一種配向膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種配向膜的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著液晶顯示技術(shù)的逐步發(fā)展，窄邊框工藝要求更小的配向膜邊緣余量（Edge Margin)和更小的不均勻（Halo)區(qū)域?，F(xiàn)有的配向膜涂布技術(shù)有轉(zhuǎn)?。≧oller)技術(shù)和噴 墨（Inkjet)技術(shù)等等?，F(xiàn)有技術(shù)制作的配向膜圖案（Pattern)的邊緣會(huì)出現(xiàn)較大的Halo 區(qū)域，且很難實(shí)現(xiàn)配向膜邊緣余量1mm(毫米)以下，這成為窄邊框及超窄邊框技術(shù)發(fā)展的一 個(gè)瓶頸。如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的玻璃基板（glass) 10涂布配向膜時(shí)產(chǎn)生的Halo 區(qū)域的示意圖，圖中的陰影部分即代表配向膜40,A區(qū)域的配向膜偏厚，可達(dá)5000又(埃)，B 區(qū)域的配向膜偏薄，接近400A，C區(qū)域的配向膜厚度趨向均勻，大概1200又，A、B區(qū)域即為 所述Halo區(qū)域。
[0003] Halo區(qū)域產(chǎn)生的原理是：配向膜是以液態(tài)涂布在玻璃基板（glass)上的，在預(yù)固 化（Precure)和主固化（Maincure)溶劑蒸發(fā)過程中，在配向膜Pattern周邊，由于配向膜溶 液表面張力作用，溶質(zhì)不斷向最邊緣累積，出現(xiàn)邊緣配向膜偏厚，靠近Pattern邊緣附近配 向膜偏薄的現(xiàn)象，這部分配向膜膜厚異常區(qū)域即為配向膜Halo區(qū)域。
[0004] 傳統(tǒng)的配向膜涂布工藝，盡管方式不一樣，但都是以用于形成一個(gè)面板的區(qū)域 (Panel)為單位在玻璃基板（glass)上涂布出一個(gè)個(gè)獨(dú)立的配向膜Pattern,如圖2所示， 圖2中的陰影部分代表配向膜Pattern40,10表示玻璃基板（glass)，01表示面板，30表示 有效顯示區(qū)。在每個(gè)配向膜Pattern40邊緣都會(huì)出現(xiàn)Halo區(qū)域，使得配向膜的邊緣余量受 到限制，很難達(dá)到1mm以下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種配向膜的制作方法，以至少解決現(xiàn)有 配向膜涂布工藝制作的配向膜Pattern的邊緣會(huì)出現(xiàn)Halo區(qū)域，且配向膜邊緣分布無法適 應(yīng)窄邊框工藝要求的問題。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
[0007] -種配向膜的制作方法，包括：
[0008] 在完成制作的基板上整版涂布配向膜溶液；
[0009] 對(duì)涂布有所述配向膜溶液的基板的顯示區(qū)域進(jìn)行曝光，以形成取向規(guī)則的配向 膜；
[0010] 去除非顯示區(qū)域的配向膜。
[0011] 進(jìn)一步的，所述基板包括多個(gè)顯示區(qū)域和位于多個(gè)顯示區(qū)域之間的非顯示區(qū)域。
[0012] 進(jìn)一步的，所述完成制作的基板具體為：
[0013] 在所述基板的顯示區(qū)域形成有薄膜晶體管陣列和電極結(jié)構(gòu)；或者
[0014] 在所述基板的顯示區(qū)域形成有彩色樹脂結(jié)構(gòu)。
[0015] 進(jìn)一步的，所述在完成制作的基板上整版涂布配向膜溶液具體為：
[0016] 通過轉(zhuǎn)印的方式在完成制作的基板上整版涂布配向膜溶液；或者
[0017] 通過噴墨打印的方式在完成制作的基板上整版涂布配向膜溶液。
[0018] 進(jìn)一步的，所述對(duì)涂布有所述配向膜溶液的基板的顯示區(qū)域進(jìn)行曝光具體為：
[0019] 通過掩模板對(duì)涂布有所述配向膜溶液的基板的顯示區(qū)域進(jìn)行紫外光照射進(jìn)行曝 光。
[0020] 進(jìn)一步的，所述去除非顯示區(qū)域的配向膜具體為：
[0021] 通過顯影去除非顯示區(qū)域的配向膜。
[0022] 進(jìn)一步的，所述配向膜溶液為光致交聯(lián)類型的配向膜溶液。
[0023] 進(jìn)一步的，所述配向膜溶液為桂皮酸脂溶液。本發(fā)明提供的一種配向膜的制作方 法，采用整版涂布配向膜的方式，通過UV曝光和顯影的方法，使Halo區(qū)域僅出現(xiàn)在基板邊 緣，基板內(nèi)部包括Panel邊緣不會(huì)出現(xiàn)Halo區(qū)域，使配向膜的膜厚均一性得到保證，并可以 實(shí)現(xiàn)將配向膜的邊緣余量的寬度控制在10Um左右（UV曝光和顯影精度范圍內(nèi)），使得配向 膜邊緣分布能夠適應(yīng)窄邊框工藝要求。
【附圖說明】
[0024] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中配向膜涂布時(shí)產(chǎn)生的Halo區(qū)域的示意圖；
[0025] 圖2為現(xiàn)有涂布工藝下的配向膜Pattern示意圖；
[0026] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種配向膜的制作方法的流程圖；
[0027] 圖4a為本發(fā)明實(shí)施例的完成制作的基板的示意圖一；
[0028] 圖4b為本發(fā)明實(shí)施例的完成制作的基板的示意圖二；
[0029] 圖5a為本發(fā)明實(shí)施例的涂布配向膜溶液后的基板的示意圖一；
[0030] 圖5b為本發(fā)明實(shí)施例的涂布配向膜溶液后的基板的示意圖二；
[0031] 圖6a為本發(fā)明實(shí)施例的曝光后的基板的不意圖一；
[0032] 圖6b為本發(fā)明實(shí)施例的曝光后的基板的示意圖二；
[0033] 圖7a為本發(fā)明實(shí)施例的顯影后的基板的不意圖一；
[0034] 圖7b為本發(fā)明實(shí)施例的顯影后的基板的示意圖二；
[0035] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例的光致交聯(lián)型配向膜溶液經(jīng)UV光照射后的反應(yīng)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。
[0037] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種配向膜的制作方法，如圖3所示，主要包括以下步驟：
[0038] 步驟301，在完成制作的基板上整版涂布配向膜溶液。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施 例所述的基板可以為玻璃基板、塑料基板、石英基板等各種適用于制作陣列基板和彩膜基 板的材料，為方便描述，后續(xù)實(shí)施例中以玻璃基板（glass)為例進(jìn)行說明，但這并不表明本 發(fā)明的實(shí)施例就僅限于玻璃基板（glass)。
[0039] 其中，所述完成制作的基板具體為：
[0040] 在所述基板的顯示區(qū)域形成有薄膜晶體管（TFT,ThinFilmTransistor)陣列和 電極結(jié)構(gòu)；或者
[0041] 在所述基板的顯示區(qū)域形成有彩色樹脂結(jié)構(gòu)。
[0042] 所述形成有薄膜晶體管陣列和電極結(jié)構(gòu)是針對(duì)陣列基板的制作而言的，即在制作 陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結(jié)構(gòu)；所述形成有彩色樹脂結(jié)構(gòu)是針對(duì)彩 膜（CF，ColorFilter)基板的制作而言的，即在制作彩膜基板的基板上形成彩色樹脂和黑 矩陣等結(jié)構(gòu)；所述完成制作的基板還可以是彩膜集成于陣列基板，即在制作陣列基板的基 板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結(jié)構(gòu)，且將制作彩膜的彩色樹脂和黑矩陣等結(jié)構(gòu)集成于 所述陣列基板。總之，本發(fā)明實(shí)施例所述完成制作的基板是指，已完成在制作配向膜前的各 種必要工序的基板。
[0043] 已完成制作的陣列基板上應(yīng)已完成柵極、漏極、像素電極、公共電極布線、以及絕 緣保護(hù)層的制作。另外，已完成制作的ADS模式陣列基板需兩層透明電極層，一層為像素電 極，一層為公共電極；已完成制作的IPS模式陣列基板只需一層透明電極層作為像素電極 層。與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不再贅述。
[0044] 已完成制作的彩膜基板上應(yīng)已完成色阻層（ColorResin)、黑矩陣層（Black Matrix)、保護(hù)層（OverCoat層)和隔墊物（PhotoSpacer)、公共電極層（TN、VA等垂直電場(chǎng) 模式需要）的制作，與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不再贅述。
[0045] 已完成制作的ColorFilteronArray基板：其陣列基板除包括極、漏極、像素電 極、公共電極、絕緣保護(hù)層，還包括色阻層（ColorResin)、黑矩陣層（BlackMatrix),彩膜 基板上只包含保護(hù)層（