專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種可節(jié)省光罩?jǐn)?shù)目的制作像素結(jié)構(gòu)的方法及像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于主動陣列式平面顯示面板中作為主動組件，用以驅(qū)動主動式液晶顯示面板、主動式有機(jī)電激發(fā)光顯示面板等裝置。公知的薄膜晶體管包含一柵極、一源極、一漏極以及作為晶體管信道的一半導(dǎo)體層， 以現(xiàn)有的制作技術(shù)制作薄膜晶體管時，通常需要五道以上的微影制程來定義出薄膜晶體管各個組件的圖案。以五道光罩制程為例，其中第一道光罩制程是用以定義一第一金屬層，以形成掃描線與薄膜晶體管的柵極等構(gòu)件；第二道光罩制程是用以定義出薄膜晶體管的半導(dǎo)體層；第三道光罩制程是用以定義一第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源極與漏極等構(gòu)件；第四道光罩制程是用來圖案化一絕緣保護(hù)層，以形成接觸孔；第五道光罩制程則是用來圖案化一透明導(dǎo)電層，以形成像素電極。為了減少光罩使用數(shù)目以簡化制程，目前在定義薄膜晶體管組件圖案時常見使用灰階光罩(half-tone mask)來當(dāng)作制備薄膜晶體管的第二道光罩，灰階光罩包含一透明基板以及設(shè)于透明基板上的一遮蔽圖案與一半透區(qū)域(half-tone region)，其中遮蔽圖案是用于定義薄膜晶體管漏極和源極的圖案，而半透區(qū)域是用于定義位于源極和漏極下方的半導(dǎo)體層的圖案，以取代五道光罩制程中的第二道光罩及第三道光罩，也就是說，在制作薄膜晶體管時，僅需四次微影制程即可完成薄膜晶體管的制作。然而，灰階光罩的價格較一般光罩昂貴，不利于降低生產(chǎn)成本。因此，如何在薄膜晶體管制程中同時減少光罩使用數(shù)目并節(jié)省生產(chǎn)成本實為相關(guān)技術(shù)者所欲改進(jìn)的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，以節(jié)省像素結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管的生產(chǎn)成本，其中使用一般光罩取代灰階光罩以定義薄膜晶體管的組件圖案。本發(fā)明的一較佳實施例是提供一種制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其步驟如下。提供一基板，且于基底上形成一掃描線以及一柵極。于基板、掃描線與柵極上依序形成一絕緣層與一半導(dǎo)體層，接著，于半導(dǎo)體層上形成一金屬層。在金屬層上形成一第一圖案化光阻層，其中第一圖案化光阻層具有一平坦的頂面。蝕刻未被第一圖案化光阻層覆蓋的金屬層，以形成一電極圖案以及一數(shù)據(jù)線。蝕刻未被第一圖案化光阻層覆蓋的半導(dǎo)體層，以形成一半導(dǎo)體信道，其中數(shù)據(jù)線與掃描線未重迭。對第一圖案化光阻層進(jìn)行一灰化(ashing)制程，以縮減第一圖案化光阻層的厚度而形成一第二圖案化光阻層，其中第二圖案化光阻層部分暴露出電極圖案，且第二圖案化光阻層的一頂面與電極圖案的一頂面為共平面(coplanar)。蝕刻未被第二圖案化光阻層覆蓋的電極圖案以形成一源極與一漏極，之后，去除第二圖案化光阻層。于源極、漏極與數(shù)據(jù)線上形成至少一保護(hù)層，其中保護(hù)層具有一第一接觸洞部分暴露出漏極，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞部分暴露出數(shù)據(jù)線或掃描線。于保護(hù)層上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，其中圖案化透明導(dǎo)電層包括一像素電極經(jīng)由第一接觸洞與漏極電性連接，以及一連接電極經(jīng)由第二接觸洞與數(shù)據(jù)線或掃描線電性連接。本發(fā)明的一較佳實施例是提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一掃描線、一柵極、一絕緣層、一半導(dǎo)體信道、一數(shù)據(jù)線、一源極、一漏極、一保護(hù)層、一像素電極以及一連接電極。 掃描線以及柵極設(shè)置于基板上，且絕緣層設(shè)置于掃描線、柵極與基板上。半導(dǎo)體信道設(shè)置于絕緣層上并對應(yīng)柵極。數(shù)據(jù)線設(shè)置于絕緣層上，其中數(shù)據(jù)線與掃描線未重迭。源極與漏極設(shè)置于半導(dǎo)體信道上。保護(hù)層設(shè)置于源極、漏極與數(shù)據(jù)線上，其中保護(hù)層具有一第一接觸洞部分暴露出漏極，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞部分暴露出數(shù)據(jù)線或掃描線。設(shè)置于保護(hù)層上的像素電極是經(jīng)由第一接觸洞與漏極電性連接，而設(shè)置于保護(hù)層上的連接電極則是經(jīng)由第二接觸洞與數(shù)據(jù)線或掃描線電性連接。本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，其使用一非灰階光罩取代灰階光罩，并利用四道光罩制程完成像素結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管，可大幅節(jié)省生產(chǎn)成本。另外，像素結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線與掃描線不互相重迭，而改用連接電極以電性連接位于掃描線兩側(cè)且彼此分離的數(shù)據(jù)線，或是電性連接位于數(shù)據(jù)線兩側(cè)且彼此分離的掃描線，可避免因掃描線與數(shù)據(jù)線重迭 (跨線)造成位于上方的數(shù)據(jù)線的斷線，有利于數(shù)據(jù)線可持續(xù)正常傳遞信號至相對應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)。


圖1至圖14繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。圖15至圖16繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。
具體實施例方式為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。請參考圖1至圖14。圖1至圖14繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖，其中圖1、圖5、圖9、圖11與圖13是以上視型式繪示，而圖2至圖4、圖6 至圖8、圖10、圖12與圖14是以剖面型式繪示。圖2繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)沿圖1A-A’線段及B- B’線段的剖面示意圖。如圖1及圖2所示，提供一基板10，基板10可以是硬質(zhì)基板例如玻璃基板、石英基板、塑料基板等，也可以是其它可撓式材質(zhì)的軟質(zhì)基板。接著，形成一掃描線12以及一柵極14于基板10上，其中形成掃描線12以及柵極14的方法可包括藉由物理氣相沉積例如濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporation)，或化學(xué)氣相沉積或其它薄膜沈積技術(shù)于基板10 上全面形成一導(dǎo)電層(圖未示)。之后，進(jìn)行一圖案化制程例如一微影蝕刻制程，以形成掃描線12以及柵極14。掃描線12與柵極14電性連接，且共同形成一連續(xù)線段。如圖3所示，于基板10、掃描線12與柵極14上依序形成一絕緣層16與一半導(dǎo)體層 18，且于半導(dǎo)體層18上形成一金屬層22。絕緣層16的材料可包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料，但不以此為限；半導(dǎo)體層18可為一非晶硅(amorphous silicon) 層或其它半導(dǎo)體材料；金屬層22的材料可包括鋁、鉬、鉻、鎢、銅或上述金屬的組合，但不以此為限。此外，為降低金屬層22與半導(dǎo)體層18之間的阻抗值，在形成金屬層22之前，也可選擇性先于半導(dǎo)體層18上形成一奧姆接觸層20 (ohmic contact layer)。如圖4所示，于金屬層22上形成一第一圖案化光阻層對，其中第一圖案化光阻層 24具有一平坦的頂面Si，且柵極14完全被第一圖案化光阻層M所覆蓋。另外，第一圖案化光阻層M與掃描線12較佳是未重迭，但不以此為限，亦可為部分重迭。形成第一圖案化光阻層M的方法例如先于金屬層22上形成一光阻層(圖未示)，由于光阻層的自行平坦化性質(zhì)，此時光阻層具有平坦的頂面；然后利用一非灰階光罩進(jìn)行微影蝕刻制程加以形成第一圖案化光阻層對。由于非灰階光罩中各區(qū)可通過的曝光量相同，因此第一圖案化光阻層M仍具有一平坦的頂面。如圖4所示，第一圖案化光阻層M的厚度隨金屬層22的表面起伏而變化，更詳細(xì)地說，第一圖案化光阻層M的厚度與基板10上已形成的結(jié)構(gòu)的厚度的關(guān)系為反比，例如第一圖案化光阻層M在柵極14上方的厚度hi是小于第一圖案化光阻層 24在柵極14兩側(cè)上方的厚度h2。另外，第一圖案化光阻層M位于掃描線12上方的部分金屬層22的兩側(cè)，且第一圖案化光阻層M的頂面較佳是高于金屬層22的頂面。本實施例較佳是使用同一光罩定義柵極14上方及掃描線12上方的第一圖案化光阻層M，但不以此為限。圖6繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)沿圖5A-A’線段及B- B’線段的剖面示意圖。如圖5及圖6所示，接著去除未被第一圖案化光阻層M覆蓋的金屬層22，以形成一電極圖案26以及一數(shù)據(jù)線觀，并暴露出部分奧姆接觸層20。去除部分金屬層22的方法可包括進(jìn)行一濕蝕刻制程。電極圖案沈?qū)?yīng)于柵極14，亦即電極圖案沈與柵極14重迭。數(shù)據(jù)線觀包括一第一數(shù)據(jù)線段32與一第二數(shù)據(jù)線段34彼此分離并分別位于掃描線 12的兩側(cè)。之后，如圖7所示，去除未被第一圖案化光阻層M覆蓋的奧姆接觸層20，以及去除未被第一圖案化光阻層M覆蓋的半導(dǎo)體層18，以形成一半導(dǎo)體信道30，并暴露出部分絕緣層16。去除部分奧姆接觸層20與部分半導(dǎo)體層18的方法可包括進(jìn)行一干蝕刻制程。 其中數(shù)據(jù)線觀與掃描線12未重迭。如圖8所示，在去除未被第一圖案化光阻層M覆蓋的部分金屬層22、部分奧姆接觸層20與部分半導(dǎo)體層18后，對第一圖案化光阻層M進(jìn)行一灰化(ashing)制程，以縮減第一圖案化光阻層M的厚度而形成一第二圖案化光阻層36。更詳細(xì)地說，由于位于柵極 14上方的第一圖案化光阻層M的厚度hi小于位于柵極14兩側(cè)上方的第一圖案化光阻層 M的厚度h2，因此進(jìn)行灰化制程后，柵極14上方的第一圖案化光阻層M會先被完全去除， 而只留下柵極14兩側(cè)上方的第一圖案化光阻層24，以形成第二圖案化光阻層36。而位于掃描線12上方的第一圖案化光阻層M也經(jīng)由此灰化制程部分去除，以形成厚度較小的第二圖案化光阻層36，掃描線12上方的第二圖案化光阻層36較佳是不暴露其下方的不連續(xù)的數(shù)據(jù)線觀例如第一數(shù)據(jù)線段32與第二數(shù)據(jù)線段34。此時，柵極14上方的第二圖案化光阻層36部分暴露出電極圖案沈，且此第二圖案化光阻層36的一頂面S3與電極圖案沈的一頂面S4為共平面(coplanar)，也就是說第二圖案化光阻層36的頂面S3較佳是與電極圖案沈的頂面S4相鄰且接觸。圖10繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)沿圖9A-A’線段及B- B’線段的剖面示意圖。如圖9及圖10所示，接下來去除未被柵極14上方的第二圖案化光阻層36覆蓋的電極圖案26以形成一源極38與一漏極40，以及去除未被此第二圖案化光阻層36覆蓋且位于源極38與漏極40中間的奧姆接觸層20。其方法可包括進(jìn)行一濕蝕刻制程去除部分電極圖案36至暴露出奧姆接觸層20，接著進(jìn)行一干蝕刻制程去除部分奧姆接觸層20至暴露出半導(dǎo)體信道30，其中暴露出的半導(dǎo)體信道30可作為后續(xù)完成的薄膜晶體管的電子信道， 且半導(dǎo)體信道30的長寬比可藉由柵極14的寬度可以調(diào)整。另一方面，位于掃描線12上方的第二圖案化光阻層36完全覆蓋第一數(shù)據(jù)線段32與第二數(shù)據(jù)線段34，因此可避免去除部分電極圖案26以及源極38與漏極40中間的奧姆接觸層20時，對已形成的第一數(shù)據(jù)線段 32與第二數(shù)據(jù)線段34造成損傷。圖12繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)沿圖11A-A’線段及B- B’線段的剖面示意圖。如圖11及圖12所示，去除第二圖案化光阻層36，并于源極38、漏極40與數(shù)據(jù)線觀上形成至少一保護(hù)層42，其中保護(hù)層42具有一第一接觸洞44部分暴露出漏極40， 以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞46部分暴露出數(shù)據(jù)線觀，其中保護(hù)層42的第二接觸洞46是分別部分暴露出第一數(shù)據(jù)線段32與第二數(shù)據(jù)線段34。圖14繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)沿圖13A-A’線段及B- B’線段的剖面示意圖。最后，如圖13及圖14所示，于保護(hù)層42上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，其中圖案化透明導(dǎo)電層包括一像素電極48以及一連接電極50。像素電極48經(jīng)由第一接觸洞44與漏極40電性連接，而連接電極50經(jīng)由第二接觸洞46與數(shù)據(jù)線觀電性連接，更詳細(xì)地說，連接電極50是經(jīng)由第二接觸洞46與第一數(shù)據(jù)線段32以及第二數(shù)據(jù)線段34電性連接。至此，完成像素結(jié)構(gòu)52中的薄膜晶體管的四道光罩制程。請再參考圖13及圖14。如圖13及圖14所示，本實施例的一種像素結(jié)構(gòu)52，包括一基板10、一掃描線12、一柵極14、一絕緣層16、一半導(dǎo)體信道30、一數(shù)據(jù)線觀、一源極38、 一漏極40、一保護(hù)層42、一像素電極48以及一連接電極50。掃描線12以及柵極14設(shè)置于基板10上，且絕緣層16設(shè)置于掃描線12、柵極14與基板10上。半導(dǎo)體信道30設(shè)置于絕緣層16上并對應(yīng)柵極14。數(shù)據(jù)線觀設(shè)置于絕緣層16上，其中數(shù)據(jù)線觀與掃描線12未重迭。在本實施例中，數(shù)據(jù)線觀包括一第一數(shù)據(jù)線段32與一第二數(shù)據(jù)線段34彼此分離并分別位于掃描線12的兩側(cè)。源極38與漏極40設(shè)置于半導(dǎo)體信道30上。為降低源極38/ 漏極40與半導(dǎo)體信道30之間的阻抗值，像素結(jié)構(gòu)52可還包括一奧姆接觸層20，位于源極 38與半導(dǎo)體信道30之間，以及位于漏極40與半導(dǎo)體信道30之間。保護(hù)層42設(shè)置于源極 38、漏極40與數(shù)據(jù)線觀上，且保護(hù)層42具有一第一接觸洞44部分暴露出漏極40，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞46部分暴露出數(shù)據(jù)線觀，其中，保護(hù)層42的第二接觸洞46是分別部分暴露出第一數(shù)據(jù)線段32與第二數(shù)據(jù)線段34。此外，設(shè)置于保護(hù)層42上的像素電極48是經(jīng)由第一接觸洞44與漏極40電性連接，而設(shè)置于保護(hù)層42上的連接電極50則是經(jīng)由第二接觸洞46與數(shù)據(jù)線觀電性連接，更詳細(xì)地說，連接電極50經(jīng)由第二接觸洞46分別與第一數(shù)據(jù)線段32以及第二數(shù)據(jù)線段34連接，使第一數(shù)據(jù)線段32與第二數(shù)據(jù)線段34透過連接電極50電性連接。值得注意的是，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)52中數(shù)據(jù)線觀與掃描線12不互相重迭，而改以連接電極50電性連接位于掃描線12兩側(cè)的數(shù)據(jù)線段，可避免數(shù)據(jù)線觀與掃描線12互相重迭時，位于上方的數(shù)據(jù)線觀會因其下方的其它結(jié)構(gòu)的總厚度過厚而在跨線處發(fā)生斷線，有利于保持?jǐn)?shù)據(jù)線觀的正常功能。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)并不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)制作方法，且為了便于比較各實施例的相異處并簡化說明，在下文的各實
7施例中使用相同的符號標(biāo)注相同的組件，且主要針對各實施例的相異處進(jìn)行說明，而不再對重復(fù)部分進(jìn)行贅述。請參考圖15至圖16，圖15至圖16繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖，其中圖15繪示了本實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖16為沿圖15A-A’ 線段與B-B’線段繪示的剖面示意圖。如圖15至圖16所示，在第二實施例中，形成像素結(jié)構(gòu)M的方法包括提供一基板10，且形成一掃描線56以及柵極14于基板10上。與第一實施例不同之處在于，掃描線56為一不連續(xù)線段，包括彼此分離的一第一掃描線段62與一第二掃描線段64，而柵極14與第一掃描線段62電性連接且共同組成一連續(xù)線段。接著，于基板10、掃描線56與柵極14上依序形成一絕緣層66與一半導(dǎo)體層18，且于半導(dǎo)體層上形成一金屬層(圖未示)。在形成金屬層之前，也可選擇性于半導(dǎo)體層18上形成奧姆接觸層 20。然后，形成一第一圖案化光阻層(圖未示)于金屬層上，且第一圖案化光阻層是利用非灰階光罩加以形成。因此，第一圖案化光阻層具有一平坦的頂面。第一圖案化光阻層完全重迭柵極14，且第一圖案化光阻層與掃描線56較佳為完全不重迭，但不以此為限，亦可為部分重迭。以第一圖案化光阻層為屏蔽，去除未被第一圖案化光阻層覆蓋的金屬層，以形成一電極圖案(圖未示)以及一數(shù)據(jù)線58，其中數(shù)據(jù)線58與掃描線56未重迭，掃描線56包括第一掃描線段62與第二掃描線段64彼此分離并分別位于為一連續(xù)線段的數(shù)據(jù)線58的兩側(cè)。之后形成半導(dǎo)體信道、源極與漏極的方式與第一實施例相似，請一并參考前述相關(guān)說明、圖7、圖8以及圖10，去除未被第一圖案化光阻層覆蓋的半導(dǎo)體層18與奧姆接觸層 20，以形成位于柵極14上方的半導(dǎo)體信道30，并暴露出部分絕緣層66。然后，對第一圖案化光阻層進(jìn)行一灰化制程，以縮減第一圖案化光阻層的厚度而形成一第二圖案化光阻層(圖未示)，其中第二圖案化光阻層部分暴露出電極圖案，且第二圖案化光阻層的一頂面與電極圖案的一頂面為共平面。再去除未被第二圖案化光阻層覆蓋的電極圖案以形成源極38與漏極40，隨后去除第二圖案化光阻層。于源極38、漏極40與數(shù)據(jù)線58上形成至少一保護(hù)層70，其中保護(hù)層70具有第一接觸洞44部分暴露出漏極40，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞72部分暴露出掃描線56。于保護(hù)層 70上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，其中圖案化透明導(dǎo)電層包括像素電極48經(jīng)由第一接觸洞 44與漏極40電性連接，以及一連接電極60經(jīng)由第二接觸洞72與掃描線56電性連接。與第一實施例不同之處在于，絕緣層66具有復(fù)數(shù)個第三接觸洞74，第三接觸洞74分別與保護(hù)層70的第二接觸洞72對應(yīng)并分別部分暴露出第一掃描線段62與第二掃描線段64，在本實施例中，連接電極60是經(jīng)由第二接觸洞72以及第三接觸洞74與第一掃描線段62以及第二掃描線段64電性連接。至此，完成像素結(jié)構(gòu)M中的薄膜晶體管的四道光罩制程。本發(fā)明使用非灰階光罩取代灰階光罩完成像素結(jié)構(gòu)討中薄膜晶體管的制程，以節(jié)省光罩成本。如圖15與圖16所示，第二實施例的像素結(jié)構(gòu)M，包括基板10、掃描線56、柵極14、 絕緣層66、半導(dǎo)體信道30、數(shù)據(jù)線58、源極38、漏極40、保護(hù)層70、像素電極48以及連接電極60。與第一實施例的像素結(jié)構(gòu)52不同之處在于，掃描線56包括第一掃描線段62與第二掃描線段64彼此分離并分別位于數(shù)據(jù)線58的兩側(cè)。保護(hù)層70設(shè)置于源極38、漏極40與數(shù)據(jù)線58上，且保護(hù)層70具有第一接觸洞44部分暴露出漏極40，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞 72部分暴露出掃描線56，值得注意的是，絕緣層66設(shè)置于掃描線56與保護(hù)層70之間，因此為使第二接觸洞72暴露出掃描線56，絕緣層66需另具有復(fù)數(shù)個第三接觸洞74分別與保護(hù)層70的第二接觸洞72對應(yīng)，使絕緣層66的第三接觸洞74分別與相對應(yīng)的保護(hù)層70的第二接觸洞72連接，以分別部分暴露出第一掃描線段62與第二掃描線段64。設(shè)置于保護(hù)層 70上的像素電極48經(jīng)由第一接觸洞44與漏極40電性連接，而設(shè)置于保護(hù)層70上的連接電極60則經(jīng)由第二接觸洞72以及第三接觸洞74與掃描線56電性連接，更詳細(xì)地說，連接電極60是經(jīng)由第二接觸洞72以及第三接觸洞74分別與第一掃描線段62以及第二掃描線段64連接，使第一掃描線段62與第二掃描線段64透過連接電極60電性連接。同理論之， 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)M中數(shù)據(jù)線58與掃描線56不互相重迭，而改以連接電極60電性連接位于數(shù)據(jù)線58兩側(cè)的掃描線段，可避免公知技術(shù)中在數(shù)據(jù)線與掃描線互相重迭的跨線處， 位于上方的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線，有利于保持?jǐn)?shù)據(jù)線的正常功能。綜上所述，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，其使用一非灰階光罩取代灰階光罩完成像素結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管的四道光罩制程，以節(jié)省生產(chǎn)成本。另外，像素結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線與掃描線不互相重迭，而改用連接電極以電性連接位于掃描線/數(shù)據(jù)線兩側(cè)且彼此分離的數(shù)據(jù)線/掃描線，可避免因掃描線與數(shù)據(jù)線重迭(跨線)造成位于上方的數(shù)據(jù)線的斷線，有利于數(shù)據(jù)線可持續(xù)正常傳遞信號至相對應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括 提供一基板；于該基板上形成一掃描線以及一柵極；于該基板、該掃描線與該柵極上依序形成一絕緣層與一半導(dǎo)體層； 于該半導(dǎo)體層上形成一金屬層；于該金屬層上形成一第一圖案化光阻層，其中該第一圖案化光阻層具有一平坦的頂去除未被該第一圖案化光阻層覆蓋的該金屬層，以形成一電極圖案以及一數(shù)據(jù)線，以及去除未被該第一圖案化光阻層覆蓋的該半導(dǎo)體層，以形成一半導(dǎo)體信道，其中該數(shù)據(jù)線與該掃描線未重迭；對該第一圖案化光阻層進(jìn)行一灰化制程，以縮減該第一圖案化光阻層的厚度而形成一第二圖案化光阻層，其中該第二圖案化光阻層部分暴露出該電極圖案，且該第二圖案化光阻層的一頂面與該電極圖案的一頂面為共平面；去除未被該第二圖案化光阻層覆蓋的該電極圖案以形成一源極與一漏極； 去除該第二圖案化光阻層；于該源極、該漏極與該數(shù)據(jù)線上形成至少一保護(hù)層，其中該保護(hù)層具有一第一接觸洞部分暴露出該漏極，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞部分暴露出該數(shù)據(jù)線或該掃描線；以及于該保護(hù)層上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，其中該圖案化透明導(dǎo)電層包括一像素電極經(jīng)由該第一接觸洞與該漏極電性連接，以及一連接電極經(jīng)由該些第二接觸洞與該數(shù)據(jù)線或該掃描線電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該第一圖案化光阻層是利用一非灰階光罩加以形成。
3.如權(quán)利要求1所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線段與一第二數(shù)據(jù)線段彼此分離并分別位于該掃描線的兩側(cè)，該保護(hù)層的該些第二接觸洞是分別部分暴露出該第一數(shù)據(jù)線段與該第二數(shù)據(jù)線段，且該連接電極經(jīng)由該些第二接觸洞與該第一數(shù)據(jù)線段以及該第二數(shù)據(jù)線段電性連接。
4.如權(quán)利要求1所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該掃描線包括一第一掃描線段與一第二掃描線段彼此分離并分別位于該數(shù)據(jù)線的兩側(cè)，該絕緣層具有復(fù)數(shù)個第三接觸洞分別與該保護(hù)層的該些第二接觸洞對應(yīng)并分別部分暴露出該第一掃描線段與該第二掃描線段，且該連接電極經(jīng)由該些第二接觸洞以及該些第三接觸洞與該第一掃描線段以及該第二掃描線段電性連接。
5.如權(quán)利要求1所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包括 形成該金屬層之前，先于該半導(dǎo)體層上形成一奧姆接觸層；去除未被該第一圖案化光阻層覆蓋的該奧姆接觸層；以及去除未被該第二圖案化光阻層覆蓋的該奧姆接觸層。
6.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 一基板；一掃描線以及一柵極，設(shè)置于該基板上； 一絕緣層，設(shè)置于該掃描線、該柵極與該基板上；一半導(dǎo)體信道，設(shè)置于該絕緣層上并對應(yīng)該柵極；一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于該絕緣層上，其中該數(shù)據(jù)線與該掃描線未重迭；一源極與一漏極，設(shè)置于該半導(dǎo)體信道上；一保護(hù)層，設(shè)置于該源極、該漏極與該數(shù)據(jù)線上，其中該保護(hù)層具有一第一接觸洞部分暴露出該漏極，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞部分暴露出該數(shù)據(jù)線或該掃描線；一像素電極，設(shè)置于該保護(hù)層上并經(jīng)由該第一接觸洞與該漏極電性連接；以及一連接電極，設(shè)置于該保護(hù)層上并經(jīng)由該些第二接觸洞與該數(shù)據(jù)線或該掃描線電性連接。
7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)線段與一第二數(shù)據(jù)線段彼此分離并分別位于該掃描線的兩側(cè)，該保護(hù)層的該些第二接觸洞是分別部分暴露出該第一數(shù)據(jù)線段與該第二數(shù)據(jù)線段，且該連接電極經(jīng)由該些第二接觸洞與該第一數(shù)據(jù)線段與該第二數(shù)據(jù)線段電性連接。
8.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線包括一第一掃描線段與一第二掃描線段彼此分離并分別位于該數(shù)據(jù)線的兩側(cè)，該絕緣層具有復(fù)數(shù)個第三接觸洞分別與該保護(hù)層的該些第二接觸洞對應(yīng)并分別部分暴露出該第一掃描線段與該第二掃描線段，且該連接電極經(jīng)由該些第二接觸洞以及該些第三接觸洞與該第一掃描線段以及該第二掃描線段電性連接。
9.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一奧姆接觸層，位于該源極與該半導(dǎo)體信道之間，以及位于該漏極與該半導(dǎo)體信道之間。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，包括一基板、一掃描線、一柵極、一絕緣層、一半導(dǎo)體信道、一數(shù)據(jù)線、一源極、一漏極、一保護(hù)層、一像素電極以及一連接電極。絕緣層設(shè)置于掃描線、柵極與基板上，對應(yīng)柵極的半導(dǎo)體信道以及數(shù)據(jù)線設(shè)置于絕緣層上，其中數(shù)據(jù)線與掃描線未重迭。源極與漏極設(shè)置于半導(dǎo)體信道上。設(shè)置于源極、漏極與數(shù)據(jù)線上的保護(hù)層具有一第一接觸洞部分暴露出漏極，以及復(fù)數(shù)個第二接觸洞部分暴露出數(shù)據(jù)線或掃描線。設(shè)置于保護(hù)層上的像素電極經(jīng)由第一接觸洞與漏極電性連接，而設(shè)置于保護(hù)層上的連接電極則經(jīng)由第二接觸洞與數(shù)據(jù)線或掃描線電性連接。
文檔編號H01L29/786GK102496618SQ201110399830
公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月6日
發(fā)明者李育宗, 高金字 申請人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司