本發(fā)明涉及一種干涉儀，特別適用于光纖傳感領(lǐng)域。

背景技術(shù)：
隨著光纖傳感技術(shù)的進(jìn)步，各類(lèi)不同原理、不同結(jié)構(gòu)的傳感裝置不斷涌現(xiàn)，其中一類(lèi)較為重要的基于光纖結(jié)構(gòu)的無(wú)源光器件得到廣泛應(yīng)用，這就是MZ干涉儀，其工作原理是分光器將原本光信號(hào)分為兩路或多路，使不同路的光信號(hào)通過(guò)不通的路徑，從而產(chǎn)生光程差，在干涉儀末端的合束器再將不同路的光信號(hào)合束，出現(xiàn)干涉現(xiàn)象。由于MZ干涉儀的干涉條紋寬度與分光器和合束器之間的光纖長(zhǎng)度有直接關(guān)系，光纖越長(zhǎng)，產(chǎn)生的干涉條紋越密，而通過(guò)將應(yīng)力或是溫度參數(shù)作用這段光纖可以實(shí)現(xiàn)應(yīng)力或是溫度的傳感。傳統(tǒng)基于光纖結(jié)構(gòu)的MZ干涉儀一般是在光纖上相隔一定距離拉出兩個(gè)錐，第一個(gè)錐相當(dāng)于分光器，將纖芯中的光信號(hào)分一部分至包層中傳輸，第二個(gè)錐相當(dāng)于合束器，可以將包層中的光信號(hào)重新合并至纖芯，最終出現(xiàn)干涉。這種結(jié)構(gòu)的MZ干涉儀制作簡(jiǎn)單，但是由于兩錐之間的光纖需要除去涂覆，并保持外表面清潔，而且這段光纖的長(zhǎng)度通常都較長(zhǎng)，用于傳感器領(lǐng)域時(shí)敏感性低，使得在實(shí)際應(yīng)用中受到限制。另外一種是將兩個(gè)錐分別以長(zhǎng)周期光纖光柵代替，其中的長(zhǎng)周期光纖光柵起到了將光信號(hào)從纖芯耦合至包層和從包層耦合回纖芯的作用。這種MZ干涉儀需要光纖光柵的寫(xiě)入設(shè)備，成本很高。還有其它一些結(jié)構(gòu)的光纖MZ干涉儀需要用到特種光纖，其制作成本更是大大提高。綜上所述，目前基于光纖結(jié)構(gòu)的干涉儀所面臨的問(wèn)題是：尺寸大、敏感性差、制作成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：目前基于光纖結(jié)構(gòu)的干涉儀所面臨的問(wèn)題是：尺寸大、敏感性差、制作成本高。本發(fā)明的技術(shù)方案為：通過(guò)腐蝕擴(kuò)芯光纖實(shí)現(xiàn)的干涉儀，該干涉儀包括在光纖1上制作的擴(kuò)芯區(qū)2和腐蝕區(qū)3。制作方法：將光纖1去除涂覆，在對(duì)光纖1加熱的同時(shí)將光纖1兩端向中間推，制作擴(kuò)芯區(qū)2，然后以HF溶液沿徑向腐蝕擴(kuò)芯區(qū)2中部，形成腐蝕區(qū)3。加熱的方法包括：電火花放電、CO2激光器聚焦或火焰加熱。光纖1直徑為D1，擴(kuò)芯區(qū)2的最大直徑為D2，長(zhǎng)度為2L1+L2，腐蝕區(qū)3的長(zhǎng)度為L(zhǎng)2，深度為H。D1=50～500μm。D2=1.1D1～10D1。L1=0.5D1～10D1。L2=0.5L1～5L1。0.1D2≤H<0.5D2。本發(fā)明和已有技術(shù)相比所具有的有益效果：以光纖上制作擴(kuò)芯區(qū)然后腐蝕的方法制作出來(lái)的干涉儀無(wú)論在徑向還是軸向尺寸都足夠小，以至于對(duì)氣態(tài)或是液態(tài)物質(zhì)折射率的測(cè)量只需要很少的劑量。相比傳統(tǒng)少則幾厘米，多則數(shù)十厘米的傳感結(jié)構(gòu)，在尺寸上有較大幅度的減小。并且腐蝕出來(lái)的腐蝕區(qū)由于徑向尺寸很小，光纖包層很薄或是完全沒(méi)有了光纖包層，使得激光的傳輸狀態(tài)對(duì)周?chē)郎y(cè)物的折射率變化十分敏感，增大了敏感度，并且制作過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低。附圖說(shuō)明圖1腐蝕掉部分包層的干涉儀結(jié)構(gòu)圖。圖2腐蝕掉部分包層的干涉儀信號(hào)的傳播示意圖。圖3腐蝕掉全部包層的干涉儀結(jié)構(gòu)圖。圖4腐蝕掉全部包層的干涉儀信號(hào)的傳播示意圖。圖5腐蝕掉部分纖芯的干涉儀結(jié)構(gòu)圖。圖6腐蝕掉部分纖芯的干涉儀信號(hào)的傳播示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。實(shí)施方式通過(guò)腐蝕擴(kuò)芯光纖實(shí)現(xiàn)的干涉儀，如圖1所示，其特征在于：該干涉儀包括在光纖1上制作的擴(kuò)芯區(qū)2和腐蝕區(qū)3。制作方法：將光纖1去除涂覆，在對(duì)光纖1加熱的同時(shí)將光纖1兩端向中間推，制作擴(kuò)芯區(qū)2，然后以HF溶液沿徑向腐蝕擴(kuò)芯區(qū)2中部，形成腐蝕區(qū)3。加熱的方法包括：電火花放電、CO2激光器聚焦或火焰加熱。光纖1直徑為D1，擴(kuò)芯區(qū)2的最大直徑為D2，長(zhǎng)度為2L1+L2，腐蝕區(qū)3的長(zhǎng)度為L(zhǎng)2，深度為H。D1=50～500μm。D2=1.1D1～10D1。L1=0.5D1～10D1。L2=0.5L1～5L1。0.1D2≤H<0.5D2。當(dāng)腐蝕的深度小于擴(kuò)芯區(qū)2的包層厚度時(shí)，如圖1所示，干涉儀中光的傳播路徑如圖2所示，激光信號(hào)進(jìn)入擴(kuò)芯區(qū)2后被分為兩路，其中一路保持纖芯中傳播，另一路在包層中傳播，繼續(xù)傳播后，包層中的光信號(hào)又被分為兩路，一路繼續(xù)在包層中傳播，另一路被耦合到光纖外的腐蝕區(qū)3。當(dāng)光繼續(xù)傳播時(shí)經(jīng)歷與進(jìn)入干涉儀相反的過(guò)程，最終在干涉儀的另一端進(jìn)行干涉，產(chǎn)生干涉條紋。當(dāng)腐蝕的深度等于擴(kuò)芯區(qū)2的包層厚度時(shí)，如圖3所示，干涉儀中光的傳播路徑如圖4所示，激光信號(hào)進(jìn)入擴(kuò)芯區(qū)2后被分為兩路，其中一路保持纖芯中傳播，另一路在包層中傳播，繼續(xù)傳播后，包層中的光信號(hào)被耦合到腐蝕區(qū)3。當(dāng)光繼續(xù)傳播時(shí)經(jīng)歷與進(jìn)入干涉儀相反的過(guò)程，最終在干涉儀的另一端進(jìn)行干涉，產(chǎn)生干涉條紋。當(dāng)腐蝕的深度大于擴(kuò)芯區(qū)2的包層厚度時(shí)，如圖5所示，干涉儀中光的傳播路徑如圖6所示，激光信號(hào)進(jìn)入擴(kuò)芯區(qū)2后被分為兩路，其中一路保持纖芯中傳播，另一路在包層中傳播，繼續(xù)傳播后，包層中的光信號(hào)被耦合到腐蝕區(qū)3，纖芯中的光信號(hào)分為兩路，一路被耦合到腐蝕區(qū)3，另一路繼續(xù)在纖芯中傳播。當(dāng)光繼續(xù)傳播時(shí)經(jīng)歷與進(jìn)入干涉儀相反的過(guò)程，最終在干涉儀的另一端進(jìn)行干涉，產(chǎn)生干涉條紋。