專利名稱：測試系統(tǒng)的制作方法
測試系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及測試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種能降低測試成本的測試系統(tǒng)。背景技術(shù)：
液晶顯示裝置主要包括一液晶面板以及一背光模塊。所述液晶面板包括一薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)基板、一彩色濾光片(Color Filter,CF)基板以及一設(shè)置于所述薄膜晶體管基板與所述彩色濾光片基板之間的液晶層。在高分子聚合物穩(wěn)定型垂直配向(Polymer Stabilization Vertical Align, PSVA)制程、陣列制程(array process)、組立制程(cell process)或其它制程中，必須對薄膜晶體管基板進(jìn)行測試，檢查薄膜晶體管基板上的元件例如薄膜晶體管是否功能正常。請參閱圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)中測試系統(tǒng)的示意圖。測試系統(tǒng)包括一探針框架(probe frame) 10、若干個探針12以及一薄膜晶體管基板(Thin Film Transistor, TFT) 14。所述探針12是設(shè)置于所述探針框架10上且由具彈性的金屬材質(zhì)制成。在測試之前，必須先在薄膜晶體管基板上制作若干個焊墊Pl P5，將需要輸入信號的元件(未圖示)分別電性連接至所述焊墊Pl P5，進(jìn)行測試時，將所述探針框架10的探針12與對應(yīng)的焊墊Pl P5 對齊并接觸，檢查薄膜晶體管基板14上的元件是否功能正常。然而所述探針框架10的探針12與對應(yīng)的焊墊Pl P 5對齊時可能會產(chǎn)生對位誤差或所述探針12長期使用導(dǎo)致無法完全彈性恢復(fù)而造成長度不同，造成所述探針12與對應(yīng)的焊墊Pl P5接觸不良，使得測試結(jié)果有誤。為了改善上述接觸不良的問題，請參閱圖2，其為現(xiàn)有技術(shù)中另一種測試系統(tǒng)的示意圖。與圖1的測試系統(tǒng)不同的是圖2的測試系統(tǒng)包括焊墊Pl P5及ΡΓ P5’，所述焊墊Pl P5分別與所述焊墊ΡΓ P5’電性連接，亦即圖2的焊墊數(shù)量為圖1的焊墊數(shù)量的兩倍。以所述焊墊Pl與ΡΓ為例，進(jìn)行測試時，可任意地選擇所述焊墊Pl與ΡΓ的其中一者來施加測試信號，通過對所述焊墊Pl與ΡΓ的另一者進(jìn)行偵測來判斷有無接觸不良的問題，當(dāng)判斷有接觸不良的問題時，調(diào)整所述探針框架10的探針12與對應(yīng)的焊墊Pl P5 及ΡΓ P5’的對位或是調(diào)整薄膜晶體管基板14的位置。然而圖2的測試系統(tǒng)的焊墊數(shù)量及探針數(shù)量是圖1的測試系統(tǒng)的焊墊數(shù)量及探針數(shù)量的兩倍，增加測試系統(tǒng)的成本及薄膜晶體管基板14上電路配置的復(fù)雜度。因此，需要對上述現(xiàn)有測試系統(tǒng)的問題提出解決方法。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目的在于提供一種測試系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中測試系統(tǒng)的成本過高及電路配置復(fù)雜的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種測試系統(tǒng)，包括一薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括若干個薄膜晶體管以及若干個連接焊墊，各薄膜晶體管包括一第一電極、 一第二電極以及一第三電極，所述薄膜晶體管基板還包括一測試焊墊，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的其中一者電性連接至這些連接焊墊的其中一者，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的另一者以及所述第三電極電性連接至所述測試焊墊。在本發(fā)明的測試系統(tǒng)中，所述測試系統(tǒng)還包括若干個探針，這些探針分別對應(yīng)地與這些連接焊墊及所述測試焊墊接觸。在本發(fā)明的測試系統(tǒng)中，將一測試信號經(jīng)由與所述測試焊墊接觸的探針施加至所述測試焊墊，通過分別偵測這些連接焊墊是否具有所述測試信號來判斷這些連接焊墊與對應(yīng)的探針是否接觸不良。在本發(fā)明的測試系統(tǒng)中，所述第一電極為源極，所述第二電極為漏極，所述第三電極為閘極。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種測試系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中測試系統(tǒng)的成本過高及電路配置復(fù)雜的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種測試系統(tǒng)，包括一薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括若干個薄膜晶體管以及若干個連接焊墊，各薄膜晶體管包括一第一電極、 一第二電極以及一第三電極，所述薄膜晶體管基板還包括一第一測試焊墊以及一第二測試焊墊，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的其中一者電性連接至所述第一測試焊墊，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的另一者電性連接至這些連接焊墊的其中一者，各薄膜晶體管的第三電極電性連接至所述第二測試焊墊。在本發(fā)明的測試系統(tǒng)中，所述測試系統(tǒng)還包括若干個探針，這些探針分別對應(yīng)地與這些連接焊墊、所述第一測試焊墊及所述第二測試焊墊接觸。在本發(fā)明的測試系統(tǒng)中，將一第一測試信號經(jīng)由與所述第一測試焊墊接觸的探針施加至所述第一測試焊墊，將一第二測試信號經(jīng)由與所述第二測試焊墊接觸的探針施加至所述第二測試焊墊，通過分別偵測這些連接焊墊是否具有所述第一測試信號來判斷這些連接焊墊與對應(yīng)的探針是否接觸不良。在本發(fā)明的測試系統(tǒng)中，所述第一電極為源極，所述第二電極為漏極，所述第三電極為閘極。本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中測試系統(tǒng)的成本過高及電路配置復(fù)雜的問題。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中測試系統(tǒng)的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中另一種測試系統(tǒng)的示意圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例中測試系統(tǒng)的示意圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明另一較佳實(shí)施例中測試系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。
請參閱圖3，其為根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例中測試系統(tǒng)的示意圖。所述測試系統(tǒng)包括一薄膜晶體管基板30，所述薄膜晶體管基板30包括若干個薄膜晶體管Tl T5、若干個連接焊墊Rl R5以及一測試焊墊TP。各薄膜晶體管Tl T5包括一第一電極、一第二電極以及一第三電極。于本實(shí)施例中，所述第一電極為源極S(S0urce)， 所述第二電極為漏極D(Clrain),所述第三電極為閘極G(gate)。薄膜晶體管Tl T5為所述薄膜晶體管基板30上需要測試的元件。本發(fā)明的測試系統(tǒng)中，各薄膜晶體管Tl T5的漏極D對應(yīng)地電性連接至所述連接焊墊Rl R5，各薄膜晶體管Tl T5的源極S及閘極G電性連接至所述測試焊墊TP。所述測試系統(tǒng)還包括若干個探針31 36，所述探針31 35分別對應(yīng)地與所述連接焊墊Rl R5接觸，所述探針36與所述測試焊墊TP接觸。判斷所述焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35是否接觸不良的過程如下。首先將一測試信號經(jīng)由與所述測試焊墊TP接觸的探針36施加至所述測試焊墊TP，通過分別偵測與所述探針31 35接觸的所述連接焊墊Rl R5是否具有所述測試信號來判斷所述連接焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35是否接觸不良。所述測試信號例如是10伏特的直流電壓，通過分別偵測所述連接焊墊Rl R5是否等于10伏特來判斷所述連接焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35是否接觸不良。例如所述連接焊墊Rl未偵測到10伏特時，表示所述連接焊墊Rl與對應(yīng)的探針31接觸不良，因此需要重新調(diào)整所述焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35的對位或是重新調(diào)整薄膜晶體管基板30的位置。確認(rèn)所述焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35接觸良好后，后續(xù)制程例如高分子聚合物穩(wěn)定型垂直配向制程、陣列制程、組立制程或其它制程中對薄膜晶體管Tl T5的測試結(jié)果才能確保無誤。于本實(shí)施例中，各薄膜晶體管Tl T5的漏極D分別對應(yīng)地電性連接至所述連接焊墊Rl R5，各薄膜晶體管Tl T5的閘極G以及源極S電性連接至所述測試焊墊TP。要注意的是，由于各薄膜晶體管Tl T5的漏極D以及源極S可根據(jù)施加的測試信號而對調(diào)使用，因此于另一實(shí)施例中，可以將各薄膜晶體管Tl T5的源極S分別對應(yīng)地電性連接至所述連接焊墊R 1 R5，將各薄膜晶體管Tl T5的閘極G以及漏極D電性連接至所述測試焊墊TP，也可達(dá)成等同于圖3的功能。請參閱圖4，其為根據(jù)本發(fā)明另一較佳實(shí)施例中測試系統(tǒng)的示意圖。所述測試系統(tǒng)包括一薄膜晶體管基板40，所述薄膜晶體管基板40包括若干個薄膜晶體管Tl T5、若干個連接焊墊Rl R5、一第一測試焊墊TPl以及一第二測試焊墊TP2。 所述薄膜晶體管Tl T5及所述連接焊墊Rl R5與圖3相同，各薄膜晶體管Tl T5的漏極D對應(yīng)地電性連接至所述連接焊墊Rl R5也與圖3相同，此不多加贅述。各薄膜晶體管Tl T5為所述薄膜晶體管基板40上需要測試的元件。圖3與圖4的不同處在于圖4的薄膜晶體管基板40包括兩個測試焊墊，即所述第一測試焊墊TPl以及所述第二測試焊墊TP2，且所述薄膜晶體管Tl T5的間極G、源極S 與所述第一測試焊墊TPl以及所述第二測試焊墊TP2的電性連接也與圖3不同。如圖4所示，各薄膜晶體管Tl T5的源極S電性連接至所述第一測試焊墊TP1， 各薄膜晶體管Tl T5的間極G電性連接至所述第二測試焊墊TP2。
所述測試系統(tǒng)還包括若干個探針31 35及46 47，所述探針31 35與圖3相同，分別對應(yīng)地與所述連接焊墊Rl R5接觸，所述探針46與所述第一測試焊墊TPl接觸， 所述探針47與所述第二測試焊墊TP2接觸。判斷所述焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35是否接觸不良的過程如下。首先將一第一測試信號經(jīng)由與所述第一測試焊墊TPl接觸的探針46施加至所述第一測試焊墊 TP1，將一第二測試信號經(jīng)由與所述第二測試焊墊TP2接觸的探針47施加至所述第二測試焊墊TP2，通過分別偵測與所述探針31 35接觸的所述連接焊墊Rl R5是否具有所述第一測試信號來判斷所述連接焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35是否接觸不良。舉例來說，所述第一測試信號是10伏特的直流電壓，所述第二測試信號是5伏特的直流電壓，通過分別偵測所述連接焊墊Rl R5是否等于10伏特來判斷所述連接焊墊 Rl R5與對應(yīng)的探針31 35是否接觸不良。例如所述連接焊墊R2未偵測到10伏特時， 表示所述連接焊墊R2與對應(yīng)的探針32接觸不良，因此需要重新調(diào)整所述焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35的對位或是重新調(diào)整薄膜晶體管基板40的位置。確認(rèn)所述焊墊Rl R5與對應(yīng)的探針31 35接觸良好后，后續(xù)制程例如高分子聚合物穩(wěn)定型垂直配向制程、陣列制程、組立制程或其它制程中對薄膜晶體管Tl T5的測試結(jié)果才能確保無誤。于本實(shí)施例中，各薄膜晶體管Tl T5的漏極D分別對應(yīng)地電性連接至所述連接焊墊Rl R5，各薄膜晶體管Tl T5的源極S電性連接至所述第一測試焊墊TP1，各薄膜晶體管Tl T5的閘極G電性連接至所述第二測試焊墊TP2。要注意的是，由于各薄膜晶體管Tl T5的漏極D以及源極S可根據(jù)施加的測試信號而對調(diào)使用，因此于另一實(shí)施例中， 可以將各薄膜晶體管Tl T5的源極S對應(yīng)地電性連接至所述連接焊墊Rl R5，各薄膜晶體管Tl T5的漏極D電性連接至所述第一測試焊墊TPl，各薄膜晶體管Tl T5的閘極G 電性連接至所述第二測試焊墊TP2，也可達(dá)成等同于圖4的功能。與圖2現(xiàn)有薄膜晶體管基板14需要額外增加一組的焊墊ΡΓ P5’相比，本發(fā)明的薄膜晶體管基板30、40只需要增加一個(如圖3)或兩個(如圖4)測試焊墊就能達(dá)到判斷連接焊墊Rl R5與探針31 35之間是否接觸不良的功能，因此大幅地降低所述薄膜晶體管基板上電路配置的復(fù)雜度。再者，由于只需要增加一個(如圖3)或兩個(如圖4) 測試焊墊，探針數(shù)量也可以減少，進(jìn)而降低測試系統(tǒng)的成本。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種測試系統(tǒng)，包括一薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括若干個薄膜晶體管以及若干個連接焊墊，各薄膜晶體管包括一第一電極、一第二電極以及一第三電極，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括一測試焊墊，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的其中一者電性連接至這些連接焊墊的其中一者，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的另一者以及所述第三電極電性連接至所述測試焊墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，所述測試系統(tǒng)還包括若干個探針，這些探針分別對應(yīng)地與這些連接焊墊及所述測試焊墊接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，將一測試信號經(jīng)由與所述測試焊墊接觸的探針施加至所述測試焊墊，通過分別偵測這些連接焊墊是否具有所述測試信號來判斷這些連接焊墊與對應(yīng)的探針是否接觸不良。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，所述第一電極為源極，所述第二電極為漏極，所述第三電極為閘極。
5.一種測試系統(tǒng)，包括一薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括若干個薄膜晶體管以及若干個連接焊墊，各薄膜晶體管包括一第一電極、一第二電極以及一第三電極，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括一第一測試焊墊以及一第二測試焊墊，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的其中一者電性連接至所述第一測試焊墊，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的另一者電性連接至這些連接焊墊的其中一者，各薄膜晶體管的第三電極電性連接至所述第二測試焊墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，所述測試系統(tǒng)還包括若干個探針，這些探針分別對應(yīng)地與這些連接焊墊、所述第一測試焊墊及所述第二測試焊墊接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，將一第一測試信號經(jīng)由與所述第一測試焊墊接觸的探針施加至所述第一測試焊墊，將一第二測試信號經(jīng)由與所述第二測試焊墊接觸的探針施加至所述第二測試焊墊，通過分別偵測這些連接焊墊是否具有所述第一測試信號來判斷這些連接焊墊與對應(yīng)的探針是否接觸不良。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，所述第一電極為源極，所述第二電極為漏極，所述第三電極為閘極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種測試系統(tǒng)，包括一薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括若干個薄膜晶體管以及若干個連接焊墊，各薄膜晶體管包括一第一電極、一第二電極以及一第三電極，所述薄膜晶體管基板還包括一測試焊墊，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的其中一者電性連接至這些連接焊墊的其中一者，各薄膜晶體管的第一電極及第二電極的另一者以及所述第三電極電性連接至所述測試焊墊。本發(fā)明的測試系統(tǒng)能降低測試系統(tǒng)的成本及電路配置復(fù)雜的復(fù)雜度。
文檔編號G02F1/13GK102402031SQ20111041824
公開日2012年4月4日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者陳政鴻 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司