專利名稱：光刻設(shè)備的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板及其制造工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻設(shè)備的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板及其制造工藝方法，且特別涉及一種可 提高對準(zhǔn)精度的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板及其制造工藝方法。
背景技術(shù)：
在工業(yè)裝置中，由于高精度和高產(chǎn)能的需要，分布著大量高速實時測量、 信號采樣、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)交換和通信傳輸?shù)鹊膫鞲衅餮b置和控制系統(tǒng)。這些 系統(tǒng)需要我們采用多種方式實現(xiàn)傳感器探測、信號采樣控制、數(shù)據(jù)采集控制、
數(shù)據(jù)交換控制和數(shù)據(jù)傳輸通信等的控制。有該控制需求的裝置包括集成電路 制造光刻裝置、平板顯示面板光刻裝置、MEMS/MOEMS光刻裝置、先進(jìn)封裝 光刻裝置、印刷電路板光刻裝置、印刷電路板加工裝置以及印刷電路板器件貼 裝裝置等。
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用于工件上的裝置。通常是將所需圖案應(yīng)用 于工件上的目標(biāo)部分上的裝置。光刻裝置能夠被用于例如集成電路(IC)的制 造。在這種情況下，掩才莫板;波用于生產(chǎn)在IC一個單獨層上形成的電路圖案，該 圖案被傳遞到工件(如硅晶片)的目標(biāo)部分，例如包括一部分， 一個或者多個 管芯上。通常是通過成像到工件上提供的一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上來按 比例復(fù)制所需圖像。已知的光刻設(shè)備還包括掃描器，運用輻射光束沿給定的方 向("掃描"方向)掃描所述圖案，并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步 掃描工件來輻照每一目標(biāo)部件。還通過將圖案壓印在工件上而將圖案通過構(gòu)圖 部件生成到工件上。
利用位于工件高度處的多個傳感器裝置來評估和優(yōu)化成像性能。這些傳感 器裝置包括空間圖案傳感器裝置(SIDU, Spatial Image Detecting Unit )、用于曝 光輻射劑量測量的能量傳感器裝置(EDU, Energy Detecting Unit)和測量使用的 集成樣丈透鏡干涉?zhèn)鞲衅餮b置(IMIDU, Integrating Microbeam InterferenceDetecting Unit )。
SIDU是一種在工件高度處測量空間圖像位置的傳感器裝置，該空間圖案是 在掩模高度處投射標(biāo)記圖案形成的。位于工件高度處的投射圖案通常是線條圖 案，其線寬與曝光輻射的波長相當(dāng)。當(dāng)SIDU利用投圖案來測量這些掩模圖案， 該投射圖案具有位于其下面的光電單元。傳感器裝置的數(shù)據(jù)被用來測量六個自 由度上掩模相對于基底臺的位置(三個平移自由度和三個旋轉(zhuǎn)自由度)，此外， 還被用于測量所投射的掩模的放大倍率。由于傳感器裝置能夠測量圖案位置和 所有照射設(shè)定5、透鏡數(shù)值孔徑NA、所有掩模，例如二元掩模(binaiymask)、 相移掩模PSM等的影響，因此小線寬是經(jīng)過優(yōu)化的。還使用SIDU來測量工具 的光學(xué)性能。能夠使用不同照射設(shè)定于不同投射圖案的結(jié)合來測量投射系統(tǒng)的 多種性質(zhì)，如光瞳形狀、球差、慧差、像散和場曲等。
IMIDU是一種對達(dá)到高階的透鏡像差進(jìn)行靜態(tài)測量的干涉波前測量系統(tǒng)。 IMIDU能夠通過用于系統(tǒng)初始化和校準(zhǔn)的集成測量系統(tǒng)來實現(xiàn)。
在以前的上述裝置中， 一般通過對準(zhǔn)基準(zhǔn)板或類似對準(zhǔn)基準(zhǔn)板這樣的結(jié)構(gòu) 來實現(xiàn)。對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上包括有反射型標(biāo)記和透射型標(biāo)記，其中反射型標(biāo)記用于 硅片對準(zhǔn)的基準(zhǔn)，透射型標(biāo)記用作掩模對準(zhǔn)的基準(zhǔn)。當(dāng)光刻對準(zhǔn)系統(tǒng)使用的是 DUV(深紫外)光源，則該輻射源以波長為248nm、 193nm的準(zhǔn)分子激光光源 為主，也使用157nm、 126nm的準(zhǔn)分子激光光源。此外，還有使用EUV (極紫 外)脈沖輻射源和X射線脈沖輻射源的對準(zhǔn)系統(tǒng)。如申請?zhí)枮?CN200710046955.0、 CN200710173575.3和CN200810038391.0的專利中所述的 傳感器由于是將調(diào)制用的探測圖案板與光i普及光電轉(zhuǎn)換的元件集成在一起，需 要使得傳感器上面的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板提高反射率，.將該對準(zhǔn)系統(tǒng)中的大部分的輻射 能量反射掉，避免形成熱膨脹，使得標(biāo)記區(qū)域變形，使得對準(zhǔn)系統(tǒng)對準(zhǔn)重復(fù)精 度性能得到提高。
在中國專利申請?zhí)枮? CN200610117228.4 、 CN200610118707.8 、 CN200610117227.X、 CN200610117988.5、 CN200710045580.6 、 CN200710045579.3、CN200710046957.X、CN200810036651.0、CN200810035404.9 和CN200810035405.3的專利中所描述的對準(zhǔn)系統(tǒng)中，需要在一定對準(zhǔn)波長范圍 內(nèi)，盡可能提高反射型標(biāo)記圖形的反射衍射能量，提高反射圖形照射和衍射成像裝置的衍射探測效率，因此，為了提高硅片對準(zhǔn)系統(tǒng)中反射圖形照射和衍射 成像裝置接收的衍射光信號，提高對準(zhǔn)光強信號的信噪比，從而保證對準(zhǔn)重復(fù) 精度，需要反射型標(biāo)記的槽深達(dá)到一定范圍。因此，需要對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的反射率
在較寬的光譜范圍內(nèi)保持高反射率，該光譜范圍為10納米至1200納米。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于需要提供光刻設(shè)備的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，并運 用這種結(jié)構(gòu)提供光刻設(shè)備中硅片對準(zhǔn)的目標(biāo)標(biāo)記和掩模對準(zhǔn)圖形的空間圖案進(jìn) 行調(diào)制，提供對準(zhǔn)基準(zhǔn)板在工件臺上精密安裝結(jié)構(gòu)，以及需要提供制造該對準(zhǔn) 基準(zhǔn)板上同時具有反射型對準(zhǔn)標(biāo)記和透射型對準(zhǔn)標(biāo)記的工藝方法，以提高透射 型標(biāo)記調(diào)制探測的穩(wěn)定性和精度，以及提高反射型標(biāo)記的衍射效率，更好地實 現(xiàn)光刻裝置中建立掩模對準(zhǔn)探測基準(zhǔn)和硅片對準(zhǔn)基準(zhǔn)之間的坐標(biāo)關(guān)系，從而提 高光刻設(shè)備的精度性能和效率。
為解決上迷技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，所 述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板置于光刻設(shè)備中工件基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn) 基準(zhǔn)，所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板包括
反射型標(biāo)記和透射型標(biāo)記，i殳置于所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)才反的頂面；
穴，設(shè)置于所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的底面； 所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板采用透明基底；
其中，所述反射型標(biāo)記的掩模薄膜的表面材料為高反射率光學(xué)材料薄膜， 或者為高反射率光學(xué)材料薄膜和透明材料的結(jié)構(gòu)。 進(jìn)一步的，所述高反射率光學(xué)材料薄膜為鋁薄膜。 進(jìn)一步的，所述反射型標(biāo)記的最小線寬為500納米~100微米。 進(jìn)一步的，所述透射型標(biāo)記的最小線寬為60納米~ IO微米。 進(jìn)一步的，所述光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)包括目標(biāo)構(gòu)圖部件、被光刻工件及其 對準(zhǔn)圖形、目標(biāo)構(gòu)圖部件上目標(biāo)構(gòu)形及其照射窗口和控制板、目標(biāo)構(gòu)圖部 件承載臺及其位置探測器、工件臺及其位置探測器、投影系統(tǒng)、置于工件臺中 的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板下方的對準(zhǔn)傳感器裝置、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上方的反射圖形照射和衍射成像裝置、對準(zhǔn)控制裝置，對準(zhǔn)傳感器裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間 用電纜連接，反射圖形照射和衍射成像裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間用光纜連接，
對準(zhǔn)控制裝置計算對準(zhǔn)掃描的對準(zhǔn)位置；
其中，該光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，用于將目標(biāo)構(gòu)形的輻射光束投射到工 件平面目標(biāo)區(qū)域，以形成輻射空間圖案。
進(jìn)一步的，所述反射型標(biāo)記用于生成反射圖形衍射光，所述透射形圖形用 于調(diào)制投影系統(tǒng)投射目標(biāo)構(gòu)形所成的輻射空間圖形。
進(jìn)一步的，所述反射型標(biāo)記的槽深為120納米-225納米，反射型標(biāo)記的槽 形結(jié)構(gòu)部分嵌入至對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透明基底中。
進(jìn)一步的，所述透射型標(biāo)記調(diào)制投影系統(tǒng)投射目標(biāo)構(gòu)形所成的空間圖 形的輻射信息，具有易于祐j笨測的調(diào)制特性，包括單峰值特性、多峰值特性、 谷值特性、幅值特性、相位特性、邊緣特性、圖案辨識特性或窗口特性中的一 個或多個特性的組合。
進(jìn)一步的，所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上的反射型標(biāo)記所生成的反射圖形衍射光，具 有易于被反射圖形照射和衍射成像裝置探測的調(diào)制特性，包括反射單峰值特性、 反射多峰值特性、反射谷值特性、衍射相位特性、反射邊緣特性、圖案辨識特 性或窗口特性中的一個或多個特性的組合。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了 一種制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法， 所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板置于光刻設(shè)備中工件基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對 準(zhǔn)基準(zhǔn)，所述制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法包括如下步驟
(1) 在二元掩模板上涂上光阻膠，掩模板的掩模阻擋層為金屬鉻薄膜，再進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置進(jìn)行透射型標(biāo)記圖形、反射型標(biāo)記圖形和套刻基準(zhǔn)標(biāo) 記圖形的曝光，并進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二 元掩模板透明基底與鉻薄膜界面處，然后除掉未被顯影的光阻膠；
(2) 在步驟(1)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(l)中光敏感特性相反的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，對整個透射型標(biāo)記區(qū)域及 其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影、硬烘烤，在透射型標(biāo)記區(qū)域及其周邊區(qū) 域形成遮蔽層；
(3) 在步驟(2)的基礎(chǔ)上，應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕方法在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對應(yīng)反射型標(biāo)記圖形下的透明基底刻蝕一定厚度的透明基底材料，所刻蝕的透明基底圖形與
反射型標(biāo)記圖形相對應(yīng)；
(4) 在步驟(3)的基礎(chǔ)上，將顯影好的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板生長高反射率光學(xué)材料薄膜， 最后去掉對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上顯影留下的光阻膠和附著在光阻膠上的高反射率光學(xué)材 料顆粒；
(5) 在步驟(4)的基礎(chǔ)上，在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透射標(biāo)記背面制造安裝光電探測器 陣列的盲孔和在工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法， 所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板置于光刻設(shè)備中工件基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對 準(zhǔn)基準(zhǔn)，所述制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法包括如下步驟
(1) 在二元掩模板上涂上光阻膠，掩模板的掩模阻擋層為金屬鉻薄膜，再進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置進(jìn)行透射型標(biāo)記圖形和套刻基準(zhǔn)標(biāo)記圖形的曝光，并 進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二元掩模板透明基底 與鉻薄膜界面處，然后除掉未被顯影的光阻膠；
(2) 在步驟(1)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(l)中光敏感特性相同的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，使用光刻裝置進(jìn)行反射型標(biāo)記圖形的曝光， 并進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二元掩模板透明基 底與鉻薄膜界面處，再應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕方法在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對應(yīng)反射型標(biāo)記圖 形下的透明基底刻蝕一定厚度的透明基底材料，所刻蝕的透明基底圖形與反射 型標(biāo)記圖形相對應(yīng)，然后除掉未被顯影的光阻膠；
(3) 在步驟(2)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(2)中光敏感特性相反的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，對整個透射型標(biāo)記區(qū)域及 其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影、硬烘烤，在透射型標(biāo)記區(qū)域及其周邊區(qū) 域形成遮蔽層；
(勺在步驟(3)的基礎(chǔ)上，將顯影好的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板生長高反射率光學(xué)材料薄膜， 最后去掉對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上顯影留下的光阻膠和附著在光阻膠上的高反射率光學(xué)材 料顆粒；
(5)在步驟(4)的基礎(chǔ)上，在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透射標(biāo)記背面制造安裝光電探測器 陣列的盲孔和在工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴。進(jìn)一步的，所述光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)包括目標(biāo)構(gòu)圖部件、被光刻工件及其 對準(zhǔn)圖形、目標(biāo)構(gòu)圖部件上目標(biāo)構(gòu)形及其照射窗口和控制板、目標(biāo)構(gòu)圖部 件承載臺及其位置探測器、工件臺及其位置探測器、投影系統(tǒng)、置于工件臺中 的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板下方的對準(zhǔn)傳感器裝置、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上方的反射圖 形照射和衍射成像裝置、對準(zhǔn)控制裝置，對準(zhǔn)傳感器裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間 用電纜連接，反射圖形照射和衍射成像裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間用光纜連接， 對準(zhǔn)控制裝置計算對準(zhǔn)掃描的對準(zhǔn)位置；
其中，該光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，用于將目標(biāo)構(gòu)形的輻射光束投射到工 件平面目標(biāo)區(qū)域，以形成輻射空間圖案。
進(jìn)一步的，所述二元掩模板上的金屬鉻薄膜厚度與所刻蝕的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板透 明基底材料厚度之和為反射圖形照射和衍射成像裝置中照射激光的四分之一波 長。
進(jìn)一步的，所述高反射率光學(xué)材料薄膜為鋁薄膜。
進(jìn)一步的，對于深紫外光刻裝置和極紫外光刻裝置，步驟(l)中所使用光阻 膠的光敏感特性為正性光阻膠，對于電子束光刻裝置，步驟(l)中所使用光阻膠 的光敏感特性為負(fù)性光阻膠。
本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu) 點和積+及效果
1. 本發(fā)明通過刻蝕掩模板透明基底層，增加反射型標(biāo)記的槽深，實現(xiàn)了反射 型標(biāo)記反射的衍射效率提高，從而提高反射圖形照射和衍射成像裝置的探測信 號，提高對準(zhǔn)信號探測的信噪比，提高對準(zhǔn)精度；
2. 本發(fā)明通過鋁金屬薄膜鍍層，通過在反射型標(biāo)記區(qū)域鍍上高反射率光學(xué)材 料薄膜，增加了反射型標(biāo)記區(qū)域?qū)θ肷涔獾姆瓷渎剩瑢崿F(xiàn)了反射型標(biāo)記反射的 衍射效率提高，從而提高反射圖形照射和衍射成像裝置的探測信噪比，提高對 準(zhǔn)信號探測的信噪比，提高對準(zhǔn)精度。


通過以下對本發(fā)明的具體實施例結(jié)合其附圖的描述，能夠進(jìn)一步理解其發(fā) 明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點。其中，附圖為圖1為應(yīng)用本發(fā)明較佳實施例的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示 意圖。
圖2為本發(fā)明較佳實施例的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3a~圖3k為本發(fā)明較佳實施例的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的第一種制造工藝方法流程圖。
圖4a-圖4o為本發(fā)明較佳實施例的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的第二種制造工藝方法流程圖。
具體實施例方式
請參考圖1,圖1為應(yīng)用本發(fā)明較佳實施例的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的光刻設(shè)備對準(zhǔn)系 統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。目標(biāo)構(gòu)圖部件4上具有目標(biāo)構(gòu)形(包括曝光構(gòu)形和 對準(zhǔn)構(gòu)形5 )。被光刻工件9包括硅片，目標(biāo)構(gòu)形照射窗口 2及其控制 板3，用于形成窗口將輻射1透射到對準(zhǔn)構(gòu)形5上，以形成透射像；投影系 統(tǒng)8用于將該透射像投射形成空間像，并用工件臺對準(zhǔn)標(biāo)記11探測該空間像； 光刻設(shè)備的傳感器裝置12用于檢測空間像經(jīng)過工件臺上傳感器裝置12的對準(zhǔn) 基準(zhǔn)板上的對準(zhǔn)標(biāo)記11透射后的輻射信息；目標(biāo)構(gòu)圖部件承載臺位置探測器7 和工件臺位置探測器13分別探測對準(zhǔn)掃描過程中的目標(biāo)構(gòu)圖部件承載臺6和工 件臺10的空間位置，在對準(zhǔn)控制裝置16中的對準(zhǔn)掃描同步控制器的控制下， 還同步測量得到傳感器裝置12中的輻射信息；或者通過反射圖形照射和衍射成 像裝置15掃描硅片標(biāo)記14，在對準(zhǔn)控制裝置16中的對準(zhǔn)掃描同步控制器的控 制下，探測工件臺10的空間位置信息和經(jīng)過反射圖形照射和衍射成像裝置15 獲得的光輻射信息。進(jìn)行對準(zhǔn)掃描，將探測到的所有空間位置信息和光輻射信 息采集到對準(zhǔn)控制裝置16中，并計算得到對準(zhǔn)位置。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例作進(jìn)一 步的詳細(xì)描述。 圖2為本發(fā)明較佳實施例的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1和圖2所示， 對準(zhǔn)基準(zhǔn)板被置于光刻設(shè)備中工件9基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對 準(zhǔn)基準(zhǔn)，實現(xiàn)目標(biāo)構(gòu)形'5所成空間像與對準(zhǔn)基準(zhǔn)板之間的對準(zhǔn)，同時實現(xiàn) 對準(zhǔn)基準(zhǔn)板與反射圖形照射和衍射成像裝置15之間的對準(zhǔn)，光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng) 包括目標(biāo)構(gòu)圖部件4、被光刻工件9及其對準(zhǔn)圖形14、目標(biāo)構(gòu)圖部件4上目標(biāo)構(gòu)形5及其照射窗口 2和控制板3、目標(biāo)構(gòu)圖部件承載臺6及其位置探測 器7、工件臺10及其位置探測器13、投影系統(tǒng)8、置于工件臺IO中的對準(zhǔn)基準(zhǔn) 板、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板下方的對準(zhǔn)傳感器裝置12、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上方的反射圖形照射和 衍射成像裝置15、對準(zhǔn)控制裝置16,對準(zhǔn)傳感器裝置12與對準(zhǔn)控制裝置16之 間用電纜連接，反射圖形照射和衍射成像裝置15與對準(zhǔn)控制裝置16之間用光 纜連接，對準(zhǔn)控制裝置計算對準(zhǔn)掃描的對準(zhǔn)位置；該光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)8，用 于將目標(biāo)構(gòu)形的輻射光束投射到工件平面目標(biāo)區(qū)域，以形成輻射空間圖案。
在所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的頂面同時包含反射型標(biāo)記200和透射型標(biāo)記300,反射 型標(biāo)記200被用于生成反射圖形衍射光，在反射型標(biāo)記200掩模薄膜之上的表 面材料為高反射率光學(xué)材料薄膜，或者為高反射率光學(xué)材料薄膜和透明材料， 透明材料在高反射率光學(xué)材料薄膜的上表面，所述高反射率光學(xué)材料薄膜可為 鋁薄膜。透射形圖形300被用于調(diào)制投影系統(tǒng)投射目標(biāo)構(gòu)形所成的輻射空 間圖形；反射型標(biāo)記200的最小線寬在500納米至100孩史米之間，反射型標(biāo)記 200槽深為120納米至225納米之間，反射型標(biāo)記200的槽形結(jié)構(gòu)部分嵌入至對 準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透明基底100中，透射型標(biāo)記300的最小線寬在60納米至10微米 之間；在所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的底面包含用于安裝光電探測器陣列的盲孔120和在 工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴110。
所述透射型標(biāo)記300調(diào)制投影系統(tǒng)8投射目標(biāo)構(gòu)形5所成的空間圖形 所成的輻射信息，具有易于被探測的調(diào)制特性，包括單峰值特性、多峰值特性、 谷值特性、幅值特性、相位特性、邊緣特性、圖案辨識特性或窗口特性中的一 個或多個特性的組合。所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上的反射型標(biāo)記200被用于生成反射圖 形衍射光，具有易于被反射圖形照射和衍射成像裝置探測的調(diào)制特性，包括反 射單峰值特性、反射多峰值特性、反射谷值特性、衍射相位特性、反射邊緣特 性、圖案辨識特性或窗口特性中的一個或多個特性的組合。
下面結(jié)合圖1和圖3a~圖3k對本發(fā)明較佳實施例的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的制造工藝 方法進(jìn)行描述。 一種制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，對準(zhǔn)基準(zhǔn)板被置于光刻設(shè)備 中工件9基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn)基準(zhǔn)，實現(xiàn)目標(biāo)構(gòu)形5 所成空間像與對準(zhǔn)基準(zhǔn)板之間的對準(zhǔn)，同時實現(xiàn)對準(zhǔn)基準(zhǔn)板與反射圖形照射和 衍射成像裝置15之間的對準(zhǔn)，光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)包括目標(biāo)構(gòu)圖部件4、被光刻工件9及其對準(zhǔn)圖形14、目標(biāo)構(gòu)圖部件4上目標(biāo)構(gòu)形5及其照射窗口 2 和控制板3、目標(biāo)構(gòu)圖部件承載臺6及其位置探測器7、工件臺IO及其位置探 測器13、投影系統(tǒng)8、置于工件臺10中的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板下方的對準(zhǔn) 傳感器裝置12、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上方的反射圖形照射和衍射成像裝置15、對準(zhǔn)控制 裝置16，對準(zhǔn)傳感器裝置12與對準(zhǔn)控制裝置16之間用電纜連接，反射圖形照 射和衍射成像裝置15與對準(zhǔn)控制裝置16之間用光纜連接，對準(zhǔn)控制裝置計算 對準(zhǔn)掃描的對準(zhǔn)位置；該光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)8，用于將目標(biāo)構(gòu)形的輻射光 束投射到工件平面目標(biāo)區(qū)域，以形成輻射空間圖案，制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方 法包括如下步驟
(1) 在二元掩模板上涂上光阻膠，掩模板的掩模阻擋層為金屬鉻薄膜，再進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置進(jìn)行透射型標(biāo)記圖形、反射型標(biāo)記圖形和套刻基準(zhǔn)標(biāo) 記圖形的曝光，并進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二 元掩模板透明基底與鉻薄膜界面處，然后除掉未被顯影的光阻膠(圖3a~圖3e );
(2) 在步驟(1)的J^出上，再次涂上與步驟(l)中光敏感特性相反的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，對整個透射型標(biāo)記區(qū)域及 其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影、硬烘烤，在透射型標(biāo)記區(qū)域及其周邊區(qū) 域形成遮蔽層(圖3f 圖3h);
(3) 在步驟(2)的基礎(chǔ)上，應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)方法在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對應(yīng)反 射型標(biāo)記圖形下的透明基底刻蝕一定厚度的透明基底材料，所刻蝕的透明基底 圖形與反射型標(biāo)記圖形相對應(yīng)(圖3i);
(4) 在步驟(3)的基礎(chǔ)上，將顯影好的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板生長高反射率光學(xué)材料薄膜， 最后去掉對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上顯影留下的光阻膠和附著在光阻膠上的高反射率光學(xué)材 料顆粒(圖3j 圖3k);
(5) 在步驟(4)的勤出上，在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透射標(biāo)記背面制造安裝光電探測器 陣列的盲孔和在工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴(圖中未示)。
所述二元掩模板上的金屬鉻薄膜厚度與所刻蝕的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板透明基底材料 厚度之和為反射圖形照射和衍射成像裝置中照射激光的四分之一波長，典型地 高反射率光學(xué)材料薄膜為高純鋁薄膜，純度超過99.996% 。
對于DUV光刻裝置和EUV光刻裝置，所述步驟(l)中所使用光阻膠的光每文感特性為正性光阻膠，對于電子束光刻裝置，所述步驟(l)中所使用光阻膠的光 敏感特性為負(fù)性光阻膠。
下面結(jié)合圖1和圖4a~圖4o對本發(fā)明的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的制造工藝方法進(jìn)行描 述。 一種制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，對準(zhǔn)基準(zhǔn)板被置于光刻設(shè)備中工件9基 準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn)基準(zhǔn)，實現(xiàn)目標(biāo)構(gòu)形5所成空間 像與對準(zhǔn)基準(zhǔn)板之間的對準(zhǔn)，同時實現(xiàn)對準(zhǔn)基準(zhǔn)板與反射圖形照射和衍射成像 裝置15之間的對準(zhǔn)，光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)包括目標(biāo)構(gòu)圖部件4、被光刻工件9 及其對準(zhǔn)圖形14、目標(biāo)構(gòu)圖部件4上目標(biāo)構(gòu)形5及其照射窗口 2和控制板 3、目標(biāo)構(gòu)圖部件承載臺6及其位置探測器7、工件臺10及其位置探測器13、 投影系統(tǒng)8、置于工件臺IO中的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板下方的對準(zhǔn)傳感器裝 置12、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上方的反射圖形照射和衍射成像裝置15、對準(zhǔn)控制裝置16, 對準(zhǔn)傳感器裝置12與對準(zhǔn)控制裝置16之間用電纜連接，反射圖形照射和衍射 成像裝置15與對準(zhǔn)控制裝置16之間用光纜連接，對準(zhǔn)控制裝置計算對準(zhǔn)掃描 的對準(zhǔn)位置；該光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)8，用于將目標(biāo)構(gòu)形的輻射光束投射到 工件平面目標(biāo)區(qū)域，以形成輻射空間圖案，制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法包括如 下步驟
(1) 在二元掩模板上涂上光阻膠，掩模板的掩模阻擋層為金屬鉻薄膜，再進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置進(jìn)行透射型標(biāo)記圖形和套刻基準(zhǔn)標(biāo)記圖形的曝光，并 進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二元掩模板透明基底 與鉻薄膜界面處，然后除掉未被顯影的光阻膠(圖4a~圖4e);
(2) 在步驟(l)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(l)中光敏感特性相同的光阻膠， 進(jìn)行軟烘烤，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，使用光刻裝置進(jìn)行反射型標(biāo)記圖形的曝 光，并進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二元掩沖莫板透 明基底與鉻薄膜界面處，再應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)方法在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對應(yīng)反射 型標(biāo)記圖形下的透明基底刻蝕一定厚度的透明基底材料，所刻蝕的透明基底圖 形與反射型標(biāo)記圖形相對應(yīng)，然后除掉未被顯影的光阻膠(圖4f ~圖4j );
(3) 在步驟(2)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(2)中光敏感特性相反的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，對整個透射型榜記區(qū)域及 其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影、硬烘烤，在透射型標(biāo)記區(qū)域及其周邊區(qū)域形成遮蔽層(圖4k~圖4m);
(4) 在步驟(3)的基礎(chǔ)上，將顯影好的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板生長高反射率光學(xué)材料薄膜， 最后去掉對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上顯影留下的光阻膠和附著在光阻膠上的高反射率光學(xué)材 料顆粒(圖4n ~圖4o);
(5) 在步驟(4)的基礎(chǔ)上，在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透射標(biāo)記背面制造安裝光電探測器 陣列的盲孔和在工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴(圖中未示)。
所述二元掩模板上的金屬鉻薄膜厚度與所刻蝕的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板透明基底材料 厚度之和為反射圖形照射和衍射成像裝置中照射激光的四分之一波長，典型地 高反射率光學(xué)材料薄膜為高純鋁薄膜，純度超過99.996% 。
對于DUV光刻裝置和EUV光刻裝置，所述步驟(l)中所使用光阻膠的光敏 感特性為正性光阻膠，對于電子束光刻裝置，所述步驟(l)中所使用光阻膠的光 敏感特性為負(fù)性光阻膠。
綜上所述，本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具 有以下的優(yōu)點和積才及效果
1. 本發(fā)明通過刻蝕掩模板透明基底層，增加反射型標(biāo)記的槽深，實現(xiàn)了反射 型標(biāo)記反射的衍射效率提高，從而提高反射圖形照射和衍射成像裝置的探測信 號，提高對準(zhǔn)信號探測的信噪比，提高對準(zhǔn)精度；
2. 本發(fā)明通過鋁金屬薄膜鍍層，通過在反射型標(biāo)記區(qū)域鍍上高反射率光學(xué)材 料薄膜，增加了反射型標(biāo)記區(qū)域?qū)θ肷涔獾姆瓷渎剩瑢崿F(xiàn)了反射型標(biāo)記反射的 衍射效率提高，從而提高反射圖形照射和衍射成像裝置的探測信噪比，提高對 準(zhǔn)信號探測的信噪比，提高對準(zhǔn)精度。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改， 因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板置于光刻設(shè)備中工件基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn)基準(zhǔn)，其特征在于所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板包括反射型標(biāo)記和透射型標(biāo)記，設(shè)置于所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的頂面；用于安裝光電探測器陣列的盲孔和在工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴，設(shè)置于所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的底面；所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板采用透明基底；其中，所述反射型標(biāo)記的掩模薄膜的表面材料為高反射率光學(xué)材料薄膜，或者為高反射率光學(xué)材料薄膜和透明材料的結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述高反射率光學(xué) 材料薄膜為鋁薄膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射型標(biāo)記的 最小線寬為500納米~ 100微米。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述透射型標(biāo)記的 最小線寬為60納米~ 10微米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述光刻設(shè)備對準(zhǔn) 系統(tǒng)包括目標(biāo)構(gòu)圖部件、被光刻工件及其對準(zhǔn)圖形、目標(biāo)構(gòu)圖部件上目標(biāo)構(gòu) 形及其照射窗口和控制板、目標(biāo)構(gòu)圖部件承載臺及其位置探測器、工件臺 及其位置探測器、投影系統(tǒng)、置于工件臺中的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板下方的 對準(zhǔn)傳感器裝置、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上方的反射圖形照射和衍射成像裝置、對準(zhǔn)控制 裝置，對準(zhǔn)傳感器裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間用電纜連接，反射圖形照射和衍射 成像裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間用光纜連接，對準(zhǔn)控制裝置計算對準(zhǔn)掃描的對準(zhǔn) 位置；其中，該光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，用于將目標(biāo)構(gòu)形的輻射光束投射到工 件平面目標(biāo)區(qū)域，以形成輻射空間圖案。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射型標(biāo)記用 于生成反射圖形衍射光，所述透射形圖形用于調(diào)制投影系統(tǒng)投射目標(biāo)構(gòu)形 所成的輻射空間圖形。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射型標(biāo)記的 槽深為120納米~ 225納米，反射型標(biāo)記的槽形結(jié)構(gòu)部分嵌入至對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透 明基底中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述透射型標(biāo)記調(diào) 制投影系統(tǒng)投射目標(biāo)構(gòu)形所成的空間圖形的輻射信息，具有易于被探測的 調(diào)制特性，包括單峰值特性、多峰值特性、谷值特性、幅值特性、相位特性、 邊緣特性、圖案辨識特性或窗口特性中的一個或多個特性的組合。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上 的反射型標(biāo)記所生成的反射圖形衍射光，具有易于被反射圖形照射和衍射成像 裝置探測的調(diào)制特性，包括反射單峰值特性、反射多峰值特性、反射谷值特性、 衍射相位特性、反射邊緣特性、圖案辨識特性或窗口特性中的一個或多個特性 的組合。
10. —種制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板置于光刻設(shè)備中工件 基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn)基準(zhǔn)，其特征在于所述制造對準(zhǔn)基 準(zhǔn)板的工藝方法包括如下步驟(1) 在二元掩模板上涂上光阻膠，掩模板的掩模阻擋層為金屬鉻薄膜，再進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置進(jìn)行透射型標(biāo)記圖形、反射型標(biāo)記圖形和套刻基準(zhǔn)標(biāo) 記圖形的曝光，并進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二 元掩模板透明基底與鉻薄膜界面處，然后除掉未被顯影的光阻膠；(2) 在步驟(1)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(l)中光敏感特性相反的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，對整個透射型標(biāo)記區(qū)域及 其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影、硬烘烤，在透射型標(biāo)記區(qū)域及其周邊區(qū) 域形成遮蔽層；(3) 在步驟(2)的基礎(chǔ)上，應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕方法在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對應(yīng)反射型標(biāo) 記圖形下的透明基底刻蝕一定厚度的透明基底材料，所刻蝕的透明基底圖形與 反射型標(biāo)記圖形相對應(yīng)；(4) 在步驟(3)的基礎(chǔ)上，將顯影好的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板生長高反射率光學(xué)材料薄膜， 最后去掉對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上顯影留下的光阻膠和附著在光阻膠上的高反射率光學(xué)材 料顆粒；(5)在步驟(4)的基礎(chǔ)上，在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透射標(biāo)記背面制造安裝光電探測器 陣列的盲孔和在工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴。
11. 一種制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板置于光刻設(shè)備中工件 基準(zhǔn)高度處，作為光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn)基準(zhǔn)，其特征在于所述制造對準(zhǔn)基 準(zhǔn)板的工藝方法包括如下步驟(1) 在二元掩模板上涂上光阻膠，掩模板的掩模阻擋層為金屬鉻薄膜，再進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置進(jìn)行透射型標(biāo)記圖形和套刻基準(zhǔn)標(biāo)記圖形的曝光，并 進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二元掩模板透明基底 與鉻薄膜界面處，然后除掉未被顯影的光阻膠；(2) 在步驟(1)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(l)中光敏感特性相同的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，使用光刻裝置進(jìn)行反射型標(biāo)記圖形的曝光， 并進(jìn)行顯影、硬烘烤，對已顯影區(qū)域進(jìn)行鉻薄膜刻蝕，直到二元掩模板透明基 底與鉻薄膜界面處，再應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕方法在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對應(yīng)反射型標(biāo)記圖 形下的透明基底刻蝕一定厚度的透明基底材料，所刻蝕的透明基底圖形與反射 型標(biāo)記圖形相對應(yīng)，然后除掉未被顯影的光阻膠；(3) 在步驟(2)的基礎(chǔ)上，再次涂上與步驟(2)中光敏感特性相反的光阻膠，進(jìn) 行軟烘烤，使用光刻裝置，以套刻基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，對整個透射型標(biāo)記區(qū)域及 其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影、硬烘烤，在透射型標(biāo)記區(qū)域及其周邊區(qū) 域形成遮蔽層；(4) 在步驟(3)的基礎(chǔ)上，將顯影好的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板生長高反射率光學(xué)材料薄膜， 最后去掉對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上顯影留下的光阻膠和附著在光阻膠上的高反射率光學(xué)材 料顆粒；(5) 在步驟(4)的基礎(chǔ)上，在對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透射標(biāo)記背面制造安裝光電探測器 陣列的盲孔和在工件臺上固定對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的磁塊安裝穴。
12, 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，其特征在于 所述光刻設(shè)備對準(zhǔn)系統(tǒng)包括目標(biāo)構(gòu)圖部件、被光刻工件及其對準(zhǔn)圖形、目標(biāo) 構(gòu)圖部件上目標(biāo)構(gòu)形及其照射窗口和控制板、目標(biāo)構(gòu)圖部件承載臺及其位 置探測器、工件臺及其位置探測器、投影系統(tǒng)、置于工件臺中的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板、 對準(zhǔn)基準(zhǔn)板下方的對準(zhǔn)傳感器裝置、對準(zhǔn)基準(zhǔn)板上方的反射圖形照射和衍射成像裝置、對準(zhǔn)控制裝置，對準(zhǔn)傳感器裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間用電纜連接，反 射圖形照射和衍射成像裝置與對準(zhǔn)控制裝置之間用光纜連接，對準(zhǔn)控制裝置計算對準(zhǔn)掃描的對準(zhǔn)位置；其中，該光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，用于將目標(biāo)構(gòu)形的輻射光束投射到工 件平面目標(biāo)區(qū)域，以形成輻射空間圖案。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，其特征在于 所述二元掩模板上的金屬鉻薄膜厚度與所刻蝕的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板透明基底材料厚度 之和為反射圖形照射和衍射成像裝置中照射激光的四分之一波長。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，其特征在于 所述高反射率光學(xué)材料薄膜為鋁薄膜。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制造對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的工藝方法，其特征在于 對于深紫外光刻裝置和極紫外光刻裝置，步驟(l)中所使用光阻膠的光敏感特性 為正性光阻膠，對于電子束光刻裝置，步驟(l)中所使用光阻膠的光敏感特性為 負(fù)性光阻膠。
全文摘要
本發(fā)明公開了光刻設(shè)備的對準(zhǔn)基準(zhǔn)板及其制造工藝方法，所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的頂面同時包含反射型圖形和透射型圖形，反射型圖形被用于生成反射圖形衍射光，在反射型圖形掩模薄膜之上的表面材料為高反射率光學(xué)材料薄膜，或者為高反射率光學(xué)材料薄膜和透明材料，透明材料在高反射率光學(xué)材料薄膜的上表面，透射形圖形被用于調(diào)制投影系統(tǒng)投射目標(biāo)構(gòu)形所成的輻射空間圖形；所述對準(zhǔn)基準(zhǔn)板制造工藝，通過刻蝕對準(zhǔn)基準(zhǔn)板的透明基底，增加反射型標(biāo)記的槽深，并增加了反射型標(biāo)記區(qū)域?qū)θ肷涔獾姆瓷渎?，實現(xiàn)了反射型標(biāo)記反射的衍射效率提高，從而提高反射圖形照射和衍射成像裝置的探測信號，提高對準(zhǔn)信號探測的信噪比，提高對準(zhǔn)精度。
文檔編號G03F1/42GK101576714SQ200910052800
公開日2009年11月11日 申請日期2009年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月9日
發(fā)明者宋海軍, 徐榮偉, 李煥煬 申請人:上海微電子裝備有限公司