像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，該像素結(jié)構(gòu)包括：一透明基板（60）、形成于透明基板（60）上的柵極線、形成于透明基板（60）上的薄膜晶體管、形成于透明基板（60）上的數(shù)據(jù)線（68）、形成于透明基板（60）及薄膜晶體管上的像素電極（62）、形成于像素電極（62）、透明基板（60）及數(shù)據(jù)線（68）上的鈍化層（64）、以及形成鈍化層（64）上的公共電極（66），該鈍化層（64）包括：位于數(shù)據(jù)線（68）上的第一部分（72）、位于像素電極（62）上的第二部分（74）、及位于透明基板（60）上且位于數(shù)據(jù)線（68）的兩側(cè)的第三部分（76），鈍化層（64）第一部分（72）的厚度大于第二部分（74）的厚度。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來顯示技術(shù)發(fā)展很快，平板顯示器以其完全不同的顯示和制造技術(shù)使之與傳統(tǒng)的視頻圖像顯示器有很大的差別。傳統(tǒng)的視頻圖像顯示器主要為陰極射線管CRT (Cathode ray tubes);而平板顯示器與之的主要區(qū)別在于重量和體積(厚度)方面的變化，通常平板顯示器的厚度不超過10cm，當(dāng)然還有其它的不同，如顯示原理、制造材料、工藝以及視頻圖像顯示驅(qū)動方面的各項技術(shù)等。
[0003]液晶顯示器是目前使用最廣泛的具有高分辨率彩色屏幕的一種平板顯示器，已經(jīng)廣泛被各種電子設(shè)備所應(yīng)用，如移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0004]目前普遍采用的液晶顯示器，通常由上下襯底和中間液晶層組成，而襯底由玻璃和電極等組成。如果上下襯底上都設(shè)有電極，可以形成縱向電場模式的液晶顯示器，如TN(Twist Nematic,扭曲向列)模式液晶顯示器、VA (Vertical Alignment,垂直配向)模式液晶顯示器、以及為了解決視角過窄問題而開發(fā)的MVA (Multidomain Vertical Alignment,多域垂直配向)模式液晶顯示器。另外一類與上述液晶顯示器不同，電極只位于襯底的一偵1J,形成橫向電場模式的液晶顯示器，如IPS (In-plane switching,平面切換)模式液晶顯示器、FFS (Fringe Field Switching,邊緣切換)模式液晶顯示器等。FFS模式液晶顯示器以其高開口、高分辨率、廣視角等特點為眾多移動通訊設(shè)備采用。
[0005]目前移動通訊設(shè)備的顯示屏向高分辨率(Pixels per inch, PPI)、高色域值、高對比度、低功耗方向發(fā)展。隨著分辨率的提高，屏幕內(nèi)部的寄生電容變得越來越嚴重。為了減小屏幕內(nèi)部的寄生電容，通常增加電極間由氮硅化合物(SiNx)或二氧化硅(SiO2)形成的絕緣層的厚度，或者使用厚度更大的有機絕緣層。上述方法在減小有害寄生電容的同時，也導(dǎo)致有益電容的減小，如存儲電容Cst。
[0006]具體的，請參閱圖1及圖2，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中手機屏使用的像素結(jié)構(gòu)，圖2為圖1中A-A線的剖面圖，為了方便說明，圖1及圖2中均省略了薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)部分的結(jié)構(gòu)。在該FFS模式液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)中，公共電極的透明導(dǎo)電層電極100與數(shù)據(jù)線(Date line) 200間的寄生電容①會增加數(shù)據(jù)線200上的RC delay(即數(shù)據(jù)線上信號傳遞的快慢受到電阻(R)與電容(C)的乘積所左右)，這就會使液晶面板中部分像素充電不足，而顯示錯誤的灰階，影響畫面品質(zhì)。為了減小寄生電容①，通常會增加公共電極的透明導(dǎo)電層電極100與數(shù)據(jù)線200間絕緣層的厚度，但是這樣也減小了公共電極的透明導(dǎo)電層電極100與像素電極的透明導(dǎo)電層電極300間的存儲電容②。根據(jù)公式
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:一透明基板(60)、形成于透明基板(60)上的柵極線、形成于透明基板(60)上的薄膜晶體管、形成于透明基板(60)上的數(shù)據(jù)線(68)、形成于透明基板(60)及薄膜晶體管上的像素電極(62)、形成于像素電極(62)、透明基板(60)及數(shù)據(jù)線(68)上的鈍化層(64)、以及形成鈍化層(64)上的公共電極(66)，所述鈍化層(64)包括:位于數(shù)據(jù)線(68)上的第一部分(72)、位于像素電極(62)上的第二部分(74)、以及位于透明基板(60 )上且位于數(shù)據(jù)線(68 )的兩側(cè)的第三部分(76 )，所述鈍化層(64 )第一部分(72)的厚度大于第二部分(74)的厚度，所述像素電極(62)與所述公共電極(66)部分重疊以形成存儲電容。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層(64)第一部分(72)的厚度大于第三部分(76)的厚度，所述鈍化層(64)第二部分(74)的頂端與第三部分(76)的頂端平齊；所述像素結(jié)構(gòu)還包括一形成于薄膜晶體管及像素電極(62)之間的保護層。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管具有一柵極、一漏極及一源極，所述柵極與柵極線電性連接，所述源極與數(shù)據(jù)線(68)電性連接，所述漏極與像素電極(62)電性連接，所述像素電極(62)為一透明導(dǎo)電層，所述公共電極(66)為一透明導(dǎo)電層。
4.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟11、提供一透明基板(60); 步驟12、在所述透明基板( 60)上沉積形成柵極線、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線(68)及像素電極(62)； 步驟13、在所述透明基板(60)、數(shù)據(jù)線(68)及像素電極(62)上沉積形成鈍化層(64)，所述鈍化層(64)包括:位于所述數(shù)據(jù)線(68)上的第一部分(72)、位于像素電極(62)上的第二部分(74)以及位于透明基板(60)上且位于數(shù)據(jù)線(68)兩側(cè)的第三部分(76)； 步驟14、對外圍線路上的鈍化層(64)進行蝕刻，以完成第一次蝕刻，之后對鈍化層(64)的第二部分(74)進行蝕刻，以完成第二次蝕刻，以減小鈍化層(64)第二部分(74)的厚度，使得鈍化層(64)第一部分(72)的厚度大于第二部分(74)的厚度； 步驟15、在所述鈍化層(64)上沉積形成公共電極(66)。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟12還包括在所述透明基板(60)上形成一保護層，所述保護層形成于所述薄膜晶體管與所述像素電極(62)之間。
6.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟14中的第二次蝕刻還包括對鈍化層(64 )的第三部分(76 )進行蝕刻，第二次蝕刻完成后，所述鈍化層(64 )第一部分(72)的厚度大于第三部分(76)的厚度，所述鈍化層(64)第二部分(74)的頂端與第三部分(76)的頂端平齊。
7.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述像素電極(62)為一透明導(dǎo)電層，所述公共電極(66)為一透明導(dǎo)電層。
8.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟21、提供一透明基板(60); 步驟22、在所述透明基板(60)上沉積形成柵極線、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線(68)及像素電極(62)；步驟23、在所述透明基板(60)、數(shù)據(jù)線(68)及像素電極(62)上沉積形成一第一鈍化層(92)，對所述第一鈍化層(92)進行蝕刻，僅保留數(shù)據(jù)線(68)上方的第一鈍化層(92)，其它部分蝕刻掉； 步驟24、在所述透明基板(60)、像素電極(62)及第一鈍化層(92)上沉積形成一第二鈍化層(94)，對所述第二鈍化層(94)進行蝕刻，將外圍線路上的第二鈍化層(94)蝕刻掉，其它部分保留； 步驟25、在所述第二鈍化層(94 )上沉積形成公共電極(66 )。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一鈍化層(92)的厚度大于所述第二鈍化層(94)的厚度。
10.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟22還包括在透明基板(60)上形成一保護層，所述保護層形成于所述薄膜晶體管與所述像素電極(62)之間；所述像素電極(62)為一透明`導(dǎo)電層，所述公共電極(66)為一透明導(dǎo)電層。
【文檔編號】G02F1/1362GK103558719SQ201310562065
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月12日
【發(fā)明者】郝思坤 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司