4600nm帶通紅外濾光敏感元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)濾光敏感元件，尤其是一種4600nm帶通紅外濾光敏感元件。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外濾光敏感元件過(guò)濾、截止可見(jiàn)光同時(shí)允許通過(guò)紅外線。紅外線的波長(zhǎng)很容易地穿透任何的物體，也就是紅外線在經(jīng)過(guò)物體時(shí)不會(huì)發(fā)生折射。利用紅外線的這個(gè)特性，只讓長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅外線通過(guò)，濾除短波長(zhǎng)的紫外線和可見(jiàn)光。應(yīng)用于很多領(lǐng)域，目前對(duì)于醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)過(guò)程中所使用的濾光敏感元件存在的問(wèn)題是透過(guò)率和截止區(qū)的信噪比不高，不能滿足高精度的測(cè)量要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的4600nm帶通紅外濾光敏感元件。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種4600nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板，以Ge、S1為第一鍍膜層和以Ge、S1為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有120nm厚度的Ge層、257nm厚度的S1層、IlOnm厚度的Ge層、267nm厚度的S1層、112nm厚度的Ge層、278nm厚度的S1層、161nm厚度的Ge層、282nm厚度的S1層、IlOnm厚度的Ge層、239nm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、294nm厚度的S1層、233nm厚度的Ge層、287nm厚度的S1層、240nm厚度的Ge層、393nm厚度的S1層、257nm厚度的Ge層、20Inm厚度的S1層、270nm厚度的Ge層、303nm厚度的S1層、325nm厚度的Ge層、284nm厚度的S1層、71nm厚度的Ge層、180nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、1308nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、566nm厚度的Ge層、602nm厚度的S1層、259nm厚度的Ge層、150nm厚度的S1層。
[0005]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0006]本發(fā)明所得到的一種4600nm帶通紅外濾光敏感元件，其中心波長(zhǎng)4600 ±40nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過(guò)率Tp彡70%，帶寬=138±20nm，400?5500nm(除通帶外)，Tavg<0.1%。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過(guò)率實(shí)測(cè)曲線圖。
[0009]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0011]實(shí)施例1。
[0012]如圖1和圖2所示，本實(shí)施例描述的一種4600nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、S1為第一鍍膜層I和以Ge、S1為第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有120nm厚度的Ge層、257nm厚度的S1層、IlOnm厚度的Ge層、267nm厚度的S1層、112nm厚度的Ge層、278nm厚度的S1層、16111111厚度的66層、28211111厚度的S1層、IlOnm厚度的Ge層、239nm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、294nm厚度的S1層、233nm厚度的Ge層、287nm厚度的S1層、240nm厚度的Ge層、393nm厚度的S1層、257nm厚度的Ge層、20Inm厚度的S1層、270nm厚度的Ge層、303nm厚度的S1層、325nm厚度的Ge層、284nm厚度的S1層、71nm厚度的Ge層、180nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、1308nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、566nm厚度的Ge層、602nm厚度的S1層、259nm厚度的Ge層、150nm厚度的S1層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種4600nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板(2)，以Ge、S1為第一鍍膜層(I)和以Ge、S1為第二鍍膜層(3)，且所述基板(2)設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有120nm厚度的Ge層、257nm厚度的S1層、IlOnm厚度的Ge層、267nm厚度的S1層、112nm厚度的Ge層、278nm厚度的S1層、16Inm厚度的Ge層、282nm厚度的S1層、IlOnm厚度的Ge層、239nm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、294nm厚度的S1層、233nm厚度的Ge層、287nm厚度的310層、24011111厚度的66層、39311111厚度的5丨0層、25711111厚度的66層、20111111厚度的3丨0層、270nm厚度的Ge層、303nm厚度的S1層、325nm厚度的Ge層、284nm厚度的S1層、71nm厚度的Ge層、180nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、1308nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、283nm厚度的Ge層、654nm厚度的S1層、566nm厚度的Ge層、602nm厚度的S1層、259nm厚度的Ge層、150nm厚度的S1層。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種4600nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本發(fā)明所得到的一種4600nm帶通紅外濾光敏感元件，其中心波長(zhǎng)4600±40nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測(cè)分析過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過(guò)率Tp≥70％，帶寬=138±20nm，400～5500nm（除通帶外），Tavg＜0.1%。
【IPC分類】G02B5-20
【公開(kāi)號(hào)】CN104597549
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410734957
【發(fā)明人】呂晶, 王繼平, 胡偉琴
【申請(qǐng)人】杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年12月7日