光掩模的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，能夠低價且容易地制造光掩模。所述制造方法的特征在于，其具備以下工序：準備工序，準備透光板和遮光板，所述透光板透光并具有與要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮擋光并具有與要加工的晶片同等以上的大??；槽形成工序，在該遮光板的應透過光的區(qū)域的正面形成不到達背面的槽；一體化工序，在該遮光板的形成有槽的正面夾著透光的黏合劑來粘貼該透光板從而形成為一體；以及磨削工序，在實施該一體化工序之后，將該透光板側保持于卡盤工作臺并對該遮光板的背面進行磨削，使該槽在背面露出。
【專利說明】光掩模的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及晶片加工用的光掩模的制造方法。
【背景技術】
[0002]半導體晶片中，IC、LSI等多個器件被分割預定線劃分開而形成于半導體晶片的正面，關于該半導體晶片，在對背面進行磨削而加工成規(guī)定的厚度之后，利用切割裝置、激光加工裝置分割成一個個器件，分割出的器件被廣泛應用于移動電話、個人計算機等各種電子設備。
[0003]但是，在利用切割裝置進行切割時，高速旋轉的切削刀具切入晶片的分割預定線，因此，存在因切削刀具的破碎力導致器件產(chǎn)生缺口，從而器件的抗彎強度降低這樣的問題。
[0004]并且，在切削刀具進行的切割中，需要在使切削刀具精密地對準各分割預定線的基礎上，一條一條地切削各分割預定線，效率不佳。特別是在器件的尺寸小、要切削的分割預定線的數(shù)量多的情況下，為了切削所有的分割預定線需要相當長的時間，從而存在生產(chǎn)性低下的問題。
[0005]因此，為了提高器件的抗彎強度，或是為了提高生產(chǎn)性，日本特開2006-114825號公報中提出了這樣的技術:對晶片的分割預定線進行等離子蝕刻來分割成一個個器件。
[0006]現(xiàn)有技術文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2006-114825號公報
[0008]專利文獻2:日本特開昭62-229151號公報
[0009]但是，如專利文獻I所公開的那樣，為了對分割預定線進行等離子蝕刻來將晶片分割成一個個器件，需要光掩模，而現(xiàn)有的光掩模存在昂貴而導致成本高、且生產(chǎn)性差這樣的問題。
[0010]關于現(xiàn)有的光掩模的制造方法，如專利文獻2所公開的那樣包括以下工序:在玻璃板的表面覆蓋鉻等的遮光膜的工序；在遮光膜的上表面覆蓋光致抗蝕膜的工序；相對于光致抗蝕膜在希望遮光的區(qū)域和希望透光的區(qū)域有選擇地照射光或電子束來描繪圖案的工序；對光致抗蝕膜進行顯影來局部除去光致抗蝕膜的工序；以及通過蝕刻來局部除去遮光膜的工序，因而現(xiàn)有的光掩模的制造方法存在制造工序復雜而光掩模變得昂貴這樣的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]本發(fā)明正是鑒于這一點而完成的，其目的在于提供一種能夠低價且容易地制造光掩模的晶片加工用的光掩模的制造方法。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，提供一種光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，該光掩模的制造方法的特征在于，具備以下工序:準備工序，準備透光板和遮光板，所述透光板透光并具有與要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮擋光并具有與要加工的晶片同等以上的大??；槽形成工序，在該遮光板的應透過光的區(qū)域的正面形成不到達背面的槽；一體化工序，在形成有槽的該遮光板的正面夾著透光的黏合劑來粘貼該透光板，從而合為一體；以及磨削工序，在實施該一體化工序之后，將該透光板側保持于卡盤工作臺并對該遮光板的背面進行磨削，使該槽在背面露出。
[0013]優(yōu)選的是，在晶片的正面，在被多個分割預定線劃分出的各區(qū)域形成有器件，在該槽形成工序中，在與分割預定線對應的區(qū)域形成槽。
[0014]發(fā)明效果
[0015]根據(jù)本發(fā)明的晶片加工用的光掩模的制造方法，不需要以往的復雜且昂貴的工序，能夠利用簡單的工序容易地制造晶片加工用的光掩模，生產(chǎn)性得以提高。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1是半導體晶片的正面?zhèn)攘Ⅲw圖。
[0017]圖2中，(A)是遮光板的立體圖，(B)是透光板的立體圖。
[0018]圖3中，(A)是示出槽形成工序的示意圖，⑶是示出在槽形成工序中形成的槽的晶片的局部放大剖視圖。
[0019]圖4是示出將遮光板和透光板合為一體的一體化工序的立體圖。
[0020]圖5是透光板和遮光板被合為一體后的狀態(tài)的立體圖。
[0021]圖6是示出磨削工序的立體圖。
[0022]圖7是實施磨削工序而在遮光板的背面露出槽的狀態(tài)的立體圖。
[0023]圖8是利用本發(fā)明的制造方法制造出的晶片加工用的光掩模的立體圖。
[0024]標號說明
[0025]10:遮光板；
[0026]11:半導體晶片；
[0027]12:透光板；
[0028]13:分割預定線；
[0029]15:器件
[0030]16:槽；
[0031]18:具有透光性的黏合劑；
[0032]20:磨削單元；
[0033]34:卡盤工作臺；
[0034]36:晶片加工用的光掩模。
【具體實施方式】
[0035]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。參照圖1，示出了半導體晶片(下面，有時簡稱為晶片)11的正面?zhèn)攘Ⅲw圖。
[0036]半導體晶片11例如由厚度為700 μ m的硅晶片構成，在正面Ila呈格子狀形成有多個分割預定線13，并且在被多個分割預定線13劃分出的各區(qū)域形成有1C、LSI等器件15。
[0037]這樣地構成的半導體晶片11在其正面的平坦部具備形成有器件15的器件區(qū)域17、和圍繞器件區(qū)域17的外周剩余區(qū)域19。在半導體晶片11的外周部形成有圓弧狀的倒角部lie，標號21是作為指示硅晶片的結晶方位的標記的凹口。
[0038]在本發(fā)明的光掩模的制造方法中，首先，實施準備工序，在準備工序中，準備圖2的㈧所示的遮擋光的遮光板10、和圖2的⑶所示的透光的透光板12。圖2的㈧所示的遮光板10例如由不具有圖案娃晶片形成，并具有正面1a和背面10b。另一方面，圖2的(B)所示的透光板12由玻璃、石英、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)等形成。
[0039]參照圖3的(A)，示出了表示在遮光板10的正面1a形成分割槽16的樣子的示意圖。在該槽形成工序中，在遮光板10的正面1a的應透過光的區(qū)域形成圖3的(B)所示那樣的不到達背面1b的槽16。
[0040]優(yōu)選的是，通過使切削刀具14向箭頭A方向高速旋轉來切入遮光板10的正面10a，從而實施該槽形成工序。槽16形成在與圖1所示的半導體晶片11的分割預定線13對應的區(qū)域。
[0041]S卩，相鄰的槽16的間距與晶片11的分割預定線13的間距對應，在形成沿第I方向延伸的多個槽16之后，在與這些槽16垂直的方向上以與分割預定線13相同的間距形成多個槽16。
[0042]在實施槽形成工序之后，如圖4所示地實施一體化工序，在一體化工序中，在形成有槽16的遮光板10的正面1a夾著透光的黏合劑16來粘貼透光板12，從而合為一體。參照圖5，示出了實施一體化工序之后的遮光板10和透光板12被合為一體的狀態(tài)的立體圖，在該狀態(tài)下，遮光板10的背面1b露出。
[0043]在實施了一體化工序之后，實施磨削工序，在磨削工序中，對遮光板10的背面1b進行磨削并使槽16在背面1b露出。該磨削工序使用圖6所示那樣的磨削裝置的磨削單元20來實施。
[0044]在圖6中，磨削單元20包括:被旋轉驅動的主軸22 ;輪安裝體(wheel mount) 24，其固定于主軸22的末端；以及磨輪26，其利用多個螺釘28以能夠裝卸的方式安裝于輪安裝體24。磨輪26由環(huán)狀的輪基座30、和在輪基座30的下端部呈環(huán)狀固定安裝的多個磨削磨具32構成。
[0045]在磨削步驟中，如圖6所示那樣，利用磨削裝置的卡盤工作臺34抽吸保持透光板12側而使遮光板10的背面1b露出。然后，在使卡盤工作臺34向箭頭a方向以例如300rpm的速度旋轉的同時,使磨輪26向與卡盤工作臺34相同的方向、即箭頭b方向以例如6000rpm的速度旋轉,并且,使未圖示的磨削單元進給機構工作而使磨削磨具32與遮光板10的背面1b接觸。
[0046]使磨削輪26以規(guī)定的磨削進給速度向下方磨削進給規(guī)定的量，實施遮光板10的磨削。當繼續(xù)進行磨削時，如圖7所示，形成于遮光板10的正面1a的槽16在遮光板10的背面1b露出。在所有的槽16從遮光板10的背面1b露出的時刻中止磨削。
[0047]其結果是，能夠制造出圖8所示那樣的晶片加工用的光掩模36。在光掩模36中，在與透光板12黏接的遮光板10，在與圖1所示的半導體晶片11的分割預定線13對應的位置形成有多個槽16，因此，能夠作為只在這些槽16的區(qū)域透過光、在其他區(qū)域光被遮擋的光掩模來使用。
【權利要求】
1.一種光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，該光掩模的制造方法的特征在于，具備以下工序: 準備工序，準備透光板和遮光板，所述透光板透光并具有與要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮擋光并具有與要加工的晶片同等以上的大?。? 槽形成工序，在該遮光板的應透過光的區(qū)域的正面形成不到達背面的槽； 一體化工序，在形成有槽的該遮光板的正面夾著透光的黏合劑來粘貼該透光板，從而合為一體；以及 磨削工序，在實施該一體化工序之后，將該透光板側保持于卡盤工作臺并對該遮光板的背面進行磨削，使該槽在背面露出。
2.根據(jù)權利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在晶片的正面，在被呈格子狀形成的多個分割預定線劃分出的各區(qū)域形成有器件， 在該槽形成工序中，在與晶片的分割預定線對應的區(qū)域形成槽。
3.根據(jù)權利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 該槽形成工序是利用切削裝置執(zhí)行的，所述切削裝置將切削刀具支承成能夠旋轉。
【文檔編號】G03F1/26GK104516191SQ201410520048
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權日:2013年10月1日
【發(fā)明者】荒井一尚 申請人:株式會社迪思科