專利名稱：：圖案形成方法以及半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的圖案形成方法以及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著元件的細(xì)微化和LSI的高度集成化，要求在紫外光或更短的波長(zhǎng)的分辨率。因此，曝光量裕度、焦點(diǎn)裕度等曝光工藝裕度變得不足。因此，作為在使用現(xiàn)有的曝光光源的同時(shí)提高分辨率的技術(shù)，提出了液浸膝光技術(shù)。液浸膝光技術(shù)如日本專利JP2753930B所公開的那樣，設(shè)置如下的裝置，在使該裝置與基歐上的曝光區(qū)域相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行啄光，所迷裝置是，將與投影光學(xué)系統(tǒng)的^i^面相對(duì)的光學(xué)元件從投影光學(xué)系統(tǒng)本身分離出來，并且將該光學(xué)元件制成具有相互平行的2個(gè)表面的平板狀元件，并具備下述容器，所述容器構(gòu)成用于在該平板元件和與4^目對(duì)的^L之間填充液體的封閉空間。在液浸曝光技術(shù)中，為了防止浸漬液i^抗蝕劑膜、或抗蝕劑膜向浸漬液的溶出，研究了在抗蝕劑膜上形成保護(hù)膜的技術(shù)。200810174269.6說明書第2/31頁(yè)作為在曝光前形成于抗蝕劑膜上的保護(hù)膜的代表性實(shí)例，有例如，JP2001-319863A所公開的通過使抗蝕劑膜的表面與氟系處理氣體相互作用形成的膜。與此相對(duì)，在液浸曝光中所使用的保護(hù)膜，如Keitalshizuka等，NewCovermaterialDevelopmentStatusforImmersionlithography,WebpublicationofInternationalsymposiumonimmersionand157nmlithography所公開的那樣，與抗蝕劑膜不同，是一種以涂膜的形式形成于抗蝕劑膜上的膜。但是，通過這種方法形成的保護(hù)膜并不能實(shí)現(xiàn)上述目的。例如，在DaisukeKawamura等，InfluenceofthewatermarkinimmersionHolographyprocess(SPIE2005)中，如圖1所示，根據(jù)殘留在保護(hù)膜92上的浸漬液93的形狀的不同，浸漬液93透過保護(hù)膜92達(dá)到抗蝕劑91，在保護(hù)膜92和抗蝕劑膜91之間的界面中產(chǎn)生水印(watermark)94。圖1的浸漬液93顯示為直徑為0.1mm的水滴。還針對(duì)抗蝕劑膜，對(duì)感光劑等從膜溶出到浸漬液中的行為進(jìn)行了研究。例如，在KarenPetrillo等，(SPIE20055735-9)中，公開了即使在形成包含同一固體成分的抗蝕劑膜的情況下，如表l所示(溶劑中的分子結(jié)構(gòu)參閱圖2)，感光性物質(zhì)的溶出量根據(jù)感光劑溶液中所包含的溶劑的種類的不同而不同.在表l的實(shí)例中，在包含具有醇性O(shè)H的乳酸乙酯的情況下，溶出量增加。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>感光劑、溶解抑制劑等從抗蝕劑膜向浸漬液的溶出，導(dǎo)致抗?fàn)T劑性能惡化。并且，溶出的液體還會(huì)污染膝光裝置的光學(xué)系統(tǒng)。光學(xué)系統(tǒng)的污染導(dǎo)致成像性劣化?？梢酝ㄟ^旋轉(zhuǎn)涂布法形成抗蝕劑膜或保護(hù)膜。在該方法中，為了在涂布膜的形成后除去溶劑，可以進(jìn)行烘烤。烘烤是在濕度調(diào)整了的氛圍氣中進(jìn)行的。烘烤包括如JP10-335203A所7>開的那樣在干燥空氣或氧氣、氮?dú)獾确諊鷼庵羞M(jìn)行的情況。JP10-335203A公開了關(guān)于在烘烤時(shí)選擇優(yōu)選的氣體、以及供給氣體的裝置，并且/〉開了氛圍氣切換裝置適合用于連續(xù)進(jìn)行冷板或多個(gè)基敗處理的裝置。在烘烤之后進(jìn)行基板冷卻。例如，在JP2001-76984A中，公開了為了實(shí)現(xiàn)冷卻時(shí)間的縮短以及被處理基板的面內(nèi)溫度分布的均勻化，在M加熱處理后，更換為惰性氣體或清潔化的空氣氛圍氣，然后進(jìn)行^冷卻的方法。此外，在JP2005-19969A中，乂>開了相對(duì)于顯影后的抗蝕劑圖案，使抗蝕劑圖案與溶解它的溶劑蒸汽作用，使得抗蝕劑圖案的表面變得平滑的方法。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種圖案的形成方法，其包括在被加工膜上形成感光性樹脂膜；通過涂布法在上述感光性樹脂薄膜上形成用于保護(hù)上述感光性樹脂薄膜的保護(hù)膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸曝光，將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂薄膜上；在形成上述保護(hù)膜后，且在對(duì)上述感光性樹脂薄膜的部分區(qū)域進(jìn)行選擇性液浸曝光之前，從上述保護(hù)膜上除去對(duì)上述浸漬液具有親和性部位的殘留物質(zhì)；除去上述保護(hù)膜；以及，通過選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂薄膜構(gòu)成的圖案。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種圖案的形成方法，其包括通過涂布法在被加工膜上形成感光性樹脂膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸曝光>將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂薄膜上；在形成上述保護(hù)膜后，且在對(duì)上述感光性樹脂薄膜的部分區(qū)域進(jìn)行選擇性液浸啄光之前，從上述感光性樹脂膜除去對(duì)上述浸漬液具有親和性部位的殘留溶劑；以及，通過選擇性地除去上述感光性樹脂膜的啄光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂薄膜構(gòu)成的圖案。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種圖案的形成方法，其包括在,皮加工膜上形成感光性樹脂膜；通過涂布法在上述感光性樹脂薄膜上形成用于保護(hù)上述感光性樹脂薄膜的保護(hù)膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸膝光，將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂薄膜上；在形成上述保護(hù)膜后，且在對(duì)上述感光性樹脂薄膜的部分區(qū)域進(jìn)行選擇性液浸曝光之前，將上述保護(hù)膜的表面平滑化；除去上述保護(hù)膜；以及，通過選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂薄膜構(gòu)成的圖案。才M^本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種圖案的形成方法，其包括通過涂布法在被加工膜上形成感光性樹脂膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸曝光，將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂薄膜上；在形成上述保護(hù)膜后，且在對(duì)上述感光性樹脂薄膜的部分區(qū)域進(jìn)行選擇性液浸曝光之前，將上述感光性樹脂膜的表面平滑化；以及，通過選擇性地除去上述感光性樹脂膜的爆光區(qū)域或者非啄光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂薄膜構(gòu)成的圖案。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種圖案的形成方法，其包括通過涂布法在上迷感光性樹脂薄膜上形成用于保護(hù)上述感光性樹脂薄膜的保護(hù)膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸爆光,將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂薄膜上；使用具有上述保護(hù)膜的溶解iUL比上述感光性樹脂薄膜的溶解iiJL更迅速的濃度的第l顯影液，除去上述保護(hù)膜；以及，使用比上述第l顯影液更高濃度的第2顯影液，選擇性地除去上述感光性樹脂膜的膝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂薄膜構(gòu)成的圖案，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括在包含半導(dǎo)體基板的基仗上形成抗蝕劑圖案，上述抗蝕劑圖案是通過本發(fā)明的一種方式的圖案形成方法形成的；以及，將上述抗蝕劑圖案制成掩^^對(duì)上i2ti^L進(jìn)行蝕刻，形成圖案。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的問題的說明圖；圖2為表示溶劑的分子結(jié)構(gòu)的圖3為表示本發(fā)明的實(shí)施例2的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖；圖4為表示現(xiàn)有的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖；圖5A和圖5B為用于說明現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生水印的原因的示意圖；圖6A~6C為用于說明在實(shí)施例中能夠防止產(chǎn)生水印的原因的圖；圖7為表示本發(fā)明的實(shí)施例3的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖；圖8A~8C為在包含與浸漬液具有親和性的物質(zhì)的氛圍氣中冷卻1^的情況下保護(hù)膜的內(nèi)部狀態(tài)的示意圖9A9C為在包含與浸漬液不具有親和性的物質(zhì)的氛圍氣中冷卻基板的情況下保護(hù)膜的內(nèi)部狀態(tài)的示意圖IOA和IOB表示使保護(hù)膜的表面和與浸漬液不具有親和性物質(zhì)作用時(shí)的保護(hù)膜內(nèi)部狀態(tài)的示意圖11為表示本發(fā)明的實(shí)施例4的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖；圖12為表示本發(fā)明的實(shí)施例5的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖；圖13為表示本發(fā)明的實(shí)施例6的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖。具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。實(shí)施例1本發(fā)明的實(shí)施例的圖案形成方法以及半導(dǎo)體器件的制造方法的概述如下。(1)一種圖案形成方法，其包括在被加工膜上形成包含第1膜材料的感光性樹脂薄膜(第1薄膜)的第l成膜工序、在上述感光性樹脂薄膜上涂布包含第2成膜材料的溶液(通過涂布法)形成第2薄膜(用于保護(hù)上述感光性樹脂膜的保護(hù)膜)的第2成膜工序、在形成了上述第2薄膜的狀態(tài)下通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂薄膜選擇性地進(jìn)行液體浸漬啄光的液浸啄光工序、除去上述第2薄膜的工序、選擇性地除去上述感光性樹脂膜的膝光區(qū)域或者非瀑光區(qū)域的顯影工序，進(jìn)而，在從上述第2成膜工序到上述液浸曝光工序之前，包括從上述第2薄膜除去相對(duì)于上述液浸啄光工序中所使用的浸漬液具有親和性部位的殘留物質(zhì)的工序。(2)在上述(1)中，除去上述殘留物質(zhì)的工序?yàn)槭股厦缘?薄膜與比所殘留的第1溶劑沸點(diǎn)更低的第2溶劑作用，然后進(jìn)行烘烤，或者，在使上述第2薄膜與上述笫1溶劑沸點(diǎn)更低的第2溶劑作用的同時(shí)進(jìn)行烘烤。(3)在上述(2)中，上述第2溶劑是通過使上述浸漬液在非親和性的氛圍氣中包含上述第2溶劑制成的。(4)在上述(2)中，上述烘烤工序是在比上述第2溶劑的沸點(diǎn)更高的溫度下進(jìn)行的。(5)在上述(2)中在上述第2薄膜材料的烘烤之后，將上迷第2薄膜的表面置換到上述氛圍氣中，然后進(jìn)行上述第2薄膜的冷卻。(6)在上述(1)中，除去上述殘留物質(zhì)的工序是，與除去上迷殘留物質(zhì)的工序之前相比，提高上述第2薄膜相對(duì)于液體浸漬液的后退接觸角的處理。(7)在上述(3)或(5)中，上述氛圍氣為干燥空氣、干燥氮?dú)?、干燥氦氣的任一種。(8)在上述(1)~(4)任一項(xiàng)中，上述液浸啄光工序中所^^用的光為ArF激光(波長(zhǎng)193nm)或KrF激光(波長(zhǎng)248nm)，且上述浸漬液為水，且上述第1溶劑和第2溶劑具有醇性O(shè)H基。(9)在上述(7)中，上述第1溶劑為1-丁醇或碳原子數(shù)大于等于5的醇。(10)在上述(7)中，上述第2溶劑為甲醇、乙醇或2-丙醇。(11)在上述(1)中，上述液浸膝光工序中所4吏用的光為ArF激光(波長(zhǎng)193nm)或KrF激光(波長(zhǎng)248nm)或氟(F2)激光(波長(zhǎng)157nm)，且上述浸漬液為有機(jī)物。(12)—種圖案形成方法，其包括在被加工膜上涂布包含感光性樹脂薄膜材料的溶液(通過涂布法)，形成感光性樹脂薄膜的成膜工序、通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂薄膜選擇性地進(jìn)行液體浸漬曝光的液浸啄光工序、選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非啄光區(qū)域的顯影工序，進(jìn)而，在從上述第1成膜工序到上述液浸膝光工序之前，包括從上述感光性樹脂薄膜除去相對(duì)于上述液浸曝光工序中所使用的浸漬液具有親和性部位的殘留溶劑的工序。(13)在上述(12)中，除去上述殘留溶劑的工序?yàn)槭股鲜龈泄庑詷渲∧づc比所殘留的第l溶劑沸點(diǎn)更低的第2溶劑作用，然后進(jìn)行烘烤，或者，在使上述感光性樹脂薄膜與比上述的第l溶劑沸點(diǎn)更低的第2溶劑作用的同時(shí)進(jìn)行烘烤。(14)在上述(13)中，上述第2溶劑是通過使上述浸漬液在非親和性的氛圍氣中包含上述第2溶劑制成的。(15)在上述(13)中，上述烘烤工序是在比上述第2溶劑的沸點(diǎn)更高的溫度下進(jìn)行的。(16)在上述(13)中在上述第2薄膜材料的烘烤之后，將上述第2薄膜的表面置換到上述氛圍氣中，然后進(jìn)行上述第2薄膜的冷卻。(17)在上述(12)中，除去上述殘留物質(zhì)的工序是，與除去上述殘留物質(zhì)的工序之前相比，提高上述第2薄膜相對(duì)于液體浸漬液的后退接觸角的處理。(18)在上述(14)或(16)中，上述氛圍氣為干燥空氣、干燥氮?dú)?、干燥氦氣的任一種。(19)在上述(12)~(15)任一項(xiàng)中，上述液浸啄光工序中所4吏用的光為ArF激光(波長(zhǎng)193nm)或KrF激光(波長(zhǎng)248nm)，且上述浸漬液為水，且上述第1溶劑和第2溶劑具有醇性O(shè)H基。(20)在上述(18)中，上述第1溶劑為1-丁醇或乳酸乙酯或碳原子數(shù)大于等于5的醇。(21)在上述(18)中，上述第2溶劑為曱醇、乙醇或2-丙醇。(22)在上述(12)中，上述液浸曝光工序中所4吏用的光為ArF激光(波長(zhǎng)193nm)或KrF激光(波長(zhǎng)248nm)或氟(F2)激光(波長(zhǎng)157nm)，且上述浸漬液為有機(jī)物。(23)—種圖案形成方法，其包括在被加工膜上形成感光性樹脂薄膜(第1薄膜)的第1成膜工序、在上述感光性樹脂薄膜上涂布包含第2成膜材料的溶液(通過涂布法)形成第2薄膜(用于保護(hù)上述感光性樹脂膜的保護(hù)膜)的第2成膜工序、在形成了上述第2薄膜的狀態(tài)下通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂薄膜選擇性地進(jìn)行液體浸漬啄光的液浸啄光工序、除去上述第2薄膜的工序、選擇性地除去上述感光性樹脂膜的啄光區(qū)域或者非膝光區(qū)域的顯影工序，進(jìn)而，在從上述第2成膜工序到上述液浸啄光工序之前，包括對(duì)上述第2薄膜的表面進(jìn)行平滑化的工序。(24)在上述(23)中，上述平滑化工序是通過將上述第2薄膜暴露在包含溶解上述第2薄膜的溶劑中的氛圍氣中進(jìn)行的。(25)在上述(23)中，上述平滑化工序是在加熱上述第2薄膜的同時(shí)進(jìn)行的。(26)在上述(23)中，溶解上述第2薄膜的溶劑為上述第2薄膜試劑中所包含的溶劑。(27)在上述(25)中，上述溶解第2薄膜的溶劑為丙酮、丙二醇單曱醚乙酸酯、N-甲基-2-吡咯烷酮或者醇。(28)在上述(29)中，上述氛圍氣是以干燥空氣、干燥氮?dú)饣蛘吒稍锖鉃橹鞒煞值姆諊鷼狻?29)在上述(23)中，上述液浸啄光工序中所使用的光為ArF激光(波長(zhǎng)193nm)或KrF激光(波長(zhǎng)248nm)或F2激光(波長(zhǎng)157nm)。(30)—種圖案形成方法，其包括在被加工膜上涂布包含感光性樹脂薄膜材料的溶液(通過涂布法)形成感光性樹脂薄膜的工序、通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂薄膜選擇性地進(jìn)行液體浸漬曝光的液浸瀑光工序、選擇性地除去上述感光性樹脂膜的啄光區(qū)域或者非曝光區(qū)域的顯影工序，進(jìn)而，在從上述第1成膜工序到上述液浸啄光工序之前，包括對(duì)上述感光性樹脂薄膜的表面進(jìn)行平滑化的工序。(31)在上述(30)中，上述平滑化工序是通過將上述感光性樹脂薄膜的表面暴露在包含溶解上述感光性樹脂薄膜的溶劑的氛圍氣中進(jìn)行的。(32)在上述(30)中，上述平滑化工序^i在加熱上述感光性樹脂薄膜的同時(shí)進(jìn)行的。(33)在上述(30)中，溶解上述感光性樹脂薄膜的溶劑為上述感光性樹脂薄膜試劑中所包含的溶劑。(34)在上述(30)中，上述溶解感光性樹脂薄膜的溶劑為丙酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、N-甲基-2-吡咯烷酮或者醇。(35)在上述(30)中，上述氛圍氣是以千燥空氣、干燥氮?dú)饣蛘吒稍锖鉃橹鞒煞值姆諊鷼狻?36)在上述(30)中，上述液浸曝光工序中所4吏用的光為ArF激光(波長(zhǎng)193nm)或KrF激光(波長(zhǎng)248nm)或F2激光(波長(zhǎng)157nm)。(37)—種圖案形成方法，其包括在被加工膜上形成感光性樹脂薄膜(第1薄膜)的第1成膜工序、在上述感光性樹脂薄膜上涂布包含第2成膜材料的溶液(通過涂布法)形成第2薄膜(用于保護(hù)上述感光性樹脂膜的保護(hù)膜)的第2成膜工序、在形成了上述第2薄膜的狀態(tài)下通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂薄膜選擇性地進(jìn)行液體浸漬膝光的液浸啄光工序、除去上述第2薄膜的工序、選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域的顯影工序，并且，上述第2薄膜為相對(duì)于顯影工序中所使用的顯影液可溶的薄膜，上述顯影工序包括使用上述第2薄膜的溶解速度比上述感光性樹脂薄膜更快的濃度的第1顯影液，選擇性地進(jìn)行上述笫2薄膜的溶解的第1顯影工序，以及通過比上述第l顯影液更高的濃度的顯影液進(jìn)行上述感光性樹脂薄膜的顯影的第2顯影工序。(38)在上述(37)中，在上述第1顯影工序和第2顯影工序之間，進(jìn)一步包含除去在上述第1顯影工序中溶出的第2薄膜的溶解物的工序。(39)半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括通過上述(l)~(37)任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，在包含半導(dǎo)體基板的M上形成抗蝕劑圖案的工序、將上述抗蝕劑圖案制成掩模，對(duì)上it^進(jìn)行蝕刻，形成圖案的工序。下面，通過實(shí)施例2~6，對(duì)上述圖案形成方法以及半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的i兌明。(實(shí)施例2)圖3為表示本發(fā)明的實(shí)施例2的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖。在本實(shí)施例中，針對(duì)使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)作為光源、使用純水作為浸漬液的抗蝕劑圖案的形成方法進(jìn)行說明。為了進(jìn)行比較，在圖4中顯示了現(xiàn)有才支術(shù)的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖。首先，準(zhǔn)備被加工薄膜(步驟Sl)。被加工薄膜包括氧化膜(第1被加工膜)、和形成于該氧化膜上的防反射膜(第2被加工膜)。上述#工膜(氧化膜、防反射膜)形成于半導(dǎo)體R(晶片)上。形成防反射膜的工序包括通過旋轉(zhuǎn)涂布法在上迷氧化膜上形成對(duì)于膝光光(波長(zhǎng)193nm)具有防>^射效果的薄膜的工序、和烘烤上述薄膜的工序.接著，在上述被加工膜上形成抗蝕劑膜(第l薄膜)(步驟S2)。形成抗蝕劑膜的工序(步驟S2)包括在上述烘烤過的薄膜冷卻并調(diào)整到所期望的溫度的薄膜(防反射膜)上，涂布對(duì)于膝光光(波長(zhǎng)193rnn)具有感光性的抗蝕劑的工序(抗蝕劑膜涂布工序(步驟S2a))、在IIOC下將該抗蝕劑烘烤固化的工序(抗蝕劑烘烤工序(步驟S2b))，對(duì)該烘烤固化的抗蝕劑(加熱的抗蝕劑膜)冷卻的工序(步驟S2c)?？刮g劑膜涂布工序(步驟S2a)包括將抗蝕劑溶液滴加在半導(dǎo)體基板的主面上的被加工薄膜上的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基板大致除去抗蝕劑溶液的溶劑的工序。接著，在抗蝕劑膜(第l薄膜)上，形成用于防止浸漬液吸收到抗蝕劑膜中，或抗蝕劑膜中的物質(zhì)溶出到浸漬液中的保護(hù)膜(第2薄膜)(步驟S3)。形成保護(hù)膜的工序(步驟S3)包括在抗蝕劑膜上涂布包M護(hù)薄膜的材料的溶液(保護(hù)膜溶液)的工序(保護(hù)薄膜涂布工序(步驟S3a))、將保護(hù)薄膜溶液烘烤固化的工序(保護(hù)薄膜烘烤工序(步驟S3b))、將該烘烤固化的保護(hù)溶液薄膜(加熱了的保護(hù)膜)冷卻的工序(步驟S3c)。在上述保護(hù)薄膜溶液的溶劑中，包含1-己醇(存在對(duì)于浸漬液(水)親和性基團(tuán)醇性O(shè)H基團(tuán)、且沸點(diǎn)為1581C)?？梢源_認(rèn)l-己醇微量殘留在烘烤(步驟S3c)后的保護(hù)薄膜中。到現(xiàn)在為止的工序(步驟S1S3)，實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)是相同的。在步驟S3之后，在將包舍床護(hù)膜和被加工膜的基fel直接暴露在浸漬液(水)中進(jìn)行液浸啄光的情況下，在抗蝕劑膜上檢測(cè)出數(shù)百個(gè)/晶片的水印。下面使用圖5A和5B對(duì)產(chǎn)生水印的原因進(jìn)行說明.在圖5A和5B中，l為抗蝕劑膜、2為保護(hù)膜、3為保護(hù)膜中的高分子(凝集體)、4為與浸漬液具有親和性的殘留溶劑、5為浸漬液、6為浸漬液所誘導(dǎo)產(chǎn)生的通路。圖5A為加熱(步驟S3b)后的保護(hù)膜2的內(nèi)部狀態(tài)，圖5B為液浸爆光(步驟S6)時(shí)的保護(hù)膜的內(nèi)部狀態(tài)。在保護(hù)膜2中存在大量的在J^旋轉(zhuǎn)或者烘烤時(shí)所產(chǎn)生的溶劑的脫離通道。脫離通道是溶劑從一定程度凝集的薄膜蒸發(fā)時(shí)的軌跡，因此，在脫離通道附近存在微量的溶劑4。當(dāng)溶劑4相對(duì)于浸漬液5具有親和性時(shí)，在液浸膝光時(shí)，浸漬液5導(dǎo)入保護(hù)膜2中，例如，可以認(rèn)為，通過通道6，浸漬液5達(dá)到抗蝕劑膜1的表面。因此，在本實(shí)施例中，在形成保護(hù)膜之后，且在液浸啄光之前，除去保護(hù)膜中所包含的浸漬液的溶劑(殘留親和性物質(zhì))(步驟S4)。下面使用圖6A6C針對(duì)能夠防止水印的發(fā)生的理由進(jìn)行說明。圖6A為加熱(步驟S3b)后的保護(hù)膜2的內(nèi)部狀態(tài)，圖6B為除去殘留親和性物質(zhì)時(shí)(步驟S4)的保護(hù)膜2的內(nèi)部狀態(tài)，圖6C為液浸啄光(步驟S6)時(shí)的保護(hù)膜的內(nèi)部狀態(tài)。在本實(shí)施例中，在形成保護(hù)膜2之后，為了除去殘留在溶劑脫離通道附近的溶劑4(醇)，使對(duì)于溶劑4具有親和性、且比溶劑4的沸點(diǎn)更低的異丙醇溶劑作為溶劑7發(fā)生作用，使溶劑4與異丙醇一起蒸發(fā)。即，通過干燥氮?dú)鈄異丙醇，制造包含異丙醇的干燥氮?dú)夥諊鷼猓蛟摫Ｗo(hù)膜2的表面提供該氛圍氣。由于異丙醇的沸點(diǎn)為82.41C,因此將保護(hù)膜2加熱至95X:形成作用的物質(zhì)容易蒸發(fā)的環(huán)境。通過該處理，殘留在保護(hù)膜2中的溶劑4被除去。結(jié)果是，溶劑的脫離通道(通道6)對(duì)于浸漬液5的親和性大幅降低。在將與浸漬液具有親和性的物質(zhì)從保護(hù)膜除去的工序(步驟S4)之前，通過擴(kuò)張收縮法測(cè)定相對(duì)于保護(hù)膜的表面的后退接觸角，測(cè)量值為65°。相對(duì)于此，步驟S4之后，除去了具有親和性的物質(zhì)的保護(hù)膜的后退接觸角為80°，確i/^退接觸角顯著增加了。在液浸膝光時(shí)，在包含啄光區(qū)域的局部區(qū)域內(nèi)在保持液體薄膜的同時(shí)進(jìn)行曝光時(shí)，在后退接觸角為65。的情況下，在液浸啄光的操作中，在基板上產(chǎn)生殘留液滴，而在步驟S4后，后退接觸角為80。的情況下，未發(fā)現(xiàn)殘留液滴。殘留液滴是能夠引起水印缺陷的原因，但通過本處理(步驟S4)，可以大幅降低這種風(fēng)險(xiǎn)。另外，針對(duì)各種薄膜評(píng)價(jià)了殘留液滴，由于在后退接觸角為75°或以上時(shí)看不到殘留液滴，因此，優(yōu)選對(duì)氛圍氣中的異丙醇的濃度、氛圍氣的^il、壓力、基ML溫度、處理時(shí)間進(jìn)行控制，以佳后退接觸角達(dá)到75。或以上。此外，通過除異丙醇之夕卜的甲醇(沸點(diǎn)64.7L，適當(dāng)?shù)暮婵緶囟?65r或以上)、乙醇(沸點(diǎn)78,3X:，適當(dāng)?shù)暮婵緶囟?80t:或以上)進(jìn)行處理時(shí)，可以^^退接觸角達(dá)到75?；蛞陨?。使用具有這樣處理過的保護(hù)膜的M進(jìn)行液浸啄光(步驟S6),然后，通過已知的步驟，即，經(jīng)過膝光后的烘烤(PEB)工序(步驟S7)、保護(hù)膜的剝離工序(步驟S8)、抗蝕劑膜的顯影工序(步驟S9)，形成抗蝕劑圖案。對(duì)通過這種方式形成的本實(shí)施例的抗蝕劑圖案進(jìn)行檢查，可以確i人，現(xiàn)有的方法中所產(chǎn)生的水印被降低至數(shù)個(gè)/晶片。將本實(shí)施例的抗蝕劑圖案作為掩模，依次對(duì)防反射膜(第2被加工薄膜)和氧化膜(第l被加工薄膜)進(jìn)行蝕刻形成溝槽圖案，檢測(cè)該圖案，缺陷數(shù)為數(shù)個(gè)/晶片，結(jié)果優(yōu)良。通過用布線材料填埋上述圖案、進(jìn)而進(jìn)行后續(xù)工序所制成的器件顯示出良好的可靠性。本實(shí)施例雖然涉及在保護(hù)膜溶劑中包含1-己醇溶劑的方案，但對(duì)象溶劑并不限于該溶劑。通常將常壓下沸點(diǎn)為IOO匸或以上且具有醇性O(shè)H基的物質(zhì)作為對(duì)象。例如，在具有l(wèi)個(gè)醇羥基的物質(zhì)中，l-丁醇、l-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-己醇、3畫己醇、l-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、4-庚醇、l-辛醇、l-辛醇、2-辛醇、3-辛醇、4-辛醇等在l位具有OH基的具有至少4個(gè)碳原子、在其他位置具有OH的至少具有5個(gè)碳原子的物質(zhì)，確i人了具有除去保護(hù)膜內(nèi)的殘留物質(zhì)的效果.此外，即使是具有酯骨架結(jié)構(gòu)的醇(例如乳酸乙酯沸點(diǎn)154C)等也確認(rèn)了具有除去殘留物質(zhì)的效果。此外，在具有2個(gè)或更多個(gè)醇OH基的物質(zhì)中，雖然不如這些醇，但是仍然確認(rèn)了具有除去效果。在本實(shí)施例中，為了除去保護(hù)膜中溶劑所產(chǎn)生的對(duì)浸漬液的親和性物質(zhì)，使用了異丙醇，但不限于此。通常使用常壓下沸點(diǎn)不足ioox:的具有醇性oh基團(tuán)的物質(zhì)?？梢酝ㄟ^使進(jìn)行了脫水處理或者除去了胺類的曱醇或乙醇包含在干燥空氣、干燥氦氣、干燥氮?dú)獾戎胁⑻峁┑奖Ｗo(hù)膜的表面進(jìn)行處理。對(duì)于氛圍氣或氛圍氣中所包含的物質(zhì)進(jìn)行脫水處理或脫胺處理的理由是，防止一旦包含并暴露這些物質(zhì)，則這些物質(zhì)會(huì)逆吸附到溶劑的通道中，變成浸漬液的誘導(dǎo)物質(zhì)并形成水印的生成源。從使用異丙醇的加熱到膜的冷卻期間，優(yōu)選對(duì)暴露保護(hù)膜表面的氛圍氣進(jìn)行控制，以便使得其不含對(duì)浸潰液具有親和性的物質(zhì)(在浸漬液為水的情況下，水分、醇、胺或與水發(fā)生物理.化學(xué)吸附物質(zhì)，在浸漬液為有機(jī)物的情況下為類似的有機(jī)物)。優(yōu)選在干燥空氣、干燥氦氣、干燥氮?dú)獾确諊鷼庵羞M(jìn)行。更優(yōu)選通過暴露于對(duì)浸漬液不具有親和性的氛圍氣(在浸漬液為水的情況下，其為包舍氟類物質(zhì)的氛圍氣或硅氮烷化合物(六甲基二硅氮烷、四曱基二硅氮烷等)，在浸漬液為有機(jī)物的情況下，其為包含醇的氛圍氣)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或物理吸附。在通過進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生對(duì)浸漬液的親和性的情況下，可以在處理后，再次使其與本實(shí)施例所迷的低沸點(diǎn)醇進(jìn)行作用除去，或者在進(jìn)行化學(xué)^^應(yīng)后除去親和性物質(zhì)。在液浸曝光前保護(hù)膜的表面祐_微小粒子污染時(shí)，也可以在液浸膝光之前洗滌保護(hù)膜的表面(啄光前保護(hù)膜處理(步驟S5))。另外，當(dāng)在液浸曝光時(shí)對(duì)包含曝光區(qū)域的局部區(qū)域保持液體薄膜的同時(shí)進(jìn)行膝光的情況下，可以對(duì)保護(hù)膜的表面進(jìn)行改性處理以使液體薄膜不會(huì)飛散到局部區(qū)域之外(膝光前保護(hù)膜處理(步驟S5))。此外，液浸曝光時(shí)在保護(hù)膜上產(chǎn)生液滴的情況下，為了防止產(chǎn)生水印或圖案尺寸■形狀不佳，在進(jìn)行啄光后的烘烤(步驟S8)之前，可以iS^地除去液滴(曝光后的保護(hù)膜處理(步驟S7))。在本實(shí)施例中，雖然是使用了波長(zhǎng)為193nm的啄光光的情況，但即使在使用波長(zhǎng)為248nm的膝光光、浸漬液使用水或有機(jī)物的情況下，通過同樣的處理，也確認(rèn)了可以降低水印缺陷的效果。此外，在使用波長(zhǎng)157nm的曝光光、浸漬液使用氟系有機(jī)物的情況下，通過同樣的處理，也確認(rèn)了可以降低水印缺陷的效果。抗蝕劑膜和保護(hù)膜的烘烤溫度并不限于本實(shí)施例的值，只要是能夠根據(jù)材料發(fā)揮保護(hù)特性的溫度即可。另外，優(yōu)選保護(hù)膜的烘烤溫度低于抗蝕劑膜的烘烤溫度，以使抗蝕劑膜的物質(zhì)不會(huì)移動(dòng)到保護(hù)膜中。本實(shí)施例的基底加工工序雖然是涉及氧化膜的溝槽形成工序的，但本實(shí)施例的基底加工工序并不限于該工序。對(duì)于例如，接觸孔的形成、柵的形成、有源區(qū)域的形成、離子注入等所有器件制造工序中的光蝕刻工序也是適用的。實(shí)施例3圖7為表示本發(fā)明的實(shí)施例3的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖。首先，準(zhǔn)^^被加工薄膜(步驟S21)。被加工薄膜包括氧化膜(第1被加工膜)、和形成于該氧化膜上的防反射膜(第2被加工膜)。上述被加工膜(氧化膜、防反射膜)形成于半導(dǎo)體1^L(晶片)上。形成防反射膜的工序包括通過旋轉(zhuǎn)涂布法在上述氧化膜上形成對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)193nm)具有防>^射效果的薄膜的工序、和烘烤上述薄膜的工序。接著，在上述被加工膜上形成抗蝕劑膜(第1薄膜)(步驟S22)。形成抗獨(dú)劑膜的工序(步驟S22)包括在上述烘烤過的薄膜冷卻并調(diào)整到所期望的溫度的薄膜(防>^射膜)上，涂布對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)193nm)具有感光性的抗蝕劑的工序(抗蝕劑膜涂布工序(步驟S22a))、將該抗蝕劑烘烤固化的工序(抗蝕劑烘烤工序(步驟S22b))、對(duì)該烘烤固化的抗蝕劑(加熱的抗蝕劑膜)冷卻的工序(步驟S22c)?？刮g劑膜涂布工序(步驟S22a)包括將抗蝕劑溶液滴加在半導(dǎo)體基板的主面上的被加工薄膜上的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基波大致除去抗蝕劑溶液的溶劑的工序。接著，在抗蝕劑膜(第1薄膜)上，形成用于防止浸漬液吸收到抗蝕劑膜中，或抗蝕劑膜中的物質(zhì)溶出到浸漬液中的保護(hù)膜(笫2薄膜)(步驟S23)。形成保護(hù)膜的工序(步驟S23)包括在抗蝕劑膜上涂布包舍床護(hù)薄膜的材料的溶液的工序(保護(hù)薄膜涂布工序(步驟S23a))、將保護(hù)薄膜溶液烘烤固化的工序(保護(hù)薄膜烘烤工序(步驟S23b))、將該烘烤固化的保護(hù)溶液薄膜(加熱了的保護(hù)膜)冷卻的工序(步驟S23c)。上述保護(hù)膜溶液中包含2-己醇。在濕度為40%的氛圍氣中進(jìn)行烘烤制造的保護(hù)膜中可以觀察到微量的2-己醇。因此，在本實(shí)施例中，保護(hù)膜的形成工序(步驟S23)是按照如下工序進(jìn)行的。保護(hù)膜涂布工序(步驟S23a)包括在半導(dǎo)體^1的主面上的抗蝕劑膜上滴加保護(hù)膜溶液的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體;i^將保護(hù)膜的溶劑大致除去的工序。保護(hù)膜的烘烤工序(步驟S23b)為，在將與浸漬液具有親和性部位的物質(zhì)從保護(hù)膜上除去的同時(shí)對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行烘烤的工序，其包括將在干燥空氣中包含了沸點(diǎn)低于2-己醇的無水乙醇的氛圍氣導(dǎo)入烘烤箱中的工序，和在該氛圍氣內(nèi)將1^>熱至iiox:的工序。通過在上述氛圍氣中加熱基板，在旋轉(zhuǎn)涂布后，在對(duì)殘留在保護(hù)膜中的2-己醇(相對(duì)于浸漬液具有弱親和性部位的醇性O(shè)H基團(tuán))進(jìn)行烘烤處理中，通過使其與無水乙醇相互作用而將其從薄膜上容易地排出。檢查在該氛圍氣中進(jìn)行過烘烤處理的保護(hù)膜，確認(rèn)了溶劑所產(chǎn)生的醇被大致除去了。當(dāng)在干燥空氣中已包含無水乙醇(與浸漬液具有親和性的物質(zhì))的氛圍氣中進(jìn)行基板的冷卻時(shí)，在保護(hù)膜中檢測(cè)出凝結(jié)的無水乙醇，可以斷定這是在保護(hù)膜中對(duì)浸漬液產(chǎn)生了誘導(dǎo)。圖8A~8C表示的是#包含與浸漬液具有親和性的物質(zhì)的氛圍氣中冷卻基板的工序、到對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行液浸啄光的工序?yàn)橹沟钠陂g內(nèi)，保護(hù)膜的內(nèi)部狀態(tài)。在圖8中，IO表示與浸漬液具有親和性的物質(zhì)。圖8中的附圖標(biāo)記1~6分別表示與圖5A和5B中相同的含義。圖8A表示本實(shí)施例的進(jìn)行了烘烤(步驟S23b)之后的殘留物質(zhì)已被除去的狀態(tài)的保護(hù)膜2。圖8B表示在包含與浸漬液具有親和性的物質(zhì)10的氛圍氣中對(duì)J41進(jìn)行冷卻的工序。在該冷卻工序中，與浸漬液具有親和性的物質(zhì)10^V床護(hù)膜2中的除去了殘留物質(zhì)的區(qū)域(溶劑脫離通道)。圖8C表示對(duì)抗蝕劑膜1進(jìn)行液浸啄光的工序。在該液浸膝光工序中，浸漬液通過與浸漬液具有親和性的物質(zhì)104h保護(hù)膜2中，進(jìn)而浸漬液5通過通路6到達(dá)抗蝕劑膜1的表面?；谏鲜稣J(rèn)識(shí)，在本實(shí)施例中，為了抑制浸漬液誘導(dǎo)物質(zhì)進(jìn)入到保護(hù)膜中，在不含與浸漬液具有親和性的物質(zhì)的氛圍氣中(這里是指干燥空氣)，進(jìn)行加熱后的保護(hù)膜的冷卻(步驟S23c)。在圖9A9C，顯示了從在不含與浸漬液具有親和性的物質(zhì)的氛圍氣中對(duì)J4l進(jìn)行冷卻的工序、到對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行液浸曝光的工序?yàn)橹沟钠陂g內(nèi)，保護(hù)膜的內(nèi)部狀態(tài)。在圖9A9C中，11表示與浸漬液5不具有親和性的物質(zhì)或者對(duì)浸漬液5顯示出排斥性的物質(zhì)。圖9A~9C中的附圖標(biāo)記l-6分別與圖5A和圖5B中的附圖標(biāo)記表示相同的含義。圖9A表示本實(shí)施例的進(jìn)行了烘烤(步驟S23b)之后的殘留物質(zhì)被除去的狀態(tài)的保護(hù)膜2。圖9B表示在包含與浸漬液不具有親和性的物質(zhì)11的氛圍氣中對(duì)141進(jìn)行冷卻的工序。在該冷卻工序中，與浸漬液不具有親和性的物質(zhì)11^7v保護(hù)膜2中的殘留物質(zhì)被除去的區(qū)域(溶劑脫離通道)。圖9C表示對(duì)抗蝕劑膜1進(jìn)行液浸膝光的工序。在該液浸膝光工序中，由于在保護(hù)膜2內(nèi)不存在與浸漬液5具有親和性的物質(zhì)，因而浸漬液5未侵入保護(hù)膜2中。對(duì)于在步驟S23b中，在干燥空氣中包含作為與浸漬液不具有親和性的物質(zhì)ii的低沸點(diǎn)的無水乙醇的氛圍氣中在iiox:進(jìn)行加熱而得到的保護(hù)膜，通過擴(kuò)張收縮法測(cè)定所得到的保護(hù)膜的表面的后退接觸角，測(cè)定值為610。相對(duì)于此，在干燥空氣中包^^低沸點(diǎn)無水乙醇的氛圍氣中加熱得到的保護(hù)膜的后退接觸角為85。，確認(rèn)后退接觸角顯著增加了。行曝光時(shí)，在后退接觸角為6r的情況下，在液浸曝光的^^作中，在M上產(chǎn)生殘留液滴，而在步驟S23c后，后退接觸角為85°的情況下，未發(fā)現(xiàn)殘留液滴。殘留液滴是能夠引起水印缺陷的原因，但通過本處理(步驟S23b、S23c)，可以大幅降低這種風(fēng)險(xiǎn)。另外，針對(duì)各種薄膜評(píng)價(jià)了殘留液滴，由于在后退接觸角為75°或以上時(shí)未發(fā)現(xiàn)殘留液滴，因此，優(yōu)選對(duì)氛圍氣中的低沸點(diǎn)無水醇物質(zhì)及其濃度、氛圍氣的流速、壓力、處理時(shí)間進(jìn)行控制，以^f^退接觸角達(dá)到75。或以上。使用具有這樣處理過的保護(hù)膜的M進(jìn)行液浸啄光(步驟S26)，然后，通過已知的步驟，即，經(jīng)過啄光后的烘烤(PEB)工序(步驟S28)、保護(hù)膜的剝離工序(步驟S29)、抗蝕劑膜的顯影工序(步驟S30)，形成抗蝕劑圖案。對(duì)通過這種方式形成的本實(shí)施例的抗蝕劑圖案進(jìn)行檢查，可以確認(rèn)，現(xiàn)有的方法中所產(chǎn)生的水印被降低至數(shù)個(gè)/晶片。將本實(shí)施例的抗蝕劑圖案作為掩模，依次對(duì)防反射膜(第2被加工薄膜)和氧化膜(第l被加工薄膜)進(jìn)行蝕刻形成孔圖案，檢測(cè)該圖案，確認(rèn)缺陷數(shù)被降低至數(shù)個(gè)/晶片。通過布線間結(jié)合材料填埋上述孔圖案、進(jìn)而進(jìn)行后續(xù)工序所制成的器件顯示出良好的可靠性。在本實(shí)施例中，為了在烘烤氛圍氣中除去保護(hù)膜中溶劑所產(chǎn)生的對(duì)浸潰液親和性的物質(zhì)，使用了低沸點(diǎn)的無水乙醇，但是并不限于此。和實(shí)施例1所記載的理由相同，也可以使進(jìn)行了脫氷處理且除去了胺類的曱醇或異丙醇包含在干燥空氣、干燥氦氣、干燥氮?dú)獾戎?，并將其提供到保護(hù)膜的表面進(jìn)行處理。此外，保護(hù)膜中所包含的溶劑也是以與實(shí)施例l相同的溶劑為對(duì)象。在上述處理的圖9B的工序(保護(hù)膜的冷卻工序)之后，且，在圖9C的工序(液浸膝光工序)之前，如圖10A和10B所示，通過使保護(hù)膜2的表面和內(nèi)部和與浸漬液不具有親和性的物質(zhì)或者對(duì)浸漬液顯示出排斥性的物質(zhì)12，例如氯氟烴化合物進(jìn)行作為(物理吸附)，可以進(jìn)一步降低對(duì)于浸漬液5的親和性，并能夠提高后退接觸角。同樣地，在實(shí)施例1的圖6B的工序(保護(hù)膜的烘烤工序)之后，且在圖6C的工序(液浸膝光工序)之前，通過使保護(hù)膜的表面和與浸漬液不具有親和性的物質(zhì)進(jìn)行作用(物理吸附)，可以進(jìn)一步降低對(duì)浸漬液的親和性，并能夠提高后退接觸角。在液浸膝光前的保護(hù)膜的表面被微小粒子污染時(shí)，也可以在液浸膝光之前洗滌保護(hù)膜的表面(曝光前保護(hù)膜處理(步驟S25))。另外，當(dāng)在液浸膝光時(shí)對(duì)包含啄光區(qū)域的局部區(qū)域保持液體薄膜的同時(shí)進(jìn)行啄光的情況下，可以對(duì)保護(hù)膜的表面進(jìn)行改性處理以使液體薄膜不會(huì)飛散到局部區(qū)域之外(曝光前保護(hù)膜處理(步驟S25))。此外，液浸曝光時(shí)在保護(hù)膜上產(chǎn)生液滴的情況下，為了防止產(chǎn)生水印或圖案尺寸形狀不佳，在進(jìn)行曝光后的烘烤(步驟S28)之前，可以迅速地除去液滴(曝光后的保護(hù)膜處理(步驟S27))。在本實(shí)施例中，雖然是使用了波長(zhǎng)為193nm的膝光光的情況，但即4吏在使用波長(zhǎng)為248nm的啄光光、浸漬液使用水或有機(jī)物的情況下，通過同樣的處理，也確認(rèn)了可以降低水印缺陷的效果。此外，即使在使用波長(zhǎng)157nm的曝光光、浸漬液使用氟系有機(jī)物的情況下，通過同樣的處理，也確認(rèn)了可降低水印缺陷的效果?？刮g劑膜和保護(hù)膜的烘烤溫度并不限于本實(shí)施例的值，只要是能夠根據(jù)材料發(fā)揮保護(hù)特性的溫度即可。另外，優(yōu)選保護(hù)膜的烘烤溫度低于抗蝕劑膜的烘烤溫度，以^更抗蝕劑膜的物質(zhì)不會(huì)移動(dòng)到保護(hù)膜中。本實(shí)施例的基底加工工序雖然涉及氧化膜的孔形成工序，但本發(fā)明的基底加工工序并不限于該工序。對(duì)于例如，接觸孔的形成、柵的形成、有源區(qū)域的形成、離子注入等所有器件制造工序中的光蝕刻工序也是適用的。實(shí)施例4圖11為本發(fā)明的實(shí)施例4的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖。在本實(shí)施例中，針對(duì)使用KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)作為光源，并使用純水作為浸漬液的抗蝕劑圖案的形成方法進(jìn)行i兌明。首先，準(zhǔn)備被加工薄膜(步驟S41)。被加工薄膜包括氧化膜(第1被加工膜)、形成于該氧化膜上的防反射膜(第2被加工膜)。上述#工膜(氧化膜、防反射膜)形成于半導(dǎo)體J^！(晶片)上。形成防反射膜的工序包括通過旋轉(zhuǎn)涂布法在上述氧化膜上形成對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)248nm)具有防反射效果的薄膜的工序、和烘烤上述薄膜的工序。接著，在上述被加工膜上形成抗蝕劑膜(第1薄膜)(步驟S42)。形成抗蝕劑膜的工序(步驟S42)包括在上述烘烤過的薄膜冷卻并調(diào)整到所期望的溫度的薄膜(防反射膜)上，涂布對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)248nm)具有感光性的抗蝕劑的工序(步驟S42a)、將該抗蝕劑烘烤并固化的工序(步驟S42b)、對(duì)該烘烤固化的抗蝕劑(加熱的抗蝕劑膜)冷卻的工序(步驟S42c)。涂布抗蝕劑膜工序(步驟S42a)包括將抗蝕劑溶液滴加在半導(dǎo)體基板的主面上的被加工薄膜上的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體M大致除去抗蝕劑溶液的溶劑的工序。雖然該抗蝕劑膜的浸漬液的浸透性弱，但是可以確i/^若干的浸入，因此在不使用保護(hù)膜的條件下，進(jìn)行殘留在抗蝕劑膜中的與浸漬液(水)具有親和性部位的溶劑的除去(步驟S43)。這里，由于殘留在抗蝕劑膜中的溶劑為乳酸乙酯，因此通過使抗蝕劑膜與在干燥空氣中包含沸點(diǎn)低于乳酸乙酯的異丙醇的氛圍氣作用，使其與異丙醇一起蒸發(fā)。將上述氛圍氣(與浸漬液不具有親和性的物質(zhì))提供到抗蝕劑膜的表面，使抗蝕劑膜與氛圍氣作用。其中，異丙醇的沸點(diǎn)為82.4X:，因此通過將抗蝕劑膜加熱到95t:形成作用的物質(zhì)容易蒸發(fā)的環(huán)境?？梢酝ㄟ^上述處理(步驟S43)除去殘留在抗蝕劑膜中的乳酸乙酯，大幅降低溶劑脫離通道對(duì)的浸漬液的親和性。此外，可以通過異丙醇蒸汽使抗蝕劑膜表面部分溶解形成平滑的面。抗蝕劑膜的冷卻是僅僅在干燥空氣的氛圍氣中進(jìn)行的(S42c)。在將與浸漬液具有親和性的物質(zhì)從抗蝕劑膜除去的工序(步驟S43)之前，通過擴(kuò)張收縮法測(cè)定相對(duì)于抗蝕劑薄膜的表面的后退接觸角，測(cè)定值為55°.相對(duì)于此，步驟S43后的含有乳酸乙酯的物質(zhì)被除去后的保護(hù)膜與水的親和性降低，另外表面變得更平滑，因此，后退接觸角顯著增加為83。。在液浸曝光時(shí)在包含曝光區(qū)域的局部區(qū)域內(nèi)在保持液體薄膜的同時(shí)進(jìn)行曝光時(shí)，在后退接觸角為55°的情況下，在液浸曝光的^Mt中，在M上產(chǎn)生很多殘留液滴，而在步驟S43之后的后退接觸角為83。的情況下，未發(fā)現(xiàn)殘留液滴。殘留液滴是能夠引起水印缺陷的原因，但通過本處理(步驟S43)，可以大幅降低il種風(fēng)險(xiǎn)。另外，針對(duì)各種薄膜評(píng)價(jià)了殘留液滴，由于在后退接觸角為75°或以上時(shí)，未發(fā)現(xiàn)殘留液滴，因此，優(yōu)選對(duì)氛圍氣中的異丙醇的濃度、氛圍氣的^til、壓力、J41溫度、處理時(shí)間進(jìn)行控制，以^J^退接觸角達(dá)到75。或以上。此外，即使用異丙醇之夕卜的甲醇(沸點(diǎn)64.7X:，適當(dāng)?shù)暮婵緶囟?65TC或以上)、乙醇(沸點(diǎn)78,3匸，適當(dāng)?shù)暮婵緶囟?80X:或以上)進(jìn)行處理，也可以佳^退接觸角達(dá)到75?；蛞陨?。使用具有這樣處理過的保護(hù)膜的M進(jìn)行液浸啄光(步驟S46)，然后，通過已知的步驟，即，經(jīng)過啄光后的烘烤(PEB)工序(步驟S48)、抗蝕劑膜的顯影工序(步驟S49)，形成抗蝕劑圖案。對(duì)通過這種方式形成的本實(shí)施例的抗蝕劑圖案進(jìn)行檢查，可以確^人，現(xiàn)有的方法中所產(chǎn)生的水印被降低至數(shù)個(gè)/晶片。將本實(shí)施例的抗蝕劑圖案作為掩模，依次對(duì)防反射膜(第2被加工薄膜)和氧化膜(第l被加工薄膜)進(jìn)行蝕刻形成溝槽圖案，檢測(cè)該圖案，缺陷數(shù)為數(shù)個(gè)/晶片，結(jié)果優(yōu)良.用布線材料填埋上述溝槽圖案、進(jìn)而進(jìn)行后續(xù)工序所制成的器件顯示出良好的可靠性。本實(shí)施例涉及在抗蝕劑溶劑中包含乳酸乙酯溶劑的方案，M象溶劑并不限于該溶劑。確認(rèn)了其他的具有酯骨架的醇等也具有除去效果。此外，通常使用常壓下沸點(diǎn)為ioox:或以上且具有醇性oH基的物質(zhì)。例如，在具有l(wèi)個(gè)醇羥基的物質(zhì)中，l-丁醇、l-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-己醇、3-己醇、l-庚醇、2畫庚醇、3-庚醇、4-庚醇、l-辛醇、l-辛醇、2畫辛醇、3-辛醇、4-辛醇等在l位具有OH基的具有至少4個(gè)碳原子、在其他位置具有OH的至少具有5個(gè)碳原子的物質(zhì)，確i^了具有除去保護(hù)膜內(nèi)的殘留物質(zhì)的效果。此外，可以確認(rèn)，在具有2個(gè)或更多個(gè)OH基的物質(zhì)中，雖然不如這些醇，但是仍然可以確認(rèn)具有除去效果。在本實(shí)施例中，為了除去抗蝕劑中溶劑所產(chǎn)生的對(duì)浸漬液的親和性物質(zhì)，并不限于使用異丙醇。通常使用常壓下沸點(diǎn)不足100X:的具有醇性O(shè)H基團(tuán)的物質(zhì)?？梢酝ㄟ^將進(jìn)行了脫水處理或者除去了胺類的曱醇或乙醇包含在干燥空氣、干燥氦氣、干燥氮?dú)獾戎胁⑻峁┑奖Ｗo(hù)膜的表面進(jìn)行處理。是，防止一旦包含并暴露這些物質(zhì)，則這些物質(zhì)會(huì)逆吸附到溶劑的脫離通道中，變成浸漬液的誘導(dǎo)物質(zhì)并形成水印的生成源。從使用異丙醇的加熱到膜的冷卻期間，優(yōu)選對(duì)暴露抗蝕劑膜的表面的氛圍氣進(jìn)行控制，以便使得其不含對(duì)浸漬液具有親和性的物質(zhì)(在浸漬液為水的情況下，水分、醇、胺或與水發(fā)生物理化學(xué)吸附物質(zhì)，在浸漬液為有機(jī)物的情況下為類似的有機(jī)物)(步驟S44)。優(yōu)選，如本實(shí)施例所述，在千燥空氣、干燥氦氣、干燥氮?dú)獾确諊鷼庵羞M(jìn)行。此外，也可以通過暴露于對(duì)浸漬液不具有親和性的氛圍氣(在浸漬液為水的情況下，其為包含氟類物質(zhì)的氛圍氣或硅氮烷化合物(六甲基二硅氮烷、四曱基二硅氮烷等)，在浸漬液為有機(jī)物的情況下，其為包含醇的氛圍氣)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或物理吸附。在通過進(jìn):行化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生對(duì)浸漬液的親和性的情況下，可以在處理后，再次使其與本實(shí)施例所述的低沸點(diǎn)醇進(jìn)行作用除去，或者在進(jìn)行化學(xué)>^應(yīng)后除去親和性物質(zhì)。在啄光前的抗蝕劑膜的表面被微小粒子污染時(shí)，也可以在液體浸漬啄光之前洗滌抗蝕劑膜的表面(啄光前抗蝕劑膜處理(步驟S45))。另外，當(dāng)在液浸膝光時(shí)對(duì)包含膝光區(qū)域的局部區(qū)域保持液體薄膜的同時(shí)進(jìn)行曝光的情況下，可以對(duì)抗蝕劑膜的表面進(jìn)行改性處理以使液體薄膜不會(huì)飛散到局部區(qū)域之外(膝光前抗蝕劑膜處理(步驟S45))。此外，液浸曝光時(shí)在保護(hù)膜上產(chǎn)生液滴的情況下，為了防止產(chǎn)生水印或圖案尺寸形狀不佳，在進(jìn)行啄光后的烘烤(步驟S48)之前，可以迅速地除去液滴(曝光后的抗蝕劑膜處理(步驟S47))。在本實(shí)施例中，雖然是使用波長(zhǎng)為193nm的曝光光的情況，但即使在4吏用波長(zhǎng)為248nm的曝光光、浸漬液使用水或有機(jī)物的情況下，通過同樣的處理，也確認(rèn)了可以降低水印缺陷的效果。此外，在使用波長(zhǎng)157nm的曝光光、在浸漬液中使用氟系有機(jī)物的情況下，也確i人了可以通過同樣的處理有效地降低水印缺陷?？刮g劑膜的烘烤溫度并不限于本實(shí)施例的值，只要是能夠根據(jù)材料發(fā)揮抗蝕劑特性的溫度即可。本實(shí)施例的基底加工工序涉及氧化膜的溝槽形成工序，但本發(fā)明的基底加工工序并不限于該工序。對(duì)于例如，接觸孔的形成、柵的形成、有源區(qū)域的形成、離子注入等所有器件制造工序中的光蝕刻工序也是適用的。實(shí)施例5圖12為本發(fā)明的實(shí)施例5的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖。在本實(shí)施例中，針對(duì)使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)作為光源，并使用純水作為浸漬液的抗蝕劑圖案的形成方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)^^被加工薄膜(步驟S51)。被加工薄膜包括氧化膜(第1被加工膜)、和形成于該氧化膜上的防反射膜(第2被加工膜)。上述被加工膜(氧化膜、防反射膜)形成于半導(dǎo)體基板(晶片)上。形成防>^射膜的工序包括通過旋轉(zhuǎn)涂布法在上述氧化膜上形成對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)193nm)具有防反射效果的薄膜的工序、和烘烤上述薄膜的工序。接著，在上述被加工膜上形成抗蝕劑膜(第1薄膜)(步驟S52)。形成抗蝕劑膜的工序(步驟S52)包括在上述烘烤過的薄膜冷卻并調(diào)整到所期望的溫度的薄膜(防^Jt膜)上，涂布對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)193nm)具有感光性的抗蝕劑的工序(步驟S52a)、將該抗蝕劑在110t;烘烤并固化的工序(步驟S52b)、對(duì)該烘烤固化的抗蝕劑(加熱的抗蝕劑膜)冷卻的工序(步驟S52c)。涂布抗蝕劑膜的工序(步驟S52a)包括將抗蝕劑溶液滴加在半導(dǎo)體基板的主面上的被加工薄膜上的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基板大致除去抗蝕劑溶液的溶劑的工序。接著，在抗蝕劑膜(第l薄膜)上，形成用于防止浸漬液吸收到抗蝕劑膜中，或抗蝕劑膜中的物質(zhì)溶出到浸漬液中的保護(hù)膜(第2薄膜)(步驟S53)。形成保護(hù)膜的工序(步驟S53)包括在抗蝕劑膜上涂布包含保護(hù)薄膜的材料的溶液(保護(hù)膜溶液)的工序(步驟S53a)、將保護(hù)薄膜溶液烘烤固化的工序(步驟S53b)。根據(jù)需要(視情況而定)，將該烘烤固化的保護(hù)溶液薄膜(加熱了的保護(hù)膜)冷卻的工序(步驟S53c)。涂布保護(hù)膜溶液的工序(步驟S53a)包括將保護(hù)膜溶液滴加在半導(dǎo)體基板的主面上的被加工薄膜上的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體n大致除去保護(hù)膜溶液的溶劑的工序。將保護(hù)膜溶液烘烤固化的工序(步驟s53b)是在iiox:下進(jìn)行的。這時(shí)，保護(hù)膜中的溶劑被除去。伴隨著溶劑的除去而在保護(hù)膜的表面上產(chǎn)生土lnm左右的凹凸(微小凹凸)。如杲在保護(hù)膜的表面產(chǎn)生微小凹凸的狀態(tài)下進(jìn)行液浸曝光，在浸漬液吸附到凹部中，在步進(jìn)曝光中容易殘留液體。確認(rèn)了在液浸曝光后的M上殘留大量的液滴。當(dāng)保護(hù)膜表面的凹凸大小為±2nm時(shí)，液浸步進(jìn)膝光時(shí)浸漬液飛散到J41之外。因此，在本實(shí)施例中，在進(jìn)行用于除去保護(hù)膜中的溶劑的烘烤處理(步驟S53b)之后，接著進(jìn)行保護(hù)膜的表面的平滑化(步驟S54)。保護(hù)膜的表面的平滑化，是在將n溫度保持在iioic的同時(shí)使保護(hù)膜的表面與N-曱基-2-吡咯烷酮蒸汽作用而進(jìn)行的。在將保護(hù)膜的表面平滑化之后，停止提供該蒸汽，接著，通過加熱處理，除去殘留在保護(hù)膜的表面上的N-甲基-2-吡咯烷酮，然后，冷卻1j&。通過這些處理得到的保護(hù)膜的表面的凹凸為士0.2nm，對(duì)于表面已平坦化的保護(hù)膜進(jìn)行液浸膝光，未觀測(cè)到步進(jìn)曝光時(shí)的殘留液滴或液體的飛散，在啄光后的基板上未看到液滴。通過該方法，由于將在保護(hù)膜烘烤工序(步驟S53b)從保護(hù)膜除去溶劑而產(chǎn)生的溶劑脫離通道封閉，因而抑制了浸漬液浸入保護(hù)膜中。在未進(jìn)行保護(hù)膜的表面的平滑化的情況下，通過擴(kuò)張收縮法測(cè)定浸漬液對(duì)保護(hù)膜的表面的后退接觸角，測(cè)定值為65°。另一方面，在進(jìn)行了平滑化的情況下，測(cè)定值為85°,結(jié)果良好。使用具有這樣處理過的保護(hù)膜的J41進(jìn)行液浸膝光(步驟S56)，然后，通過已知的步驟，即，經(jīng)過膝光后的烘烤(PEB)工序(步驟S58)、保護(hù)膜的剝離工序(步驟S59)、抗蝕劑膜的顯影工序(步驟S60)，形成抗蝕劑圖案。對(duì)通過這種方式形成的本實(shí)施例的抗蝕劑圖案進(jìn)行檢查，可以確認(rèn)，現(xiàn)有的方法中所產(chǎn)生的水印被降低至數(shù)個(gè)/晶片。將本實(shí)施例的抗蝕劑圖案作為掩模，依次對(duì)防反射膜(第2被加工薄膜)和氧化膜(第l被加工薄膜)進(jìn)行蝕刻形成溝槽圖案，檢測(cè)該圖案，缺陷數(shù)為數(shù)個(gè)/晶片，結(jié)果優(yōu)良。用布線料填埋上述溝槽圖案、進(jìn)而進(jìn)行后續(xù)工序所制成的器件顯示出良好的可靠性。本實(shí)施例在保護(hù)膜的平滑化中使用N-甲基-2-吡咯烷酮的蒸汽，但并不限于此，針對(duì)各種保護(hù)膜檢測(cè)其效果，針對(duì)丙酮蒸汽、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)蒸汽、N-曱基-2-吡咯烷酮(NMP)蒸汽，確認(rèn)了對(duì)大部分的保護(hù)膜具有平滑化效果，此外，對(duì)于各種保護(hù)膜，確認(rèn)了在使用該溶液中所包含的溶劑的情況下，也具有平滑化的效果。此外，具有l(wèi)個(gè)醇羥基的物質(zhì)，例如，l-丁醇、l-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-己醇、3-己醇、l-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、4-庚醇、l-辛醇、1-辛醇、2-辛醇、3-辛醇、4-辛醇等在l位具有OH基的具有至少4個(gè)碳原子、在其他位置具有OH的至少具有5個(gè)碳原子的物質(zhì)，已確認(rèn)也具有保護(hù)膜的平滑化效果.這些物質(zhì)可以直接進(jìn)行作用，但是當(dāng)供應(yīng)量過多時(shí)，產(chǎn)生弧坑或?qū)m狀的膜厚變動(dòng)，故不優(yōu)選。在這樣的情況下，可以通過將其包含在干燥空氣、干燥氦氣、干燥氮?dú)獾戎羞M(jìn)行稀釋后作用。在液浸曝光前的保護(hù)膜的表面被微小粒子污染時(shí)，也可以在液體浸漬啄光之前洗滌保護(hù)膜的表面(瀑光前保護(hù)膜處理(步驟S55))。此外，液浸啄光時(shí)在保護(hù)膜上產(chǎn)生液滴的情況下，為了防止產(chǎn)生水印或圖案尺寸■形狀不佳，在進(jìn)行曝光后的烘烤(步驟S58)之前，可以迅速地除去液滴(曝光后的保護(hù)膜處理(步驟S57))。在本實(shí)施例中，雖然是使用波長(zhǎng)為193nm的啄光光的情況，但即使在4吏用波長(zhǎng)為248nm的曝光光、浸漬液使用水或有機(jī)物的情況下，通過同樣的處理，也確認(rèn)了可以降低水印缺陷的效果。此外，在使用波長(zhǎng)157nm的膝光光、浸漬液使用氟系有機(jī)物的情況下，確認(rèn)了也可以通過同樣的處理使得不殘留液滴，可降低水印缺陷的效杲。抗蝕劑膜和保護(hù)膜的烘烤溫度并不限于本實(shí)施例的值，只要是能夠根據(jù)材料而發(fā)揮保護(hù)特性的溫度即可。另外，優(yōu)選保護(hù)膜的烘烤溫度低于抗蝕劑膜的烘烤溫度，以使抗蝕劑膜的物質(zhì)不會(huì)移動(dòng)到保護(hù)膜中。本實(shí)施例涉及保護(hù)膜，但是即使是在抗蝕劑膜上未設(shè)置保護(hù)膜而進(jìn)行液浸膝光的情況下，通it^目同的方法對(duì)抗蝕劑薄膜進(jìn)行平滑化，也可以顯著降低殘留液滴量/數(shù)。本實(shí)施例的基底加工工序涉及氧化膜的溝槽形成工序，但本實(shí)施例的基底加工工序并不限于該工序。對(duì)于例如，接觸孔的形成、柵的形成、有源區(qū)域的形成、離子注入等所有器件制造工序中的光蝕刻工序也是適用的。實(shí)施例6圖13為本發(fā)明的實(shí)施例6的抗蝕劑圖案的形成方法的流程圖。在本實(shí)施例中，針對(duì)使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)作為光源，并使用純水作為浸漬液的抗蝕劑圖案的形成方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備被加工薄膜。被加工薄膜包括氧化膜(笫l被加工膜)、和形成于該氧化膜上的防^^射膜(第2被加工膜)。上述被加工膜(氧化膜、防反射膜)形成于半導(dǎo)體^！(晶片)上。形成防反射膜的工序包括通過旋轉(zhuǎn)涂布法在上述氧化膜上形成對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)193nm)具有防反射效果的薄膜的工序、和烘烤上述薄膜的工序。接著，在上述被加工膜上形成抗蝕劑膜(第l薄膜)。形成抗蝕劑膜的工序包括在上述烘烤過的薄膜冷卻并調(diào)整到所期望的溫度的薄膜(防>^射膜)上，涂布對(duì)于曝光光(波長(zhǎng)193nm)具有感光性的抗蝕劑的工序、在110"C下烘烤該抗蝕劑并固化的工序、對(duì)該烘烤固化的抗蝕劑(加熱的抗蝕劑膜)冷卻的工序。涂布抗蝕劑膜的工序包括將抗蝕劑溶液滴加在半導(dǎo)體基&的主面上的被加工薄膜上的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基&大致除去抗蝕劑溶液的溶劑的工序。接著，在抗蝕劑膜(第l薄膜)上，形成用于防止浸漬液吸收到抗蝕劑膜中，抗蝕劑膜中的物質(zhì)溶出到浸漬液中的保護(hù)膜(第2薄膜)。保護(hù)膜是可溶于堿的。形成保護(hù)膜的工序包括在抗蝕劑膜上涂布包含保護(hù)薄膜的材料的溶液(保護(hù)膜溶液)的工序、將保護(hù)薄膜溶液烘烤固化的工序。根據(jù)需要(視情況而定)，將該烘烤固化的保護(hù)溶液薄膜(加熱了的保護(hù)膜)冷卻的工序。涂布保護(hù)膜溶液的工序包括將保護(hù)膜溶液滴加在半導(dǎo)體基板的主面上的被加工薄膜上的工序、旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基板大致除去保護(hù)膜溶液的溶劑的工序.將保護(hù)膜溶液烘烤固化的工序是在iiox:下進(jìn)行的。這時(shí)，保護(hù)膜中的溶劑被除去.在進(jìn)行用于除去保護(hù)膜中的溶劑的烘烤處理后，接著進(jìn)行保護(hù)膜的表面的平滑化。表面與N-甲基-2-吡咯烷酮蒸汽作用而進(jìn)行的。在將保護(hù)膜的表面平滑化之后，停止提供該蒸汽，接著，通過加熱處理，除去殘留在保護(hù)膜的表面上的N-甲基-2-吡咯烷酮，然后，冷卻a。通過這些處理得到的保護(hù)膜的表面的凹凸為±0.2nm。接著，使用具有這樣處理過的保護(hù)膜的141進(jìn)行液浸詠光，然后，進(jìn);f亍曝光后的烘烤(PEB)工序(步驟S71)。這里，在現(xiàn)有的方法中，對(duì)于可溶于堿的保護(hù)膜，使用與抗蝕劑膜的顯影中所使用的相同濃度的顯影液，對(duì)保護(hù)膜和抗蝕劑膜同時(shí)進(jìn)行顯影。但是，由于溶出的是保護(hù)膜和抗蝕劑膜，因而存在它們相互作用而產(chǎn)生缺陷的問題。此外，當(dāng)抗蝕劑膜的保護(hù)膜的溶解速度慢時(shí)，抗性劑圖案的尺寸均勻性惡化，存在圖案不能析像的問題。因此，在本實(shí)施例中實(shí)施下述方法。保護(hù)膜的剝離是通過如下方法進(jìn)行的稀釋顯影液，得到pH-12.5的笫l顯影液(四甲基氫氧化銨的水溶液)，使用該顯影液，在旋轉(zhuǎn)該基板的同時(shí)進(jìn)行保護(hù)膜的剝離(步驟S72)。這時(shí)，為了在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行保護(hù)膜的剝離，使供液噴嘴在基板上沿徑向移動(dòng)的同時(shí)供給第1顯影液。在保護(hù)膜溶解、抗蝕劑膜暴露出來的階段，停止第l顯影液的供應(yīng)，M目同的液體供應(yīng)噴嘴提供純水，進(jìn)行噴嘴的徑向移動(dòng)和M的旋轉(zhuǎn)，同時(shí)將保護(hù)膜的溶解物A^板上除去(步驟S73)。接著，在不4吏得^外周基fel上的氣流不形成湍流的條件下，以1800rpm的速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥(步驟74)。接著，在與除去保護(hù)膜相同的單元中繼續(xù)向抗蝕劑膜供應(yīng)pH為13.8的笫2顯影液(步驟S75),除去抗蝕劑膜的溶解物(步驟S76)。然后，進(jìn)行千燥處理(步驟77),完成抗蝕劑圖案，將這樣形成的本實(shí)施例的抗蝕劑圖案作為掩模，依次對(duì)防反射膜(第2被加工薄膜)和氧化膜(第l被加工薄膜)進(jìn)行蝕刻，形成溝槽圖案，檢測(cè)該圖案，缺陷數(shù)為數(shù)個(gè)/晶片，結(jié)果優(yōu)良。用布線材料填埋上述溝槽圖案，進(jìn)而進(jìn)行后續(xù)工序所制成的器件顯示出良好的可靠性.在本實(shí)施例中，雖然是通過提供較低濃度的第l顯影液，溶解保護(hù)膜而除去保護(hù)膜，然后，干^i41，并向a(抗蝕劑膜)上提供第2顯影液，形成抗蝕劑圖案，但是并不限于此。也可以在保護(hù)膜溶解之后立即提供第2顯影液，形成抗蝕劑圖案。此外，第1顯影液的濃度并不限于上述濃度，只要是保護(hù)膜溶解、而抗蝕劑膜幾乎不溶解的濃度的堿溶液即可。此外，第2顯影液的濃度可以是能夠?qū)⒖刮g劑膜顯影、且高于第l顯影液的濃度的任何濃度。此外，在液浸曝光時(shí)在保護(hù)膜上產(chǎn)生液滴的情況下，為了防止水印或圖案尺寸■形狀不佳的產(chǎn)生，最好在進(jìn)行曝光后烘烤之前，迅速除去液滴(膝光后的保護(hù)膜的處理)。本實(shí)施例的基底加工工序涉及氧化膜的溝槽形成工序，但本實(shí)施例的_^底加工工序并不限于該工序。對(duì)于例如，接觸孔的形成、柵的形成、有源區(qū)域的形成、離子注入等所有器件制造工序中的光蝕刻工序也是適用的。其他的優(yōu)點(diǎn)和改iW本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，在更寬的范圍內(nèi)，本發(fā)明并不限于此處所描述的具體細(xì)節(jié)和代表性的具體實(shí)施方案。因此，可以在不背離所附權(quán)利要求及其等同的技術(shù)方案所定義的一^JL明概念的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改。權(quán)利要求1.一種圖案的形成方法，其包括在被加工膜上形成感光性樹脂膜；通過涂布法在上述感光性樹脂膜上形成用于保護(hù)上述感光性樹脂膜的保護(hù)膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸曝光，將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂膜上；在形成上述保護(hù)膜后，且在對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域進(jìn)行選擇性液浸曝光之前，將上述保護(hù)膜的表面平滑化；除去上述保護(hù)膜；以及，通過選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂膜構(gòu)成的圖案。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖案的形成方法，其中，上述將保護(hù)膜的上^面平滑化包括將上述第2薄膜暴露在包含溶解上述第2薄膜的溶劑的氛圍氣中。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖案的形成方法，其中，上述將保護(hù)膜的上述表面平滑化包括加熱上述第2薄膜。4.一種圖案的形成方法，其包括通過涂布法在被加工膜上形成感光性樹脂膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸啄光，將上述浸漬液4I:供到上述感光性樹脂膜上；在形成上述感光性樹脂膜后，且在對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域進(jìn)行選擇性液浸膝光之前，將上述感光性樹脂膜的表面平滑化；以及，通過選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂膜構(gòu)成的圖案。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖案的形成方法，其中，上述將保護(hù)膜的上述表面平滑化包括將上述第2薄膜暴露在包含溶解上述第2薄膜的溶劑的氛圍氣中。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖案的形成方法，其中，上述將保護(hù)膜的上i4^面平滑化包括加熱上述第2薄膜。7.—種圖案的形成方法，其包括在被加工膜上形成感光性樹脂膜；通過涂布法在上述感光性樹脂膜上形成用于保護(hù)上述感光性樹脂膜的保護(hù)膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸曝光，將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂膜上；使用具有上述保護(hù)膜的溶解速度比上述感光性樹脂膜的溶解速度更迅速的濃度的第l顯影液，除去上述保護(hù)膜；以及，使用比上述第1顯影液更高濃度的第2顯影液，選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂膜構(gòu)成的圖案。8.根據(jù)權(quán)利要求7的圖案的形成方法，其進(jìn)一步包括在除去上述保護(hù)膜之后、在形成上述圖案之前，將上述除去保護(hù)膜期間所溶出來的上述保護(hù)膜的溶解物除去。9.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括在包含半導(dǎo)體^的141上形成抗蝕劑圖案，上述抗蝕劑圖案是通過權(quán)利要求9的圖案形成方法形成的；以及，將上述抗蝕劑圖案作為掩^^對(duì)上iil4l進(jìn)行蝕刻，形成圖案。10.—種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括在包含半導(dǎo)體基板的M上形成抗蝕劑圖案，上述抗蝕劑圖案是通過權(quán)利要求12的圖案形成方法形成的；以及，將上述抗蝕劑圖案作為掩^對(duì)上^41進(jìn)行蝕刻，形成圖案。全文摘要一種圖案的形成方法，其包括在被加工膜上形成感光性樹脂膜；通過涂布法在上述感光性樹脂膜上形成用于保護(hù)上述感光性樹脂膜的保護(hù)膜；通過浸漬液對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域選擇性地進(jìn)行液浸曝光，將上述浸漬液提供到上述感光性樹脂膜上；在形成上述保護(hù)膜后，且在對(duì)上述感光性樹脂膜的部分區(qū)域進(jìn)行選擇性液浸曝光之前，將上述保護(hù)膜的表面平滑化；除去上述保護(hù)膜；以及，通過選擇性地除去上述感光性樹脂膜的曝光區(qū)域或者非曝光區(qū)域，形成由上述感光性樹脂膜構(gòu)成的圖案。文檔編號(hào)G03F7/11GK101441418SQ200810174269公開日2009年5月27日申請(qǐng)日期2006年5月15日優(yōu)先權(quán)日2005年5月13日發(fā)明者伊藤信一,大西廉伸,松永健太郎,河村大輔申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝