[0065]圖2-3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成公共電極圖形方法的流程圖；
[0066]圖2-4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖2-5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種在第一襯底基板上涂覆負(fù)性光刻膠的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0068]圖2-6和圖2-7是本發(fā)明實(shí)施例提供的對(duì)第一襯底基板進(jìn)行曝光、顯影及刻蝕的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0069]圖2-8是本發(fā)明實(shí)施例提供的剝離負(fù)性光刻膠后的第一襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070]圖2-9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成過(guò)孔圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0071]圖2-10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成黑矩陣圖形方法的流程圖；
[0072]圖2-11至圖2-15是圖2_10對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0073]圖2-16和圖2-17是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有源層圖形、像素電極圖形和源漏極金屬圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0074]圖2-18是本發(fā)明實(shí)施例提供的在第二襯底基板上形成彩色像素、隔墊物和樹脂保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0075]圖3-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種顯示面板的制造方法的流程圖；
[0076]圖3-2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種形成有源層圖形、像素電極圖形和源漏極金屬圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0077]圖3-3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種形成黑矩陣圖形方法的流程圖；
[0078]圖3-4至圖3-8是圖3-3對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0079]圖3-9是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種在第二襯底基板上形成隔墊物和樹脂保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0080]圖3-10是本發(fā)明實(shí)施例提供的使用掩膜版在陣列基板上形成公共電極圖形的示意圖；
[0081]圖3-11是本發(fā)明實(shí)施例提供的使用同一掩膜版在彩膜基板上形成黑矩陣圖形的示意圖；
[0082]圖3-12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖；
[0083]圖3-13是圖3-12對(duì)應(yīng)的光電特性模擬結(jié)果圖。
[0084]通過(guò)上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實(shí)施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過(guò)任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過(guò)參考特定實(shí)施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說(shuō)明本發(fā)明的概念。
【具體實(shí)施方式】
[0085]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0086]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板的制造方法，該顯示面板包括第一膜層和第二膜層，如圖1所示，該方法包括:
[0087]步驟101、采用掩膜版對(duì)第一膜層進(jìn)行圖案化，形成第一膜層圖形。
[0088]步驟102、采用所述掩膜版對(duì)第二膜層進(jìn)行圖案化，形成第二膜層圖形。
[0089]其中，在形成第一膜層圖形和第二膜層圖形時(shí)采用的光刻膠的感光性能不同，且第一膜層圖形在第二膜層圖形所在層的正投影與第二膜層圖形不重疊。
[0090]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的制造方法，能夠采用同一掩膜版對(duì)不同層的第一膜層和第二膜層進(jìn)行圖案化，形成第一膜層圖形和第二膜層圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，在保證正常的光電面板特性的基礎(chǔ)上，減少了掩膜版的使用數(shù)量，簡(jiǎn)化了顯示面板的制造過(guò)程，降低了制造成本。
[0091]需要說(shuō)明的是，光刻膠按照感光性能的不同，可以分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠，其中，正性光刻膠感光的部分會(huì)溶解于顯影液，負(fù)性光刻膠未感光的部分會(huì)溶解于顯影液。可選的，在形成第一膜層圖形時(shí)采用的光刻膠為負(fù)性光刻膠，在形成第二膜層圖形時(shí)采用的光刻膠為正性光刻膠。
[0092]本發(fā)明實(shí)施例提供了另一種顯示面板的制造方法，該顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板包括第一膜層和第二膜層，如圖2-1所示，該方法包括:
[0093]步驟201、在第一襯底基板上形成柵線。
[0094]示例的，可以在第一襯底基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線。
[0095]步驟202、在形成有柵線的第一襯底基板上形成柵絕緣層。
[0096]如圖2-2所示，在形成有柵線1002的第一襯底基板1001上形成柵絕緣層1003。
[0097]步驟203、采用掩膜版對(duì)第一膜層進(jìn)行圖案化，形成公共電極圖形。
[0098]具體的，如圖2-3所示，步驟203可以包括:
[0099]步驟2031、在形成有柵絕緣層的第一襯底基板上形成第一膜層。
[0100]如圖2-4所示，在形成有柵絕緣層1003的第一襯底基板1001上形成第一膜層1004。示例的，該第一膜層1004可以為氧化銦錫(英文:indium tin oxide ;簡(jiǎn)稱:IT0)金屬層。
[0101]步驟2032、在形成有第一膜層的第一襯底基板上涂覆負(fù)性光刻膠。
[0102]如圖2-5所示，在形成有第一膜層1004的第一襯底基板1001上涂覆負(fù)性光刻膠1005ο
[0103]步驟2033、采用掩膜版對(duì)涂覆有負(fù)性光刻膠的第一襯底基板進(jìn)行曝光。
[0104]如圖2-6所示，采用掩膜版10的不透光區(qū)域11，對(duì)涂覆有負(fù)性光刻膠1005的第一襯底基板1001進(jìn)行曝光。采用掩膜版對(duì)涂覆有負(fù)性光刻膠的第一襯底基板進(jìn)行曝光的過(guò)程可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。
[0105]步驟2034、對(duì)曝光后的第一襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到公共電極圖形。
[0106]如圖2-7所示，對(duì)曝光后的第一襯底基板1001進(jìn)行顯影，未感光的負(fù)性光刻膠1005溶解于負(fù)性光刻膠的顯影液。示例的，該顯影液可以為丁酮、甲苯等。然后對(duì)顯影后的第一襯底基板1001進(jìn)行刻蝕，得到公共電極圖形1006。
[0107]步驟2035、剝離負(fù)性光刻膠。
[0108]剝離負(fù)性光刻膠1005后的第一襯底基板1001的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2_8所示。
[0109]步驟204、在形成有公共電極圖形的第一襯底基板上形成過(guò)孔圖形。
[0110]如圖2-9所示，在形成有公共電極圖形1006的第一襯底基板1001上形成過(guò)孔圖形 1007。
[0111]步驟205、采用同一掩膜版對(duì)第二膜層進(jìn)行圖案化，形成黑矩陣圖形。
[0112]本發(fā)明實(shí)施例中的公共電極圖形在黑矩陣圖形所在層的正投影與黑矩陣圖形互補(bǔ)。
[0113]具體的，如圖2-10所示，步驟205可以包括:
[0114]步驟2051、在形成有過(guò)孔圖形的第一襯底基板上形成第二膜層。
[0115]如圖2-11所示，在形成有過(guò)孔圖形1007的第一襯底基板1001上形成第二膜層1008。具體的，在第一襯底基板上形成第二膜層的過(guò)程可以為:用刮膠板將環(huán)氧樹脂材料均勻刮滿整個(gè)形成有過(guò)孔圖形的第一襯底基板；將涂有環(huán)氧樹脂的第一襯底基板真空吸附放在旋涂機(jī)上，高速旋轉(zhuǎn)形成一定厚度的黑矩陣膜層。為了增強(qiáng)后續(xù)形成的黑矩陣圖形與陣列基板的粘附性，可以將環(huán)氧樹脂中的溶劑揮發(fā)掉。
[0116]步驟2052、在形成有第二膜層的第一襯底基板上涂覆正性光刻膠。
[0117]如圖2-12所示，在形成有第二膜層1008的第一襯底基板1001上涂覆正性光刻膠1009ο
[0118]步驟2053、采用掩膜版對(duì)涂覆有正性光刻膠的第一襯底基板進(jìn)行曝光。
[0119]如圖2-13所示，采用掩膜版10的不透光區(qū)域11，對(duì)涂覆有正性光刻膠1009的第一襯底基板1001進(jìn)行曝光。采用掩膜版對(duì)涂覆有正性光刻膠的第一襯底基板進(jìn)行曝光的過(guò)程可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。
[0120]步驟2054、對(duì)曝光后的第一襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到黑矩陣圖形。