本申請要求于2014年7月3日提交的標題為“NARROW PRE-DEPOSITION LASER EDGE DELETION”的美國臨時專利申請?zhí)?2/020,943的優(yōu)先權(quán)。本申請還要求于2014年12月24日提交的標題為“THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION”的美國臨時申請?zhí)?2/096,783的優(yōu)先權(quán)。本申請還是部分繼續(xù)申請并且要求標題為“THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION”并且于2014年6月4日提交的美國專利申請序列號14/362,863的優(yōu)先權(quán)，所述美國專利申請要求標題為“THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION”并且于2014年6月4日提交的美國專利申請14/362,863的權(quán)益，所述美國專利申請要求于2012年12月10日提交的PCT申請PCT/US12/68817的權(quán)益，所述PCT申請要求于2011年12月提交的美國臨時專利申請62/569,716、于2012年6月26日提交的61/664,638和于2012年10月2日提交的61/709,046的優(yōu)先權(quán)。所有申請都出于所有目的以引用的方式整體并入本文。

領(lǐng)域

本文描述的實施方案總體涉及諸如電致變色裝置的光學(xué)裝置和制造光學(xué)裝置的方法。

背景

各種光學(xué)可切換的裝置可供用于控制窗格的著色、反射率等。電致變色裝置通常是光學(xué)可切換的裝置的一個實例。電致變色是材料在置于不同電子狀態(tài)時(通常經(jīng)受電壓變化)在光學(xué)性質(zhì)上展現(xiàn)出可逆的電化學(xué)調(diào)節(jié)變化的現(xiàn)象。被操縱的光學(xué)性質(zhì)通常是色彩、透射率、吸收率和反射率中的一個或多個。一種眾所周知的電致變色材料是氧化鎢(WO₃)。氧化鎢是陰極電致變色材料，其中因電化學(xué)還原而發(fā)生顯色轉(zhuǎn)變(自透明轉(zhuǎn)變成藍色)。

例如，電致變色材料可并入到家庭、商業(yè)及其他用途的窗中?？赏ㄟ^引發(fā)電致變色材料的變化來改變此類窗戶的色彩、透射率、吸光率和/或反射率，即，電致變色窗是可用電子方法變深或變淺的窗。施加于窗戶的電致變色裝置的小電壓將使窗戶變暗；使電壓反向會使窗戶變亮。這種能力允許控制穿過窗的光量，并為不僅出于美學(xué)目的而且出于節(jié)省能量目的使用電致變色窗而提供巨大機會。因為在現(xiàn)代能量政策中能量節(jié)約是最重要的問題，預(yù)期電致變色窗行業(yè)將在未來數(shù)年強勁增長。

電致變色窗制造的重要方面是在基本上透明基板(例如，玻璃)上涂布材料層(例如，薄膜)以形成電致變色裝置疊層。制造的一部分包括移除EC裝置疊層的部分以使其有作用和/或遮掩以使裝置圖案化。例如，采用各個層的激光制圖來使EC裝置有作用，例如以在基板上配置電連接和裝置構(gòu)造的其他方面。

發(fā)明概述

本文所述的是諸如電致變色裝置的光學(xué)裝置和制造光學(xué)裝置的方法。

某些實施方案涉及在基本上透明基板上制造光學(xué)裝置的方法。在一種情況下，所述方法包括接收基本上透明基板，其中下導(dǎo)體層覆蓋基本上透明基板的大部分區(qū)。所述方法還包括在距離沿著基本上透明基板的一個或多個邊的外邊緣的一定距離處移除下導(dǎo)體層的第一寬度并且達到足夠的深度以便沿著一個或多個邊移除下導(dǎo)體層。所述方法還包括在移除第一寬度之后，使光學(xué)裝置的一個或多個材料層沉積。

在某些實施方案中，制造光學(xué)裝置的改進方法包括選擇性地移除下導(dǎo)體層的部分。在一些實施方案中，這種選擇性的移除留下下導(dǎo)體層的圍繞基板的周邊的部分，同時一個或多個光學(xué)裝置層沉積在所述基板上。在制造光學(xué)裝置之后，裝置疊層連同下導(dǎo)體層的周邊部分一起被移除，以使得可例如用絕緣玻璃單元(IGU)間隔件來形成強而耐用的密封。

某些實施方案涉及制造光學(xué)裝置的方法，所述光學(xué)裝置包括夾在第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間的一個或多個材料層。一種方法包括接收其工作表面上具有第一導(dǎo)體層的基板。所述方法還包括在沿著基板的周邊的約50％與約90％之間的區(qū)域中移除第一導(dǎo)體層的第一寬度，而留下沿著所述周邊與所述第一寬度共同延伸的所述第一導(dǎo)體層的襯墊。所述方法還包括使光學(xué)裝置的所述一個或多個材料層和第二導(dǎo)體層沉積在基板的工作表面上并且沿著基板的基本上整個周邊移除所有層的第二寬度，其中移除的深度至少足以移除第一導(dǎo)體層，并且其中移除的第二寬度足以移除襯墊和第一導(dǎo)體層的沿著基板的周邊的剩余10％至50％。在此方法中，第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層中的至少一個是透明的。在一些情況下，此方法還包括移除光學(xué)裝置的一個或多個層和第二導(dǎo)體層的區(qū)域顯露出第一傳導(dǎo)層的暴露部分以及向第一傳導(dǎo)層的所述暴露部分施加匯流條。

下文將會參照相關(guān)聯(lián)的附圖來進一步詳細描述這些和其他特征及優(yōu)點。

附圖簡述

當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，可更全面地理解以下詳細描述，在附圖中：

圖1A是根據(jù)某些實施方案的描述制造電致變色裝置的方法的方面的處理流程的流程圖。

圖1B描繪示出關(guān)于圖1A描述的處理流程中的步驟的頂視圖。

圖1C描繪與關(guān)于圖1B描述的類似的裝置的頂視圖。

圖1D描繪關(guān)于圖1B描述的電致變色簡化物(lite)的Z-Z'剖視圖。

圖1E描繪關(guān)于圖1B描述的電致變色簡化物的W-W'剖視圖。

圖1F和圖1G是描繪與用于匯流條應(yīng)用的下導(dǎo)體的暴露有關(guān)的棘手問題的圖。

圖2和圖3描繪在制造方法的步驟處的EC簡化物的頂視圖和側(cè)視圖。

圖4是留在后LED區(qū)域中的殘余物的圖示。

圖5A是根據(jù)某些實施方案的描述使用窄預(yù)沉積LED操作來制造光學(xué)裝置的方法的方面的處理流程的流程圖。

圖5B描繪根據(jù)各實施方案的在NPDLD操作之后的頂視圖和剖視圖。

圖5C描繪根據(jù)各實施方案的圖5B的圖示分別在使光學(xué)裝置層沉積和邊緣去除后工藝之后的剖視圖。

圖5D描繪根據(jù)一個實施方案的圖5C的裝置在邊緣去除后操作之后的頂視圖。

圖5E描繪根據(jù)各實施方案的在NPDLD操作之后的頂視圖和剖視圖。

圖6描繪根據(jù)一個實施方案的在BPE操作之后的頂視圖和側(cè)視圖。

圖7A至圖7F是根據(jù)各實施方案的描繪改進的匯流條襯墊暴露的實施方案的圖。。

詳細描述

在以下描述中，闡述眾多特定細節(jié)以便提供對所呈現(xiàn)實施方案的透徹理解。可在沒有這些特定細節(jié)中的一些或全部的情況下實踐所公開實施方案。在其他情況下，未詳細地描述熟知的處理操作以便不會不必要地混淆所公開實施方案。雖然結(jié)合電致變色裝置描述了某些實施方案，但是將理解可使用其他光學(xué)裝置。

激光去除工藝的介紹

在基本上透明基板(例如，玻璃基板)上形成光學(xué)裝置(例如，電致變色裝置)層之前、過程中或之后，去除操作(諸如邊緣去除和激光劃線)在某些實施方案中可用來從光學(xué)裝置移除材料。“去除”通常是指從一個或多個區(qū)域移除光學(xué)裝置的一個或多個材料層的一個或多個操作。例如，去除可移除電致變色裝置的上導(dǎo)體層和電致變色疊層，或者可移除電致變色裝置的上導(dǎo)體層、電致變色疊層和下導(dǎo)體層。在一些實施方案中，去除用來沿著光學(xué)裝置的一個或多個邊移除材料層?！斑吘壢コ笨芍秆刂渖显O(shè)置有光學(xué)裝置的基板的一個或多個邊到外邊緣去除一個或多個材料層。邊緣去除可下至玻璃、下至下透明導(dǎo)體層或者下至一個或多個鈉擴散阻擋層(如果存在)來移除材料。

盡管某些實施方案可使用非激光或其他電磁輻射源，但是使用激光能或電磁輻射的其他源執(zhí)行的去除在本文中通常稱為激光去除。例如，邊緣去除可通過機械手段(諸如研磨、噴沙打磨或化學(xué)蝕刻)來執(zhí)行。盡管某些實施方案可使用非激光源，但是使用激光能或電磁輻射的其他源執(zhí)行的邊緣去除在本文中稱為激光邊緣去除(LED)。電磁能(諸如激光能)由于若干優(yōu)點而通常是優(yōu)選的，所述若干優(yōu)點諸如與工件的非接觸、可變功率和可用激光類型等。

在利用激光的去除技術(shù)的情況下，激光工具可包括掃描器，所述掃描器使用激光圖案來將激光光斑引導(dǎo)到電致變色裝置疊層上方的各個位置處以便移除材料?？捎糜谀承嵤┓桨傅目缮藤彨@得的掃描器的實例由德國慕尼黑的SCANLAB AG公司提供。

電致變色(EC)裝置包括電致變色疊層和夾住所述電致變色疊層的上導(dǎo)體層和下導(dǎo)體層。下(第一)導(dǎo)體層是通常鄰近基板的層，并且上(第二)導(dǎo)體層是遠離基板的層。這些材料設(shè)置在基本上透明基板(例如，玻璃基板)上，以形成EC簡化物(窗格)。在一些情況下，電致變色裝置與基本上透明基板之間可存在其他層，例如像緩沖層。作為另一個實例，下導(dǎo)體層與基板之間可存在一個或多個擴散阻擋層(例如，如果鈉鈣玻璃用作基板并且要避免裝置的鈉污染)。電致變色疊層通常包括EC層(例如，WO₃層)、離子導(dǎo)體(IC)層(例如，適合的鋰離子傳導(dǎo)材料，諸如鎢酸鋰)和對電極(CE)層(例如，無定形NiWO層)。IC層可以是單獨沉積的層，或者可以是在相接觸且單獨沉積的EC層與CE層之間形成的界面區(qū)域。上導(dǎo)體層和下導(dǎo)體層中的一者或兩者可以是透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層，例如像氧化銦錫層。

“激光劃線”可指沿著直線或曲線移除光學(xué)裝置的一個或多個層的工藝。激光劃線可用來隔離光學(xué)裝置的部分，例如在邊緣去除工藝過程中可能受損的部分。在具有電致變色裝置的某些例示的實例中，任選的隔離劃線被示出為“L3”劃線。通常，L3劃線穿過上導(dǎo)體層并且任選地穿過電致變色疊層的一個或多個層，但不穿過下導(dǎo)體層。

盡管“L3”、“LED”和其他去除區(qū)可在例示的實例中示出，但是這些特征是任選的并且一個或多個特征可省略。去除技術(shù)的一些實例可見于以下各項：2009年12月22日提交的標題為“FABRICATION OF LOW DEFECTIVITY ELECTROCHROMIC DEVICES”的美國專利申請?zhí)?2/645,111；2012年4月25日提交的標題為“ELECTROCHROMIC WINDOW FABRICATION METHODS”的美國專利申請?zhí)?3/456,056；2012年12月10日提交的標題為“THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION”的PCT國際專利申請?zhí)朠CT/US2012/068817；以及2014年6月17日提交的標題為“ELECTROCHROMIC DEVICES ON NON-RECTANGULAR SHAPES”的PCT國際申請PCT/US14/42819，所述專利申請以引用的方式整體并入本文。

預(yù)沉積去除工藝

本文所述的某些實施方案涉及制造光學(xué)裝置的方法，所述方法包括在使光學(xué)裝置的某些層沉積之前執(zhí)行的去除操作。盡管在某些情況下非激光源可用來移除材料，但是這些預(yù)沉積操作通常稱為預(yù)沉積激光去除(PDLD)操作。在具有電致變色裝置的實施方案中，可在使電致變色疊層和/或上導(dǎo)體層沉積之前執(zhí)行PDLD操作。在某些方面中，PDLD操作移除沿著光學(xué)裝置的一個或多個邊的區(qū)域(例如，區(qū))中的材料。例如，PDLD操作可用來移除區(qū)域中的基本上透明基板(例如，玻璃基板)上的第一導(dǎo)體層(例如，透明電導(dǎo)體(TEC))。

應(yīng)理解PDLD操作可使用一個或多個遮掩來實現(xiàn)。例如，一個或多個遮掩(其仿制基板上的TCO將以其他方式移除的區(qū)域)可用來在使TCO沉積在基板上之前覆蓋所述區(qū)域。通常，本文所述的某些實施方案是這樣完成的：關(guān)于接收具有預(yù)施加TCO的基板并且執(zhí)行PDLD以移除TCO的選定區(qū)域。然而，可在基板上使用遮掩并且隨后使TCO沉積以提供PDLD的相同結(jié)果。然而，存在通過在沉積之后移除材料而不是使用遮掩實現(xiàn)的某些優(yōu)點。例如，可在沉積之后而不是之前選擇所希望去除的圖案—這在例如實時授權(quán)設(shè)計變化時允許更大的靈活性。

參考圖1A-1E詳細地描述使用PDLD操作的制造方法的實例。以下參考圖2-4描述使用PDLD操作的制造方法的另一個實例。以下參考圖5-7描述使用PDLD操作的制造方法的又一個實例。

圖1A是處理流程100，其描述制造具有一對匯流條的光學(xué)裝置(例如，電致變色裝置)的方法的各方面，所述一對匯流條各自施加到光學(xué)裝置的導(dǎo)體層中的一個。虛線代表任選的步驟。如關(guān)于圖1B-C描述的示例性EC裝置200用來示出處理流程。裝置200設(shè)置在基本上透明基板(例如，玻璃)上。圖1B提供描繪包括如關(guān)于圖1A描述的處理流程100的數(shù)字指示符的裝置200的制造的頂視圖。圖1D和圖1E是包括關(guān)于圖1B描述的裝置200的光學(xué)裝置簡化物的剖視圖。裝置200是矩形裝置，但是處理流程100可應(yīng)用至任何形狀的裝置。非矩形光學(xué)裝置的一些實例可見于2014年6月17日提交的標題為“ELECTROCHROMIC DEVICES ON NON-RECTANGULAR SHAPES”的PCT國際申請PCT/US14/42819，所述國際申請以引用的方式并入本文。

參考圖1A和圖1B，在接收到其上具有下(第一)導(dǎo)體層的基板之后，處理流程100開始對下導(dǎo)體層(例如，下透明導(dǎo)體氧化物)進行任選的拋光，參見101。在某些實施方案中，已發(fā)現(xiàn)對下導(dǎo)體層進行拋光能夠增強在其上制造的EC裝置的光學(xué)特性和性能。在將電致變色裝置制造在透明傳導(dǎo)層上之前對所述透明傳導(dǎo)層進行拋光在于2012年9月27日提交的標題為“Optical Device Fabrication”的專利申請PCT/US12/57606中有描述，所述專利申請以引用的方式整體并入本文。如果在處理流程中執(zhí)行拋光，那么可在邊緣去除(參見105)之前或者在邊緣去除之后完成拋光。在某些實施方案中，在邊緣去除之前和之后均可對下導(dǎo)體層進行拋光。通常，僅對下導(dǎo)體層拋光一次。所執(zhí)行的PDLD操作可類似于相對于圖1A中的步驟105詳細描述的操作。

再次參考圖1A，如果不執(zhí)行拋光101，那么過程100開始預(yù)沉積邊緣去除工藝，所述預(yù)沉積邊緣去除過程移除圍繞基板的周邊的區(qū)域的下導(dǎo)體層的第一寬度，參見105。在圖1B中，所移除的此部分具有寬度“A”并且屬于基板的外邊緣。在某些實施方案中，諸如圖1B所示的實施方案，去除的部分(區(qū)域)沿著基板的周邊的除了一邊以外的所有邊。在另一個實施方案中，去除的區(qū)域沿著基板的單一邊(例如，上導(dǎo)體層(例如，ITO)匯流條邊)。邊緣去除可僅移除下導(dǎo)體層或者還可移除擴散阻擋層(如果存在)。在一個實施方案中，基板是玻璃并且包括鈉擴散阻擋層和其上的下透明傳導(dǎo)層，例如基于氧化錫的透明金屬氧化物傳導(dǎo)層。圖1B中的虛線填充區(qū)代表下導(dǎo)體層。因此，在根據(jù)工藝105進行邊緣去除之后，具有寬度A的透明導(dǎo)體被從基板130的周邊的三邊移除。此寬度通常但不必是一致寬度。以下描述第二寬度B。當(dāng)寬度A和/或?qū)挾菳不一致時，它們相對于彼此的相對大小依據(jù)它們的平均寬度。

由于在105處移除第一寬度A，所以存在下導(dǎo)體層的新暴露出的(豎直)邊緣。在某些實施方案中，可任選地使第一導(dǎo)體層的此邊緣的至少一部分變細(taper)，參見107和109?？蓤?zhí)行變細以便釋放上覆的共形材料層中由于下方導(dǎo)體的尖銳豎直邊緣上的突然轉(zhuǎn)變而產(chǎn)生的應(yīng)力，否則(如果邊緣未變細)所述應(yīng)力將存在。作為此操作的一部分，還可使下覆擴散阻擋層變細。在一個或多個裝置層上制造后續(xù)層之前使所述一個或多個裝置層的邊緣變細可提高性能。在此上下文中，雖然考慮到邊緣的傾斜或斜切，但是“變細”還可包括移除呈一個或多個階梯形式的材料，即不是真實的成角度或彎曲錐形，而是使沿著下導(dǎo)體層的邊緣的區(qū)域逐漸變細的一個或多個階梯區(qū)域?？衫缭谶m當(dāng)?shù)募す馐螤?、功率密度、暴露等的情況下執(zhí)行傳統(tǒng)意義上的變細(即傾斜和/或斜切)。

在某些實施方案中，任選地在邊緣變細之后對下導(dǎo)體層進行拋光，參見108。已發(fā)現(xiàn)在邊緣變細操作之后利用某些裝置材料對下導(dǎo)體層進行拋光可能是有利的，因為拋光可對邊緣變細以及主體導(dǎo)體表面具有意料不到的有益效果，這可提高裝置性能(如上所述)。在某些實施方案中，在拋光108之后執(zhí)行邊緣變細，參見109。盡管邊緣變細(如果執(zhí)行)在圖1A中的107操作和109操作處示出，但是邊緣變細通常將被執(zhí)行一次(例如，在107或109處)。

在如上所述地移除第一寬度A以及任選的拋光和/或任選的邊緣變細之后，將光學(xué)裝置(例如，EC裝置)的一個或多個材料層沉積在基板130的表面上，參見110。例如，此沉積可包括EC疊層的一個或多個材料層和第二傳導(dǎo)層，例如透明傳導(dǎo)層，諸如氧化銦錫(ITO)。所描繪的覆蓋區(qū)是整個基板，但是由于必須將基板在外邊緣處保持在位的載體，可存在一些遮掩。在一個實施方案中，下導(dǎo)體層的剩余部分的整個區(qū)覆蓋并重疊到第一(下)導(dǎo)體層上約第一寬度A，其中所述下導(dǎo)體層被預(yù)先移除。這允許在最終的裝置體系結(jié)構(gòu)中具有重疊區(qū)域。

在某些實施方案中，電磁輻射用來執(zhí)行邊緣去除操作。例如，此邊緣去除可用來提供基板的外圍區(qū)域，以便產(chǎn)生用于由絕緣玻璃單元的間隔件的初級密封件和次級密封件的至少一部分進行密封的良好表面。在這種情況下，邊緣去除根據(jù)何時執(zhí)行邊緣去除步驟來移除下透明導(dǎo)體層和/或更多層(多達并包括頂部導(dǎo)體層和施加至其的任何蒸氣阻擋層)。在某些實施方案中，邊緣去除用來至少移除包括基板上的下透明導(dǎo)體層的材料，并且任選地移除擴散阻擋(如果存在)。示例性電磁輻射包括UV、激光等。例如，可利用在波長248nm、355nm(即，UV)、1030nm(即，IR，例如盤形激光)、1064nm(例如，Nd:Y AG激光)和532nm(例如，綠色激光)中的一個下或附近的定向和聚焦能量來移除材料，盡管這些實例是非限制性的。在另一個實施方案中，激光發(fā)射在很寬的范圍內(nèi)的波長。例如，激光可以是全光譜激光。在其他情況下，激光可發(fā)射窄帶波長。激光輻射使用例如光學(xué)纖維或開放光路遞送至基板。消融可取決于基板處理設(shè)備和配置參數(shù)的選擇而從基板邊或EC薄膜邊進行。通過使激光束穿過光學(xué)透鏡來實現(xiàn)消融到特定深度所需的能量密度。光學(xué)透鏡使激光束聚焦成期望形狀和大小。在一個實施方案中，使用例如具有約0.005mm²至約2mm²之間的聚焦面積的“高頂(top hat)”射束配置。在一個實施方案中，射束的聚焦水平用來實現(xiàn)消融EC膜疊層所需的能量密度。在一個實施方案中，用于消融的能量密度是約2J/cm²與約6J/cm²之間。

在某些激光去除工藝過程中，使用一種或多種掃描模式來將激光光斑引導(dǎo)到表面上(掃描的)的各個位置。在一個實施方案中，使用掃描Fθ透鏡來掃描激光光斑。可例如通過在掃描過程中使光斑的區(qū)重疊來實現(xiàn)EC裝置層的均勻移除。在一個實施方案中，鄰近/重疊光斑位置的光斑重疊是約5％與約100％之間，在另一個實施方案中是約10％與約90％之間，在又一個實施方案中是約10％與約80％之間。用于承擔(dān)LED/BPE和劃線工藝的適當(dāng)設(shè)備在2012年3月30日提交的標題為“COAXIAL DISTANCE MEASUREMENT VIA FOLDING OF TRIANGULATION SENSOR OPTICS PATH”的美國專利申請?zhí)?3/436,387中進行描述，所述美國專利申請以引用的方式整體并入本文。

各種掃描模式可用來掃描例如直線型、曲線型等的激光光斑。使用這些掃描模式可掃描各種形狀(例如像矩形、圓形、卵形、多邊形、不規(guī)則圖形等)的圖案區(qū)，或者可共同形成去除區(qū)的其他形狀的區(qū)段。在一個實施方案中，掃描的線(或“圈”，即由鄰近或重疊激光光斑形成的線或曲線，例如正方形光斑、圓形光斑等)以上述光斑重疊的水平重疊。也就是說，由先前掃描的線的路徑限定的消融材料區(qū)與后續(xù)應(yīng)用的掃描模式的稍后掃描的線重疊，以使得鄰近的掃描線之間存在重疊。也就是說，由掃描模式的激光光斑消融的圖案區(qū)與后續(xù)消融掃描模式的圖案區(qū)重疊。對于重疊用于光斑、線或掃描模式的實施方案，可使用更高頻率(例如，在約5KHz與約500KHz的范圍內(nèi))的激光。在某些實施方案中，頻率是約8-15kHz之間，例如約10-12kHz之間。在一些其他情況下，頻率可在低的MHz范圍內(nèi)。為了最小化在暴露邊緣處對EC裝置造成熱相關(guān)損害(即，熱影響區(qū)域或“HAZ”)，使用更短的脈沖持續(xù)時間激光。在一個實例中，脈沖持續(xù)時間是約100fs(飛秒)與約100ns(納秒)之間。在另一個實施方案中，脈沖持續(xù)時間是約1ps(皮秒)與約50ns之間。在又一個實施方案中，脈沖持續(xù)時間是約20ps與約30ns之間。在其他實施方案中可使用其他范圍的脈沖持續(xù)時間。

再次參考圖1A和圖1B，處理流程100繼續(xù)移除圍繞基板的基本上周邊的比第一寬度A更窄的第二寬度B，參見115。這可包括下至基板或下至擴散阻擋(如果存在)來移除材料。在處理流程100完成到115之后，例如在圖1B描繪的矩形基板上，存在具有寬度B的周邊區(qū)，在所述周邊區(qū)中不存在第一(下)透明導(dǎo)體層、EC裝置疊層的一個或多個材料層或者第二(上)導(dǎo)體層中的任何一個，以使得移除寬度B已使擴散阻擋或基板暴露出。然而在某些情況下，在此操作之后可能存留少量的第一導(dǎo)體層。在剩余的第一導(dǎo)體層的量足夠小時，不存在著色問題。

由寬度B限定的此周邊區(qū)的內(nèi)部是具有EC裝置(包括第一透明導(dǎo)體層)的區(qū)。此內(nèi)部區(qū)由周邊區(qū)在三個邊上圍繞，同時與EC疊層的一個或多個材料層和第二導(dǎo)體層重疊。在剩余邊(例如，圖1B中的底邊)上，EC疊層的一個或多個材料層與第二導(dǎo)體層沒有重疊部分。相反，EC疊層的一個或多個材料層和第二導(dǎo)體層鄰近此剩余邊(例如，圖1B中的底邊)被移除，以便暴露出第一導(dǎo)體層的一部分(匯流條襯墊暴露，或者“BPE”)135，參見120。BPE 135不需要延伸所述邊的整個長度，其只需要足夠長以容納匯流條并且在匯流條與第二導(dǎo)體層之間留有一定空間，以便不在第二導(dǎo)體層上短路。在一個實施方案中，BPE 135在所述邊上跨第一導(dǎo)體層的長度。

在一些實施方案中，平行于BPE的劃線穿過第二導(dǎo)體層但不穿過第一導(dǎo)體層而形成。此劃線有時稱為L3隔離劃線。在一些實施方案中，此劃線代替移除圍繞基板的整個周邊的第二寬度B的操作115執(zhí)行。在另一個實施方案中，后沉積LED在基板上執(zhí)行，而不對非匯流條邊緣上的透明導(dǎo)體層進行任何預(yù)劃線或移除。如上所述，在各種實施方案中，BPE是材料層的一部分下至第一導(dǎo)體層或其他導(dǎo)體層(例如，透明傳導(dǎo)氧化物層)被移除，以便產(chǎn)生將要施加匯流條的表面并且因此與第一導(dǎo)體層形成電接觸。施加的匯流條可以是焊接匯流條和油墨匯流條等。BPE通常具有矩形區(qū)，但這是不必要的；BPE可以是任何幾何形狀或不規(guī)則形狀。例如，根據(jù)需要，BPE可以是圓形、三角形、橢圓形、梯形和其他多邊形形狀。所述形狀可取決于EC裝置的配置、承受EC裝置的基板(例如，不規(guī)則形狀的窗戶)、或甚至例如用于產(chǎn)生形狀的更有效(例如，在材料移除、時間等中)的激光消融模式。在一個實施方案中，BPE跨EC裝置的一邊的長度的至少約50％。在一個實施方案中，BPE跨EC裝置的一邊的長度的至少約80％。在某些實施方案中，使用成角度匯流條，即跨EC裝置的兩個或更多個邊的至少一定距離的匯流條。在此類實例中，BPE可跨EC裝置的兩個或更多個邊。成角度匯流條的一些實例在標題為“ANGLED BUS BAR”并且于2012年4月20日提交的美國專利申請序列號13/452,032中進行描述，所述美國專利申請以引用的方式整體并入本文。通常但未必，BPE的寬度足以容納匯流條，但應(yīng)至少在有效的EC疊層與匯流條之間允許一定空間。在一個實施方案中，BPE是基本上矩形的，長度接近EC裝置的一邊，并且寬度是約5mm與約15mm之間，在另一個實施方案中是約5mm與約10mm之間，并且在又一個實施方案中是約7mm與約9mm之間。如所提及的，匯流條可以是約1mm與約5mm寬之間，通常是約3mm寬。在BPE跨EC裝置的多于一邊的實施方案中，這些寬度應(yīng)用到制造BPE的每一邊。

如所提及的，BPE被制造得足夠?qū)捯员闳菁{匯流條的寬度并且還在匯流條與EC裝置疊層之間留有空間(因為匯流條假定為僅觸碰第一(下)導(dǎo)體層)。只要在匯流條與EC裝置疊層之間存在空間(在存在L3隔離劃線的實施方案中，匯流條可接觸鈍化部分)，匯流條寬度就可超過BPE的寬度(并且因此在區(qū)140上存在觸碰第一導(dǎo)體層和基板(和/或擴散阻擋)兩者的匯流條材料)。在匯流條寬度完全由BPE容納的實施方案中，也就是說，匯流條完全在第一導(dǎo)體層的頂上，沿匯流條的長度的外邊緣可與BPE的外邊緣對準，或者內(nèi)凹約1mm至約3mm。同樣地，匯流條與EC裝置疊層之間的空間是約1mm與約3mm之間，在另一個實施方案中是約1mm與約2mm之間，并且在另一個實施方案中是約1.5mm。以下相對于具有為TCO的第一導(dǎo)體層的EC裝置更詳細地描述BPE的形成。這僅是為了方便起見，第一導(dǎo)體層可以是用于透明的或不透明的光學(xué)裝置的任何合適的傳導(dǎo)層。

在此實例中，為了制造BPE，清除第一(下)TCO的區(qū)的沉積材料，以使得可在TCO上制造匯流條。在一個實施方案中，這是通過激光加工來實現(xiàn)的，所述激光加工選擇性地移除沉積的薄膜層同時留下第一TCO在限定的位置處暴露在限定區(qū)中。在一個實施方案中，第一導(dǎo)體層和沉積層的吸收特性被開發(fā)來在激光消融過程中實現(xiàn)選擇性，也就是說以使得在TCO上沉積的EC疊層材料被選擇性地移除，同時使第一TCO材料完整。在某些實施方案中，例如通過移除可能在沉積過程中已產(chǎn)生的第一TCO與EC疊層材料的任何混合物，第一TCO層的上部部分(深度)也被移除以便確保匯流條的良好電接觸。在某些實施方案中，當(dāng)BPE邊緣被激光加工以便最小化這些邊緣處的損害時，可避免對用于限制泄漏電流的L3隔離切片線的需要—這消除處理步驟，同時實現(xiàn)期望的裝置性能結(jié)果。

在某些實施方案中，用來制造BPE的電磁輻射與上述用于執(zhí)行邊緣去除的電磁輻射相同。使用光纖或開放的射束路徑將(激光)輻射遞送到基板。根據(jù)電磁輻射波長的選擇，可從基板邊(也稱為“玻璃邊”)或EC疊層邊(也稱為“薄膜邊”)執(zhí)行消融。通過使激光束穿過光學(xué)透鏡來實現(xiàn)使薄膜厚度消融所需的能量密度。光學(xué)透鏡使激光束聚焦成期望形狀和大小，例如，具有上述尺寸的“高頂”在一個實施方案中具有約0.5J/cm²與約4J/cm²之間的能量密度。在一個實施方案中，用于BPE的激光掃描重疊如上文所述地完成用于激光邊緣去除。在某些實施方案中，可變深度消融用于BPE制造。

在某些實施方案中，例如由于EC疊層層(例如，薄膜)的選擇性的吸收性質(zhì)，焦平面處的激光處理導(dǎo)致一定量(例如，約10nm與約100nm之間)的殘余物(例如，氧化鎢)遺留在第一(下)導(dǎo)體層的暴露區(qū)上。由于許多EC疊層材料不是與下伏第一導(dǎo)體層一樣具有傳導(dǎo)性，所以在這種殘余物上制造的匯流條不與下伏導(dǎo)體完全接觸，從而導(dǎo)致橫跨匯流條至下導(dǎo)體界面的壓降。壓降影響裝置的著色并且影響匯流條粘附到第一導(dǎo)體層。克服這種問題的一種方式是增加用于薄膜移除的能量的量，然而，這種方法導(dǎo)致在光斑重疊處形成溝槽，從而不能接受地消減下導(dǎo)體。為了克服這種問題，在焦平面上執(zhí)行激光消融，即使激光束離焦。在一個實施方案中，激光束的離焦輪廓是修飾的高頂或“準高頂”。通過使用離焦的激光輪廓，遞送至表面的功率密度可在沒有破壞光斑重疊區(qū)域處的下伏TCO的情況下增加。這種方法最小化留在暴露的第一導(dǎo)體層上的殘余物的量，并且因此允許匯流條與第一導(dǎo)體層的更好的接觸。

在一些實施方案中，根據(jù)設(shè)計公差、材料選擇等可能需要一個或多個激光隔離劃線。圖1C描繪三個裝置200a、200b和200c的頂視圖，每個裝置是如圖1B、圖1D和圖1E中描繪的裝置200的變型。裝置200a類似于裝置200，但包括使EC裝置的第一部分沿著與具有匯流條的邊正交的邊隔離的L2劃線。在使用此類L2劃線的情況下，在L2邊緣上可消除下導(dǎo)體(例如，TCO)層的預(yù)沉積移除。

在特定的實施方案中，L3隔離劃線結(jié)合第一(下)導(dǎo)體層的預(yù)沉積移除而在這些邊緣中的至少一個上執(zhí)行。裝置200b類似于裝置200，但包括L3劃線，所述L3劃線隔離并且鈍化裝置的在第一導(dǎo)體層上的匯流條與EC裝置疊層的活動區(qū)域之間的第二部分。

裝置200c類似于裝置200，但包括L2劃線和L3劃線兩者。盡管參考裝置200a、200b和200c對圖1C中的劃線變型進行描述，但這些變型可用于本文所述的實施方案的(例如，IGU和/或?qū)訅何镏械?任何光學(xué)裝置和簡化物。例如，一個實施方案是類似于裝置200c的裝置，但其中邊緣去除并不跨三個邊，而是僅跨將匯流條支承在第二導(dǎo)體(例如，第二TCO)層(或者長度足以容納匯流條的部分)上的邊。在此實施方案中，由于在與匯流條正交的兩邊(如描繪的200c的右邊和左邊)上不存在邊緣去除部分，所以L2劃線可更接近這些邊緣以便最大化可視區(qū)。根據(jù)裝置材料、方法條件、制造之后發(fā)現(xiàn)的異常缺陷等，可添加這些劃線中的一個或多個以便確保第一和第二導(dǎo)體層(電極)的適當(dāng)電隔離并且因此確保EC裝置功能。這些裝置中的任何一個可具有在這些劃線中的一個或全部之前或之后施加的蒸氣阻擋層。如果在之后施加，那么蒸氣阻擋層基本上是不導(dǎo)電的；否則當(dāng)填充激光劃線溝槽時將使裝置的電極短路。上述邊緣變細可避免對此類激光隔離劃線的需要。

再次參考圖1A和圖1B，在形成BPE之后，向裝置施加匯流條，匯流條2位于第一(下)導(dǎo)體層(例如，第一TCO)的暴露區(qū)(BPE)135上，并且匯流條1位于裝置的相對邊上、位于第二(上)導(dǎo)體層(例如，第二TCO)上、位于第二導(dǎo)體層的在其下方不具有第一導(dǎo)體層的一部分上，參見240。匯流條1在第二導(dǎo)體層上的這種布局避免匯流條1下方的著色和與在此匯流條1下方具有功能裝置相關(guān)聯(lián)的其他問題。在此實例中，激光隔離劃線在裝置制造中可能不是必要的。

圖1B指示裝置200的截面切割Z-Z'和W-W'。裝置200在Z-Z'和W-W'處的剖視圖在圖1D和圖1E中示出。所描繪層和尺寸未按比例繪制，但意圖功能地表示構(gòu)型。在此描繪中，未示出第一(下)導(dǎo)體層的邊緣變細。在此實例中，在制造寬度A和寬度B時移除擴散阻擋。確切地，周邊區(qū)140不含第一導(dǎo)體層和擴散阻擋；盡管在一個實施方案中擴散阻擋對基板在一個或多個邊上圍繞周邊的邊緣是保留完整的。在另一個實施方案中，擴散阻擋與EC疊層的一個或多個材料層和第二(上)導(dǎo)體層共同擴展(因此，寬度A以進入擴散阻擋的深度來制造，并且寬度B被制造成足以移除擴散阻擋的深度)。在此實例中，存在圍繞功能裝置的三個邊的一個或多個材料層的重疊部分240。匯流條1制造在這些重疊部分中的一個上、第二導(dǎo)體層(例如，第二TCO)上。在一個實施方案中，蒸氣阻擋層被制造成與第二導(dǎo)體層共同擴展。蒸氣阻擋層通常是高度透明的，例如氧化鋅鋁、氧化錫、二氧化硅、氮氧化硅以及它們的混合物、無定形、結(jié)晶或混合的無定形晶體。在此實施方案中，蒸氣阻擋層的一部分被移除以便為匯流條1暴露出第二導(dǎo)體層。對于匯流條2，此暴露的部分類似于BPE區(qū)135。在某些實施方案中，蒸氣阻擋層還是導(dǎo)電的，并且不需要執(zhí)行第二導(dǎo)體層的暴露，即匯流條1可制造在蒸氣阻擋層上。例如，蒸氣阻擋層可以是ITO，例如無定形ITO，并且因此出于此目的是充分導(dǎo)電的。蒸氣阻擋層的無定形形態(tài)可提供比結(jié)晶形態(tài)更大的氣密性。

圖1D和圖1E描繪上覆于第一(下)導(dǎo)體(例如，TCO)層的EC裝置層，具體地是重疊部分240。盡管未按比例繪制，但例如剖面Z-Z'描繪EC疊層層和上部導(dǎo)體(例如，TCO)層的遵循包括重疊部分240的下導(dǎo)體層的形狀和輪廓的適形本質(zhì)。變細的TCO邊緣未在圖1D或圖1E中描繪。

圖1D包括由本文所述的某些實施方案克服的可能令人困擾的問題的細節(jié)。圖1D中的剖面Z-Z'已出于說明性的目的被修改以便示出在不具有某些實施方案的變細邊緣的情況下此類重疊構(gòu)型有時遇到的問題的細節(jié)。參考圖1D，向重疊240的過渡(其中上裝置層例如根據(jù)裝置材料和層的厚度上覆于第一導(dǎo)體層的邊緣)可形成裂縫700，如放大部分(左)中所描繪的。據(jù)信這些裂縫是由于與必須遵循第一導(dǎo)體層(在此實例中)的邊緣上的突然轉(zhuǎn)變的上裝置層相關(guān)的應(yīng)力所致。裂縫700可沿裝置的其中上覆層覆蓋此類陡峭邊緣的邊緣形成。這些裂縫可導(dǎo)致電短路，因為第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間存在暴露路徑，并且離子可使裝置短路，因為離子傳導(dǎo)層(或功能等效物)在裂縫處中斷。這些短路導(dǎo)致電致變色裝置的著色色差和較差性能。本文的實施方案通過以下方式克服此問題：使下裝置層(特別是下透明傳導(dǎo)層)圍繞其邊緣的至少一部分變細(傾斜或以其他方式修改)，以使得上覆層將不會遇到此類應(yīng)力。這在本文中被稱為“邊緣變細”。盡管邊緣變細在某些實施方案中有描述，但可使用其他應(yīng)力緩解拓撲，諸如邊緣倒圓、階梯化和斜切。另外，可使用應(yīng)力緩解拓撲的組合。通常，這些統(tǒng)稱為“邊緣變細”。

再次往回參考圖1D，圖7的右側(cè)包括示出BPE的形成有時遇到的問題的剖面Z-Z'的詳細部分。確切地，在匯流條襯墊暴露區(qū)的激光消融過程中，此時匯流條2在此圖中存在，激光可能不會消融掉頂層或者一致地消融第一(下)導(dǎo)體層(例如，第一TCO)。因此，在區(qū)705中在匯流條與下導(dǎo)體層之間的適當(dāng)電連接可能存在令人困擾的問題。參考圖1F和圖1G更詳細地描述這些問題。

參考圖1F，電致變色裝置900的截面具有第二(上)透明導(dǎo)體層905、裝置疊層910和第一(下)透明導(dǎo)體層915。匯流條920(例如銀墨匯流條)位于第一導(dǎo)體層915的BPE上。在圖1F的下部部分中，詳細地示出層915的BPE部分可能發(fā)生的問題。根據(jù)裝置材料、激光設(shè)置、裝置狀態(tài)等，BPE可不具有一致的厚度。在此實例中，激光消融是不均勻的，從而留下第一導(dǎo)體層915被完全移除的區(qū)930和第一導(dǎo)體層915保留的區(qū)925。區(qū)930防止由于切斷第一導(dǎo)體層915中的電連接而引起的到裝置疊層的電傳導(dǎo)。區(qū)930通?？鏐PE的某一部分(如果不是所有部分)，并且因此可能存在問題。

圖1G示出可能發(fā)生的另一個問題。如果在此實例中激光未足夠深地消融穿過裝置疊層910，那么第一導(dǎo)體層915與匯流條920之間可能存在較差的電連接。在此實例中，在區(qū)935中在匯流條920與第一導(dǎo)體層915之間存在電連接，其中裝置疊層910在BPE過程中由激光穿透，但是裝置疊層910的大面積部分在區(qū)940處維持在匯流條920與第一導(dǎo)體層915之間。

因此，如圖1F所示，激光可能會消融得太深，并且如圖1G所示，激光可能不會在BPE的整個區(qū)上進行充分消融。這可例如由于在激光消融過程中在裝置內(nèi)和在裝置間的薄膜吸收漂移而發(fā)生。本文所述的方法通過例如在BPE制造過程中沿著單獨的劃線施加不同的激光消融水平來克服這些問題。這關(guān)于圖7A-F更詳細地描述。

在某些實施方案中，激光工具的各種元件可用來實現(xiàn)激光圖案。激光工具通常包括掃描器，所述掃描器可根據(jù)提供給掃描器的激光圖案來引導(dǎo)激光束/光斑。激光工具使掃描器相對于電致變色裝置或其他光學(xué)裝置工件定位在特定位置處。在許多情況下，編程代碼被提供給激光工具以便為其提供指令，所述指令用來使激光工具相對于工件定位，同時掃描器根據(jù)一個或多個激光圖案來引導(dǎo)激光束/光斑。在某些情況下，此編程代碼還可用來在已執(zhí)行一個圖案以便引導(dǎo)掃描器之后根據(jù)需要為另一個激光圖案重新定位掃描器，由此確保掃描器在工件的正確部分處執(zhí)行兩種激光圖案。由掃描器接收的一個或多個激光圖案也是通常呈編程代碼形式的指令。掃描器使用限定一個或多個激光圖案的指令來關(guān)閉/打開并且根據(jù)所述一個或多個激光圖案來引導(dǎo)激光束。這些各種指令可包含關(guān)于各種過程/部件的計時和定位的信息。

重疊裝置層以及BPE和其他特征的布置可根據(jù)需要沿著裝置的一個或多個邊。例如，替代設(shè)計/構(gòu)型在2012年4月20日提交的并且標題為“ANGLED BUS BAR”的美國專利申請?zhí)?3/452,032中進行詳細描述。

圖2的頂部圖示是已在基板的周邊的最外區(qū)域上執(zhí)行PDLD操作(在此實例中沿著三個邊)之后的EC簡化物的頂視圖。圖2中的底部圖示是頂視圖所示的EC簡化物的局部側(cè)視圖。局部側(cè)視圖是頂部圖示中的EC簡化物的底邊。所執(zhí)行的PDLD操作可類似于關(guān)于圖1A中的步驟105詳細描述的操作。在PDLD操作之前，提供具有第一(下)導(dǎo)體層的基本上透明的基板。在PDLD操作之前，第一導(dǎo)體層的厚度是t_lc。盡管EC簡化物用于此例示的實施方案，但可使用其他光學(xué)裝置簡化物。圖2未描繪擴散阻擋層，但其可存在。

在圖2的EC簡化物上執(zhí)行的PDLD操作中，第一導(dǎo)體層在沿著三個邊以及到基板的外邊緣的區(qū)域中被移除。在此例示的實例中，第一導(dǎo)體層的厚度t_lc在到基板的外邊緣的具有寬度A₁的區(qū)域中被移除。在例示的實例中，出于說明性的目的，A₁是13.5mm并且t_lc是400nm(未按比例繪制)。

在其他PDLD制造操作(其可與參考圖1A詳細描述的步驟107、108和109中的一個或多個類似)中，第一導(dǎo)體層可沿著其在一個或多個邊上的邊緣變細。圖2所示的EC簡化物的第一導(dǎo)體層已沿著已移除寬度A₁的三個相同邊被變細(在此情況下為階梯輪廓)。在圖2中，變細是階梯式變細，具有已從第一導(dǎo)體層部分移除材料的單個階梯。使第一導(dǎo)體層的邊緣變細可有助于釋放第一導(dǎo)體層的頂部上與基板的頂部上之間的過渡區(qū)域中的上覆的裝置層中的應(yīng)力。也就是說，當(dāng)裝置層沉積在陡峭邊緣(某一種“峭壁”)上時，如以上關(guān)于圖1D所描述的，此過渡區(qū)域中的應(yīng)力可允許裝置層破裂，這會使裝置的性能劣化。局部移除區(qū)域的寬度是w_局部移除。這示出為500μm(未按比例繪制)，但可具有其他寬度。在此例示的實例中，局部移除的階梯的深度是t_局部移除，其示出為250nm+-50nm(未按比例繪制)，但根據(jù)TCO的厚度可具有其他深度。參考圖2并且在其他圖中描述的尺寸是說明性的并且可使用其他尺寸。在一些情況下，變細操作可認為是任選的操作；例如，某些裝置層在上覆于下導(dǎo)體的非變細邊緣上時可能不那么易受由突然轉(zhuǎn)變施加的應(yīng)力影響。

在執(zhí)行PDLD操作之后，沉積工藝將電致變色裝置的一個或多個層沉積在簡化物上。所述層被沉積在簡化物的一部分或整個表面上。在某些實施方案中，可使EC疊層和/或上導(dǎo)體層沉積。在一些實施方案中，使EC疊層沉積。沉積工藝可類似于參考圖1A描述的步驟110。圖3中的頂部圖示是在經(jīng)歷使電致變色(EC)疊層沉積在圖2所示的EC簡化物的表面上的沉積工藝之后的EC簡化物的頂視圖。

在沉積工藝之后，EC簡化物經(jīng)歷在沿著一個或多個邊并且到基本上透明基板的外邊緣的區(qū)域(例如，圖3中的后LED區(qū)域)中的后沉積LED(后LED)工藝。在一些情況下，后LED工藝沿著EC簡化物的所有邊移除材料。此后LED工藝可類似于參考圖1A描述的步驟115。

在圖3所示的例示的實例中，中間圖示是在沿著全部四個邊到基本透明基板的邊緣執(zhí)行后LED工藝之后頂部圖示所示的EC簡化物的頂視圖。后LED區(qū)域的寬度是寬度B₁。例如，在某些實施方案中，B₁是約10mm±2mm，但其他寬度也適用。圖3中的底部圖示是在后LED工藝已移除后LED區(qū)域中的材料層的厚度之后中間圖示的EC簡化物的剖視圖A-A'。

本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)在某些實例中，后LED工藝可在后LED區(qū)域中留下殘余物材料(例如，WO_x)。也就是說，如果在第一導(dǎo)體層上制造光學(xué)裝置層之前圍繞周邊移除所述第一導(dǎo)體層，那么裝置層的后續(xù)移除可使這些裝置層的殘余物留在基板上。這些殘余物可妨礙例如利用IGU間隔件和密封劑制造良好密封。圖4是在材料的殘余物維持在后LED區(qū)域中的后LED工藝之后穿過EC簡化物的剖視圖。已發(fā)現(xiàn)如果第一導(dǎo)體層(例如，第一TCO)首先從周邊區(qū)域移除，那么在其上沉積裝置層并且執(zhí)行后LED工藝，所述工藝不會有效地移除光學(xué)裝置層的殘余物，特別是基于氧化鎢的殘余物和包含鋰的金屬氧化物殘余物。此類殘余物例如由于其吸濕性質(zhì)而通過與水分組合轉(zhuǎn)換成凝膠。因此，即使在將EC簡化物密封到絕緣玻璃單元(IGU)中之后，此材料可提供水進入電致變色裝置的有源區(qū)中的路徑；這妨礙密封完整性。如果水傳遞到EC裝置，裝置中的材料層可溶蝕或以其他方式降解，這可導(dǎo)致裝置過早發(fā)生故障。產(chǎn)生的降解可隨時間推移(例如，2年、6年等)根據(jù)例如IGU所暴露的水分的量而發(fā)生。

窄PDLD工藝(NPDLD)

本文所述的某些實施方案包括制造光學(xué)裝置的改進方法，所述改進方法解決上述在所述區(qū)上留有EC裝置層殘余物的問題，其中例如IGU間隔件用來與基板形成密封。使用所謂的“窄預(yù)激光邊緣去除”方法或“NPDLD”方法。例如，第一導(dǎo)體層在邊緣處的周邊部分被留下，隨后在其上制造裝置層，并且只有在那時第一(下)導(dǎo)體層在基板邊緣處的周邊部分連同其他裝置層一起被移除，而不是與在使裝置層沉積在第一導(dǎo)體層上之前移除第一導(dǎo)體層(例如，TCO)到基板邊緣的周邊部分。這導(dǎo)致上述殘余物被移除得出乎意料地干凈；如果確實存在，它們也很少。此工藝可認為是原位遮掩，其中第一導(dǎo)體層的周邊邊緣部分僅在其他裝置層沉積在其上時來移除。以此方式，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體層的周邊邊緣部分被移除時，其如常規(guī)遮掩將會進行的那樣將上覆裝置層一起帶走。因此，上覆裝置層從不與基板接觸并且借助于連同上覆層一起移除的下覆第一導(dǎo)體層而更容易地從基板移除。

因此，某些實施方案涉及制造光學(xué)裝置的改進方法，所述改進方法包括NPDLD工藝，所述NPDLD工藝移除下導(dǎo)體層的沿著遠離基本上透明基板的外邊緣的一定距離處的區(qū)域的“窄”帶。在此實例中，術(shù)語“窄”僅用作命名約定，因為所移除材料條帶通常沒有在常規(guī)PDLD中可能移除的條帶那么寬；然而，未必是這種情況。如以上提及的，NPDLD操作沿著基本上透明基板的一個或多個邊從第一導(dǎo)體層移除材料條帶。在一些情況下，區(qū)域沿著一邊到鄰近邊的外邊緣被移除，諸如圖1B所示。遠離外基板邊緣移除此材料條帶沿著這些一個或多個邊留下第一(部)導(dǎo)體層的對應(yīng)襯墊。不受理論的束縛，據(jù)信因為第一導(dǎo)體層(例如，TEC)通常具有基本上均一化的光學(xué)特性，此周邊襯墊中的材料在后LED工藝過程中可有效地吸收激光能。由于對激光能的這種有效吸收，襯墊在后LED工藝中將從基板界面(即，基板與第一導(dǎo)體層之間的界面)“提升”并且將沉積在襯墊上的任何裝置層(例如，EC裝置層)一起帶走。如上所述，第一導(dǎo)體層圍繞周邊邊緣的襯墊可認為是原位遮掩。材料從基板界面的這種“提升”可導(dǎo)致在后LED區(qū)域中不留下殘余物的情況下有效地移除裝置材料層。因此，NPDLD操作實現(xiàn)邊緣去除后清潔工藝并且可認為是改進的LED工藝的成分。

在某些實施方案中，利用NPDLD工藝的改進的制造方法可能夠從后LED區(qū)域中的基板界面有效地移除材料，同時在基板上幾乎不留下殘余物。由于殘余物材料已有效地移除，所以幾乎沒有留下材料以潛在地形成用于水注入EC裝置的有源區(qū)中的路徑，這可避免以上提及的溶蝕問題。因此，由于例如IGU構(gòu)造或者層壓物構(gòu)造中的改進密封，包括實施方案的所描述窄LED工藝的改進的制造方法可提高所制造光學(xué)裝置的性能和可靠性。

圖5A是處理流程500，其描述利用NPDLD工藝制造光學(xué)裝置(例如，電致變色裝置)的改進方法的方面關(guān)于圖5B-C描述的示例性光學(xué)裝置550用來例示處理流程。光學(xué)裝置550設(shè)置在基本上透明基板(例如，玻璃)上。盡管光學(xué)裝置是矩形裝置，但處理流程500可適用于任何形狀。

在步驟510處，將其上設(shè)置有第一導(dǎo)體層的基本上透明基板例如接收在激光工具中。接下來，執(zhí)行NPDLD工藝(步驟520)。在步驟520處，NPDLD操作在與外邊緣相距一定距離處并且在基板的一個或多個邊上執(zhí)行第一導(dǎo)體層的第一寬度w₁的預(yù)沉積去除(移除)。此第一寬度w₁通常但未必是一致寬度。在許多情況下，在此第一寬度中，第一導(dǎo)體層的整個厚度被移除。在與外邊緣相距一定距離處移除第一導(dǎo)體層的此第一寬度會留下外邊緣剩余的第一導(dǎo)體層的襯墊。在一些實施方案中，去除部分(區(qū)域)沿著基板的除了一個邊以外的所有邊。在其他實施方案中，去除區(qū)域沿著基板的一個邊。更一般地，去除是沿著基板的周邊的約50％與約90％之間。在某些實施方案中，去除是沿著基板的周邊的約50％與約75％之間。例如，對于圓形基板，NPDLD操作可從圓周的約50％至約75％移除材料。對于正方形基板，三邊NPDLD工藝可從周邊的約75％移除材料。對于其他矩形基板，根據(jù)從哪些邊執(zhí)行NPDLD操作，可從周邊的約90％移除材料。例如，利用2'x 10'的基板，并且在從三邊移除材料的情況下，可從兩個短邊和一個長邊(例如從24'周邊的約14'或周邊的約58％)移除材料。在利用同一個2'x 10'基板的另一個實例中，如果要圍繞兩個長邊和一個短邊執(zhí)行NPDLD，那么將從周邊的約22'/24'或約92％進行移除。一般地，對于矩形基板，當(dāng)從三邊移除材料時，使用兩個更短邊和一個長邊。以此方式，相對的匯流條沿著更長的邊制造，這在匯流條之間留下更短的距離并且因此能夠進行更快的切換。

在某些情況下，此NPDLD去除可移除第一導(dǎo)體層，并且還可移除擴散阻擋(如果存在)。如果擴散阻擋存在，那么襯墊將包括第一導(dǎo)體層和擴散阻擋。在一種情況下，基板是玻璃并且包括鈉擴散阻擋及其上的下透明傳導(dǎo)層，例如基于氧化錫的透明金屬氧化物傳導(dǎo)層。通常，使用激光消融來去除材料。

盡管未示出，但在一些情況下光學(xué)拋光步驟可在步驟510與520之間進行。任選的拋光步驟可類似于參考圖1A描述的步驟101。

如圖5B的頂部圖示的頂視圖中所描繪，通常但未必地，NPDLD操作圍繞整個周邊邊緣留下第一導(dǎo)體層(例如，TCO)的襯墊。這樣做以使得當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體層的所述周邊邊緣部分在后LED工藝中被移除時，圍繞整個周邊不存在剩余的殘余物，并且因此改進圍繞整個周邊的周邊密封。在某些實施方案中(例如，參見圖5E)，某個第一導(dǎo)體層可從圍繞周邊邊緣的較小區(qū)移除。

圖5B的頂部圖示和底部圖示分別是設(shè)置在基板上的光學(xué)裝置(例如，電致變色裝置)的第一導(dǎo)體層的頂視圖和側(cè)視圖，所述基板已經(jīng)歷類似于參考圖5A在步驟520處描述的操作的NPDLD操作。在根據(jù)520的NPDLD操作之后，下導(dǎo)體層的第一寬度w₁沿著三個邊在與基板的外邊緣相距距離d處被移除。此距離d限定襯墊的寬度。以下參考后LED操作描述第二寬度w₂。在圖5B中，w₁是約4mm并且距離d是約10mm。

圖5B中的頂部圖示指示在NPDLD操作之后裝置550的基板和第一導(dǎo)體層的剖面X-X'和Y-Y'。下部圖示是頂部圖示的裝置550的剖視圖X-X'或Y-Y'的描繪。

在圖5B中，存在第一導(dǎo)體層的階梯式變細部分，其類似于參考圖4中的底部圖示描述的階梯式部分。此階梯式變細部分可在參考圖1A詳細描述的任選操作107、108和109中形成。盡管未示出，但是圖5A中的流程圖所示的方法可包括圖1A的任選步驟107、108和109中的一個或多個。局部移除區(qū)域的寬度是w_pr。這示出為500μm，但可具有其他寬度。在此例示的實例中，局部移除的階梯的深度示出為250nm+-50nm，但可具有其他深度。變細部分和變細操作是任選的。

在一些實施方案中，襯墊的距離或?qū)挾萪是約10mm。在一些實施方案中，襯墊的距離或?qū)挾萪在約1mm至約10mm的范圍內(nèi)。在一些實施方案中，襯墊的距離或?qū)挾萪是約5mm。在一些實施方案中，襯墊的距離或?qū)挾萪在約5mm至約10mm的范圍內(nèi)。

在一些實施方案中，寬度w₁可以是約4mm。在一些實施方案中，寬度w₁可小于4mm。在一些實施方案中，寬度w₁可在約1mm與約4mm的范圍內(nèi)。在一些實施方案中，寬度w₁可在約1mm至約10mm的范圍內(nèi)。在一些實施方案中，寬度w₁可以是約1mm。在一些實施方案中，寬度w₁可以是約2mm。在一些實施方案中，寬度w₁可以是約3mm。

在一些實施方案中，寬度w₁₊w_pr可以是約4mm。在一些實施方案中，寬度w₁₊w_pr和/或w_pr可小于4mm。在一些實施方案中，寬度w₁₊w_pr和/或w_pr可在約1mm與約4mm的范圍內(nèi)。在一些實施方案中，寬度w₁₊w_pr和/或w_pr可在約1mm至約10mm的范圍內(nèi)。在一些實施方案中，寬度w₁₊w_pr和/或w_pr可以是約1mm。

在例示的第一寬度w₁，第二寬度w₂、w_pr和/或距離d不一致的情況下，依據(jù)其平均寬度描述其相對于彼此的相對大小。

參考圖5A，使光學(xué)裝置的某些層沉積(步驟530)。在EC裝置實施方案中，可使電致變色疊層和/或上導(dǎo)體層(例如，透明傳導(dǎo)層，諸如氧化銦錫(ITO))沉積。層可沉積在基板的一部分或整個基板上。在某些例示的情況下，所描繪覆蓋區(qū)是基本上整個基板，但由于利用某一邊緣支撐件和/或夾持機構(gòu)將玻璃保持在位的載體而可存在某種周邊遮掩。

圖5C中的頂部圖示可以是在圖5A的步驟530中已將光學(xué)裝置的層沉積在整個基板上之后圖5B的裝置550的剖視圖。

參考圖5A，在步驟540處，執(zhí)行后LED操作以去除基板的外邊緣的第二寬度w₂。在一些實施方案中，第二寬度w₂可以是至少襯墊的寬度的距離d。在此后LED操作中，將電磁輻射(例如，激光能)應(yīng)用到襯墊和/或圍繞襯墊的區(qū)域。由于襯墊具有基本上均一化特性，其容易吸收能量并且顯露出基板界面，從而在步驟530中移除襯墊和其上沉積的任何材料。在步驟540處的此后LED操作中，在襯墊的區(qū)域處從基板移除材料。

圖5C中的頂部圖示是在使光學(xué)裝置(在此實例中是EC疊層(例如，電致變色層、離子導(dǎo)體層和對電極層)和第二(上)傳導(dǎo)層(例如，ITO))沉積之后圖5B的頂部圖示的剖視圖(例如，X-X'或者Y-Y')。底部圖示是在移除后LED區(qū)域中的寬度w₂的后LED操作之后的剖視圖。在圖5C中，w₂是10mm。在許多情況下，后LED區(qū)域的第二寬度w₂至少是跨襯墊的距離d。由于在后LED移除中包括第一導(dǎo)體層，清潔玻璃表面暴露于IGU的次級密封件或?qū)訅何飿?gòu)造中的粘合劑的對應(yīng)密封區(qū)。圖5C中的底部圖示可以是在步驟540中的邊緣去除后操作之后的剖視圖。

盡管圖5A未示出，但制造光學(xué)裝置的例示的方法還可包括參考圖1A描述的步驟120(匯流條襯墊暴露操作)和步驟125(匯流條施加操作)中的一個或多個。

在各實施方案中，NPDLD操作在與基板的外邊緣相距距離d處移除第一導(dǎo)體層的第一寬度，以便為基板的外邊緣留下襯墊(即，留下第一導(dǎo)體層的寬度d)。在某些方面中，襯墊可限定后LED區(qū)域(即，由后LED操作移除的材料寬度)或者位于其內(nèi)。也就是說，在后LED操作中顯露出襯墊將移除襯墊和襯墊上的任何材料層。因此，在后LED操作中移除的后LED區(qū)域通常將至少是襯墊的寬度(距離d)。

盡管在某些去除工藝中移除的材料的寬度被示出或者描述為圍繞基板的多個邊具有恒定寬度，但這些寬度是說明性的。應(yīng)理解沿著不同邊移除的寬度可不同。

圖5D描繪在步驟540中的邊緣去除后操作之后圖5C中的底部圖示的裝置550的頂視圖。

圖5E描繪根據(jù)各實施方案的在NPDLD操作之后設(shè)置在基板上的第一導(dǎo)體層的頂視圖(頂部圖示)和剖視圖(下部圖示)。NPDLD操作類似于參考圖5A在步驟520處描述的操作。在根據(jù)520的NPDLD操作之后，第一導(dǎo)體層的第一寬度w₁沿著三個邊(邊1、邊2和邊3)在與基板的外邊緣相距距離d處被移除。PDLD操作沿著鄰近邊2的外邊緣的邊1和3中的每一個移除材料。在圖5E中，w₁₊w_pr是約4mm并且距離d是約10mm。

圖6描繪根據(jù)各實施方案的在圖5C所示的裝置上執(zhí)行BPE操作之后的頂視圖(頂部圖示)和剖視圖Z1-Z1'(底部圖示)。在BPE操作之后，可向下導(dǎo)體的暴露襯墊施加匯流條。關(guān)于圖7A-7F示出在BPE操作之后裝置的其他實例。

圖7A描繪電致變色裝置1000的截面部分。下TCO在沿著一邊的區(qū)1005中消融以形成BPE 4435。在此實例中，三個區(qū)1005中的每一個利用離焦激光進行消融，以使得截面為已描繪的凹面。在此實例中，劃線中的每一個在同一激光能量密度水平(功率密度)下制成。另外，不使用激光消融的重疊，以使得鄰近消融線之間留有TCO材料的凸起區(qū)域(在此情況下為脊)。這是使用上覆材料的激光消融下至沿著多個單獨劃線使用不同激光消融水平的下覆導(dǎo)體層的一個實例。基本上存在三個“旋鈕”以用于實現(xiàn)可變消融深度：脈沖持續(xù)時間、能量密度水平和激光光斑和/或圖案(通過單獨光斑的定位形成的線、形狀)的重疊。在某些實施方案中，使用100％重疊，例如單一光斑位置上的多個光斑或者跨同一區(qū)的多條線。本文用于實現(xiàn)不同消融深度的實施方案使用這些或其任何組合中的任何一個。

一個實施方案是制造BPE的方法，所述方法包括在BPE的制造過程中沿著多條單獨劃線使用不同激光消融水平對上覆材料下至下覆TCO層進行激光消融。在一個實施方案中，多條劃線的單獨劃線中的每一條使用同一能量密度水平下的準高頂進行劃線。只要存在不同消融深度，就可使用除直線之外的其他圖案。例如，激光光斑可應(yīng)用在棋盤狀圖案中，鄰近光斑重疊或者不重疊，其中單獨光斑應(yīng)用不同脈沖時間以實現(xiàn)不同消融深度。在某些實施方案中，多條劃線中的至少兩條單獨劃線針對每條線使用不同能量密度水平進行劃線。以下更詳細地描述此類實施方案。

圖7B描繪一個實施方案的電致變色裝置1010的截面部分。電致變色裝置1010具有BPE 4435，所述BPE 4435通過沿著多條激光消融線1015、1020和1025，沿著裝置的一個邊緣使用不同消融深度來對下TCO進行激光消融而形成。在此實例中，通過使激光光斑沿著每條線重疊來形成線，但是其中每條線使用不同重疊比例的單獨光斑。在此實例中，還存在線的重疊；然而在一些實施方案中，一條或多條線之間沒有重疊。圖7C示出由三條線1015、1020和1025形成的BPE4435(本文所述的任何裝置可具有如關(guān)于圖7A-F描述的BPE)的頂視圖。這些線各自具有相對于其他線消融到TCO中的不同深度，但在任何給定線內(nèi)具有基本上相同的消融深度。通過使用不同消融深度，例如使用不同能量密度水平的激光光斑、光斑或線的重疊、脈沖持續(xù)時間及其組合，BPE具有多種深度輪廓，并且這是與在激光消融過程中薄膜吸收的變化相關(guān)聯(lián)的問題的原因。也就是說，如果激光未消融得足夠深，或者消融得太深，那么仍存在足夠數(shù)量的暴露TCO以便沿著裝置邊緣與匯流條形成良好的電接觸，并且因此在裝置的操作過程中獲得良好的性能和著色優(yōu)勢。在此實例中，TCO隨著激光從每條線移動到下一條線而逐漸被消融得更深，以使得BPE在外邊緣處逐漸變薄，并且在接近裝置疊層的最內(nèi)部表面處變厚。圖10B描繪的BPE示出線之間的稍微傾斜的過渡，從而指示激光消融路徑部分重疊。最終的BPE是如所描繪的三階梯式構(gòu)造。通過使用不同的消融深度，確保匯流條與BPE之間良好的電接觸，因為即使存在吸收變化，消融線中的至少一條將完全穿透到下TCO。

在一個實施方案中，激光消融用來沿著EC裝置的邊緣、沿著每條線以不同消融深度從至少兩條線移除材料。在一個實施方案中，消融深度選自下TCO的至少上部10％、下TCO的至少上部25％、下TCO的至少上部50％和下TCO的至少上部75％。

圖7D描繪一個實施方案的電致變色裝置1030的截面部分。參考圖7D，即使底部TCO上的材料在吸收上與計算值不同，例如激光消融由于某種原因的吸收損失而無法如所計算地深入挖掘到疊層中，由于在不同深度處存在多條線，所以BPE工藝仍是成功的，即實現(xiàn)與匯流條920的良好電連接。在圖7D描繪的實例中，激光并未如所計算地進行深入消融，例如線1015具有某種剩余的EC疊層材料，所述EC疊層材料將妨礙BPE與匯流條之間的電接觸。但是，線1020和1025確實向下穿透到TCO，并且因此匯流條920與下TCO形成良好電接觸。圖7E描繪一個實施方案的電致變色裝置1040的截面部分。圖7E描繪以下情境：例如，當(dāng)材料層的吸收偏移到比預(yù)期更增加的狀態(tài)時，激光比所計算的穿透得更深。在此實例中，線1025不具有用來適當(dāng)導(dǎo)電的充分TCO厚度，但剩余線1015和1020允許與匯流條920的良好的電連接。

圖7F描繪一個實施方案的電致變色裝置1050的截面部分。圖7F示出當(dāng)從BPE的內(nèi)部部分移動到BPE的外部部分時不同深度的激光線不需要從更小深度到更大深度。在此實例中，激光消融深度被配置成使得BPE最遠離EC裝置更厚，并且最接近裝置邊緣最薄。此模式在例如期望絕對確信在BPE上制造匯流條的地方與裝置疊層之間不存在疊層材料時可具有優(yōu)點。這通過更深地穿透到與EC裝置鄰近的線(1015)上的TCO中來實現(xiàn)。在一個實施方案中，激光被配置來逐漸移除多條劃線中的每一條中的多個下覆導(dǎo)體層，每條劃線的消融區(qū)與先前的劃線的消融區(qū)至少部分地重疊，并且多條劃線利用最多地移除最接近裝置疊層的下覆導(dǎo)體層并且最少地移除最遠離裝置疊層的下覆導(dǎo)體層來制造。在一個實施方案中，激光被配置來逐漸移除多條劃線中的每一條中的多個下覆導(dǎo)體層，所述至少兩條劃線的消融區(qū)與消融區(qū)至少部分地重疊，并且多條劃線利用最少地移除最接近裝置疊層的下覆導(dǎo)體層并且最多地移除最遠離裝置疊層的下覆導(dǎo)體層來制造。

盡管參考BPE制造描述用來改變消融深度的激光消融光斑、線或圖案的不同能量密度和/或重疊和/或脈沖持續(xù)時間，但是其還可用來形成如本文所述的邊緣楔形。這些方法也不限制于這些實施方案，例如它們還可用來形成隔離溝槽，例如其中以不同深度消融兩條或更多條線以便確保EC裝置的一個區(qū)段與另一個區(qū)段的適當(dāng)電(并且任選地離子)隔離。在一個實施方案中，制造L3劃線，其中兩條或更多條劃線用來制造L3劃線并且至少兩條劃線各自具有不同的消融深度，與線重疊或不重疊。

上述制造方法關(guān)于矩形光學(xué)裝置(例如，矩形EC裝置)來進行描述。這不是必要的，因為它們還應(yīng)用到其他規(guī)則或不規(guī)則形狀。另外，重疊裝置層以及BPE和其他特征的布置可根據(jù)需要沿著裝置的一個或多個邊。其他形狀和構(gòu)型在標題為“THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION”并且于2014年6月4日提交的美國專利申請序列號14/362,863中更詳細地描述，所述美國專利申請以引用的方式整體并入本文。

在某些實施方案中，用于各種消融操作的電磁輻射可由同一激光或由不同激光提供。使用光纖或開放的射束路徑來遞送(激光)輻射。根據(jù)電磁輻射波長的選擇，可從玻璃邊或薄膜邊執(zhí)行消融。通過使激光束穿過光學(xué)透鏡來實現(xiàn)使材料消融所需的能量密度。透鏡將激光束聚焦成所需的形狀和大小，例如具有上文所述的尺寸的在一個實施方案中具有在約0.5J/cm²與約4.0J/cm²之間的能量密度的“高頂”。在某些情況下，可期望控制激光的能量密度。一種用于控制能量密度的方法是在焦平面上方執(zhí)行激光消融，即可使激光束離焦。例如在一個實施方案中，激光束的離焦輪廓可以是修改的高頂或“準高頂”。通過使用離焦激光輪廓，可在不損壞激光光斑重疊區(qū)域處的下覆材料的情況下增大遞送到表面的能量密度。此離焦激光輪廓可用于某些實施方案的預(yù)沉積操作，以最小化留在基板上的殘余物材料的量。

盡管各實施方案的去除工藝在本文中一般關(guān)于矩形光學(xué)裝置來進行描述，但還可應(yīng)用其他規(guī)則(例如，圓形、卵形、梯形等)形狀和不規(guī)則形狀。在一些情況下，使用矩形(例如，正方形)激光圖案的去除工藝可用來從矩形區(qū)域去除材料。例如，可引導(dǎo)激光光斑/束在裝置表面上來回線性移動，其中所形成線之間具有某種一致的重疊度。在這些情況下，形成的激光線通常彼此平行。激光線與裝置的邊緣平行或垂直。在其他情況下，去除工藝可使用非矩形激光圖案。例如，去除工藝可使用圓形激光光斑來生成重疊的圓，以從彎曲區(qū)域去除材料。在這種情況下，激光光斑是圓形。在其他情況下，激光光斑可以是矩形。矩形激光光斑可被旋轉(zhuǎn)成具有平行于移除了材料的裝置的邊緣的取向。在一些情況下，去除工藝可從沿著光學(xué)裝置的一個或多個邊的多個區(qū)域移除材料。根據(jù)電致變色裝置的形狀，這些區(qū)域可具有相同形狀(例如，多個矩形區(qū)域)或者可具有不同形狀(例如，矩形和彎曲區(qū)域)。

某些方面涉及光學(xué)裝置的方法，所述光學(xué)裝置包括夾在第一傳導(dǎo)層與第二傳導(dǎo)層之間的一個或多個材料層，其中所述方法包括：(i)接收基板，所述基板在其工作表面上具有所述第一傳導(dǎo)層；(ii)沿著從基板的周邊區(qū)域的約50％與約90％之間移除第一傳導(dǎo)層的第一寬度，而留下與圍繞基板的周邊邊緣的第一寬度共同延伸的第一傳導(dǎo)層的襯墊；(iii)使光學(xué)裝置的所述一個或多個材料層和第二傳導(dǎo)層沉積在基板的工作表面上；以及(iv)圍繞基板的基本上整個周邊移除所有層的第二寬度，其中移除寬度至少足以移除第一傳導(dǎo)層，以使得沿著周邊區(qū)域?qū)⒌谝粋鲗?dǎo)層的襯墊連同第一傳導(dǎo)層的剩余約25％至約50％部分一起移除。在這些情況中的一些下，所述方法還包括(v)移除第二傳導(dǎo)層的至少一部分和其下光學(xué)裝置的一個或多個層，由此顯露出第一傳導(dǎo)層的至少一個暴露部分以及(vi)向第一傳導(dǎo)層的所述至少一個暴露部分施加匯流條，其中第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層中的至少一個是透明的。在所述方法的一個實例中，由于所述基板在周邊邊緣周圍由載體保持機構(gòu)遮掩，光學(xué)裝置的所述一個或多個材料層和第二傳導(dǎo)層沉積在基板的基本上整個工作表面上。在所述方法的一個實例中，由于所述基板在周邊邊緣周圍由載體保持機構(gòu)遮掩，光學(xué)裝置的所述一個或多個材料層和第二傳導(dǎo)層沉積在基板的基本上整個工作表面上。

在所述方法的一個實例中，第一寬度是在與基板的外邊緣相距約1mm與約10mm之間的距離處。在所述方法的一個實例中，第一寬度是在與基板的外邊緣相距約1mm與約5mm之間的距離處。在所述方法的一個實例中，第一寬度是在與基板的外邊緣相距約10mm的距離處。在所述方法的一個實例中，第一寬度是在約1mm與約5mm之間。在所述方法的一個實例中，第一寬度是約4mm。在所述方法的一個實例中，所述方法還包括使下導(dǎo)體層的邊緣變細。在所述方法的一個實例中，所述方法還包括向第二導(dǎo)體層施加第二匯流條。在這些情況下，所述方法還可包括將光學(xué)裝置并入絕緣玻璃單元(IGU)中和/或制造包括光學(xué)裝置和另一個基板的層壓物。

在各種實施方案中，本文所述的方法的操作可以不同次序執(zhí)行，并且某些操作可排除或者在比所提及的更少或不同的邊上執(zhí)行。例如，在一種情況下，處理流程如下：在電致變色簡化物的3個邊緣上執(zhí)行PDLD；執(zhí)行BPE操作；執(zhí)行L3隔離劃線操作；以及執(zhí)行透明電導(dǎo)體(TEC)匯流條后沉積PDLD操作。

盡管已相當(dāng)詳細地描述前述實施方案來幫助理解，但應(yīng)將所描述實施方案視為說明性的而非限制性的。對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明顯的是，在說明書的范圍內(nèi)可實踐某些改變和修改。