DE 195 22 574 A1、US 2010/0319766 A1和US 2013/0084235 A1描述了一種用于涂覆基板的裝置?；宀糠值匕仓迷诨逯Ъ苌希坏腔逡膊糠值卦趦蓚€對置的進氣機構之間懸空。US 2013/0089666 A1描述了兩個具有寬側面的銅基板。

本發(fā)明涉及一種用于沉積碳納米管的裝置。為此，氣態(tài)的初始物質(zhì)被引入到處理室內(nèi)。這借助進氣機構實現(xiàn)。在處理室內(nèi)部有安置在基板支架上的基板。含碳的處理氣體、例如CH₄、C₂H₄、C₂H₂或C₆H₆被引入到處理室內(nèi)。此外GB 2 458 776 A或JP 2005-133165 A描述了用于涂覆柔性基板的裝置。

US 2012/0000425 A1描述了一種用于對基板熱處理的設備，其中，多個基板支架在處理室內(nèi)水平地上下相疊地布置。

US 2008/0152803 A1描述了一種用于對基板熱處理的設備，其中，基板放射形式地布置在處理室內(nèi)。

本發(fā)明所要解決的技術問題是，有利應用地改進所述設備。

所述技術問題按照權利要求提供的發(fā)明解決。

首先和基本建議，處理室殼體具有具備空腔的壁件，穿過該壁件向進氣機構的氣體體積空間供給處理氣體。處理室殼體的壁件由此被充氣，處理氣體可以從外部充入壁件內(nèi)，使得處理氣體通過供氣口尤其從邊緣可以充入進氣機構的氣體體積空間內(nèi)。在處理室殼體的內(nèi)部優(yōu)選布置有多個板狀部件。這些板狀部件在其相互遠離指向的邊緣上具有邊緣段，該邊緣段被插入由處理室殼體的兩個相互平行延伸的壁件構成的固持槽中。固持槽優(yōu)選由溝槽構成，該溝槽具有相互平行延伸的溝槽壁。兩個壁件的溝槽的開口相互指向。矩形的板件可以插入相應的溝槽對中。處理室殼體優(yōu)選具有翻轉對稱的結構。對稱平面是中央平面，在該中央平面內(nèi)可以存在基板支架?；逯Ъ芸梢栽谄湎嗷ケ畴x指向的寬側面上分別支承著基板，所述基板可以被同時覆層。為此，處理室殼體在沿豎向延伸的基板支架的兩側上具有排氣機構。各個排氣機構由具有多個排氣口的板狀部件構成。在此涉及進氣板，處理氣體可以穿過進氣板流入處理室內(nèi)，基板支架處在處理室的中央。在進氣板的背后具有后壁，進氣機構的氣體體積空間通過后壁在背離處理室的方向上被封閉。進氣板和后壁分別形成被插入固持槽內(nèi)的邊緣段。處理氣體的供氣按照本發(fā)明通過處理室殼體壁件實現(xiàn)。進氣機構的氣體體積空間優(yōu)選處在進氣板和后壁之間的空隙內(nèi)。處理室殼體壁件具有多個通入到在進氣板和后壁之間的空隙內(nèi)的供氣口。處理室殼體壁件具有空腔，處理氣體可以從外部供給到空腔內(nèi)?？涨粚⑻幚須怏w分配在各個供氣口上，所述供氣口通入到進氣機構的氣體體積空間內(nèi)。石英板處在后壁的后面。產(chǎn)生紅外射線的電阻加熱裝置處在石英板的后面。石英板和兩個構成進氣機構的板件是紅外射線可穿透的并且由石英構成。此外可以規(guī)定，后壁和反射器同樣具有被插入到固持槽內(nèi)的邊緣段。能夠以簡單的方式更換被插入到固持槽內(nèi)的板狀部件，也就是進氣板、后壁、石英板、反射器或后壁。僅僅需要移除處理室殼體的蓋板。隨后可將所述板狀部件通過沿豎向延伸的固持槽從處理室殼體拉出。以相反的方式實現(xiàn)板狀部件對處理室殼體的配屬。處理室殼體優(yōu)選布置在反應器殼體內(nèi)。反應器殼體可以具有蓋子，從而可以到達或接近處理室殼體的蓋板。在關閉蓋子時反應器殼體是氣密的，從而可以對其抽真空。

此外，本發(fā)明涉及一種用于在基板上沉積尤其含碳的結構、例如納米管層或石墨層的設備，其中，所述處理室殼體具有兩個相對置的且垂直于基板支架的、具備固持槽的壁件，板狀構件的兩個相互背離指向的邊緣段插在所述固持槽內(nèi)。板狀構件可以是進氣板、進氣機構的后壁、屏蔽板、反射器或處理室殼體的后壁。按照本發(fā)明，至少一個所述板狀構件能夠通過所述構件在其延伸平面內(nèi)的移位而從處理室殼體中移除。

以下結合附圖闡述本發(fā)明的實施例。在附圖中：

圖1示出基板支架的分解視圖，

圖2示出基板支架的寬側視圖，

圖3示出基板支架的窄側視圖，

圖4示出根據(jù)圖2的剖切線IV-IV所得的剖視圖，其中，在基板支架的兩個寬側面中的每一個上分別安置有基板6，

圖5示出根據(jù)圖4的視圖，其中，基板支架1支承著柔性的基板6，該基板延伸越過邊棱11，

圖6示出反應器殼體20的側視圖，具有打開的蓋板46和示出的安置在內(nèi)部的處理室殼體19，

圖7示出反應器殼體20的正視圖，具有關閉的蓋板和示出的安置在內(nèi)部的處理室殼體19，

圖8示出根據(jù)圖7的剖切線VIII-VIII所得的剖視圖，

圖9示出根據(jù)圖8的剖切線IX-IX所得的剖視圖，示出安置在處理室殼體19內(nèi)的基板支架10，

圖10示出根據(jù)圖8的剖切線X-X所得的剖視圖，示出排氣板24，

圖11示出根據(jù)圖8的剖切線XI-XI所得的剖視圖，示出處理室殼體19的壁件48的位于處理室殼體內(nèi)側的側面，

圖12示出根據(jù)圖8的放大的截圖XII。

附圖中所示的反應器殼體20具有具備四個側壁44、44’、45、45’的矩形形狀。上殼體壁件形成可翻轉的蓋子46。在感應器運行時，蓋子46關閉。但是，為了進行維護也可以打開蓋子。

側壁44、44’、45、45’具有通道47，冷卻液可以流動穿過通道47，以便沖刷壁件44、44’、45、45’。

側壁之一44具有沿豎向延伸的開口43。所述開口43可以通過未示出的滑塊被氣密地封閉。這是裝載口和卸載口。

處理室殼體19處于反應器殼體20的內(nèi)部，處理室殼體同樣具有沿豎向延伸的裝載口和卸載口23。處理室殼體19在其內(nèi)部具有下部的導引件21和上部的導引件22。兩個導引件21、22具有條形形狀并且具有相互指向的凹槽21’、22’。兩個進氣機構24、25限定了處理室的豎直側的邊界?；逯Ъ?可以通過豎向的裝載口23、43移入處理室內(nèi)。在此，基板支架1的導引段12嚙合導引件21、22的凹槽21’、22’。在裝入狀態(tài)下，基板支架1處于兩個進氣機構24之間的中央。矩形反應器殼體20的所有六個壁件均可以具有調(diào)溫通道47，調(diào)溫液可以流動穿過調(diào)溫通道47，用于或者冷卻或者加熱反應器壁。

基板支架1是扁平體并且具有基本矩形的輪廓外形。它具有兩個相互背離指向的寬側面2、3，該寬側面分別構成基板容納區(qū)域4、5。相互背離指向的基本容納區(qū)域4、5具有基本上矩形的橫截面。

圖2示出具有基板容納區(qū)域4的寬側面2。相對置的寬側面3同樣構造有其基板容納區(qū)域5。

構成基板支架1的扁平體具有小于10mm的材料增強體。基板支架1的邊棱長度至少等于100mm。

與基板容納區(qū)域5相同設計的基板容納區(qū)域4具有兩個第一邊緣4’。第一邊緣4’涉及假想的線。基板容納區(qū)域4還具有第二邊緣，其由基板支架1的邊棱11形成。邊棱11被倒圓。

在基板容納區(qū)域4、5的角部范圍內(nèi)具有固定件14。固定件14在本實施例中設計為螺栓14與螺母14’。但是，固定件14、14’也可以是夾緊件。通過該固定件14、14’，基本上矩形的基板6被固定在兩個基板容納區(qū)域4、5之一上。每個基板6分別處于兩個寬側面2、3之一上，使得兩個相互背離的基板容納區(qū)域4、5分別支承一個基本上矩形的基板6，其中，基板6通過固定件14、14’固定在基板支架1上?；蹇梢允倾~制、鋁制或鎳制基板，它們被由碳構成的納米管覆層，納米管橫向于延伸面在基板表面生長。

邊棱11在形成凹部13的情況下過渡為凸起12。在此涉及前述的導引凸起。導引凸起由基板支架1的邊緣段7的兩個端部段構成。邊緣段7直接鄰接在邊緣4’上。在兩個相互背離的邊緣4’中的每一個上鄰接著一個邊緣段7，邊緣段7分別形成操作段。凸起12在基板支架1的延伸面內(nèi)延伸并且構成與邊棱11相間隔的邊緣段。

這兩個設計相同的操作段7不僅具有從基板容納區(qū)域4、5的相應邊緣11突出的凸起12，還具有窗口形式的開口8、9、10。在此涉及三個矩形開口，氣體可以流過這些開口，這些開口也能用于手動操作。為此，開口8、9、10用作抓握口。中間的矩形開口可以被操作臂的抓手抓握。

如圖1所示，基板支架1具有分散的孔15、16?？?6用于將固定件14固定在基板支架1上?？?5同樣可以作為用于固定件的固定孔。但是，孔15也可以具有止擋件。

圖4示出基板支架1的第一應用形式，其中，基板支架1在它的相互背離的寬側面2、3上分別支承一個基板6。

圖5示出基板支架1的第二應用形式。在此，由基板支架1支承的基板6是柔性的。其具有兩個端部區(qū)段，該端部區(qū)段分別配屬于兩個基板容納區(qū)域4、5中的一個并且在此被固定。基板6的中間的區(qū)段與被倒圓的邊棱11貼靠?；?由此U形地圍繞邊棱11被折疊。

基板可以是銅制、鎳制或鋁制薄膜。通過進氣機構24，處理氣體(H₂、NH₃、AR、N₂、CH₄、C₂H₂或C₆H₆)被導入處理室。通過化學反應、尤其催化反應，碳氫化合物被分解為碳。在此涉及熱解表面反應。在基板上沉積石墨或者納米管。

反應器殼體20的內(nèi)腔可以抽真空。在此使用未示出的真空泵。

處理室殼體19具有六個壁件，這些壁件平行于反應器殼體20的配屬的壁件44、44’、45、45’或48、31、49、50延伸。處理室殼體19的壁件與反應器殼體20的壁件相間隔。

處理室殼體19的至少一個壁件48構造有一個或多個空腔28。該至少一個空腔28是供氣裝置的組成部分?？涨?8可以從外側被供給處理氣體，該處理氣體(以下還將詳細闡述)通過開口40可以進入處理室殼體19的內(nèi)部。設有兩個相對置的殼體壁件48、48’，它們設計為多件式的。殼體壁件48’形成前述的裝載口23。兩個殼體壁件48、48’在它們的朝向處理室殼體19的內(nèi)部的那側上具有多個相互平行且沿豎向延伸的固持槽34至38。固持槽34至38分別由豎直槽構成。處理室殼體19的平板形狀的元件24、25、26、30、31的邊緣處于固持槽34至38內(nèi)。相對于中間平面，處理室殼體19具有翻轉對稱的設計?；逯Ъ?或者固持件21、22和33處在該中間平面內(nèi)，所述固持件分別具有凹槽21’、22’和33’以便固持基板支架1。

蓮蓬頭形狀的進氣機構位于基板支架1的寬側的至少一個上。在實施例中，在基板支架的兩個寬側的每一個上分別具有蓮蓬頭形狀的進氣機構。

在基板支架1的兩個寬側的每一個上分別具有蓮蓬頭形狀的進氣機構。各個蓮蓬頭由石英制成的進氣板24構成，該進氣板通過兩個相互背離的邊緣分別移入固持槽34內(nèi)。進氣板24具有多個在進氣板24的表面上均勻分布布置的排氣口39，用于將由運載氣體運送的處理氣體排出到布置在兩個相對置的進氣板24之間的處理室內(nèi)。

相對于處理室的位置，進氣板24的后面具有一個體積空間，其由前述的供氣孔40提供處理氣體或運載氣體，它們可以通過排氣口39進入處理室內(nèi)。

進氣機構的后壁25平行于進氣板24延伸。后壁25的側邊緣移入固持槽35內(nèi)。后壁將進氣機構沿背離進氣板24的方向密封并且限定了進氣機構的氣體體積空間的邊界。進氣板24和后壁25相互平行延伸。

另外的石英板26處在后壁25的后側，石英板26的邊緣移入固持槽36內(nèi)。

石英板26的后面具有電阻加熱器27。在此涉及回形延伸的金屬板，金屬板可以流通電流，使得加熱件27可以被加熱。由石英構成的進氣板24、后壁25和板件26基本上對于由加熱件27產(chǎn)生的紅外射線是可穿透的，該紅外射線可以將基板6加熱到大約1000℃的基板溫度。設有連接接觸件或接線端子，用于為兩個加熱件27供電。

屏蔽板29處在加熱件27的后側，該屏蔽板也可用作反射器。該屏蔽板29固定在加熱件27的固持件上，該固持件也用于供電。

反射器30和后壁31的邊緣移入平行于壁件48、48’的豎向邊緣延伸的固持槽37、38中。

處理室殼體19具有可去除的蓋件49。如果蓋件49在打開蓋子46時被去除，則板件24、25、26、37、38可以向上從處理室殼體19中抽出。隨后它們可以被清洗或更換。板件24、25、26、30、31同樣能夠簡單地再次插入與之配屬的固持槽34至38中。

底板50具有排氣口41，流動經(jīng)過開口39進入處理室內(nèi)的氣體可以從排氣口41從處理室排出。還設有排氣口42，所述排氣口42用于排出清洗氣體，該清洗氣體輸入到兩個蓮蓬頭一側的空間內(nèi)，加熱件27處在該空間內(nèi)。

前述的導引件21、22、33分別具有槽形的凹空21’、22’、33’，它們通過被倒圓的匯合區(qū)域構成用于基板支架1的邊棱的查找側面。

由圖9可看到，邊棱11在移入狀態(tài)下是開放的。它們具有相對于導引件21或22的間距。

圍繞豎直軸線可轉動的反射器32處在處理室殼體19的裝載口23的前面。在處理室運行時，可轉動的反射器所采取的位置使得它的反射面處在裝載口23的前面。當處理室被裝載或卸載時，則可轉動的反射器32轉動，使得兩個相互平齊的開口23、43開放，以便基板支架1穿過。

尤其設有兩個相互平行延伸的殼體壁件48、48’，所述殼體壁件48、48’分別具有空腔28，空腔28用于通過供氣口40向進氣機構24、25的氣體體積空間內(nèi)供氣。開口40以均勻的間距在殼體壁件48、48’的整個深度上延伸。兩個殼體壁件48、48’中的每一個均可以由兩個局部壁段構成，其中，兩個局部壁段中的每一個均構建空腔形狀的供氣裝置28。每個局部壁段配屬于兩個進氣機構24、25中的一個。殼體壁件48、48’可以由多個相互連接的構件構成，使得在殼體壁件48、48’的內(nèi)部形成所謂的空腔28。所述空腔由供氣管路供給處理氣體。空腔28的相關的開口可以設在殼體壁件48、48’的窄側上。這優(yōu)選涉及殼體壁件48、48’的下部窄側或上部窄側，所述窄側與輸入管路相連接，處理氣體可以經(jīng)由該輸入管路被供給到空腔28內(nèi)。在附圖中未示出的輸入管路在此延伸穿過反應器殼體20的壁件通向反應器的外部，在那里具有氣體供給裝置，所述輸入管路與所述氣體供給裝置相連。

在實施例中，空腔28具有基本矩形的橫截面。還規(guī)定，空腔28僅僅由一個或多個孔構成，所述孔具有較小的體積。

前述的實施例用于闡述由本申請總結的發(fā)明，該發(fā)明至少通過以下技術特征組合對現(xiàn)有技術分別獨立地進行改進，即：

一種設備，其特征在于，所述處理室殼體19具有至少一個具備空腔28的壁件48、48’，其中，所述空腔28借助供氣口40與進氣機構24、25的氣體體積空間相連。

一種設備，其特征在于，所述供氣口40尤其通到進氣機構的后壁25和進氣板24之間。

一種設備，其特征在于，所述處理室殼體19具有相互對置的具備空腔28的壁件48、48’，其中，每個空腔28均通過供氣口40與進氣機構24、25的氣體體積空間相連。

一種設備，其特征在于，所述處理室殼體19具有參照基板支架1所處的平面呈翻轉對稱的結構，其中，所述基板支架1是在對稱平面中延伸的面狀體，所述面狀體的兩個寬側分別能夠支承基板6，并且所述基板支架1的兩個寬側面2中的每一個均與具有排氣口39的排氣板24相對置，其中，分別布置在排氣板24的后側的氣體體積空間經(jīng)由通向至少一個所述處理室殼體壁件48、48’的供氣口40被供氣。

一種設備，其特征在于，至少一個空腔28通過輸入管路與提供處理氣體的氣體混合系統(tǒng)相連，其中，所述輸入管路尤其配屬于所述壁件48、48’的窄側。

一種設備，其特征在于，所述處理室殼體19具有兩個相對置的且垂直于基板支架1的、具備固持槽34、35、36、37、38的壁件48、48’，板狀構件的兩個相互背離指向的邊緣段插在所述固持槽34、35、36、37、38內(nèi)，所述構件是進氣機構24、25的進氣板24和/或后壁25和/或屏蔽板26和/或反射器30和/或處理室殼體19的后壁31，并且通過所述構件在其延伸平面內(nèi)的移位能夠從處理室殼體19中移除所述構件。

一種設備，其特征在于，在進氣機構24、25的背后、尤其在兩個進氣機構24、25的背后布置有加熱裝置27，尤其用于產(chǎn)生紅外射線。

一種設備，其特征在于，排氣板24、后壁25和必要時在所述后壁25的背后布置的板件26由熱量可穿透的材料、尤其石英構成。

一種設備，其特征在于，所有板狀部件24、25、26、30、31均布置在平行平面內(nèi)并且沿豎向能夠從處理室殼體19中被移除，其中，在平行平面內(nèi)延伸的基板支架1尤其沿豎向通過裝載口23、43能夠從處理室殼體19中被移除。

一種設備，其特征在于，所述處理室殼體19安置在向外氣密的反應器殼體20內(nèi)，所述反應器殼體20具有圍繞轉動軸線能夠打開的蓋板46。

一種設備，其特征在于，反應器殼體20的壁件能夠調(diào)溫，并且為此尤其具有冷卻通道47。

一種設備，其特征在于，構成處理室殼體19的底部的底板50具有排氣口41、42。

所有公開的特征(本身及其相互組合)都有發(fā)明意義或發(fā)明價值。在本申請的公開文件中，所屬/附屬的優(yōu)先權文本(在先申請文件)的公開內(nèi)容也被完全包括在內(nèi)，為此也將該優(yōu)先權文本中的特征納入本申請的權利要求書中。從屬權利要求的特征都是對于現(xiàn)有技術有獨立發(fā)明意義或價值的改進設計，尤其可以這些從屬權利要求為基礎提出分案申請。

附圖標記列表

1 基板支架

2 寬側面

3 寬側面

4 基板容納區(qū)域

4’ 邊緣

5 基板容納區(qū)域

5’ 邊緣

6 基板

7 操作段/邊緣段

8 開口

9 開口

10 開口

11 邊棱

12 凸起/導引段

13 凹部

14 固定件/螺栓

14’ 固定件/螺母

15 孔

16 孔

19 處理室殼體

20 反應器殼體

21 導引件

21’ 凹槽、凹空

22 導引件

22’ 凹槽

23 裝載口/卸載口

24 進氣機構、進氣板

25 后壁

26 石英板

27 加熱件

28 供氣機構、空腔

29 屏蔽板

30 反射器

31 后壁

32 可轉動的反射器

33 固持件

33’ 凹槽、凹空

34 固持槽

35 固持槽

36 固持槽

37 固持槽

38 固持槽

39 排氣口

40 供氣口

41 排氣口

42 排氣口

43 裝載口

44 壁件

44’ 壁件

45 壁件

45’ 壁件

46 壁件、蓋子

47 調(diào)溫通道

48 殼體壁件

48’ 殼體壁件

49 蓋板

50 底板