本發(fā)明涉及一種光學薄膜技術，具體是635納米的窄帶濾光片及其制作方法。

背景技術：

窄帶濾光片的主要作用是對光進行光譜選擇，使需要的光通過，不需要的波長光截止，它作為濾光和選擇譜線的主要器件，有著廣泛的應用。635納米波長作為一種激光測距的光譜波長，現(xiàn)在的技術所提供的635納米的窄帶濾光片，其信噪比低，精度不高，不能滿足市場要求。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術問題，我們提供一種635納米窄帶濾光片及其制作方法，從而實現(xiàn)成本低、特性良好、截止區(qū)域內(nèi)截止深度小于3OD、透過率大于90%、具有良好信噪比、滿足高精度的測量儀器的苛刻需要。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術方案如下：

本發(fā)明公開一種635納米的窄帶濾光片及其制作方法，其特征是：

① 以玻璃為基板，表面的質(zhì)量優(yōu)于60/40；

② 鍍膜材料為SiO2和TiO2；

③ 膜系結(jié)構(gòu)為基板兩個表面上分別沉積多層薄膜，第一膜系為24層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為TiO2層29納米、SiO2層132納米、TiO2層68納米、SiO2層431納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層431納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層431納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層90納米、SiO2層121納米；第二膜系為68層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為TiO2層28納米、SiO2層62納米、TiO2層48納米、SiO2層73納米、TiO2層44納米、SiO2層67納米、TiO2層41納米、SiO2層66納米、TiO2層41納米、SiO2層70納米、 TiO2層39納米、SiO2層62納米、TiO2層37納米、SiO2層63納米、TiO2層34納米、SiO2層68納米、TiO2層53納米、SiO2層81納米、TiO2層47納米、SiO2層77納米、 TiO2層50納米、SiO2層84納米、TiO2層59納米、SiO2層83納米、TiO2層49納米、SiO2層77納米、TiO2層49納米、SiO2層84納米、TiO2層61納米、SiO2層85納米、TiO2層48納米、SiO2層72納米、TiO2層36納米、SiO2層75納米、TiO2層92納米、SiO2層152納米、TiO2層97納米、SiO2層145納米、TiO2層83納米、SiO2層144納米、TiO2層90納米、SiO2層145納米、TiO2層85納米、SiO2層144納米、TiO2層88納米、SiO2層145納米、TiO2層88納米、SiO2層147納米、TiO2層93納米、SiO2層149納米、TiO2層101納米、SiO2層170納米、TiO2層111納米、SiO2層178納米、TiO2層103納米、SiO2層169納米、TiO2層105納米、SiO2層175納米、TiO2層108納米、SiO2層173納米、TiO2層104納米、SiO2層173納米、TiO2層107納米、SiO2層173納米、TiO2層108納米、SiO2層170納米、TiO2層103納米、SiO2層84納米。

本發(fā)明公開一種635納米的窄帶濾光片及其制作方法，其特征為以玻璃為基板，以SiO2和TiO2為鍍膜材料，采用電子束蒸發(fā)，真空度＜10^-3pa，溫度在小于250℃以下的條件下，加以離子輔助沉積，采用反射光的間接式的控制，水晶監(jiān)控沉積速率以保持其穩(wěn)定的沉積速率，沉積速率少于8?/S。

本發(fā)明在玻璃基板的兩面，一面采用標準F-P結(jié)構(gòu)進行，而另一面是一個截止次峰結(jié)構(gòu)，這是一種非常優(yōu)異的方法，可以大大提高產(chǎn)品特性，特別適用于大批量生產(chǎn)，物理特性也滿足實際使用要求。

本發(fā)明提供一種635納米的窄帶濾光片及其制作方法，透過率T＞90%，截止區(qū)域的截止深度小于0.1%，獲得優(yōu)異的信噪比，比目前市場上的產(chǎn)品的性能有了大幅度的提高。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一個實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：11是玻璃基板 12是第一膜系 13是第二膜系。

圖2為本發(fā)明實施例的測量曲線圖。

實施例

下面結(jié)合實施例和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

本發(fā)明公開一種635納米的窄帶濾光片及其制作方法，其特征是：

① 以玻璃為基板，表面的質(zhì)量優(yōu)于60/40；

② 鍍膜材料為SiO2和TiO2；

③ 膜系結(jié)構(gòu)為基板兩個表面上分別沉積多層薄膜，第一膜系為24層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為TiO2層29納米、SiO2層132納米、TiO2層68納米、SiO2層431納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層431納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層68納米、SiO2層431納米、TiO2層68納米、SiO2層108納米、TiO2層90納米、SiO2層121納米；第二膜系為68層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為TiO2層28納米、SiO2層62納米、TiO2層48納米、SiO2層73納米、TiO2層44納米、SiO2層67納米、TiO2層41納米、SiO2層66納米、TiO2層41納米、SiO2層70納米、 TiO2層39納米、SiO2層62納米、TiO2層37納米、SiO2層63納米、TiO2層34納米、SiO2層68納米、TiO2層53納米、SiO2層81納米、TiO2層47納米、SiO2層77納米、 TiO2層50納米、SiO2層84納米、TiO2層59納米、SiO2層83納米、TiO2層49納米、SiO2層77納米、TiO2層49納米、SiO2層84納米、TiO2層61納米、SiO2層85納米、TiO2層48納米、SiO2層72納米、TiO2層36納米、SiO2層75納米、TiO2層92納米、SiO2層152納米、TiO2層97納米、SiO2層145納米、TiO2層83納米、SiO2層144納米、TiO2層90納米、SiO2層145納米、TiO2層85納米、SiO2層144納米、TiO2層88納米、SiO2層145納米、TiO2層88納米、SiO2層147納米、TiO2層93納米、SiO2層149納米、TiO2層101納米、SiO2層170納米、TiO2層111納米、SiO2層178納米、TiO2層103納米、SiO2層169納米、TiO2層105納米、SiO2層175納米、TiO2層108納米、SiO2層173納米、TiO2層104納米、SiO2層173納米、TiO2層107納米、SiO2層173納米、TiO2層108納米、SiO2層170納米、TiO2層103納米、SiO2層84納米。

通過上述技術方案，本發(fā)明通過采用玻璃為基板，以SiO2和TiO2為鍍膜材料，采用電子束蒸發(fā)，真空度＜10^-3pa，溫度在小于250℃以下的條件下，加以離子輔助沉積，采用反射光的間接式的控制，水晶監(jiān)控沉積速率以保持其穩(wěn)定的沉積速率，沉積速率少于8 ?/S。透過率T＞90%，半通帶寬度為25納米，通帶以外區(qū)域0.4-1.1μTave的截止深度小于0.1%，所述性能的635納米窄帶濾光片為特性優(yōu)異的窄帶濾光片。

以上所述的僅是本發(fā)明的一種635納米的窄帶濾光片及其制作方法優(yōu)選的實施方式，應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變化和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。