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      NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料、制備方法、電致變色器件與流程

      文檔序號:12660790閱讀:926來源:國知局
      NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料、制備方法、電致變色器件與流程

      本發(fā)明涉及材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料、制備方法、電致變色器件。



      背景技術(shù):

      電致變色器件具有高效、低耗、無污染、智能化等優(yōu)點,在智能節(jié)能窗、汽車防眩目后視鏡、紅外隱身等領(lǐng)域均具有廣闊的應用前景,已成為國內(nèi)外研究的熱點。在眾多電致變色材料中,NiO材料由于具有較高電致變色效率和較大的光學調(diào)制范圍,且儲量豐富成本低,在電致變色器件的研發(fā)中引起了人們的廣泛關(guān)注。

      離子在電致變色材料中的嵌入和脫出與材料的比表面積密切相關(guān),而材料的比表面積可通過其微觀結(jié)構(gòu)來調(diào)控。因此,設(shè)計特定的納米結(jié)構(gòu)并實現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)的可控制備,是獲得性能穩(wěn)定,光學調(diào)控范圍大,響應時間快的電致變色器件的有效途徑。例如,已經(jīng)報道的TiO2/NiO核殼復合結(jié)構(gòu),NiO螺旋網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),Al摻雜的NiO柱狀結(jié)構(gòu)等。盡管人們通過特定納米結(jié)構(gòu)的設(shè)計,在一定程度上提升了NiO材料的電致變色性能,但是上述所制備的納米結(jié)構(gòu)的制備工藝相對復雜,納米單元形態(tài)不均一且不易調(diào)控,嚴重制約了NiO材料在電致變色器件領(lǐng)域中的應用。因此,發(fā)展一種簡便實用且形態(tài)可調(diào)控的NiO納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法,仍然是NiO基電致變色器件研發(fā)中亟待解決的問題。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      針對上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種周期性排列、具有球殼狀、且形態(tài)易調(diào)控的NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料、制備方法,及其電致變色器件。

      為達上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料,包括襯底和設(shè)置在襯底上的NiO層;所述NiO層為形貌均一、六角堆積排列的球殼狀納米結(jié)構(gòu)陣列。

      所述的襯底為氧化銦錫導電玻璃襯底。

      所述的NiO層球殼狀納米單元的高度為480~540 nm。

      一種NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:

      S1,清洗玻璃襯底和氧化銦錫導電玻璃襯底;

      S2,利用自組裝方法在S1清洗的玻璃襯底制備聚苯乙烯單層薄膜;

      S3,用S1清洗的氧化銦錫導電玻璃襯底撈起S2制備的聚苯乙烯單層薄膜,在室溫下自然干燥,形成單層膠體晶體模板;

      S4,將S3制備的單層膠體晶體模板置于干燥箱中熱處理;

      S5,將S4熱處理的模板取出后置于磁控濺射儀中,進行濺射鍍膜;

      S6,將S5濺射鍍膜的模板取出后置于馬弗爐加熱,去除聚苯乙烯模板,形成球殼狀結(jié)構(gòu)的NiO納米陣列材料。

      所述步驟S1具體的步驟為:

      SA1,將玻璃襯底依次置于丙酮、乙醇和去離子水中分別超聲清洗30分鐘;

      SA2,將玻璃襯底置于濃硫酸與雙氧水體積比為3:1的混合液中浸泡8小時,然后超聲清洗60分鐘,再用去離子水反復清洗;

      SA3,將玻璃襯底置于氨水、雙氧水、去離子水體積比為1:1:3的混合液中超聲清洗60分鐘,用去離子水清洗多次后待用;

      SA4,氧化銦錫導電玻璃襯底依次在丙酮、乙醇和去離子水中分別超聲清洗30分鐘,置于去離子水中待用。

      所述步驟S2的氣液界面自組裝法,具體的步驟為:將S1清洗的玻璃襯底置于培養(yǎng)皿中央,向培養(yǎng)皿中緩慢加水,水面略高于玻璃片表面,但不沒過玻璃片,然后將直徑為1微米、質(zhì)量百分比為10%的聚苯乙烯微球與乙醇和去離子水按照體積比1:4:4配成混合液,用移液器取20 微升聚苯乙烯微球的混合液滴在玻璃片上,混合液迅速從玻璃片上擴散至水面,并在水面自組裝形成聚苯乙烯單層薄膜。

      所述步驟S4中干燥箱溫度為100度,處理5分鐘。

      所述步驟S5中磁控濺射靶材為Ni靶,真空度為5×10-7托,濺射氣體為高純氬氣,濺射功率為80 W,濺射時間為1000-3000 s。

      所述步驟S6中馬弗爐溫度為400度,處理120分鐘。

      一種使用上述材料或制備方法制備的NiO材料電致變色器件。

      本發(fā)明以單層膠體晶體為模板,結(jié)合磁控濺射法成功制備出形貌均一,周期性排列的球殼狀NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料,其球殼的納米單元尺寸可通過聚苯乙烯微球的尺寸、濺射功率、濺射時間等參數(shù)來調(diào)控,這種周期性的空心納米結(jié)構(gòu)陣列不僅具有巨大的比表面積,也為離子在材料中的脫嵌提供了便利的通道,可解決材料電致變色的響應速度慢的問題。本發(fā)明可進一步促進NiO電致變色材料在新型電致變色器件領(lǐng)域的應用。

      附圖說明

      圖1 為本發(fā)明的NiO納米結(jié)構(gòu)陣列的場發(fā)射掃描電子顯微鏡表面圖像;

      圖2為本發(fā)明中制備不同高度的球殼納米單元的場發(fā)射掃描電子顯微鏡截面圖像,(a-c)中球殼納米單元高度分別為480 nm,500 nm,540 nm。

      具體實施方式

      為了更好地理解本發(fā)明,下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的描述,參見圖1至圖2:

      按本發(fā)明實施的NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料,包括有氧化銦錫導電玻璃襯底和生長在襯底上的NiO層,NiO層為形貌均一、周期性排列的六角堆積球殼狀NiO納米結(jié)構(gòu)陣列,六角形納米單元中心距離為1000 nm,納米單元的高度為480~500 nm。該材料克服了現(xiàn)有電致變色材料排列周期性、均一性較差,不易調(diào)控等弱點。

      按本發(fā)明實施的一種NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料的制備方法,包括以下步驟:

      步驟S1,清洗玻璃襯底和氧化銦錫導電玻璃襯底,具體包括以下:

      SA1,將玻璃襯底依次置于丙酮、乙醇和去離子水中分別超聲清洗30分鐘;

      SA2,將玻璃襯底置于濃硫酸與雙氧水體積比為3:1的混合液中浸泡8小時,然后超聲清洗60分鐘,再用去離子水反復清洗;

      SA3,將玻璃襯底置于氨水、雙氧水、去離子水體積比為1:1:3的混合液中超聲清洗60分鐘,用去離子水清洗多次后待用;

      SA4,氧化銦錫導電玻璃襯底依次丙酮、乙醇和去離子水中分別超聲清洗30分鐘,置于去離子水中待用。

      步驟S2,利用自組裝方法在S1清洗的玻璃襯底制備聚苯乙烯單層薄膜,所述氣液界面自組裝法,具體的步驟為:將S1清洗的玻璃襯底置于培養(yǎng)皿中央,向培養(yǎng)皿中緩慢加水,水面略高于玻璃片表面,但不沒過玻璃片,,然后將直徑為1微米、質(zhì)量百分比為10%的聚苯乙烯微球與乙醇和去離子水按照體積比1:4:4配成混合液,用移液器取20 微升聚苯乙烯微球的混合液滴在玻璃片上,混合液迅速從玻璃片上擴散至水面,并在水面自組裝形成聚苯乙烯單層薄膜。

      步驟S3,用S1清洗的氧化銦錫導電玻璃襯底撈起S2制備的聚苯乙烯單層薄膜,在室溫下自然干燥,形成單層膠體晶體模板;

      步驟S4,將S3制備的單層膠體晶體模板置于設(shè)置100度的干燥箱中熱處理5分鐘。

      步驟S5,將S4熱處理過的模板,取出后置于磁控濺射儀中,磁控濺射靶材為Ni靶,真空度為5×10-7托,濺射氣體為高純氬氣,濺射功率為80 W,濺射時間為1000-3000 s。

      步驟S6,將S5濺射后的模板取出后置于馬弗爐溫度為400度,處理120分鐘,去除聚苯乙烯模板,形成球殼狀結(jié)構(gòu)的NiO納米陣列材料。

      按本發(fā)明制備出的形貌均一,六角密堆積周期性排列的球殼狀NiO納米結(jié)構(gòu)陣列,其納米結(jié)構(gòu)的尺寸可通過濺射時間進行調(diào)節(jié),如圖2所示的本發(fā)明制備的NiO納米結(jié)構(gòu)陣列材料,其球殼納米單元的高度隨著濺射時間的增加可在480-540 nm之間調(diào)節(jié)。本發(fā)明的實施可進一步促進NiO電致變色材料在新型電致變色器件領(lǐng)域的應用。

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