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      液晶顯示面板和液晶顯示裝置的制作方法

      文檔序號:2681920閱讀:248來源:國知局
      專利名稱:液晶顯示面板和液晶顯示裝置的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及液晶顯示面板和液晶顯示裝置,特別是涉及將I像素分割為多個疇、能在多方向對液晶分子進行取向的液晶顯示面板和液晶顯示裝置。
      背景技術
      近年,取代布勞恩管(CRT)而快速普及的液晶顯示裝置有效利用節(jié)能型、薄型、輕量型等特征,被廣泛利用于電視、監(jiān)視器、便攜電話等。特別是,最近具備作為驅動電源的具有有限的電容的電池和作為顯示裝置的液晶顯示裝置的所謂的移動設備正在増加?!ぴ谶@些移動設備中,具有有限的電容的電池被用作驅動電源,因此為了更加延長移動設備的連續(xù)驅動時間,液晶顯示裝置的功耗下降更進一歩被重視。因此,如下技術受到關注其提高液晶顯示裝置所具備的液晶顯示面板的開ロ率和透射率,相應地削減背光源的光量,結果是實現(xiàn)液晶顯示裝置的低功耗。在液晶顯示裝置中,以往最常使用的是使用具有正的介電常數(shù)各向異性的液晶分子的TN(Twisted Nematic :扭轉向列)模式方式。但是,具有如下問題與從正面方向觀看上述液晶顯示裝置的情況相比,在從上下左右的傾斜方向觀看的情況下,該TN模式方式的液晶顯示裝置的對比度、色調等畫質顯著劣化。S卩,上述TN模式方式的液晶顯示裝置因為畫質的視野角依存性大,所以不適合假設從正面方向以外觀賞的用途。作為改善這樣的畫質的視野角依存性的液晶顯示裝置,已知IPS (In-PlaneSwitching :面內開關)模式的液晶顯不裝置、MVA(Multi-domain Vertical Alignment :多疇垂直取向)模式的液晶顯示裝置等。例如,在上述MVA模式的液晶顯示裝置中,在夾持液晶層的ー對基板中的至少ー方的與上述液晶層相接的面設有具有作為取向分割單元的突起物、切ロ部的透明電極中的任一方,或者它們的組合,由此,在各像素內形成液晶分子所取向的方向分別不同的區(qū)域,實現(xiàn)寬視野角特性。圖11示出現(xiàn)有的液晶顯示裝置110的概略構成,液晶顯示裝置110具備有源矩陣基板和具備肋(鉚釘)或者切ロ部的相對基板,有源矩陣基板具備像素電極160,像素電極160具備多個子像素電極163a、163b、163c和沖切區(qū)域Rl。如圖所示,橫長的像素114在其長邊方向大致均等地分為3個子像素115a、115b、115c,像素電極160也與上述子像素115a、115b、115c對應地分割為大致均等的大小的3個子像素電極163a、163b、163c。另外,子像素電極163a、163b、163c形成為大致正方形,在子像素電極163a與子像素電極163b之間、以及子像素電極163b與子像素電極163c之間形成有作為像素電極160被沖切的區(qū)域的沖切區(qū)域R1。并且,具備柵極電極152、源極電極154以及漏極電極156的TFT 150按每個像素114設置,子像素電極163a通過接觸孔168與TFT 150的漏極電極156電連接。而且,由上述沖切區(qū)域Rl分隔的子像素電極163a和子像素電極163b由子像素電極連接部165電連接,同樣,由上述沖切區(qū)域Rl分隔的子像素電極163b和子像素電極163c也由子像素電極連接部165電連接。因此,如圖所示,構成為3個子像素電極163a、163b、163c均通過接觸孔168與TFT 150的漏極電極156電連接。此外,在橫長的像素114的下部區(qū)域且在圖中的X方向(橫向)形成有與柵極電極152電連接的掃描信號線132,在像素114的大致中央?yún)^(qū)域且在與上述掃描信號線132平行的方向形成有利用與柵極電極152同一的層形成的儲存電容線136,在像素114的左端區(qū)域且在圖中的Y方向(縱向)形成有與源極電極154電連接的數(shù)據(jù)信號線135。而且,以在俯視時與上述儲存電容線136重疊的方式隔著絕緣層形成有與漏極電極156電連接的儲存電容相對電極140。 另ー方面,在相對基板側以當組合上述有源矩陣基板和上述相對基板時位于子像素電極163a、163b、163c的大致中央的方式具備肋IOOa(鉚釘)或者切ロ部。根據(jù)上述構成,因為是上述有源矩陣基板和上述相對基板具備取向分割単元的構成,所以能實現(xiàn)具有寬視野角特性的液晶顯示裝置。但是,如圖11所示,掃描信號線132設于相鄰的像素電極160之間,在具有橫長的像素114的液晶顯示裝置110中,上述掃描信號線132和上述像素電極160接近的距離變長。因此,在液晶顯示裝置110中,在上述掃描信號線132和上述像素電極160相互相対的區(qū)域R40產生傾斜電場,在該區(qū)域產生液晶分子的取向紊亂,所以發(fā)生漏光,由于該原因,具有容易產生粗澀、顯示不均等的問題。因此,在專利文獻I中公開了如下構成如圖12所示,以能屏蔽引起液晶分子的取向紊亂的掃描信號線132的電場的方式在像素114的大致中央?yún)^(qū)域配置掃描信號線132,由隔著絕緣層形成的子像素電極163a、163b、163c和子像素電極連接部165覆蓋上述掃描信號線132,由此能屏蔽上述掃描信號線132的電場。根據(jù)上述構成,記載了能實現(xiàn)可抑制液晶分子的取向紊亂、具有寬視野角特性、并且顯示質量提高的液晶顯示裝置。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻I :國際公開專利公報“W02009/130819號公報(2009年10月29日公開),,專利文獻2 :日本公開專利公報“特開2007-128094號公報(2007年5月24日公開),,專利文獻3 :日本公開專利公報“特開2006-58737號公報(2006年3月2日公開)”

      發(fā)明內容
      發(fā)明要解決的問題但是,在上述專利文獻I所記載的構成中,為了屏蔽掃描信號線132的電場,使用子像素電極163a、163b、163c和利用與上述子像素電極163a、163b、163c同一的層形成的電極連接部165,因此設置上述電極連接部165的位置限定于掃描信號線132上。另外,根據(jù)上述構成,如圖12所示,考慮到液晶顯示裝置IlOa的透射率,掃描信號線132和設于上述相對基板側的作為子像素電極163a、163b、163c的取向分割単元的肋IOOa (鉚釘)或者切ロ部以在俯視時重疊的方式配置。因此,電連接子像素電極163a和子像素電極163b的電極連接部165和電連接子像素電極163b和子像素電極163c的電極連接部165形成于對設于上述相對基板側的作為子像素電極163a、163b、163c的取向分割單元的肋IOOa (鉚釘)或者切ロ部進行連接的假
      想直線上。
      ·
      根據(jù)上述構成,因為設置上述電極連接部165的位置限定于掃描信號線132上,所以包括子像素電極163a、163b、163c和上述電極連接部165的上述像素電極160的形狀被限定,沖切區(qū)域Rl的形狀也被限定。因此,具有如下問題在液晶分子的取向分割中不能形成最佳形狀的上述像素電極160的沖切區(qū)域R1。本發(fā)明是鑒于上述問題完成的,其目的在于提供具有寬視野角特性、并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板和液晶顯示裝置。用于解決問題的方案為了解決上述問題,本發(fā)明的液晶顯示面板的特征在于,具備 第I絕緣基板,其具備多條掃描信號線、與上述掃描信號線交叉的多條數(shù)據(jù)信號線、以及與上述掃描信號線和上述數(shù)據(jù)信號線電連接的多個晶體管元件;第2絕緣基板,其以與上述第I絕緣基板相對的方式形成;以及液晶層,其被夾持在上述第I絕緣基板與上述第2絕緣基板之間,在上述第I絕緣基板上呈矩陣狀配置的多個像素的每ー個具備上述晶體管元件,與上述各像素對應設置的各像素電極與設于上述各像素的該晶體管元件的漏極電極電連接,上述像素電極的形成層和上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成于比上述掃描信號線的形成層靠上層,在上述各像素的上述像素電極的形成區(qū)域,上述像素電極和上述掃描信號線以在俯視時重疊的方式形成,在上述像素電極和上述掃描信號線重疊的部分,在上述像素電極中形成有切ロ部,屏蔽電極由上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成,以在俯視時至少一部分與上述切ロ部的上述掃描信號線的一部分重疊的方式設置。根據(jù)上述構成,在上述各像素的上述像素電極的形成區(qū)域,上述像素電極和上述掃描信號線以在俯視時重疊的方式形成。即,在上述各像素的上述像素電極的形成區(qū)域,上述掃描信號線被作為比上述掃描信號線靠上層的上述像素電極覆蓋,因此成為能抑制由上述掃描信號線的掃描信號的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂的構成。另外,是如下構成在上述各像素的作為液晶分子的取向分割單元的上述像素電極的切ロ部,未被上述像素電極覆蓋的上述掃描信號線的一部分和由作為比上述掃描信號線靠上層的上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成的上述屏蔽電極以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。因此,根據(jù)上述構成,成為如下構成利用由上述像素電極和上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成的上述屏蔽電極抑制由被提供與上述像素電極不同的信號的上述掃描信號線的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂。另外,根據(jù)上述構成,在上述切ロ部形成有上述屏蔽電極的區(qū)域,能對由上述掃描信號線引起的取向紊亂區(qū)域進行遮光,因此對比度提高、殘像減少等顯示質量提高。
      另外,因為使用由上述數(shù)據(jù)信號線的形成層所形成的上述屏蔽電極,所以能在液晶分子的取向分割中將上述像素電極形成為最佳形狀。因此,根據(jù)上述構成,能實現(xiàn)具有寬視野角特性并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板。為了解決上述問題,本發(fā)明的液晶顯示裝置的特征在于,具備上述液晶顯示面板。根據(jù)上述構成,能實現(xiàn)具有寬視野角特性、并且能進行高質量的顯示的液晶顯示裝置。發(fā)明效果綜上所述,本發(fā)明的液晶顯示面板是如下構成與上述各像素對應設置的各像素、電極與設于上述各像素的該晶體管元件的漏極電極電連接,上述像素電極的形成層和上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成于比上述掃描信號線的形成層靠上層,在上述各像素的上述像素電極的形成區(qū)域,上述像素電極和上述掃描信號線以在俯視時重疊的方式形成,在上述像素電極和上述掃描信號線重疊的部分,在上述像素電極中形成有切ロ部,屏蔽電極由上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成,以在俯視時至少一部分與上述切ロ部的上述掃描信號線的一部分重疊的方式設置。另外,綜上所述,本發(fā)明的液晶顯示裝置是具備上述液晶顯示面板的構成。故此,能實現(xiàn)具有寬視野角特性并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板和液晶顯示裝置。


      圖I是示出本發(fā)明的ー實施方式的液晶顯示面板的像素部的概略形狀的俯視圖。圖2是圖I的A-A線的截面圖。圖3是在圖I所示的液晶顯示面板中未設置屏蔽電極的情況的俯視圖。圖4是示出本發(fā)明的其他的ー實施方式的液晶顯示面板的像素部的概略形狀的俯視圖。圖5是用于說明在圖4所示的液晶顯示面板的數(shù)據(jù)信號線的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下使用屏蔽電極進行修復的情況的圖。圖6是示出本發(fā)明的又一其他的ー實施方式的液晶顯示面板的像素部的概略形狀的俯視圖。圖7是用于說明在圖6所示的液晶顯示面板的數(shù)據(jù)信號線的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下使用屏蔽電極進行修復的情況的圖。圖8是示出本發(fā)明的又一其他的ー實施方式的液晶顯示面板的像素部的概略形狀的俯視圖。圖9是用于說明在圖8所示的液晶顯示面板的數(shù)據(jù)信號線的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下使用設于最相鄰像素間的邊界的電極和相對電極進行修復的情況的圖。圖10是示出本發(fā)明的又一其他的ー實施方式的液晶顯示面板的像素部的概略形狀的俯視圖。圖11是示出現(xiàn)有的液晶顯示裝置的概略構成的圖。
      圖12是示出現(xiàn)有的液晶顯示裝置的概略構成的圖。圖13是示出將修復用的預備配線設于顯示區(qū)域外的現(xiàn)有的液晶顯示裝置的概略構成的圖。
      具體實施例方式下面,基于附圖對本發(fā)明的實施方式詳細地進行說明。但是,該實施方式所記載的構成部件的尺寸、材質、形狀、其相對配置等只不過是ー實施方式,不應利用這些對該發(fā)明的范圍作限定解釋?!矊嵤┓绞絀〕下面,基于圖I 圖3對本發(fā)明的第I實施方式進行說明。 在本實施方式中,以像素電極結構具有CPA(Continuous Pinwheel Alignment :連續(xù)焰火狀排列)結構的VA(Vertical Alignment :垂直取向)方式的液晶顯示面板為例進行說明,但不限于此,只要是MVA(Multidomain Vertical Alignment :多疇垂直取向)方式的具有狹縫的像素電極、IPS(In Plane Switching :面內開關)以及TBA(Transverse BendAlignment :橫向彎曲對準)方式的梳齒狀像素電極、魚刺形狀的像素電極等在像素形成區(qū)域中掃描信號線不完全被像素電極(或者子像素電極)覆蓋、而在各像素中存在不被像素電極(或者子像素電極)覆蓋的掃描信號線,就能應用本發(fā)明。此外,所謂上述CPA結構是指如下結構是以取向限制物位于各像素中心的方式例如在相對基板所具備的共用電極設置突起物、切ロ部、并以與上述相對基板相対的方式配置的有源矩陣基板所具備的像素電極也形成為沿著上述取向限制物的形狀的構成,由此,使液晶在上述取向限制物間全方位地連續(xù)地取向。另外,所謂上述TBA方式是指以水平電場使液晶分子垂直取向的模式。S卩,與上述IPS方式同樣,在有源矩陣基板側設有梳齒狀的像素電極和相對電扱,以水平電場進行液晶分子的控制,但并非如上述IPS方式那樣液晶分子在水平方向被控制,而是指如VA方式在垂直方向被控制的方式。圖2是示出本發(fā)明的ー實施方式的液晶顯示面板I的概略構成的圖。如圖所示,液晶顯示面板I為如下構成在作為第I基板(第I絕緣基板)的陣列基板9與作為第2基板(第2絕緣基板)的相對基板16之間夾持液晶層17,液晶層17包含介電各向異性為負的液晶材料。在陣列基板9形成有作為絕緣性基板的玻璃基板2、形成于玻璃基板2上的未圖示的TFT元件(晶體管元件)、與上述TFT元件的柵極電極電連接的掃描信號線GLn+Ι、由與掃描信號線GLn+Ι同一的層形成的輔助電容配線CSn、形成于掃描信號線GLn+Ι和輔助電容配線CSn上的柵極絕緣膜3 (第I絕緣層)、以及輔助電容相對配線4,輔助電容相對配線4在柵極絕緣膜3上利用與未圖示的數(shù)據(jù)信號線同一的層以在俯視時與輔助電容配線CSn重疊的方式形成。此外,輔助電容相對配線4與未圖示的TFT元件的漏極電極電連接。并且,在形成于輔助電容相對配線4上的層間絕緣膜5 (第2絕緣層)中形成有接觸孔6,在層間絕緣膜5上形成有像素電極7,像素電極7通過接觸孔6與輔助電容相對配線4電連接。然后,在像素電極7上形成有垂直取向膜。另ー方面,在相對基板16形成有作為絕緣性基板的玻璃基板10,在玻璃基板10上形成有黑矩陣11和彩色濾光片層12R、12G、12B,以覆蓋彩色濾光片層12R、12G、12B的整個面的方式設有共用電極13。并且,在共用電極13上形成作為突起狀結構物的突起部14作為取向分割單元,但不限于此,也能使用將共用電極13切開的切開部(切ロ部)作為取向分割単元。另外,突起部14的截面形狀不限于圖2所示的形狀,其截面形狀可以是例如三角形狀或者梯形形狀
      坐寸ο另外,在本實施方式中,對于在相對基板16設置上述取向分割單元的位置,考慮液晶顯示面板的開ロ率,以至少一部分在俯視時與輔助電容配線CSn和輔助電容相對配線 4在俯視時重疊的部分重疊的方式設置上述取向分割単元,但不限于此。另外,在本實施方式中,突起部14使用可見光區(qū)域的透射率高的感光性抗蝕劑形成為規(guī)定形狀,但不限于此。另外,在本實施方式中,相對于按陣列基板9的每個像素設置的像素電極7,在玻璃基板10與共用電極13之間設置例如紅色、綠色、藍色的彩色濾光片層12R、12G、12B,但不限于此,可以設為將上述彩色濾光片層12R、12G、12B設于陣列基板9側的C0A(ColorFilter On Array :陣列上彩色濾光片)結構。并且,在共用電極13及突起部14的與液晶層17相接側的面形成有垂直取向膜15。另外,雖然未圖示,但在陣列基板9中與液晶層17相接側的相反側的面與相對基板16中與液晶層17相接側的相反側的面分別具備偏振板。并且,在例如透射型的液晶顯示裝置的情況下為如下構成,具備如上的液晶顯示面板I、對液晶顯示面板I照射面狀的均勻的光的背光源、用于驅動液晶顯示面板I的驅動電路、電源電路。下面,基于圖I對液晶顯示面板I的構成進一歩詳細說明。圖I是示出本發(fā)明的ー實施方式的液晶顯示面板I的像素部的概略形狀的俯視圖。另ー方面,圖3是示出不具備屏蔽電極4a、4b的液晶顯示面板Ia的像素部的概略形狀的俯視圖。 此外,在圖I和圖3中,各形成層的上下關系圖示除像素電極7之外的情況的上下關系。如圖所示,在液晶顯示面板I中,各像素P (n,n+1)、P (η,η)…呈矩陣狀配置,按上述各像素具備TFT元件18 (柵極電極18G、源極電極18S、漏極電極18D)。S卩,如圖所示,在液晶顯示面板I中設有多條數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···和多條掃描信號線GLn、GLn+l…,在數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…和掃描信號線GLn、GLn+l…的各交叉部設有TFT元件18。從未圖不的掃描信號線驅動電路對各掃描信號線GLn、GLn+l…依次提供高電平的掃描信號,當連接到各掃描信號線GLn、GLn+L···的TFT元件18為導通吋,從未圖示的數(shù)據(jù)信號線驅動電路輸入的圖像信號通過連接到數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···的TFT元件18的源極電極18S提供給連接到TFT元件18的漏極電極18D的像素電極7。此外,在本實施方式中,為如下構成如圖所示,形成有輔助電容相對配線4,因此TFT元件18的漏極電極18D與輔助電容相對配線4電連接,輔助電容相對配線4和像素電極7通過設于各像素P (n,n+1), P (η, η)…的大致中央部分的接觸孔6電連接。此外,在本實施方式中為如下構成按各像素Ρ(η,n+1), P (η, η)…具備由與掃描信號線GLn、GLn+Ι…平行形成的多條輔助電容配線CSn、CSn+1···、柵極絕緣膜3、以及輔助電容相對配線4所形成的輔助電容,但不限于此,上述輔助電容只要根據(jù)需要設置即可,也能適當省略。另外,在本實施方式中,如圖所示,為如下的所謂的橫長形狀的像素電極7 :像素電極7的與掃描信號線GLn、GLn+L···平行的方向的長度形成為比像素電極7的與數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···平行的方向的長度長。如圖所示,像素電極7具備2個切ロ部7a、7b,2個切ロ部7a、7b中的一方7a從圖中的上方被切開,2個切ロ部7a、7b中的另一方7b從圖中的下方被切開。并且,2個切ロ部 7a、7b均以像素電極7未完全分離而殘像素電極7的一部分的方式使像素電極7圖案化。并且,在圖I和圖3中,當著眼于各像素P (n,n+1), P (η, η)…時,掃描信號線GLn、GLn+L···在像素電極7的2個切ロ部7a、7b未被像素電極7覆蓋。這樣,在被提供與像素電極7不同的信號的掃描信號線GLn、GLn+L···的一部分未被像素電極7覆蓋的構成中,發(fā)生由于掃描信號線GLn、GLn+Ι…的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂,導致液晶顯示面板的顯示質量下降。在本實施方式中,為如下構成為了在像素電極7的2個切ロ部7a、7b抑制由于未被像素電極7覆蓋的掃描信號線GLn、GLn+Ι…的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂,在像素電極7的2個切ロ部7a、7b,設有使輔助電容相對配線4延伸設置到未被像素電極7覆蓋的掃描信號線GLn、GLn+L···的部位、由與輔助電容相對配線4同一的層形成的屏蔽電極4a、4b0根據(jù)上述構成,為如下構成利用像素電極7和由與數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…(輔助電容相對配線4)的形成層所形成的屏蔽電極4a、4b,對由于被提供與像素電極7不同的信號的掃描信號線GLn、GLn+Ι…的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂進行抑制。另外,因為使用由數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···(輔助電容相對配線4)的形成層形成的屏蔽電極4a、4b,所以能使像素電極7在液晶分子的取向分割中形成為最佳的形狀。因此,根據(jù)上述構成,能實現(xiàn)具有寬視野角特性并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板I。此外,在上述構成中,因為屏蔽電極4a、4b與像素電極7所電連接的TFT元件18的漏極電極18D電連接,所以將提供給像素電極7的信號也提供給屏蔽電極4a、4b,能實現(xiàn)進行更高質量的顯示的液晶顯示面板I。此外,在本實施方式中,因為是為了設置輔助電容而形成輔助電容相對配線4的構成,所以使輔助電容相對配線4延伸設置而設置屏蔽電極4a、4b,但是在不必設置上述輔助電容而未設置輔助電容相對配線4的情況下等,在像素電極7的2個切ロ部7a、7b,在未被像素電極7覆蓋的掃描信號線GLn、GLn+L···的部位,也能設置由與TFT元件18的漏極電極18D同一的層形成、與漏極電極18D電連接的屏蔽電扱。而且,可以設置由與TFT元件18的漏極電極18D同一的層形成、與漏極電極18D未電連接的屏蔽電極。另外,在本實施方式中,在像素電極7的2個切ロ部7a、7b中的至少ー個、圖I和圖3所示的切ロ部7b,以切ロ部7b的掃描信號線GLn、GLn+l…的一部分在俯視時與像素電極7重疊的方式將像素電極7切開。根據(jù)上述構成,因為切ロ部7b的掃描信號線GLn、GLn+l…的一部分以與像素電極7在俯視時重疊的方式形成,所以相應地能使由數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···(輔助電容相對配線4)的形成層形成的屏蔽電極4b的形成面積比屏蔽電極4a的形成面積小。因此,根據(jù)上述構成,能降低由屏蔽電極4b和掃描信號線GLn、GLn+Ι…所形成的寄生電容。另外,在本實施方式中,如圖I和圖2所示,輔助電容相對配線4至少在像素電極7的切ロ部7a、7b以與輔助電容配線CSn、CSn+1…在俯視時重疊的方式隔著柵極絕緣層3由與數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···的形成層同一的層形成。、
      根據(jù)上述構成,在像素電極7的切ロ部7a、7b、即像素P(n,n+l)、P(n,n)…的非開ロ部,能確保由輔助電容配線CSn、CSn+l···、柵極絕緣層3以及輔助電容相對配線4所構成的輔助電容,相應地能減小各像素P (n,n+1), P (η, η)…的像素電極7的形成區(qū)域(各像素的開ロ部)的輔助電容配線CSn、CSn+1···和輔助電容相對配線4的形成面積。因此,根據(jù)上述構成,能實現(xiàn)開ロ率高的液晶顯示面板I。而且,在本實施方式中,如圖所示,相對于TFT元件18的柵極電極18G,TFT元件18的漏極電極18D在俯視時向右側伸出而與其重疊。另外,相對于輔助電容配線CSn、CSn+l···的一部分,輔助電容相對配線4的一部分也在俯視時向右側伸出而與其重疊。S卩,相對于輔助電容配線CSn、CSn+l…的一部分,輔助電容相對配線4伸出的方向只要與TFT元件18的漏極電極18D相對于柵極電極18G的伸出方向相同即可。在液晶顯示面板I中已知如下現(xiàn)象起因于TFT元件18的漏極電極18D(以及與其電連接的像素電極7)與掃描信號線GLn、GLn+l…之間的寄生電容CgcUTFT元件18的漏極電極18D(以及與其電連接的像素電極7)與TFT元件18的源極電極18S(以及與其電連接的數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…)之間的寄生電容Csd,當TFT元件18為截止(掃描信號為非激活)時,像素電極7的電位下降。將該電位下降量(絕對值)稱作饋通電壓(Λ V),當將提供給像素電極7的信號電位設為S時,S-AV為施加于像素的有效電位。此外,如果將提供給掃描信號線GLn、GLn+L···的掃描信號的激活電位設為VH,將非激活電位設為VL,將液晶電容設為Clc,將輔助電容設為Ccs,將數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…與TFT元件18的漏極電極18D(以及與其電連接的像素電極7)之間的寄生電容設為Csd,則饋通電壓M = CgdX (VH-VL) / (Ccs+Csd+Cgd+Clc)。根據(jù)上述構成,為如下構成在配線圖案偏離設計值而形成的情況下,利用輔助電容Ccs的變動使由于上述寄生電容Cgd的變動而產生的饋通電壓(AV)緩和。因此,在漏極電極18D相對于柵極電極18G向右方偏移而形成的情況下,柵極電極18G和漏極電極18D的俯視時的重疊面積減小,所以寄生電容Cgd變小,由上述的式可知饋通電壓ム¥也變小,但是因為由與柵極電極186同ー的層形成的輔助電容配線0511、0511+1···的一部分和由與漏極電極18D同一的層形成的上述輔助電容相對配線4的一部分的俯視時的重疊面積也減小,所以輔助電容Ccs變小,由上述的式可知饋通電壓AV變大,所以結果是,能抑制饋通電壓AV的變化。另ー方面,在漏極電極18D相對于柵極電極18G向左方偏移而形成的情況下,柵極電極18G和漏極電極18D的俯視時的重疊面積增加,所以寄生電容Cgd變大,由上述的式可知饋通電壓AV也變大,但是因為由與柵極電極18G同一的層形成的輔助電容配線CSn、CSn+L···的一部分和由與漏極電極18D同一的層形成的輔助電容相對配線4的一部分的俯視時的重疊面積也増加,所以輔助電容Ccs變大,由上述的式可知饋通電壓AV變小,所以結果是,能抑制饋通電壓AV的變化。此外,圖I示出配線圖案按設計值形成的情況。另外,如圖I所示,在本實施方式中,屏蔽電極4a、4b從與TFT元件18的漏極電極18D電連接的輔助電容相對配線4延伸設置而形成,因此是將提供給像素電極7的信號也提供給屏蔽電極4a、4b的構成,所以能實現(xiàn)能進行更高質量的顯示的液晶顯示面板I。而且,屏蔽電極4a、4b在像素電極7的切ロ部7a、7b從輔助電容相對配線4延伸·設置而形成,所以能實現(xiàn)開ロ率高的液晶顯示面板I。此外,在本實施方式中,設為如下構成在各像素P (η, n+1)、P (η, η)…的像素電極7設有2個切ロ部7a、7b,但是切ロ部的數(shù)量、位置、形狀等不限于此,能適當改變。另外,為如下構成當著眼于圖I中的像素P(n,n)…時,掃描信號線GLn+Ι與像素電極7在俯視時重疊,該像素電極7和與掃描信號線GLn電連接的TFT元件18的漏極電極18D電連接,但不限于此,例如可以為如下構成掃描信號線GLn與像素電極7在俯視時重疊,該像素電極7和與掃描信號線GLn電連接的TFT元件18的漏極電極18D電連接。另外,也能使具有未被像素電極7覆蓋的區(qū)域的屏蔽電極4a、4b由陣列基板9的與數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···的形成層不同的層形成,將其用作進行對準測定時的對準圖案。此外,在本實施方式中,掃描信號線GLn、GLn+l…、輔助電容配線CSn、CSn+l···、數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+Ι…、輔助電容相對配線4能使用選自Mo、Ta、W、Ti、Al、Cu、Cr、Nd等的元素、或者以上述元素為主成分的合金材料或者化合物材料形成,但不限于此。另夕卜,像素電極7 能由 IT0(Indium Tin Oxide :銦錫氧化物)、IZO (Indium ZincOxide :銦鋅氧化物)等導電性材料形成,但不限于此。此外,在本實施方式中,作為柵極絕緣膜3使用無機類絕緣膜,作為層間絕緣膜5使用感光性有機絕緣膜,但不限于此。另外,期望層間絕緣膜5的膜厚厚、介電常數(shù)低,具體地,優(yōu)選層間絕緣膜5的膜厚為例如I 3 μ m、介電常數(shù)為2 5,但不限于此。綜上所述,在液晶顯示面板I中,在數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…的形成層上隔著層間絕緣膜5形成有像素電極7,所以作為能抑制由掃描信號線GLn、GLn+l…的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂的屏蔽層還具備層間絕緣膜5,所以能實現(xiàn)具有寬視野角特性并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板I。〔實施方式2〕接著,基于圖4、圖5以及圖13對本發(fā)明的第2實施方式進行說明。本實施方式在屏蔽電極4c從數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方的輔助電容相對配線4延伸設置而形成的方面與實施方式I不同,對于其他的構成,正如在實施方式I中說明的那樣。為便于說明,對于具有與上述的實施方式I的附圖所示的構件相同功能的構件標注相同的附圖標記,省略其說明。圖4是示出本發(fā)明的ー實施方式的液晶顯示面板Ib的像素部的概略形狀的俯視圖。此外,在圖4中,各形成層的上下關系也示出除了像素電極7之外的情況的上下關系O如圖所示,液晶顯示面板Ib所具備的屏蔽電極4c是從作為數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…延伸設置的方向(圖中的上下方向)的最相鄰像素的任一方P(n,n+1)(圖4示出將最相鄰像素設為上側的像素的情況)的輔助電容相對配線4延伸設置而形成的構成。即,如圖4所示,設于像素Ρ(η,η)的屏蔽電極4c是從設于作為數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方像素P(n,n+1)的輔助電容相對配線4延伸設置而形成的構成。根據(jù)上述構成,在具備2個掃描信號線驅動電路以使得能對各掃描信號線GLn、GLn+L···提供相同掃描信號的液晶顯示面板中,為如下構成在數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下,能使用從設于作為最相鄰像素的任一方像素P (n, n+1)的輔助電容相對配線4延伸設置而形成的屏蔽電極4c來取代具有上述虛線部的數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…的一部分。圖5是用于說明在液晶顯示面板Ib的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下使用屏蔽電極4c進行修復的情況的圖。圖5中的〇部位示出使用激光電連接的部位,X部位示出使用合適激光進行電切斷的部位。如圖所示,能使用像素P(n,n)所具備的屏蔽電極4c、掃描信號線GLn+Ι、輔助電容配線CSn、CSn+1、數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι、以及輔助電容相對配線4對在數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生的虛線部(缺陷部)進行修復。圖5中的虛線示出避開在數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生的虛線部(缺陷部)而傳送數(shù)據(jù)信號的路徑,數(shù)據(jù)信號通過輔助電容配線CSn、像素P(η,η)中的輔助電容相對配線4、掃描信號線GLn+Ι、屏蔽電極4c、像素Ρ(η,η+1)中的輔助電容相對配線4、以及輔助電容配線CSn+1傳遞。 根據(jù)上述構成,在像素P (η, η+1)、Ρ (η,η)…內能使用屏蔽電極4c和各配線進行數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···的虛線部的修復,所以與如圖13所示的、將修復用的預備配線201設于包括多個像素的顯示區(qū)域202外的現(xiàn)有構成比較,能將信號延遲的影響抑制得低。因此,在液晶顯示面板Ib中,即使是被修復的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι,也能確保與未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線SLn…同等的充電率,所以在與被修復的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι電連接的像素和與未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線SLn…電連接的像素之間,亮度差不被視覺識別,能實現(xiàn)能進行高質量的顯示的液晶顯示面板lb。此外,在液晶顯不面板Ib中,對掃描信號線GLn、GLn+Ι…使用激光進行電連接和切斷而進行修復,所以發(fā)生掃描信號線GLn、GLn+L···的切斷,因此需要在掃描信號線GLn、GLn+Ι…的兩端以針對各掃描信號線GLn、GLn+Ι…從各掃描信號線GLn、GLn+Ι…的兩端能依次提供相同掃描信號的方式具備2個掃描信號線驅動電路。在本實施方式中,利用柵極驅動器單片(GDM)技術將2個掃描信號線驅動電路在液晶顯示面板Ib中形成為單片,但不限于此,上述掃描信號線驅動電路可以外帯地設于液晶顯示面板lb。
      以往,在大型液晶顯示面板、高精細的液晶顯示面板或者三重掃描結構(使橫長的像素在數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向排列而形成一像素的結構)的液晶顯示面板等中,由于對各像素的充電時間短,另外,面板的負載(電阻、電容)大,所以在將修復用的預備配線設于顯示區(qū)域外的情況下,由于信號延遲等,產生不能修復的情況,導致成品率下降。另ー方面,根據(jù)上述構成,能不產生信號延遲的問題、另外不會受到面板的負載(電阻、電容)的影響地進行數(shù)據(jù)信號線的修復,因此能進ー步細地形成數(shù)據(jù)信號線,能提高液晶顯示面板的透射率。另外,因為不必如以往那樣將修復用的預備配線設于顯示區(qū)域夕卜,所以能實現(xiàn)液晶顯示面板的窄邊框化?!矊嵤┓绞?〕接著,基于圖6和圖7對本發(fā)明的第3實施方式進行說明。本實施方式在如下方面與實施方式I和2不同掃描信號線GLn、GLn+Ι…在像素電極7的切ロ部7a、7b中的至少一個以與切ロ部7a、7b在俯視時不重疊的方式彎曲地形成,在數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…延 伸設置的方向的最相鄰像素的任一方和該像素的邊界所形成的掃描信號線GLn、GLn+L···的一部分和從上述一方最相鄰像素的輔助電容相對配線4延伸設置而形成的屏蔽電極4d在以俯視時至少一部分重疊的方式形成,對于其他的構成,正如在實施方式I中說明的那樣。為便于說明,對具有與上述的實施方式I和2的附圖所示的構件相同功能的構件標注相同的附圖標記,省略其說明。圖6是示出本發(fā)明的ー實施方式的液晶顯示面板Ic的像素部的概略形狀的俯視圖。此外,在圖6中,各形成層的上下關系也示出除了像素電極7之外的情況的上下關
      系O如圖所示,在液晶顯示面板Ic中,掃描信號線GLn、GLn+L···在像素電極7的切ロ部7a以與切ロ部7a在俯視時不重疊的方式彎曲地形成,在作為數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···延伸設置的方向(圖中的上下方向)的最相鄰像素的任一方P(n,n+1)和該像素P(n,n)的邊界所形成的掃描信號線GLn+Ι的一部分和從上述一方最相鄰像素P(n,n+1)的輔助電容相對配線4延伸設置而形成的屏蔽電極4d以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。根據(jù)上述構成,能減小屏蔽電極4d和像素電極7的俯視時的重疊面積,例如能抑制從作為最相鄰像素之一的像素P (n,n+1)的輔助電容相對配線4延伸設置的屏蔽電極4d的電位對像素P(n,n)的像素電極7賦予的影響。即,能抑制通過屏蔽電極4d對保持為ー定電位的像素P (η,η)的像素電極7賦予的影響。因此,能實現(xiàn)能進行更高質量的顯示的液晶顯示面板lc。圖7是用于說明在液晶顯示面板Ic的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下使用屏蔽電極4d進行修復的情況的圖。圖7中〇部位示出使用激光進行電連接的部位,X部位示出使用合適激光進行電切斷的部位。如圖所示,使用在像素P (n,n+1)和像素Ρ(η,η)的邊界所具備的屏蔽電極4d、以與切ロ部7a在俯視時不重疊的方式彎曲地形成的掃描信號線GLn+Ι、輔助電容配線CSn、CSn+1、數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι、以及輔助電容相對配線4,能修復在數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生的虛線部(缺陷部)。
      圖7中的虛線示出避開在數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生的虛線部(缺陷部)傳送數(shù)據(jù)信號的路徑,數(shù)據(jù)信號通過輔助電容配線C Sn、像素P(n,n)的輔助電容相對配線4、屏蔽電極4b、掃描信號線GLn+Ι、屏蔽電極4d、像素P(n,n+1)的輔助電容相對配線4、以及輔助電容配線CSn+1傳送。根據(jù)上述構成,在像素P (η, n+1)、P (η, η)…內,能使用屏蔽電極4d和各配線進行數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···的虛線部的修復,所以與如圖13所示的、將修復用的預備配線201設于包括多個像素的顯示區(qū)域202外的現(xiàn)有構成比較,能將信號延遲的影響抑制得低。因此,在液晶顯示面板Ic中,即使是被修復的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι,也能確保與未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線SLn…同等的充電率,所以在和被修復的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι電連接的像素與和未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線SLn…電連接的像素之間,亮度差不被視覺識別,能實現(xiàn)能進行高質量的顯示的液晶顯示面板lc。此外,在液晶顯示面板Ic中也對掃描信號線GLn、GLn+L···使用激光進行電連接和切斷來進行修復,所以發(fā)生掃描信號線GLn、GLn+L···的切斷,因此需要在掃描信號線GLn、 GLn+Ι…的兩端以針對各掃描信號線GLn、GLn+Ι…從各掃描信號線GLn、GLn+Ι…的兩端能依次提供相同掃描信號的方式具備2個掃描信號線驅動電路。〔實施方式4〕接著,基于圖8和圖9對本發(fā)明的第4實施方式進行說明。本實施方式在如下方面與實施方式I 3不同包含屏蔽電極4a的配線延伸設置到與數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+P··延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方的邊界而形成電極4e,電極4e和從上述一方最相鄰像素的輔助電容配線CSn、CSn+l…延伸設置而形成的電極4e的相對電極19以在俯視時至少一部分重疊的方式形成,對于其他的構成,正如在實施方式I 3中說明的那樣。為便于說明,對具有與上述的實施方式I 3的附圖所示的構件相同功能的構件標注相同的附圖標記,省略其說明。圖8是示出本發(fā)明的ー實施方式的液晶顯示面板Id的像素部的概略形狀的俯視圖。此外,在圖8中,各形成層的上下關系也示出除像素電極7之外的情況的上下關
      系O如圖所示,由與數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…以及輔助電容相對配線4同一的層形成、包含屏蔽電極4a的配線延伸設置到數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…延伸設置的方向(圖中的上下方向)的最相鄰像素間P (n,n+1)、P (η,η)的邊界而形成電極4e,電極4e和從由與掃描信號線GLn、GLn+l…同一的層形成的像素P(n,n+1)的輔助電容配線CSn+1延伸設置而形成的電極4e的相對電極19以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。圖9是用于說明在液晶顯示面板Id的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下使用設于最相鄰像素間P (n,n+1)、Ρ(η,η)的邊界的電極4e和相對電極19進行修復的情況的圖。圖9中〇部位示出使用激光進行電連接的部位,X部位示出使用適當激光進行電切斷的部位。如圖所示,能使用在像素P (n,n+1)和像素Ρ(η,η)的邊界所具備的電極4e、電極4e的相對電極19、輔助電容配線CSn、CSn+1、數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι、以及輔助電容相對配線4對在數(shù)據(jù)信號線SLn+1的一部分產生的虛線部(缺陷部)進行修復。圖9中的虛線示出避開在數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι的一部分產生的虛線部(缺陷部)而傳送數(shù)據(jù)信號的路徑,數(shù)據(jù)信號通過輔助電容配線CSn、像素P (η,η)的輔助電容相對配線
      4、屏蔽電極4e、相對電極19、以及輔助電容配線CSn+1傳送。根據(jù)上述構成,在像素P (n,n+1), P (η, η)…內,能使用電極4e、電極4e的相對電極19以及除了掃描信號線GLn、GLn+l…之外的各配線進行數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…的虛線部的修復,所以與如圖13所示的、將修復用的預備配線201設于包括多個像素的顯示區(qū)域202外的現(xiàn)有構成比較,能將信號延遲的影響抑制得低。因此,在液晶顯示面板Id中,即使是被修復的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι,也能確保與未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線SLn…同等的充電率,所以在和被修復的數(shù)據(jù)信號線SLn+Ι電連接的像素與和未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線SLn…電連接的像素之間,亮度差不被視覺識別,能實現(xiàn)能進行高質量的顯示的液晶顯示面板Id。 此外,在液晶顯示面板Id中,能不使用掃描信號線GLn、GLn+Ι…進行數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···的虛線部(缺陷部)的修復,因此成為不必以針對某一條掃描信號線GLn、GLn+L···能從兩端提供相同掃描信號的方式設置2個掃描信號線驅動電路的構成。因此,能實現(xiàn)如下液晶顯示面板Id :其能實現(xiàn)邊框區(qū)域的縮小,并且能進行高質
      量的顯示。而且,因為不使用掃描信號線GLn、GLn+Ι…進行數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+1…的虛線部(缺陷部)的修復,所以能實現(xiàn)修復時間的縮短和操作錯誤的減少?!矊嵤┓绞?〕接著,基于圖10對本發(fā)明的第5實施方式進行說明。本實施方式在如下方面與實施方式I 4不同各像素P (n,n+1)、P (η,η)…具備利用切ロ部20d而電分離的多個子像素電極20a、20b、20c,子像素電極20a、20b、20c與設于像素P(n,n+1)、P (η, η)…中的晶體管元件18的漏極電極18D電連接,其他的構成如在實施方式I 4中說明的那樣。為便于說明,對具有與上述的實施方式I 4的附圖所示的構件相同功能的構件標注相同的附圖標記,省略其說明。圖10是示出本發(fā)明的ー實施方式的液晶顯示面板Ie中具備子像素電極20a、20b、20c的像素部的概略形狀的俯視圖。此外,在圖10中,各形成層的上下關系也示出除了子像素電極20a、20b、20c之外的情況的上下關系。如圖所示,液晶顯示面板Ie的各像素P(n,n+l)、P(n,n)…的像素電極由利用切ロ部20d而電分離的多個子像素電極20a、20b、20c形成。根據(jù)上述構成,多個子像素電極20a、20b、20c均通過形成于層間絕緣膜5的接觸孔6與輔助電容相對配線4電連接,該輔助電容相對配線4與晶體管元件18的漏極電極18D電連接,因此不必在多個子像素電極20a、20b、20c之間如上述的實施方式I 4那樣設置另外的連接部。已知上述連接部在液晶顯示面板中在殘像、響應速度的方面帶來不良影響,根據(jù)上述構成,成為可以在多個子像素電極20a、20b、20c間另外設置連接部的構成,因此能實現(xiàn)改善殘像、響應速度的液晶顯示面板le。
      另外,如圖所示,在切ロ部20d設有連接部,因此成為未被多個子像素電極20a、20b,20c覆蓋的掃描信號線GLn、GLn+L···的一部分被在數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+L···(輔助電容相對配線4)的形成層所形成的屏蔽電極4a覆蓋的構成。此外,在本實施方式中,在各像素P (η,n+1)、Ρ (η,η)…中形成電分離的3個子像素電極20a、20b、20c,但不限于此,也能設為如下構成例如,僅在子像素電極20a與子像素電極20b之間設置連接部,子像素電極20a和子像素電極20b電連接,僅子像素電極20c與子像素電極20a以及子像素電極20b電分離。在這樣的情況下,能在各像素P (n,n+1), P (η, η)…中將所需的接觸孔6的數(shù)量設為2個,能實現(xiàn)透射率高的液晶顯示面板。另ー方面,在圖10所示的構成中,在各像素Ρ(η,n+1)、Ρ(η,η)…中所需的接觸孔6的數(shù)量為3個,接觸孔6的數(shù)量増加,相應地透射率變低,但是能實現(xiàn)響應速度、殘像的質量提聞的液晶顯不面板le。、另外,在本實施方式中,如圖所示,屏蔽電極4a從該像素Ρ(η,η)的輔助電容相對配線4延伸設置而形成,但是屏蔽電極4a也能在數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…延伸設置的方向(圖中的上下方向)從作為該像素P(n,n)的最相鄰像素?(11,11+1)、?(11,11-1)的任一方的輔助電容相對配線4延伸設置而形成。此外,這樣在屏蔽電極4a從作為上述最相鄰像素P (n,n+1), P (η, η_1)的任一方的輔助電容相對配線4延伸設置而形成的情況下,如上所述,在數(shù)據(jù)信號線SLn、SLn+l…的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下,也能使用屏蔽電極4a修復上述虛線部。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述各像素電極是利用上述切ロ部而電分離的多個子像素電極,上述多個子像素電極均與設于上述各像素的該晶體管元件的漏極電極電連接。根據(jù)上述構成,上述各像素電極由利用上述切ロ部而電分離的多個子像素電極形成。上述多個子像素電極均與設于上述各像素的該晶體管元件的漏極電極電連接,因此不必在上述多個子像素電極間設置另外的連接部。已知在上述多個子像素電極間另外設置的連接部在上述液晶顯示面板中在殘像、響應速度的方面帶來不良影響,根據(jù)上述構成,成為可以在上述多個子像素電極間不另外設置連接部的構成,因此能實現(xiàn)改善殘像、響應速度的液晶顯示面板。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述屏蔽電極與上述晶體管元件的漏極電極電連接。根據(jù)上述構成,上述屏蔽電極與和上述像素電極或者上述多個子像素電極電連接的上述晶體管元件的漏極電極電連接,因此是將提供給上述像素電極或者上述多個子像素電極的信號也能提供給上述屏蔽電極的構成,因此能實現(xiàn)能進行更高質量的顯示的液晶顯示面板。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述各像素電極的與上述掃描信號線平行的方向的長度形成得比上述像素電極的與上述數(shù)據(jù)信號線平行的方向的長度長。如上述構成那樣,在具有橫長的像素的液晶顯示面板中,上述掃描信號線在各像素中占的比例變大,因此利用在上述像素電極和上述數(shù)據(jù)信號線的形成層所形成的上述屏蔽電極抑制由上述掃描信號線的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂的構成更有效。另外,例如在將上述橫長的像素在上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向排列而形成一像素的情況下,與將縱長的像素在上述掃描信號線延伸設置的方向排列而形成一像素的情況比較,能減少上述數(shù)據(jù)信號線的數(shù)量。一般,數(shù)據(jù)信號線驅動電路與掃描信號線驅動電路相比功耗大,制造成本高,因此通過減少上述數(shù)據(jù)信號線的數(shù)量,能削減數(shù)據(jù)信號線驅動電路的功耗和制造成本。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述像素電極按以下方式被切開在上述像素電極的切口部的至少一個中,上述切口部的上述掃描信號線的一部分與上述像素電極在俯
      視時重疊。根據(jù)上述構成,上述像素電極的切口部是以上述切口部的上述掃描信號線的一部分與上述像素電極在俯視時重疊的方式被切開的構成。
      因此,在上述像素電極的切口部,上述切口部的上述掃描信號線的一部分以與上述像素電極在俯視時重疊的方式形成,所以相應地能減小在上述數(shù)據(jù)信號線的形成層所形成的上述屏蔽電極的形成面積。因此,根據(jù)上述構成,能降低由上述屏蔽電極和上述掃描信號線所形成的寄生電容。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選在上述各像素的上述像素電極的形成區(qū)域,輔助電容配線和輔助電容相對配線以與上述像素電極在俯視時重疊的方式形成,上述輔助電容配線由與上述掃描信號線的形成層同一的層、與上述掃描信號線平行地形成,上述輔助電容相對配線至少在上述像素電極的切口部以在俯視時與上述輔助電容配線重疊的方式隔著第I絕緣層由與上述數(shù)據(jù)信號線的形成層同一的層形成。根據(jù)上述構成,至少在上述像素電極的切口部,由與上述掃描信號線的形成層同一的層形成的輔助電容配線以隔著第I絕緣層與由與上述數(shù)據(jù)信號線的形成層同一的層形成的輔助電容相對配線在俯視時重疊的方式形成。在上述像素電極的切口部、即上述像素的非開口部,能確保由輔助電容配線、第I絕緣層以及輔助電容相對配線構成的輔助電容,相應地能減小上述像素的上述像素電極的形成區(qū)域(上述像素的開口部)的上述輔助電容配線和上述輔助電容相對配線的形成面積。因此,根據(jù)上述構成,能實現(xiàn)開口率高的液晶顯示面板。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選在上述漏極電極相對于包含柵極電極的上述掃描信號線偏離設計值而形成的情況下,上述輔助電容配線和上述輔助電容相對配線的俯視時的重疊面積根據(jù)上述掃描信號線和上述漏極電極的俯視時的重疊面積的增減也同樣地增減的方式,上述設計值使得上述漏極電極相對于上述掃描信號線在俯視時向某一定方向偏移地重疊,使得上述輔助電容相對配線的一部分也相對于上述輔助電容配線的一部分在俯視時向上述某一定方向偏移地重疊。在液晶顯示面板中已知如下現(xiàn)象起因于上述晶體管元件的漏極電極(以及與其電連接的上述像素電極)與上述掃描信號線之間的寄生電容Cgd,當上述晶體管元件為截止(掃描信號為非激活)時,像素(像素電極)的電位下降。將該電位下降量(絕對值)稱作饋通電壓(AV),當將提供給像素的信號電位設為S時,S-Λ V成為施加于像素的有效電位。此外,如果將提供給上述掃描信號線的掃描信號的激活電位設為VH、將非激活電位設為VL、將液晶電容設為Clc、將輔助電容設為Ccs、將上述數(shù)據(jù)信號線與上述晶體管元件的漏極電極(以及與其電連接的上述像素電極)之間的寄生電容設為Csd,則饋通電壓AV=CgdX (VH-VL) / (Ccs+Csd+Cgd+Clc)。根據(jù)上述構成,成為如下構成在配線圖案偏離設計值而形成的情況下,利用輔助電容Ccs的變動緩和由于上述寄生電容Cgd的變動而產生的饋通電壓。當舉例具體地說明時,當配線圖案的設計值使得上述漏極電極相對于上述柵極電極在俯視時例如向右方伸出地重疊,上述輔助電容相對配線的一部分也相對于上述輔助電容配線的一部分在俯視時向右方伸出地重疊時,在漏極電極的形成層相對于柵極電極的形成層偏離上述設計值而形成配線圖案的情況下如下所述。在上述漏極電極相對于上述柵極電極向右方偏移而形成的情況下,上述柵極電極和上述漏極電極的俯視時的重疊面積減小,所以寄生電容Cgd變小,由上述的式可知饋通電壓AV也變小,但是由與上述柵極電極同一的層形成的上述輔助電容配線的一部分和由與上述漏極電極同一的層形成的上述輔助電容相對配線的一部分的俯視時的重疊面積也減小,所以輔助電容Ccs變小,由上述的式可知饋通電壓AV變大,所以結果是能抑制饋通電壓AV的變化。另一方面,在上述漏極電極相對于上述柵極電極向左方偏移而形成的情況下,上述柵極電極和上述漏極電極的俯視時的重疊面積增加,所以寄生電容Cgd變大,由上述的式可知饋通電壓AV也變大,但是由與上述柵極電極同一的層形成的上述輔助電容配線的一部分和由與上述漏極電極同一的層形成的上述輔助電容相對配線的一部分的俯視時的重疊面積也增加,所以輔助電容Ccs變大,由上述的式可知饋通電壓AV變小,所以結果是能抑制饋通電壓AV的變化。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述屏蔽電極在上述像素電極的切口部從上述輔助電容相對配線延伸設置而形成。根據(jù)上述構成,上述屏蔽電極從與上述晶體管元件的漏極電極電連接的上述輔助電容相對配線延伸設置而形成,因此是將提供給上述像素電極的信號也能提供給述屏蔽電極的構成,所以能實現(xiàn)能進行更高質量的顯示的液晶顯示面板。而且,上述屏蔽電極在上述像素電極的切口部從上述輔助電容相對配線延伸設置而形成,所以能實現(xiàn)開口率高的液晶顯示面板。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述屏蔽電極從上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方的上述輔助電容相對配線延伸設置而形成。根據(jù)上述構成,上述屏蔽電極從上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方的上述輔助電容相對配線延伸設置而形成,所以能實現(xiàn)具有寬視野角特性并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板。而且,在以針對某一條上述掃描信號線能提供相同掃描信號的方式具備2個掃描信號線驅動電路的液晶顯示面板中,成為在上述數(shù)據(jù)信號線的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下,能使用上述屏蔽電極取代具有上述虛線部的上述數(shù)據(jù)信號線的一部分的構成。根據(jù)上述構成,在像素內,能使用上述屏蔽電極進行上述數(shù)據(jù)信號線的虛線部的修復,所以與將修復用的預備配線設于顯示區(qū)域外的現(xiàn)有構成比較,能將信號延遲的影響抑制得低。因此,即使是被修復的數(shù)據(jù)信號線,也能確保與未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線同等的充電率,所以在和被修復的數(shù)據(jù)信號線電連接的像素與和未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線電連接的像素之間,亮度差不被視覺識別,能實現(xiàn)能進行高質量的顯示的液晶顯示面板。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述掃描信號線在上述像素電極的切口部中的至少一個以與上述切口部在俯視時不重疊的方式彎曲地形成,在上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方和該像素的邊界所形成的上述掃描信號線的一部分和從上述最相鄰像素的上述輔助電容相對配線延伸設置而形成的屏蔽電極以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。根據(jù)上述構成,為如下構成使上述掃描信號線在上述像素電極的切口部中的至少一個以與上述切口部在俯視時不重疊的方式彎曲地形成,在上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方和該像素的邊界所形成的上述掃描信號線的一部分以與從上·述一方最相鄰像素的上述輔助電容相對配線延伸設置而形成的屏蔽電極在俯視時至少一部分重疊的方式形成。根據(jù)上述構成,能減小上述屏蔽電極和上述像素電極的俯視時的重疊面積,能抑制從上述一方最相鄰像素的上述輔助電容相對配線延伸設置的上述屏蔽電極的電位對上述像素電極賦予的影響。即,能抑制通過上述屏蔽電極對保持為一定電位的像素電極賦予的影響。 因此,能實現(xiàn)能進行更高質量的顯示的液晶顯示面板。而且,在以針對某一條上述掃描信號線能提供相同掃描信號的方式具備2個掃描信號線驅動電路的液晶顯示面板中,成為在上述數(shù)據(jù)信號線的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下,能使用上述屏蔽電極取代具有上述虛線部的上述數(shù)據(jù)信號線的一部分的構成。根據(jù)上述構成,在像素內,能使用上述屏蔽電極進行上述數(shù)據(jù)信號線的虛線部的修復,所以與將修復用的預備配線設于顯示區(qū)域外的現(xiàn)有構成比較,能將信號延遲的影響抑制得低。因此,即使是被修復的數(shù)據(jù)信號線,也能確保與未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線同等的充電率,所以在和被修復的數(shù)據(jù)信號線電連接的像素與和未進行修復的通常的數(shù)據(jù)信號線電連接的像素之間,亮度差不被視覺識別,能實現(xiàn)能進行高質量的顯示的液晶顯示面板。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選在延伸設置的多條上述掃描信號線的兩端以針對各掃描信號線從上述各掃描信號線的兩端能依次提供相同掃描信號的方式具備2個掃描信號線驅動電路。根據(jù)上述構成,以針對某一條上述掃描信號線能從兩端提供相同掃描信號的方式使2個掃描信號線驅動電路形成為單片或者外帶地形成,所以成為如下構成在上述數(shù)據(jù)信號線的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下,能使用上述屏蔽電極取代具有上述虛線部的上述數(shù)據(jù)信號線的一部分。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選上述屏蔽電極延伸設置到上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方和該像素的邊界,在上述一方最相鄰像素和該像素的邊界,上述屏蔽電極和從上述一方最相鄰像素的輔助電容配線延伸設置而形成的上述屏蔽電極的相對電極以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。根據(jù)上述構成,在與上述掃描信號線在俯視時不重疊的區(qū)域、即上述一方最相鄰像素和該像素的邊界,上述屏蔽電極和從上述一方最相鄰像素的輔助電容配線延伸設置而形成的上述屏蔽電極的相對電極以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。因此,成為如下構成在上述數(shù)據(jù)信號線的一部分產生虛線部(缺陷部)的情況下,不使用上述掃描信號線,能使用上述屏蔽電極和上述屏蔽電極的相對電極取代具有上述虛線部的上述數(shù)據(jù)信號線的一部分。因此,不使用上述掃描信號線就能進行上述數(shù)據(jù)信號線的虛線部(缺陷部)的修 復,因此成為如下構成不必以針對某一條上述掃描信號線能從兩端提供相同掃描信號的方式設置2個掃描信號線驅動電路。因此,能實現(xiàn)能實現(xiàn)邊框區(qū)域的縮小并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板。而且,不使用上述掃描信號線就能進行上述數(shù)據(jù)信號線的虛線部(缺陷部)的修復,所以能實現(xiàn)修復時間的縮短和操作錯誤的減少。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選以與形成于該像素中的像素電極在俯視時重疊的方式形成的上述掃描信號線與和形成于上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方中的像素電極電連接的上述晶體管元件電連接。根據(jù)上述構成,成為如下構成在該像素內具備的上述掃描信號線與上述晶體管元件電連接,上述晶體管元件與設于上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方的像素中的像素電極或者上述多個子像素電極電連接。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選在上述數(shù)據(jù)信號線的形成層上隔著第2絕緣層形成有上述像素電極的形成層。根據(jù)上述構成,作為能抑制由上述掃描信號線的電場影響引起的液晶分子的取向紊亂的屏蔽層,還具備第2絕緣層,因此能實現(xiàn)具有寬視野角特性并且能進行高質量的顯示的液晶顯示面板。期望上述第2絕緣層的膜厚厚、介電常數(shù)低,具體地,優(yōu)選上述第2絕緣層的膜厚為例如I 3 μ m、介電常數(shù)為2 5,但不限于此。在本發(fā)明的液晶顯示面板中,優(yōu)選在上述第2絕緣基板的與上述液晶層相接側的面,形成有具有作為取向分割單元的突起和/或切口部的共用電極。根據(jù)上述構成,能實現(xiàn)具有寬視野角特性的液晶顯示面板。本發(fā)明不限于上述的各實施方式,能在權利要求所示的范圍進行各種變更,適當組合在不同的實施方式中分別公開的技術方式而得到的實施方式也包含于本發(fā)明的技術范圍。工業(yè)上的可利用件本發(fā)明能應用于液晶顯不面板和液晶顯不裝置。附圖標記說明I、la、lb、Ic、Id、Ie液晶顯不面板
      3柵極絕緣膜(第I絕緣層)
      4輔助電容相對配線4a、4b、4c、4d屏蔽電極
      5層間絕緣膜(第2絕緣層)
      6接觸孔
      7像素電極7a、7b、20d切口部
      9陣列基板(第I絕緣基板) 13共用電極
      14突起部(取向分割單元)
      16相對基板(第2絕緣基板)
      17液晶層
      18TFT元件(晶體管元件)18G柵極電極
      18S源極電極
      18D漏極電極
      20a、20b、20c子像素電極
      P像素
      CS輔助電容配線
      GL掃描信號線
      SL數(shù)據(jù)信號線
      權利要求
      1.ー種液晶顯示面板,其特征在干, 具備 第I絕緣基板,其具備多條掃描信號線、與上述掃描信號線交叉的多條數(shù)據(jù)信號線、以及與上述掃描信號線和上述數(shù)據(jù)信號線電連接的多個晶體管元件; 第2絕緣基板,其以與上述第I絕緣基板相対的方式形成;以及 液晶層,其被夾持在上述第I絕緣基板與上述第2絕緣基板之間, 在上述第I絕緣基板上呈矩陣狀配置的多個像素的每ー個具備上述晶體管元件, 與上述各像素對應設置的各像素電極與設于上述各像素的該晶體管元件的漏極電極電連接, 上述像素電極的形成層和上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成于比上述掃描信號線的形成 層靠上層, 在上述各像素的上述像素電極的形成區(qū)域,上述像素電極和上述掃描信號線以在俯視時重疊的方式形成, 在上述像素電極和上述掃描信號線重疊的部分,在上述像素電極中形成有切ロ部, 屏蔽電極由上述數(shù)據(jù)信號線的形成層形成,以在俯視時至少一部分與上述切ロ部的上述掃描信號線的一部分重疊的方式設置。
      2.根據(jù)權利要求I所述的液晶顯示面板,其特征在干, 上述各像素電極是利用上述切ロ部而電分離的多個子像素電極, 上述多個子像素電極均與設于上述各像素的該晶體管元件的漏極電極電連接。
      3.根據(jù)權利要求I或2所述的液晶顯示面板,其特征在干,上述屏蔽電極與上述晶體管元件的漏極電極電連接。
      4.根據(jù)權利要求I至3中的任I項所述的液晶顯示面板,其特征在于,上述各像素電極的與上述掃描信號線平行的方向的長度形成得比上述像素電極的與上述數(shù)據(jù)信號線平行的方向的長度長。
      5.根據(jù)權利要求I至4中的任I項所述的液晶顯示面板,其特征在于,上述像素電極按以下方式被切開在上述像素電極的切ロ部的至少ー個中,上述切ロ部的上述掃描信號線的一部分與上述像素電極在俯視時重疊。
      6.根據(jù)權利要求I至5中的任I項所述的液晶顯示面板,其特征在干, 在上述各像素的上述像素電極的形成區(qū)域,輔助電容配線和輔助電容相對配線以與上述像素電極在俯視時重疊的方式形成, 上述輔助電容配線由與上述掃描信號線的形成層同一的層、與上述掃描信號線平行地形成, 上述輔助電容相對配線至少在上述像素電極的切ロ部以與上述輔助電容配線在俯視時重疊的方式隔著第I絕緣層由與上述數(shù)據(jù)信號線的形成層同一的層形成。
      7.根據(jù)權利要求6所述的液晶顯示面板,其特征在干, 在上述漏極電極相對于包含柵極電極的上述掃描信號線偏離設計值而形成的情況下,上述輔助電容配線和上述輔助電容相對配線的俯視時的重疊面積根據(jù)上述掃描信號線和上述漏極電極的俯視時的重疊面積的增減也同樣地增減的方式, 上述設計值使得上述漏極電極相對于上述掃描信號線在俯視時向某一定方向偏移地重疊, 使得上述輔助電容相對配線的一部分也相對于上述輔助電容配線的一部分在俯視時向上述某一定方向偏移地重疊。
      8.根據(jù)權利要求6或7所述的液晶顯示面板,其特征在于,上述屏蔽電極在上述像素電極的切ロ部從上述輔助電容相對配線延伸設置而形成。
      9.根據(jù)權利要求8所述的液晶顯示面板,其特征在于,上述屏蔽電極從上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方的上述輔助電容相對配線延伸設置而形成。
      10.根據(jù)權利要求9所述的液晶顯示面板,其特征在干, 上述掃描信號線在上述像素電極的切ロ部中的至少ー個以與上述切ロ部在俯視時不重疊的方式彎曲地形成, 在上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方和該像素的邊界所形成的上述掃描信號線的一部分和從上述最相鄰像素的上述輔助電容相對配線延伸設置而形成的屏蔽電極以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。
      11.根據(jù)權利要求9或10所述的液晶顯示面板,其特征在于,在延伸設置的多條上述掃描信號線的兩端以針對各掃描信號線能從上述各掃描信號線的兩端依次提供相同掃描信號的方式具備2個掃描信號線驅動電路。
      12.根據(jù)權利要求8所述的液晶顯示面板,其特征在干, 上述屏蔽電極延伸設置到上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方和該像素的邊界, 在上述一方最相鄰像素和該像素的邊界,上述屏蔽電極和從上述一方最相鄰像素的輔助電容配線延伸設置而形成的上述屏蔽電極的相對電極以在俯視時至少一部分重疊的方式形成。
      13.根據(jù)權利要求I至12中的任I項所述的液晶顯示面板,其特征在干,以與形成于該像素中的像素電極在俯視時重疊的方式形成的上述掃描信號線與上述晶體管元件電連接,上述晶體管元件與形成于上述數(shù)據(jù)信號線延伸設置的方向的最相鄰像素的任一方中的像素電極電連接。
      14.根據(jù)權利要求I至13中的任I項所述的液晶顯示面板,其特征在于,在上述數(shù)據(jù)信號線的形成層上隔著第2絕緣層形成有上述像素電極的形成層。
      15.根據(jù)權利要求I至14中的任I項所述的液晶顯示面板,其特征在于,在上述第2絕緣基板的與上述液晶層相接側的面,形成有具有作為取向分割単元的突起和/或切ロ部的共用電極。
      16.ー種液晶顯示裝置,其特征在于,具備權利要求I至15中的任I項所述的液晶顯示面板。
      全文摘要
      各像素電極(7)與各晶體管元件(18)的漏極電極(18D)電連接,像素電極(7)的形成層和數(shù)據(jù)信號線(SLn、SLn+1…)的形成層形成于比掃描信號線(GLn、GLn+1…)的形成層靠上層,像素電極(7)和掃描信號線(GLn、GLn+1…)以在俯視時重疊的方式形成,在像素電極(7)和掃描信號線(GLn、GLn+1…)重疊的部分,在像素電極(7)中形成有切口部(7a、7b),屏蔽電極(4a、4b)由數(shù)據(jù)信號線(SLn、SLn+1…)的形成層形成,且以至少一部分與切口部(7a、7b)的掃描信號線(GLn、GLn+1…)的一部分在俯視時重疊的方式設置。因此,能實現(xiàn)具有寬視野角特性、并且能進行高質量顯示的液晶顯示面板。
      文檔編號G02F1/1368GK102859430SQ20118001983
      公開日2013年1月2日 申請日期2011年2月18日 優(yōu)先權日2010年4月20日
      發(fā)明者伊藤了基, 久田祐子, 堀內智, 山田崇晴, 吉田昌弘 申請人:夏普株式會社
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