約685nm的紅色半導體激光(Hitachitype:No.HL6738MG);或波長約650nm的紅色半導體激光(Hitachitype:No.HL6501MG)。含銀鹽層的圖案化曝光可以用光掩膜經(jīng)平面曝光進行，或者用激光束經(jīng)掃描曝光進行?？梢允褂糜猛哥R的折射曝光或者用鏡子的反射曝光，并且可以利用接觸曝光、接近式曝光、縮小(reduced)投影曝光或反射投影曝光。在本發(fā)明的制備方法中，在含銀鹽層曝光之后還進行顯影處理。上述顯影處理可以用在，例如，鹵化銀感光薄膜、印刷紙、制備印刷板的薄膜、光掩膜的乳液掩膜中的普通顯影技術(shù)進行。顯影液沒有特別的限制，并且可以是PQ顯影液、MQ顯影液或MAA顯影液。作為工業(yè)產(chǎn)品，可以使用顯影液或顯影液試劑盒，例如CN-16、CR-56、CP45X、FD-3或Papitol(都是商品名，由FUJIFILMCorporation生產(chǎn))、或者C-41、E-6、RA-4、Dsd-19或D-72(都是商品名，由EastmanKodakCo.,Ltd.生產(chǎn))。也可以使用里斯(lith)顯影液。作為里斯顯影液，可以使用D85(商品名，由EastmanKodakCo.生產(chǎn))等。在本發(fā)明的半透明導電薄膜的制備方法中，上述的曝光和顯影處理在曝光區(qū)形成圖案化金屬銀部分，并在未曝光區(qū)形成下面將要解釋的透光部分。在本發(fā)明中，顯影溫度、定影溫度和水洗溫度都是優(yōu)選35。C或更低。本發(fā)明的制備方法中的顯影處理可以包括定影處理，用以除去未曝光部分的銀鹽并達到穩(wěn)定。在本發(fā)明的制備方法中的定影處理中，可以使用在銀鹽感光薄膜、印刷紙、制備印刷板的薄膜、光掩膜的乳液掩膜等中所用的任意定影處理技術(shù)。用于顯影處理的顯影液可以含有圖像質(zhì)量改進劑以改進圖像質(zhì)量。作為圖像質(zhì)量改進劑，可以列舉有含氮雜環(huán)化合物例如苯并三唑。當使用里斯顯影液時，特別優(yōu)選使用聚乙二醇。相對曝光之前曝光部分所含的銀的質(zhì)量，顯影處理之后曝光部分中所含的金屬銀的質(zhì)量優(yōu)選是50%或更大，更優(yōu)選80%或更大，當相對曝光之前曝光部分所含的銀的質(zhì)量，顯影處理之后曝光部分中所含的金屬銀的質(zhì)量優(yōu)選是50%或更大時，由于容易獲得高電導率，因此這是優(yōu)選的。本發(fā)明的顯影處理之后的灰度(gradation)沒有特別的限制，并優(yōu)選大于4.0。當顯影處理之后的灰度大于4.0時，導電金屬部分的電導率可能高同時光可透過部分的透光率保持在高水平。將灰度調(diào)整至4.0或更大的方式例如上述用銠離子或銥離子摻雜。在本發(fā)明的制備方法中，顯影處理之后的金屬銀部分優(yōu)選經(jīng)過氧化處理。氧化處理可以除去輕輕沉積在透光部分的金屬，由此在透光部分獲得約100%的透光率。作為上述氧化處理，可以列舉有使用各種氧化劑的已知方法，例如用Fe(ni)離子處理。氧化處理可以在含銀鹽的層曝光和顯影處理之后進行。在本發(fā)明中，還可以在曝光和顯影處理之后用含Pd溶液處理金屬銀部分。Pd可以是二價鈀離子或金屬Pd。該方法可以抑制金屬銀部分在長時間之后變黑。[還原處理]顯影處理之后，將加工件在還原性水溶液中浸泡，由此可以獲得優(yōu)選的電導率高的薄膜。作為還原性水溶液，可以使用亞硫酸鈉水溶液、氫醌水溶液、對-苯二胺水溶液、草酸水溶液等。水溶液的pH更優(yōu)選調(diào)整至10或更大。<導電金屬部分的平滑處理>[平滑處理(壓延處理)]在本發(fā)明的制備方法中，優(yōu)選使顯影的金屬銀部分(整個表面金屬銀部分、金屬網(wǎng)格圖案化部分或金屬布線圖案化部分)經(jīng)過平滑處理。通過這種方式，使得金屬銀部分的電導率顯著提高。而且，當金屬銀部分的區(qū)域和光可透過部分的區(qū)域經(jīng)過適當設(shè)計時，獲得無針孔印刷電路板，它同時具有高電磁波屏蔽性能和高半透明度，并且具有同時具有半透明電磁波屏蔽薄膜和高電導率和高絕緣性能的黑色網(wǎng)格部分。在形成導電金屬部分之后，優(yōu)選使加工件經(jīng)過平滑處理以增加導電金屬部分中金屬顆粒之間的結(jié)合部分。特別優(yōu)選在后面所述的熱水浸泡處理、蒸汽接觸處理或濕熱處理之前進行平滑處理。在平滑處理之后通過進行熱水浸泡處理、蒸汽接觸處理或濕熱處理，可以使導電顆粒熔融并且彼此粘合成一體。結(jié)果，可以更有效地提高電導率?？梢杂脡貉虞佭M行平滑處理。壓延輥經(jīng)常是一對輥。后面將使用壓延輥的平滑處理稱之為壓延處理。用于壓延處理的輥可以都是由塑料例如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺或聚酰亞胺酰胺制成的輥、或者是由金屬制成的輥。特別是，當導電薄膜在其兩面都有乳液層時，優(yōu)選薄膜經(jīng)金屬輥加工。當導電薄膜僅在其一面有乳液層時，可以使用金屬輥和塑料輥的組合以防止起皺。線性壓力的下限優(yōu)選是1,960N/cm(200kg/cm)或更大，更優(yōu)選2,940N/cm(300kg/cm)或更大。線性壓力的上限優(yōu)選是6,860N/cm(700kgf/cm)或更小。線性壓力(載荷)定義為施加在單位厘米待壓薄膜樣品上的力。盡管更優(yōu)選的溫度隨拉線(drawn-line)密度或金屬網(wǎng)格圖案或金屬布線圖案的形狀、或者粘合劑種類而變化，可用于平滑處理(其典型實例是壓延輥壓)的溫度優(yōu)選是l(TC(未進行任意溫度-調(diào)節(jié))至IOO'C，更優(yōu)選約l(TC(未進行任意溫度-調(diào)節(jié))至50°C。如上所述，通過本發(fā)明的制備方法，可以低成本容易地制成具有高電導率的導電薄膜。優(yōu)選，在本發(fā)明中，在使用銀鹽(特別是鹵化銀)感光材料以1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的高線性壓力進行平滑處理制備導電薄膜的方法時可以足夠降低導電薄膜的表面電阻。在這樣高線性壓力下進行平滑處理的情況下，顯然如果金屬銀部分以細線狀(特別是，線寬25iim或更小的細線)形成，那么金屬銀部分的線寬變大，這樣不容易形成所需的圖案。然而，當待經(jīng)過平滑處理的物品是銀鹽感光材料(特別是，鹵化銀感光材料)時，線寬的擴大小從而可以形成如所需圖案的金屬銀部分。特別是，由各自具有均勻形狀的片段組成的金屬銀部分可以形成為所需圖案；因此，可以限制次品的產(chǎn)生并且可以進一步提高導電薄膜的產(chǎn)率。當在上述線性壓力下進行平滑處理時，優(yōu)選用為一對金屬輥或者金屬輥和樹脂輥的組合的壓延輥進行平滑處理。此時，輥之間的面壓力優(yōu)選調(diào)整至600kgf/cn^或更大，更優(yōu)選至800kgf/cn^或更大，甚至更優(yōu)選至卯0kgf/cn^或更大。此時的上限優(yōu)選調(diào)整至2,000kgf/cn^或更小。<蒸汽接觸處理>在本發(fā)明的優(yōu)選第一實施方式中，在載體上形成導電金屬部分，然后將導電金屬部分與蒸汽接觸。這樣能夠在短時間內(nèi)容易地提高電導率和透光度。如上所述，導電薄膜的電導率提高的原因還不清楚。然而，在本發(fā)明中，顯然將粘合劑的至少一部分除去使得增加了金屬(導電材料)顆粒之間的粘合部分。與載體接觸的蒸汽的溫度優(yōu)選是8(TC或更高。1個大氣壓下蒸汽的溫度更優(yōu)選是IO(TC或更高和14(TC或更低。當載體尺寸是60cmx1m時，與蒸汽接觸的時間(隨所用粘合劑的類型而變化)優(yōu)選是約10秒至5分鐘，更優(yōu)選l-5分鐘。<水洗處理>在本發(fā)明的優(yōu)選第一實施方式中，優(yōu)選在導電金屬部分與蒸汽接觸之后，將所得物用水洗滌。似乎經(jīng)蒸汽接觸處理之后的水洗，可以洗掉經(jīng)蒸汽溶解或變碎的粘合劑，從而可以進一步降低電阻率。如上所述，本發(fā)明的優(yōu)選第一實施方式具有將該導電金屬部分與蒸汽接觸的蒸汽接觸步驟。在本發(fā)明的更優(yōu)選方式中，在蒸汽接觸步驟之后進行水洗處理。在本發(fā)明的另一更優(yōu)選方式中，在平滑處理之后進行蒸汽接觸處理。在本發(fā)明的又一更優(yōu)選方式中，依次進行平滑處理、蒸汽接觸步驟、和水洗處理。<熱水浸泡處理>在本發(fā)明的優(yōu)選第二實施方式中，在載體上形成導電金屬部分，然后將該導電金屬部分浸泡于4(TC或更高的熱水中。這樣可以在短時間內(nèi)容易地提高電導率和透明度。如上所述，導電薄膜的電導率得到提高的原因還不清楚。然而，在本發(fā)明中，似乎將水溶性粘合劑的至少一部分從而使金屬(導電材料)顆粒之間的結(jié)合部分增加。浸泡載體的熱水的溫度優(yōu)選是4CTC或更高和IOO'C或更低，更優(yōu)選60-100°C，尤其優(yōu)選約80-100°C。溫度越高，電導率的提高越明顯。熱水的pH優(yōu)選是2-13，更優(yōu)選2-9，甚至更優(yōu)選2-5。T在4(TC或更高的熱水或比其高的加熱水中浸泡的時間隨所用水溶性粘合劑的種類而變化，并且當載體尺寸是60cmx1m時優(yōu)選約10秒鐘-5分鐘，更優(yōu)選1-5分鐘。如上所述，本發(fā)明的優(yōu)選第二實施方式具有在熱水中浸泡導電金屬部分的熱水浸泡步驟。在本發(fā)明的更優(yōu)選方式中，在平滑處理之后進行熱水浸泡處理。<濕熱處理>在本發(fā)明的優(yōu)選第三實施方式中，在載體上形成導電金屬部分，然后將其上形成有導電金屬部分的載體經(jīng)過濕熱處理，所述濕熱處理是將該載體靜置于保持在溫度是4(TC或更高且相對濕度是5%或更大的調(diào)濕條件的環(huán)境下。這樣能夠在短時間內(nèi)容易地提高電導率和透明度。如上所述，導電薄膜的電導率提高的原因還不清楚。然而，在本發(fā)明中，似乎水溶性粘合劑的至少一部分隨濕度變高而變得在微觀上易于移動，使得金屬(導電材料)顆粒之間的結(jié)合部分增加。至于調(diào)濕條件的溫度，優(yōu)選是4(TC或更高和IOO'C或更低，更優(yōu)選60-100°C，尤其優(yōu)選約80-100°C。溫度越高，電導率的提高更顯著。至于調(diào)濕條件的相對濕度，優(yōu)選是5-100%，更優(yōu)選40-100%，甚至更優(yōu)選60-100°/。，尤其優(yōu)選80-100%。當載體尺寸是60cmx1m時，濕熱處理的時間(隨所用水溶性粘合劑的類型而變化)優(yōu)選是約5-60分鐘，更優(yōu)選約5-30分鐘，尤其優(yōu)選約5-10分鐘。如上所述，本發(fā)明的優(yōu)選第三實施方式具有將其上形成有導電金屬部分的載體在保持在溫度是40'C或更高和相對濕度是5%或更大的調(diào)濕條件下的環(huán)境中靜置的濕熱處理步驟。在本發(fā)明的更優(yōu)選方式中，濕熱處理在平滑處理之后進行。在本發(fā)明的制備方法中，通過曝光和顯影處理使線寬、窗孔比和Ag含量確定的網(wǎng)狀金屬銀部分直接形成于載體上；因此，所得物具有足夠的表面電阻值。因此不需要使金屬銀部分再經(jīng)過物理顯影和/或鍍覆處理，由此重新賦予其電導率。為此，通過簡單方法就可以制得半透明電磁波屏蔽薄膜。在本發(fā)明中，可以使導電金屬部分經(jīng)過鍍覆處理。鍍覆處理能夠使表面電阻更低并使電導率更高。鍍覆處理可以是電鍍或無電鍍覆。構(gòu)成鍍層的材料優(yōu)選是具有足夠電導率的金屬。優(yōu)選銅?？梢允褂帽景l(fā)明與下面出版物中公開的任一技術(shù)的組合，只要該組合不偏離本發(fā)明的主題JP-A-2004-221564、JP-A-2004-221565、JP-A-2006-012935、JP-A畫2006-010795、JP畫A畫2006-228469、JP陽A-2006-228473、JP畫A畫2006-228478、JP畫A誦2006-228480、JP-A-2006-228836、JP曙A-2006誦267627、JP-A-2006-269795、JP-A-2006-267635、JP畫A-2006-286410、JP-A-2006-283133和JP-A-2006-283137。通過本發(fā)明方法制得的具有低的電阻的導電薄膜可以用作電磁波屏蔽材料。特別是，可以優(yōu)選使用具有半透明度的導電薄膜作為半透明電磁波屏蔽薄膜、透明產(chǎn)熱薄膜等。本發(fā)明的導電薄膜可以廣泛地用于液晶顯示器、等離子體顯示板、有機EL、無機EL、太陽電池、觸板、印刷電路板或其它。因此，使用半透明電磁波屏蔽薄膜形成的、用于等離子顯示板、含有本發(fā)明的半透明電磁波屏蔽薄膜的等離子顯示板的電磁波屏蔽性能、對比度和亮度高，并且可以低成本制備。下面是對使用本發(fā)明的導電薄膜的電磁波屏蔽薄膜的優(yōu)選方式的解釋。圖1是電磁波屏蔽薄膜的優(yōu)選方式的截面圖，其中使用了本發(fā)明的導電薄膜。電磁波屏蔽薄膜10具有透明載體12;和由導電金屬制成的細線結(jié)構(gòu)剖分(導電金屬部分)14和半透明導電薄膜16，它們各自設(shè)置在載體12上。細線結(jié)構(gòu)部分14相當于上述導電金屬部分，并且圖1中的載體12和細線結(jié)構(gòu)部分14相當于本發(fā)明的導電薄膜。換言之，圖1中所述的電磁波屏蔽薄膜10是本發(fā)明的導電薄膜與半透明導電薄膜16組合的產(chǎn)物。電磁波屏蔽薄膜10可以通過形成本發(fā)明的導電薄膜和透明薄膜(其中單獨形成半透明導電薄膜16)，然后將這些薄膜彼此疊放制得。如圖1所示，細線結(jié)構(gòu)部分14的厚度(高度)可以基本上與半透明導電薄膜16的厚度(高度)相等，由此使細線結(jié)構(gòu)部分14的上表面裸露。為了改善半透明導電薄膜16和本發(fā)明的導電薄膜之間的粘性，或者其它一些性能，優(yōu)選使用由有機聚合物材料制成的中間層或者進行表面處理。半透明導電薄膜16是通過涂布、印刷等使下面任一材料均勻粘附到透明薄膜例如聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯基質(zhì)上透明導電有機聚合物例如PEDOT(聚亞乙基二氧化噻吩)/PSS、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩或聚異硫茚，金屬氧化物，金屬細粒，導電金屬例如金屬納米棒或納米絲，導電無機顆粒例如碳納米管，或有機水溶性鹽。這些涂布液可以通過與其它非導電聚合物、膠乳等混合使用以改善涂布性，或者調(diào)節(jié)薄膜物理性能?？梢允褂迷诟哒凵渎蕦又g夾有銀薄膜的多層結(jié)構(gòu)。這些透明導電材料描述在"ThePresentSituationandFutureofElectromagneticWaveShieldingMaterials"，由TorayResearchCenter,Inc.出版、JP-A-9-147639，和其它出版物。涂布和印刷的方式可以是涂布器例如滑動涂布器、沖模涂布器、幕簾涂布器、輥涂布器、棒涂器或凹版涂布器、絲網(wǎng)印刷等。導電薄膜16的體積電阻優(yōu)選是0.05Qcm或更大。而且，導電薄膜16的表面電阻優(yōu)選是1000Q/sq或更大。導電薄膜16的表面電阻可以根據(jù)JISK6911中所述的測定方法測定。導電薄膜16優(yōu)選經(jīng)過交聯(lián)，這是由于防水性、溶劑耐性和其它性能得到改善。這種情況下，可以將導電薄膜16用交聯(lián)劑交聯(lián)，或者可以不添加任意交聯(lián)劑，而僅使用光照射誘導的光化學反應(yīng)通過對光敏性不產(chǎn)生任意影響的方式進行交聯(lián)。交聯(lián)劑的實例包括乙烯基砜類(例如1,3-雙乙烯基磺?；?、醛類(例如乙二醛)、氯化嘧啶(例如2，4，6-三氯嘧啶)、氯化三嗪類(例如氰尿酰氯)、環(huán)氧化合物，和碳二亞胺化合物。環(huán)氧化合物的優(yōu)選實例包括1，4-雙(2'，3'-環(huán)氧丙氧基)丁烷、1,3，5-三縮水甘油基異氰脲酸酯、1,3-二縮水甘油基-5-(y-乙酰氧基-P-氧代丙基)異氰脲酸酯、山梨糖醇聚縮水甘油基醚類、聚甘油聚縮水甘油基醚類、季戊四醇聚縮水甘油基醚類、二甘油聚縮水甘油基醚類、1，3,5-三縮水甘油基(2-羥基乙基)異氰脲酸酯、甘油聚甘油醚類，和三羥甲基丙烷聚縮水甘油基醚類。其可商購獲得的產(chǎn)品的具體實例包括DENACOLEX-521禾口DENACOLEX-614B(商品名，由NagaseChemicals,Ltd.制造)。然而，環(huán)氧化合物并不限于此。作為碳二亞胺化合物，優(yōu)選使用在分子中具有多個碳二亞胺結(jié)構(gòu)的化合物。通常通過有機二異氰酸酯類的縮合反應(yīng)合成聚碳二亞胺。用于合成在分子內(nèi)具有碳二亞胺結(jié)構(gòu)的化合物的有機二異氰酸酯的有機基團沒有特別的限制，并且可以是芳族類、脂族類、或者是它們的混合類。從反應(yīng)性的角度，特別優(yōu)選脂族類。原料的實例包括有機異氰酸酯類、有機二異氰酸酯類、有機三異氰酸酯類等。有機異氰酸酯類的實例包括芳族異氰酸酯類、脂族異氰酸酯類，及它們的混合物。有機異氰酸酯類的具體實例包括4,4'-二苯基甲垸二異氰酸酯、4,4-二苯基二甲基甲垸二異氰酸酯、1,4-亞苯基二異氰酸酯、2，4-亞芐基二異氰酸酯、2,6-亞芐基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、環(huán)己烷二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、2，2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二環(huán)己基甲垸二異氰酸酯、1,3-亞苯基二異氰酸酯等。而且，有機單異氰酸酯類的具體實例包括異佛爾酮異氰酸酯、異氰酸苯酯、異氰酸環(huán)己酯、異氰酸丁酯、異氰酸萘酯等。作為碳二亞胺系列化合物的具體商購產(chǎn)品，可以使用CARBODILITEV-02-L2(商品名，由NisshinboIndustries,Inc.審!j造傳。作為導電薄膜16的形成方法，可以使用各種物理方法例如濺射，和各種公知的涂布方法例如浸涂、氣刀涂布、簾涂涂布、金屬繞線棒涂布、凹版涂布，和擠出涂布。當通過這些方法形成導電薄膜16時，優(yōu)選使用下面的方法(A)將凹處埋在細線圖案中，以調(diào)節(jié)放置的導電薄膜16的量，該方法使得細線結(jié)構(gòu)部分14的表面和導電薄膜16的表面可以形成，例如，平且光滑的表面的方法；(B)通過拋光使得細線結(jié)構(gòu)部分14的表面和導電薄膜16的表面可以形成平且光滑的表面的調(diào)節(jié)方法，和(C)使細線結(jié)構(gòu)部分14的表面經(jīng)過表面處理以防導電薄膜16的材料粘附到該表面上，然后形成導電薄膜16的方法。在方法(C)中，細線結(jié)構(gòu)部分14的表面優(yōu)選極性和疏水性低，這是由于導電薄膜16的材料的涂布液通常在極性和疏水性上高。特別是，優(yōu)選用疏水金屬表面處理劑將細線結(jié)構(gòu)部分14的表面進行表面處理，該處理劑的典型實例包括烷基硫醇類。該處理劑更優(yōu)選通過后處理除去。而且，導電薄膜16可以根據(jù)需要單獨提供有功能性的功能層。這種功能層可以根據(jù)各自應(yīng)用而具有不同的規(guī)格。例如，通過調(diào)節(jié)折射率或薄膜厚度可以提供有帶防反射功能的防反射層；非眩光層或防眩光層(都具有防眩光性)；由吸收近紅外線的化合物或金屬形成的近紅外線吸收層；具有顏色調(diào)節(jié)功能以吸收特定波長區(qū)的可見光的層；能夠容易除去污漬如指紋的防污層；不容易劃傷的硬涂層；具有撞擊吸收功能的層；或當玻璃破碎時能夠避免玻璃散射的層。根據(jù)本發(fā)明，在沒有進行任何鍍覆處理的情況下，可以低成本制備具有高電導率的導電薄膜。而且，當其導電金屬部分是預定圖案形式時，導電薄膜除了具有高電導率之外，還具有高透明度。特別是，通過使用銀鹽感光材料，可以低成本制備具有高電磁波屏蔽性能和高透明度，并包括黑色網(wǎng)格(黑色網(wǎng)格部分)的半透明導電薄膜。通過本發(fā)明方法制得的導電薄膜的電阻低，并且可用作電磁波屏蔽材料。特別是，具有半透明度的導電薄膜可用作半透明電磁波屏蔽薄膜、透明產(chǎn)熱薄膜等。本發(fā)明的導電薄膜可用于液晶電視、等離子電視、有機EL、無機EL、太陽電池、觸板和其它。此外，導電薄膜可以廣泛地作為導電圖案化材料用于印刷電路板或其它。實施例下面使用實施例進一步具體解釋本發(fā)明。在下面實施例中，加工的材料、用量、比例、含量和加工步驟可以適當變化，只要它們不背離本發(fā)明的主題。因此本發(fā)明的范圍不應(yīng)受這些實施例的嚴格限制。實施例1-1(乳液A的制備)向以下溶液1中，在其溫度和pH分別保持在38'C和4.5的同時，在攪拌下于20分鐘內(nèi)同時加入以下溶液2和3(量相應(yīng)于各溶液量的卯％)。以這種方式，形成尺寸為0.16pm的核顆粒。接著，在8分鐘內(nèi)向其中加入以下溶液4和5，并在2分鐘內(nèi)將剩余的溶液2和3(量相應(yīng)于各溶液量的10%)加入其中，以使顆粒成長至大小0.21|im。而且，向其中加入0.15g的碘化鉀，并將所得物熟化5分鐘從而結(jié)束顆粒的形成。溶液1:水750ml明膠(鄰苯二甲酰處理過的明膠)20g氯化鈉3g1,3-二甲基咪唑烷-2-硫酮20mg苯硫代磺酸鈉10mg檸檬酸0.7g溶液2:水300ml硝酸銀150g溶液3:水300ml氯化鈉38g溴化鉀32g六氯銥酸(III)鉀(0.005%的20%KCl水溶液)5ml六氯銠酸銨(0.001°/。的20%NaCl水溶液)7ml溶液3中所用的六氯銥酸(111)鉀(0.005%的20%KCl水溶液)和六氯銠酸銨(0.001°/。的20%NaCl水溶液)分別是通過將其粉末溶解在20%的KCl水溶液和20%的NaCl水溶液中并將該溶液在40°C加熱120分鐘制得的。溶液4:水100ml硝酸銀50g溶液5:水100ml氯化鈉13g溴化鉀11g亞鐵氰化鉀5mg之后，按照常規(guī)方法通過絮凝法進行水洗。特別是，將溫度降低至35。C，并使用硫酸降低pH直到鹵化銀沉淀(pH在3.2±0.2的范圍內(nèi))。然后除去約3L的上清液(第一次水洗)。然后，將3L蒸餾水加入到該混合物中，并加入硫酸直到鹵化銀沉淀。再將3L上清液除去(第二次水洗)。再一次重復與第二次水洗相同的步驟(第三次水洗)，由此結(jié)束水洗和脫鹽步驟。將水洗和脫鹽之后的乳液調(diào)整至pH6.4和pAg7.5。向其中加入10mg的苯硫代磺酸鈉、3mg的苯硫代亞磺酸鈉、15mg的硫代磺酸鈉，和10mg的氯金酸，并由此將該混合物經(jīng)過化學增感以獲得55'C下的最佳感光度。然后，加入100mg的1，3,3a,7-四氮雜茚作為穩(wěn)定劑，禾B100mg的Proxel(商品名，由ICICo.，Ltd.制造)作為防腐劑。最后，獲得含70mol%的氯化銀和0.08mol%的碘化銀并且平均粒徑為0.22pm和相對標準差(coefficientofvariation)為9%的碘氯溴化銀立方顆粒乳液。乳液最終的pH為6.4，pAg為7.5，電導率為40]uS/m，密度為1.2xl(T3kg/m3，粘度為60mPa.s。(涂布樣品的制備)<<乳液層涂布液-1的制備>>向上述乳液A中，加入5.7x10"mol/molAg的增感染料(SD-1)以進行光譜增感。而且，向其中加入3.4xio'4mol/molAg的KBr禾口8.0x10"mol/molAg的化合物(Cpd-l)并充分混合。接著，向該混合物中加入1.2xio'4mol/molAg的1，3，3a，7-四氮雜茚、1.2xlor2mol/molAg的氫醌、3.0xl(T4mol/molAg的擰檬酸、90mg/n^的2,4-二氯-6-羥基-1,3,5-三嗪鈉、相對明膠15質(zhì)量％的粒徑為10|im的膠體二氧化硅、50mg/m2的含水膠乳(aqL-6)、100mg/m2的聚乙基丙烯酸酯膠乳、100mg/n^的丙烯酸甲酯、2-丙烯酰胺-2-甲基丙垸磺酸鈉、和甲基丙烯酸2-乙酰氧基乙酯共聚物膠乳(質(zhì)量比88:5:7)、100mg/m2的核-殼型膠乳(核苯乙烯/丁二烯共聚物(質(zhì)量比37/63)、殼苯乙烯/丙烯酸2-乙酰氧基乙酯(質(zhì)量比84/16)、核/殼比=50/50)，和膜固化劑(Cpd-7)(相對明膠4質(zhì)量％);并使用檸檬酸將由此獲得的涂布液的pH調(diào)整至5.6，由此制得乳液層涂布液-1。<<乳液層涂布液-2>>以與乳液層涂布液-1的制備相同的方式制備乳液層涂布液-2，只是不加入膜固化劑(Cpd-7)。向由此制得的乳液層涂布液-1或2中加入角叉菜膠(為水溶性粘合劑)，其量相對Ag為0.19g/m2。將其涂布到聚對苯二甲酸乙二酯(PET)載體上調(diào)整Ag和粘合劑的量分別至10.5g/m"和0.525g/m2。之后，將所得物干燥。預先使PET經(jīng)過賦予親水性的處理。在每一所得涂布樣品中，乳液層中Ag與粘合劑的體積比是4/1。該樣品的Ag與粘合劑之比是1/1或更大，優(yōu)選用于形成本發(fā)明的導電薄膜的感光材料。[化學式1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>(曝光/顯影處理)接下來，用上述乳液層涂布液-2涂布并干燥制備樣品。所得樣品各自經(jīng)來自作為光源的高壓汞燈的平行光通過能夠賦予顯影銀圖像的格狀光掩膜曝光，其中線和間隔分別是10fim和2卯pm，(在光掩膜中，線和間隔分別是2卯nm和10iam(節(jié)距300|im)，并且間隔為格狀)。所得物用以下顯影液顯影，再使用定影溶液進行顯影處理(商品名N3X-RforCN16X，由FujiPhotoFilmCo.,Ltd.制造)，并用純凈水沖洗。以這種方式，獲得樣品。1升的顯影液含有以下化合物氫醌N-甲基氨基酚偏硼酸鈉氫氧化鈉溴化鈉偏亞硫酸氫鉀(壓延處理+蒸汽接觸處理)將如上所述經(jīng)過顯影和定影處理的樣品進行壓延處理。壓延輥是金屬輥，并將樣品通過輥之間的空隙，施加的線性壓力為4900N/cm(500kg/cm)。測定加工樣品的表面電阻。之后，將一些樣品的表面與溫度為IOO'C的水蒸汽接觸。所得樣品中，一個僅經(jīng)過壓延處理的樣品命名為樣品1101，一個經(jīng)過壓延處理然后與溫度為10(TC的水蒸汽接觸1分鐘的樣品命名為樣品1102，并將一個經(jīng)過壓延處理然后與溫度為10(TC的水蒸汽接觸5分鐘的樣品命名為樣品1103。(評價)用系列4-探測器探針(ASP)(商品名ROLESTERGP，型號MCP-T610，由DiaInstrumentsCo.,Ltd.制造)測量形成的每一樣品1101-1103的表面電阻。"窗孔比"是指不存在構(gòu)成網(wǎng)格的細線的部分占整個面積的比例，例如，線寬10|im和節(jié)距200pm的方格網(wǎng)格的窗0.037mol/L0.016mol/L0.140mol/L0.360mol/L0.031mol/L0.187mol/L44孔比為90%。結(jié)果示于下表1。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>正如從表1中看到的，樣品1101-1103各自的窗孔比為88-89%，并且各自具有高透明度。然而，樣品1101(對比實施例)，其中在顯影之后僅進行壓延處理，具有的表面電阻為1.4Q/sq。另一方面，在樣品1102和1103(本發(fā)明樣品)中，其中除了壓延處理之外還進行蒸汽接觸處理，表面電阻比樣品1101的低。因此，顯示樣品1102禾B1103具有較高電導率。因此，表1的結(jié)果顯示了本發(fā)明的導電薄膜同時具有高電導率和高半透明度。實施例1-2以與實施例1-1相同的方式制備并經(jīng)過曝光和顯影處理的樣品各自經(jīng)過壓延處理和蒸汽接觸處理。以與實施例1-1相同的方式進行壓延處理，只是改變載荷。所得樣品中，一個沒有經(jīng)過壓延處理并與蒸汽接觸30秒鐘的樣品命名為樣品1201;將經(jīng)過壓延處理其中載荷分別為1,960N/cm(200kgf/cm)、2,940N/cm(300kgf/cm)、3，920N/cm(400kgf/cm)、5,880N/cm(600kgf/cm)和6,860N/cm(700kgf/cm)，然后與蒸汽接觸30秒鐘的樣品分別命名為樣品1202-1206;并將與蒸汽接觸30秒鐘然后經(jīng)過壓延處理其中載荷分別為1,960N/cm(200kgf/cm)、2,940N/cm(300kgf/cm)、3,920N/cm(400kgf/cm)、5,880N/cm(600kgf/cm)禾口6,860N/cm(700kgf/cm)的樣品分別命名為樣品1207-1211。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定在蒸汽接觸處理之前的表面電阻。結(jié)果示于下表2。(評價)針對每一形成的樣品1201-1211，以與實施例1-1相同的方式測定其表面電阻。此外，使用數(shù)字顯微鏡(商品名VH-6200，由KeyenceCorp.制造)從兩點之間的距離來測定格狀圖案的線寬。結(jié)果示于表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>正如從表2的結(jié)果中看到的，樣品1202-1206在整個處理之后(各自經(jīng)過壓延處理然后與蒸汽接觸)的電阻小于樣品1201的(經(jīng)過了蒸汽接觸處理但沒有經(jīng)過任何壓延處理)和樣品1207-1211的(各自與蒸汽接觸過然后經(jīng)過壓延處理)。為此，表2的結(jié)果顯示了在進行這種蒸汽接觸處理之前進行這樣的壓延處理可以更有效地獲得高電導率。針對上述樣品1204，使用數(shù)字TEM(透射電子顯微鏡)觀察分別在顯影之后、在壓延處理之后和蒸汽接觸處理之后它的導電金屬部分的狀態(tài)。結(jié)果示于圖2。如圖2所示，顯示如下在顯影之后銀顆粒以離散狀態(tài)存在(圖2(a));壓延處理之后銀顆粒彼此粘合(圖2(b);和在蒸汽接觸處理之后銀顆粒熔融并彼此粘合(圖2(c))。同樣為此，可以理解為在這樣蒸汽接觸處理之前進行這樣的壓延處理可以更有效地獲得高電導率。實施例1-3以與實施例1-1相同的方式制備并經(jīng)過曝光和顯影處理和壓延處理的樣品各自經(jīng)過如下蒸汽接觸處理以與實施例1-1相同的方式進行蒸汽接觸處理，只是改變蒸汽溫度。所得樣品中，在8CTC下處理過的命名為樣品1301、在9(TC下處理過的命名為樣品1302、在IO(TC下處理過的命名為樣品1303、在ll(TC下處理過的命名為樣品1304、在12(TC下處理過的命名為樣品1305，在130。C下處理過的命名為樣品1306。針對每一樣品，在蒸汽接觸處理之前和之后以與實施例1-1相同的方式測定其表面電阻。以與實施例1-2相同的方式測定格狀圖案的線寬。結(jié)果示于下表3。表3樣品蒸汽的溫度(。c)蒸汽處理之前的表面電阻(Q/sq)與蒸汽接觸的時間蒸汽處理之后的表面電阻(Q/sq)線寬1301801.3230秒鐘0.79171302901.31730秒鐘0.817.213031001.31430秒鐘0.79716.813041101.32230秒鐘0.78716.913051201.3130秒鐘0.8117.413061301.3230秒鐘0.7817.247正如從表3結(jié)果中看到的，根據(jù)本發(fā)明的方法，即使改變蒸汽溫度，導電率變高。實施例1-4(乳液B的制備)以與實施例1-1的乳液A的制備相同的方式制備乳液B，只是將溶液1中明膠的量變?yōu)?g。(涂布樣品B的形成)使用上述乳液B以與實施例1-1的乳液層涂布液-1相同的方式制備乳液涂布液。向制得的乳液涂布液中加入角叉菜膠(是水溶性粘合劑)，相對Ag的量為0.19g/m2。將由此制得的乳液層涂布液涂布到聚對苯二甲酸乙二酯(PET)載體上以將Ag的量和明膠的量分別調(diào)整至4.0g/n^和0.221g/m2。之后，將所得物干燥。所得物命名為涂布樣品B。預先將該PET經(jīng)過賦予親水性的處理。在所得的涂布樣品中，乳液層中Ag與粘合劑的體積比是2.3/1。該樣品相應(yīng)的Ag與粘合劑之比是1/1或更大，其優(yōu)選用于形成本發(fā)明的導電薄膜的感光材料。此外，在該乳液層上形成保護層。保護層的構(gòu)成如下明膠0.135g/m2水8.21g/m2表面活性劑0.015g/m2防腐劑0.003g/m2以公知的層涂布法在乳液層上形成保護層。在將該層干燥之后保護層的薄膜厚度是0.15pm。(樣品1401-1424的制備)改變涂布樣品B中膜固化劑(Cpd-7)的混合量，如下表4所示改變粘合劑與膜固化劑的質(zhì)量比。以這種方式，制備樣品。所得樣品中，樣品1401-1406是沒有加入膜固化劑的樣品；樣品1407-1412是其中粘合劑與膜固化劑的質(zhì)量比是22/1的樣品；樣品1413-1418是其中粘合劑與膜固化劑的質(zhì)量比是16/1的樣品；和樣品1419-1424是其中粘合劑與膜固化劑的質(zhì)量比是11/1的樣品。(曝光/顯影處理)針對每一樣品，將其整個表面經(jīng)來自作為光源的高壓汞燈的平行光進行曝光，不使用任何光掩膜。所得物然后以與實施例1-1相同的方式顯影。(壓延處理+蒸汽接觸處理)每一樣品經(jīng)過壓延處理，其中壓延載荷為3,920N/cm(400kgf/cm)，然后經(jīng)過蒸汽接觸處理。以與實施例1-1相同的方式進行壓延處理，只是改變載荷。在針對這些樣品的各個蒸汽接觸處理中，蒸汽接觸時間分別變?yōu)?5秒鐘、30秒鐘、45秒鐘、1分鐘、2分鐘和3分鐘。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定壓延處理之后和蒸汽接觸處理之后的其表面電阻。結(jié)果示于下表4.49<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>劑的樣品中，表面電阻降低并且電導率上升。為此，理解如下根據(jù)本發(fā)明可以提高電導率；并優(yōu)選不使用任何膜固化劑以使表面電阻更低。含膜固化劑的樣品的表面電阻值比不含膜固化劑的樣品的大。然而，該值處于不帶來實際問題的水平。實施例1-5以與實施例1-1相同的方式制備涂布樣品。此時，改變?nèi)橐簩油坎家褐忻髂z的量以將乳液層中Ag與粘合劑的體積比改變成分別是4.0/1、3.1/1、2.5/1、2.1/1、1.3/1、1.1/1和1.0/1，并將其中Ag的量調(diào)整至10.5g/m2。形成的樣品分別命名為樣品1501-1507。此外，以與實施例l-4相同的方式在每一乳液層上形成保護層。以與實施例1_1相同的方式使每一樣品經(jīng)過曝光和顯影處理，然后放入蒸汽環(huán)境中1分鐘同時對其施加3,920N/cm(400kgf/cm)的壓延載荷。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定其在壓延處理之后和在蒸汽接觸處理之后的表面電阻。以與實施例1-2相同的方式測定格狀圖案的線寬。結(jié)果示于下表5。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>正如從表5結(jié)果中看到的，即使導電薄膜在Ag與粘合劑之比分別在4/1-1/1之間變化的條件下與蒸汽接觸，根據(jù)本發(fā)明，電導率變高。實施例1-6使用導電漿(商品名PELTRONK-3424LB、由Pelnox，Ltd.制造；銀/環(huán)氧樹脂；銀粒徑約7-8pm)并涂在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)載體上，然后干燥形成涂布樣品(樣品1601-1604)。使每個PET預先經(jīng)過賦予親水性的處理。此時，使樣品1601和1602在120'C的固化條件下干燥30分鐘。使樣品1603和1604靜置10分鐘自然干燥。之后，使樣品1602和1604以與實施例1-1相同的方式各自經(jīng)過壓延處理，其中壓延載荷為3,920N/cm(400kg/cm)。樣品1601和1603不經(jīng)過壓延處理。接下來，使每一樣品與卯。C的蒸汽接觸3分鐘。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定其在干燥之后、在壓延處理之后和在蒸汽接觸處理之后的表面電阻。結(jié)果示于下表6。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>正如從表6結(jié)果中看到的，當使用納米銀漿時，通過對銀鹽感光材料進行干燥過程而不是曝光和顯影處理，可以在短時間內(nèi)形成導電薄膜。與自然干燥的樣品1603和1604的電阻相相比，在12(TC下干燥的樣品1601和1602的電阻更有效地得到降低。而且，與沒有進行壓延處理的樣品1601和1603的電阻相比，進行壓延處理的樣品1602和1604的電阻更有效地得到降低。實施例2-1制備樣品，然后經(jīng)過曝光和顯影處理，接著壓延處理，并以與實施例1-1相同的方式測定壓延處理之后所得物的表面電阻。之后，將樣品浸泡在卯°C的熱水中。所得樣品中，分別將僅經(jīng)過壓延處理的樣品命名為樣品2101;將經(jīng)過壓延處理然后在9(TC的熱水中浸泡1分鐘的樣品命名為樣品2102;將浸泡5分鐘的樣品命名為樣品2103;并將浸泡10分鐘的樣品命名為樣品2104。(評價)以與實施例1-1相同的方式測定每一樣品的表面電阻。結(jié)果示于下表7。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>正如從表7結(jié)果中看到的，樣品2101和2104各自的窗孔比為88-89%，并且各自具有高透明度。然而，在顯影之后僅進行壓延處理的樣品2101(對比實施例)具有的表面電阻為1.4D/sq。另一方面，各自經(jīng)過壓延處理再在熱水中浸泡的樣品2102和2104(本發(fā)明樣品)具有比樣品2101更低的表面電阻和更高的電導率。因此，本發(fā)明的導電薄膜同吋具有高電導率和高半透明度。實施例2-2以與實施例1-1相同的方式制備并經(jīng)過曝光和顯影處理的樣品各自經(jīng)過如下所述的壓延處理和熱水浸泡處理。以與實施例1-1相同的方式進行壓延處理，只是改變載荷。所得樣品中，分別將沒有經(jīng)過壓延處理和在熱水中浸泡5分鐘的樣品命名為樣品2201;將經(jīng)過壓延處理其中載荷分別為1,960N/cm(200kgf/cm)、2,940N/cm(300kgf/cm)、3,920N/cm(400kgf/cm)、5，880N/cm(600kgf/cm)和6,860N/cm(700kgf/cm)，然后在熱水中浸泡5分鐘的樣品分別命名為樣品2202-2206;并將在熱水中浸泡5分鐘然后經(jīng)過壓延處理其中載荷分別為1,960N/cm(200kgf/cm)、2,940N/cm(300kgf/cm)、3,920N/cm(400kgf/cm)、5，880N/cm(600kgf/cm)和6,860N/cm(700kgf/cm)的樣品分別命名為樣品2207-2211。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定其在熱水浸泡處理之前的表面電阻。結(jié)果示于下表8。(評價)以與實施例1-1相同的方式測定樣品2201—2211各自的表面電阻。而且，以與實施例l-2相同的方式測定格狀圖案各自的線寬。結(jié)果示于下表8。54表8<table>tableseeoriginaldocumentpage55</column></row><table>正如從表8結(jié)果中看到的，經(jīng)過了壓延處理然后浸泡在熱水中的樣品2202-2206在整個處理之后的電阻，甚至比僅經(jīng)過熱水浸泡處理但沒有經(jīng)過任何壓延處理的樣品2201、以及在熱水中浸泡然后經(jīng)過壓延處理的2207-2211的電阻要小。為此，預先進行這樣的壓延處理然后進行這樣的熱水浸泡處理可以更有效地獲得高電導率。實施例2-3以與實施例1-1相同的方式制備并經(jīng)過曝光和顯影處理和壓延處理的樣品各自經(jīng)過如下所述的熱水浸泡處理。熱水浸泡處理是以與實施例1-1相同的方式進行的，只是改變熱水溫度。所得樣品中，分別將在溫度為2(TC的熱水中處理的樣品命名為樣品2301、將3(TC下處理過的樣品命名為樣品2302、將40'C下處理過的樣品命名為樣品2303、將50。C下處理過的樣品命名為樣品2304、將6(TC下處理過的樣品命名為樣品2305、將7(TC下處理過的樣品命名為樣品2306、將80。C下處理過的樣品命名為樣品2307、將9(TC下處理過的樣品命名為樣品2308。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定其在熱水浸泡處理之前和之后的表面電阻。而且，以與實施例1-2相同的方式測定格狀圖案的線寬。結(jié)果示于下表9。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>正如從表9結(jié)果中看到的，即使進行熱水浸泡處理，對比實施例的樣品的電阻一點都沒有降低。樣品2302的電阻多少有點降低。另一方面，作為本發(fā)明樣品的樣品2303-2308的電阻降低并且電導率升高。特別是，熱水溫度越高，電導率提高越明顯。實施例2-4制備樣品，然后經(jīng)過曝光和顯影處理之后經(jīng)過壓延處理，然后以與實施例1-4相同的方式測定所得物在壓延處理之后的表面電阻。之后，將樣品浸泡在9(TC的熱水中。在各個樣品的單獨熱水浸泡處理中，熱水浸泡的時間分別在15秒鐘、30秒鐘、45秒鐘、l分鐘、2分鐘和3分鐘的范圍內(nèi)變化。所得樣品中，樣品2401-2406是未加入膜固化劑的樣品；樣品2407-2412是其中粘合劑與膜固化劑的質(zhì)量比是22/1的樣品；樣品2413-2418是其中粘合劑與膜固化劑的質(zhì)量比是16/1的樣品；并且樣品2419-2424是其中粘合劑與膜固化劑的質(zhì)量比是11/1的樣品。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定在熱水浸泡處理之后的表面電阻。結(jié)果示于表IO。表10<table>tableseeoriginaldocumentpage58</column></row><table>正如從表IO結(jié)果中看到的，即使在含膜固化劑的樣品中，進行熱水浸泡處理使得表面電阻降低并且電導率上升。為此，理解如下根據(jù)本發(fā)明可以提高電導率；并優(yōu)選不使用任何膜固化劑以使表面電阻更低。含膜固化劑的樣品的表面電阻值比不含膜固化劑的樣品的大。然而，該值處于不會帶來實際問題的水平。當熱水處理時間是1分鐘或更大時表面電阻達到最下限，并且即使過程再加長，有益效果也不會有太大改善。實施例2-5以與實施例1-5相同的方式，將乳液層中Ag與粘合劑的體積比分別調(diào)整至4.0/1、3.1/1、2.5/1、2.1/1、1.3/1、1.1/1和1.0/1，并將其中Ag的量調(diào)整至10.5g/m2，以便分別形成樣品2501-2507，然后所得物各自經(jīng)過曝光和顯影處理接著經(jīng)過壓延處理。然后測定其在壓延處理之后的表面電阻。之后，將樣品分別在卯"C的熱水中浸泡5分鐘。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定其在壓延處理之后和在熱水浸泡處理之后的表面電阻。以與實施例1-2相同的方式測定格狀圖案的線寬。而且，結(jié)果示于表ll。表11樣品Ag/粘合劑之比壓延處理之前的電阻(Q/sq)熱水浸泡的時間熱水處理之后的電阻(Q/sq)線寬(—250140.915分鐘0.751925023.11.355分鐘0.8118.225032.51.525分鐘0.9218.325042.12.15分鐘1.1518.525051.34.335分鐘1.6318,125061.16.025分鐘2.4918.22507110.125分鐘4.2118.6正如從表11結(jié)果中看到的，即使在Ag/粘合劑之比在4/1-1/1的范圍內(nèi)變化的條件下將感光材料在熱水中浸泡，根據(jù)本發(fā)明的電導率59上升。實施例2-6使用實施例1-4制備的乳液B以與實施例1-1中乳液層涂布液-2的制備相同的方式制備乳液層涂布液。向制得的乳液層涂布液中加入相對Ag量為0.19g/n^的量的角叉菜膠(是水溶性粘合劑)。將由此制得的乳液層涂布液涂布到聚對苯二甲酸乙二酯(PET)載體上，然后干燥。所得物命名為涂布樣品C。預先將該PET經(jīng)過賦予親水性的處理。在所得涂布樣品C中，它們的乳液層中Ag與粘合劑的體積比是2.3/1。該樣品相應(yīng)的Ag與粘合劑之比是1/1或更大，其優(yōu)選用于形成本發(fā)明的導電薄膜的感光材料。以與實施例1-4相同的方式，在它們各自的乳液層上形成保護層以形成各自樣品。以與實施例1-1相同的方式，使每一樣品經(jīng)過曝光/顯影處理。對每一樣品施加3,920N/cm(400kgf/cm)的壓延載荷。接著，將樣品在90°C、不同pH的熱水中浸泡1-5分鐘。所得樣品中，分別將經(jīng)過壓延處理然后在9(TC的中性熱水中浸泡5分鐘的樣品命名為樣品2601;將經(jīng)過壓延處理然后在9(TC的堿性熱水中浸泡的樣品分別命名為樣品2602-2604;并將經(jīng)過壓延處理然后在9(TC的酸性熱水中浸泡的樣品分別命名為樣品2605-2607。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定其在壓延處理和熱水浸泡處理之后的表面電阻。而且，以與實施例1-2相同的方式測定格狀圖案的線寬。結(jié)果示于表12。表12樣品壓延處理之前的電阻(Q/sq)熱水浸泡的時間熱水處理之后的電阻(Q/sq)線寬Om)26010.9775分鐘0.5720.32602112.9l分鐘0.8320.326031.07133分鐘0.8320.326040.9913.25分鐘0.8320.326051.0421分鐘0.520.326061.052.13分鐘0.52026070.9825分鐘0.420.5正如從表12結(jié)果中看到的，即使pH改變至酸性、中性和堿性值的任意一種，都產(chǎn)生提高電導率的有益效果。特別是，當熱水為酸性時，對于改善電導率而言，產(chǎn)生了較大的有益效果。實施例2-7使用實施例l-4制得的乳液B，以與實施例1-1的乳液層涂布液-2的制備相同的方式，制備乳液層涂布液。向制得的乳液層涂布液中加入相對Ag量為0.19g/n^的量的角叉菜膠(是水溶性粘合劑)。將由此制得的乳液層涂布液涂布到聚對苯二甲酸乙二酯(PET)載體上，然后干燥。所得物命名為涂布樣品D。它們各自乳液層中Ag與粘合劑的體積比是2.3/1。Ag的量是4.0g/m2。以與實施例l-4相同的方式，在每一乳液層上形成保護層。以與實施例1-1相同的方式，使每一樣品經(jīng)過曝光/顯影處理。之后，對每一樣品施加3,920N/cm(400kgf/cm)的壓延載荷。將樣品分別浸泡在90。C的酸性熱水中。所用酸性溶液是1%檸檬酸或7%乙酸溶液。所得樣品中，樣品2701-2709分別是在1%檸檬酸溶液中浸泡5秒鐘-5分鐘的時間的樣品；并且樣品2710是在7%乙酸溶液中浸泡5分鐘的樣品。檸檬酸和乙酸溶液各自的pH是2-3。61表13<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>正如從表13結(jié)果中看到的，在任一這些情況下，產(chǎn)生了提高電導率的有益效果；在浸泡時間為5-10秒鐘的情況下，該有益效果小于時間為15秒鐘或更大時的情形；并因此進一步提高電導率，特別是，當繼續(xù)浸泡15秒鐘或更大時。即使所用酸的類型彼此不同，通過熱水浸泡處理類似地使得電導率提高。實施例2-8以與實施例1-6相同的方式制備樣品2801-2804。樣品2801和2802是在12(TC的固化條件下干燥30分鐘的樣品。樣品2803和2804是靜置IO分鐘然后自然干燥的樣品。之后，以與實施例l-6相同的方式使樣品2802和2804經(jīng)過壓延處理。樣品2801和2803不經(jīng)過壓延處理。接下來，將每一樣品與9(TC的蒸汽接觸IO分鐘。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定其在干燥之后、在壓延處理之后和在蒸汽接觸處理之后的表面電阻。結(jié)果示于表14。表14樣品干燥涂布之后的電阻(Q/sq)壓延處理之前的電阻(Q/sq)熱水浸泡的時間熱水處理之后的電阻(Q/sq)2801120。C30分鐘0.02-10分鐘0.0142802120。C30分鐘0.020.02210分鐘0.012803自然0.2672一10分鐘0.0272804自然0.2810.30110分鐘0.02正如從表14結(jié)果中看到的，當使用納米銀漿時，對銀鹽感光材料通過干燥過程代替曝光和顯影處理可以在短時間形成導電薄膜。在12(TC下干燥的樣品2801和2802.的電阻，比經(jīng)過自然干燥的樣品2803和2804的電阻更有效地被降低。而且，進行壓延處理的樣品2802和2804的電阻，比沒有進行壓延處理的樣品2801和2803的電阻更有效地被降低。實施例3-1制備樣品，然后經(jīng)過曝光和顯影處理接著經(jīng)過壓延處理，然后以與實施例1-1相同的方式測定所得物在壓延處理之后的表面電阻。之后，使每一樣品經(jīng)過濕熱處理1小時。所得樣品中，分別將在溫度為4(TC和相對濕度為5%的調(diào)濕條件下處理過的樣品命名為樣品3101;將在溫度為6(TC和相對濕度為5%的調(diào)濕條件下處理過的樣品命名為樣品3102;將在溫度為8(TC和相對濕度為5%的調(diào)濕條件下處理過的樣品命名為樣品3103;并將在溫度為100'C和相對濕度為5%的調(diào)濕條件下處理過的樣品命名為樣品3104。(評價)以與實施例1-1相同的方式測定每一樣品的表面電阻。結(jié)果示于下表15。63表15<table>tableseeoriginaldocumentpage64</column></row><table>正如從表15結(jié)果中看到的，在任一經(jīng)過濕熱處理的樣品中，表面電阻都降低并且電導率提高。特別是，隨著加工溫度上升，獲得更有效的結(jié)果并且電阻變得更低。實施例3-2以與實施例1-1相同的方式制備然后經(jīng)過曝光和顯影處理的樣品各自經(jīng)過如下所述的壓延處理和濕熱處理。進行壓延處理，其中壓延載荷為3,920N/cm(400kgf/cm)。以與實施例3-1相同的方式進行濕熱處理，只是改變調(diào)濕條件。所得樣品中，樣品3201-3206分別是在下面調(diào)濕條件下處理30分鐘的樣品調(diào)濕條件溫度為IO(TC和相對濕度為5%;溫度為IO(TC和相對濕度為20%;溫度為IO(TC和相對濕度為40%;溫度為100°C和相對濕度為50%;溫度為IO(TC和相對濕度為60%;和溫度為IO(TC和相對濕度為80%;并且樣品3207為在溫度為IOO'C和相對濕度為80%的調(diào)濕條件下處理30分鐘但沒有經(jīng)過任意壓延處理的樣品。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定在濕熱處理之前和之后的表面電阻。結(jié)果示于下表16。表16樣品濕熱處理的濕熱處理之前的電阻濕熱處理之后的電濕度(Q/sq)阻(Q/sq)32015%86.48320220%8.16.4320340%85.8320450%8.25,2320560%84.5320680%83.8320780%8.17正如從表16結(jié)果中看到的，在任一經(jīng)過濕熱處理的樣品中，表面電阻降低并且電導率提高。特別是，當濕度越高時獲得更有效的的結(jié)果，并且當濕度是80%時獲得尤其有效的結(jié)果。由樣品3206和3207的結(jié)果還顯示，當進行壓延處理然后進行濕熱處理時獲得尤其有效的結(jié)果。實施例3-3以與實施例1-1相同的方式制備涂布樣品。此時，改變?nèi)橐簩油坎家褐忻髂z的量以將乳液層中Ag與粘合劑的體積比改變成分別是4.0/1、2.3/1，和1.0/1。而且，改變涂布樣品B中膜固化劑(Cpd-7)的混合量以將膜固化劑與粘合劑的質(zhì)量比改變?yōu)槿缦卤?7所示。以與實施例1-3相同的方式，在它們的每一乳液層上形成保護層。以這種方式，制備Ag的量為10.5g/m2的樣品3301-3318。以與實施例1-1相同的方式使各個樣品經(jīng)過曝光和顯影處理。之后，樣品在溫度為100'C和相對濕度為80%的調(diào)濕條件下經(jīng)過濕熱處理，同吋對其施加3，920N/cm(400kgf/cm)的壓延載荷。該處理時間變?yōu)?0、30或60分鐘。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定濕熱處理之前和之后的表面電阻。結(jié)果示于下表17。65表17<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>正如從表17結(jié)果中看到的，根據(jù)本發(fā)明，即使在Ag與粘合劑之比在4.0/1-1.0/1之間變化的條件下進行濕熱處理，也使電導率提高。無論是否使用膜固化劑，通過濕熱處理都使電導率提高。實施例3-4以與實施例1-6相同的方式制備樣品3401-3404。將樣品3401和3402在12(TC的固化條件下干燥30分鐘。將樣品3403和3404靜置IO分鐘然后自然干燥。之后，以與實施例1-6相同的方式使樣品3402和3404經(jīng)過壓延處理。樣品3401和3403沒有經(jīng)過任何壓延處理。接下來，使每一樣品靜置于溫度為IO(TC和濕度為80%的調(diào)濕條件下。針對每一樣品，以與實施例1-1相同的方式測定在干燥之后、在壓延處理之后和在濕熱處理之后的表面電阻。結(jié)果示于表18。表18<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>正如從表18結(jié)果中看到的，當用納米銀漿時通過對銀鹽感光材料進行干燥處理代替曝光和顯影處理可以在短時間形成導電薄膜。在120。C下干燥的樣品3401和3402的電阻，比自然干燥的樣品3403和3404的電阻更有效地被降低。而且，進行壓延處理的樣品3402和3404的電阻，比沒有進行壓延處理的樣品3401和3403的電阻更有效地被降低。工業(yè)實用性根據(jù)本發(fā)明的方法，在不進行任何鍍覆處理的情況下可以低成本制得具有高電導率的導電薄膜。而且，當其導電金屬部分是預定的圖案形狀時，導電薄膜不僅具有高電導率，而且具有高透明度。特別是，使用銀鹽感光材料可以低成本制備具有高電磁波屏蔽性能和高透明度、并且包括黑色網(wǎng)格(黑色網(wǎng)格部分)的半透明導電薄膜。而且，通過本發(fā)明方法制得的導電薄膜的電阻低，并且可用作電磁波屏蔽材料。特別是，具有半透明度的導電薄膜可用作半透明電磁波屏蔽薄膜、透明產(chǎn)熱薄膜等。本發(fā)明的導電薄膜可用于液晶電視、等離子電視、有機EL、無機EL、太陽電池、觸板，和其它中。此外，導電薄膜作為導電圖案化材料可以廣泛地用于印刷電路板或其它中。盡管基于這些實施方式描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不受說明書中任何細節(jié)的限制，除非另有說明，而是應(yīng)該被寬泛地理解為在所附權(quán)利要求書所述的精神和范圍內(nèi)。該非臨時申請根據(jù)35U.S.C.§119(a)要求2006年12月21日在日本申請的專利申請?zhí)?006-345000、和2007年3月30日申請的專利申請?zhí)?007-93021的優(yōu)先權(quán)，將它們?nèi)耐ㄟ^引用加入本文。權(quán)利要求1、導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含有導電材料和粘合劑的導電金屬部分；和將該導電金屬部分與蒸汽接觸。2、導電薄膜的制備方法，包括步驟將載體上具有含感光銀鹽和水溶性粘合劑的感光層的感光材料曝光，和然后將所得物顯影，由此在載體上形成導電金屬銀部分；和將該導電金屬銀部分與蒸汽接觸。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2的導電薄膜的制備方法，其中蒸汽的溫度是8(TC或更高。4、根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項的導電薄膜的制備方法，其中蒸汽是水蒸汽。5、導電薄膜的制備方法，包括步驟在載體上形成含有導電材料和水溶性粘合劑的導電金屬部分；和將該導電金屬部分于溫度為4(TC或更高的熱水中浸泡。6、導電薄膜的制備方法，包括步驟將載體上具有含感光銀鹽和水溶性粘合劑的感光層的感光材料曝光，和然后將所得物顯影，由此在載體上形成導電金屬銀部分；和將該導電金屬銀部分于溫度為4(TC或更高的熱水中浸泡。7、根據(jù)權(quán)利要求5或6的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是6(TC或更高8、根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的溫度是8(TC或更高。9、根據(jù)權(quán)利要求5-8任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述熱水的pH是2-13。10、根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項的導電薄膜的制備方法，其中在熱水中的浸泡時間或與蒸汽接觸的時間是5分鐘或更短。11、根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。12、根據(jù)權(quán)利要求1-11任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述導電薄膜含有膜固化劑。13、根據(jù)權(quán)利要求1-12任一項的導電薄膜的制備方法，在與蒸汽接觸的步驟或于熱水中浸泡的步驟之前，包括將導電金屬部分進行平滑處理的步驟。14、根據(jù)權(quán)利要求13的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1，960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。15、根據(jù)權(quán)利要求13或14的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2，940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進行的。16、根據(jù)權(quán)利要求13-15任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進行的。17、根據(jù)權(quán)利要求1-4和10-16任一項的導電薄膜的制備方法，在蒸汽接觸步驟之后，包括用水洗滌導電金屬部分的洗滌步驟。18、根據(jù)權(quán)利要求1-17任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述導電材料是導電金屬細粒。19、通過權(quán)利要求l-18任一項的方法制得的導電薄膜。20、導電薄膜，包括在載體上的含導電材料和粘合劑的導電金屬部分，其中滿足下式(l)，此時A代表導電金屬部分中導電材料的密度，B代表導電金屬部分中粘合劑的密度，和C代表導電金屬部分的體積電阻[式1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>(1)21、根據(jù)權(quán)利要求20的導電薄膜，其中所述導電材料是金屬銀。22、根據(jù)權(quán)利要求20或21的導電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。23、根據(jù)權(quán)利要求20-22任一項的導電薄膜，其中所述載體是熱塑性樹脂薄膜。24、根據(jù)權(quán)利要求20-23任一項的導電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且其中所述導電金屬部分是格狀形式的圖案。全文摘要本發(fā)明涉及導電薄膜及其制備方法，所述導電薄膜具有高的導電率和低的成本。所述導電薄膜的制備方法包括以下步驟在載體上形成含有導電材料和粘合劑的導電金屬部分；和將該導電金屬部分與蒸汽接觸或?qū)⒃搶щ娊饘俨糠钟跍囟葹?0℃或更高的熱水中浸泡。文檔編號G03C1/00GK101512684SQ20078003371公開日2009年8月19日申請日期2007年12月21日優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日發(fā)明者德永司申請人:富士膠片株式會社