透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片的制作方法
【專利摘要】本實用新型所設計的一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比，提高火焰探測精度的透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Si、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片，其T=50%，波長:2400±200nm，在火焰探測過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片2460～3600nnm、Tavg≥92%，400～2350nm、Tavg≤0.5%。
【專利說明】透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及紅外濾光片領域，尤其是一種透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片。
【背景技術】
[0002]在自然界，任何物體在絕對零度(-273度)以上，都有紅外譜線發(fā)出，而每種物質(zhì)都有其特殊的發(fā)射或吸收特征峰。濾光片過濾、截止可見光同時允許特定的紅外線通過。利用帶通紅外濾光片的這種允許物體的特征紅外譜線透過的特性，可以探測出特定物質(zhì)的存在，廣泛應用于安防、環(huán)保、工業(yè)、科研等。濾光片的質(zhì)量直接影響探測的精度和靈敏度。由于任何物體都在發(fā)出紅外線，溫度越高，輻射的紅外線越強。在用于火焰探測中紅外濾光片可以通過指定的紅外線，因此對濾光片檢測的要求精度要高。就目前用于火焰探測中的濾光片，檢測精度不高、透過率和信噪比低，精度差，有時候出現(xiàn)誤測的現(xiàn)象，不能滿足市場發(fā)展的需要。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比，提高火焰探測精度的透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片。
[0004]為了達到上 述目的，本實用新型所設計的透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片，包括以Si為原材料的基板，以S1、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:189nm厚度的Si層、129nm厚度的SiO層、90nm厚度的Si層、272nm厚度的SiO層、91nm厚度的Si層、232nm厚度的SiO層、118nm厚度的Si層、238nm厚度的SiO層、98nm厚度的Si層、262nm厚度的SiO層、115nm厚度的Si層、217nm厚度的SiO層、104nm厚度的Si層、279nm厚度的SiO層、106nm厚度的Si層、170nm厚度的SiO層、122nm厚度的Si層和480nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:100nm厚度的Ge層、102nm厚度的SiO層、69nm厚度的Ge層、165nm厚度的SiO層、55nm厚度的Ge層、156nm厚度的SiO層、75nm厚度的Ge層、119nm厚度的SiO層、62nm厚度的Ge層、177nm厚度的SiO層、56nm厚度的Ge層、Tllxm厚度的SiO層、99nm厚度的Ge層、125nm厚度的SiO層、127nm厚度的Ge層和437nm厚度的SiO層。
[0005]上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0006]本實用新型所得到的透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片，其T=50%，波長:2400±200nm，在火焰探測過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片2460 ~3600nnm、Tavg ^ 92%，400 ~2350nm、Tavg ^ 0.5%。
【專利附圖】
【附圖說明】[0007]圖1是實施例整體結構示意圖；
[0008]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
【具體實施方式】
[0009]下面通過實施例結合附圖對本實用新型作進一步的描述。
[0010]實施例1:
[0011]如圖1、圖2所示，本實施例描述的透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以S1、SiO為第一鍍膜層I和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:189nm厚度的Si層、129nm厚度的SiO層、90nm厚度的Si層、272nm厚度的SiO層、91nm厚度的Si層、232nm厚度的SiO層、118nm厚度的Si層、238nm厚度的SiO層、98nm厚度的Si層、262nm厚度的SiO層、115nm厚度的Si層、217nm厚度的SiO層、104nm厚度的Si層、279nm厚度的SiO層、106nm厚度的Si層、170nm厚度的SiO層、122nm厚度的Si層和480nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:100nm厚度的Ge層、102nm厚度的SiO層、69nm厚度的Ge層、165nm厚度的SiO層、55nm厚度的Ge層、156nm厚度的SiO層、75nm厚度的Ge層、119nm厚度的SiO層、62nm厚度的Ge層、177nm厚度的SiO層、56nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、99nm厚度的Ge層、125nm厚度的SiO層、127nm厚度的Ge層和437nm厚度的SiO層。
【權利要求】
1.一種透過波長2400nm以上的火焰探測濾光片，包括以Si為原材料的基板，以S1、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:189nm厚度的Si層、129nm厚度的SiO層、90nm厚度的Si層、272nm厚度的SiO層、91nm厚度的Si層、232nm厚度的SiO層、118nm厚度的Si層、238nm厚度的SiO層、98nm厚度的Si層、262nm厚度的SiO層、115nm厚度的Si層、217nm厚度的SiO層、104nm厚度的Si層、279nm厚度的SiO層、106nm厚度的Si層、170nm厚度的SiO層、122nm厚度的Si層和480nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:IOOnm厚度的Ge層、102nm厚度的SiO層、69nm厚度的Ge層、165nm厚度的SiO層、55nm厚度的Ge層、156nm厚度的SiO層、75nm厚度的Ge層、119nm厚度的SiO層、62nm厚度的Ge層、177nm厚度的SiO層、56nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、99nm厚度的Ge層、125nm厚度的SiO層、127nm厚度的Ge層和437nm厚度的SiO層。
【文檔編號】G02B5/20GK203551817SQ201320777688
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權日:2013年11月29日
【發(fā)明者】王繼平, 呂晶, 余初旺 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司