[0121]如圖2-14所示，對(duì)曝光后的第一襯底基板1001進(jìn)行顯影，感光的正性光刻膠1009溶解于正性光刻膠的顯影液。示例的，該顯影液可以為含水的堿性顯影液，如氫氧化鉀(KOH)，四甲基氫氧化胺(TMAH)等水溶液。然后對(duì)顯影后的第一襯底基板1001進(jìn)行刻蝕，得到黑矩陣圖形1010。
[0122]步驟2055、剝離正性光刻膠。
[0123]剝離正性光刻膠1009后的第一襯底基板1001的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2_15所示。
[0124]步驟206、在形成有黑矩陣圖形的第一襯底基板上形成有源層圖形。
[0125]如圖2-16所示，在形成有黑矩陣圖形1010的第一襯底基板1001上形成有源層圖形1011。在形成有源層圖形之前，可以先在形成有黑矩陣圖形的第一襯底基板上沉積半導(dǎo)體薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝形成有源層圖形。
[0126]步驟207、在形成有有源層圖形的第一襯底基板上形成像素電極圖形和源漏極金屬圖形。
[0127]在步驟206的基礎(chǔ)上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝形成像素電極圖形和源漏極金屬圖形。如圖2-17所示，在形成有有源層圖形1011的第一襯底基板1001上形成像素電極圖形(圖中未標(biāo)識(shí))和源漏極金屬圖形1012。
[0128]步驟208、在第二襯底基板上形成彩色像素。
[0129]步驟209、在形成有彩色像素的第二襯底基板上形成隔墊物。
[0130]步驟210、在形成有隔墊物的第二襯底基板上形成樹脂保護(hù)層。
[0131]如圖2-18所示，按照步驟208在第二襯底基板2001上形成彩色像素2002。彩色像素2002可以為紅色像素(簡稱:R)、綠色像素(簡稱:G)或藍(lán)色像素(簡稱:B)，實(shí)際應(yīng)用中，彩色像素2002也可以為其他顏色像素，本發(fā)明對(duì)此不做限定。按照步驟209，在形成有彩色像素2002的第二襯底基板2001上形成隔墊物2003。按照步驟210，在形成有隔墊物2003的第二襯底基板2001上形成樹脂保護(hù)層2004。
[0132]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的制造方法，能夠在陣列基板上采用掩膜版形成公共電極圖形，同時(shí)能夠在陣列基板上采用同一掩膜版形成黑矩陣圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，在保證正常的光電面板特性的基礎(chǔ)上，減少了掩膜版的使用數(shù)量，簡化了顯示面板的制造過程，降低了制造成本。
[0133]本發(fā)明實(shí)施例提供了又一種顯示面板的制造方法，顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板包括第一膜層，彩膜基板包括第二膜層，如圖3-1所示，該方法包括:
[0134]步驟301、在第一襯底基板上形成柵線。
[0135]步驟302、在形成有柵線的第一襯底基板上形成柵絕緣層。
[0136]步驟301和步驟302的制造過程可以參考步驟201和步驟202。
[0137]步驟303、采用掩膜版對(duì)第一膜層進(jìn)行圖案化，形成公共電極圖形。
[0138]步驟303的具體步驟可以參考步驟203，在此不再贅述。
[0139]步驟304、在形成有公共電極圖形的第一襯底基板上形成過孔圖形。
[0140]步驟304的制造過程可以參考步驟204。
[0141]步驟305、在形成有公共電極圖形的第一襯底基板上形成有源層圖形。
[0142]步驟306、在形成有有源層圖形的第一襯底基板上形成像素電極圖形和源漏極金屬圖形。
[0143]如圖3-2所示，按照步驟305，在形成有公共電極圖形1006的第一襯底基板1001上形成有源層圖形1011。如可以在形成有公共電極圖形的第一襯底基板上沉積半導(dǎo)體薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝形成有源層圖形。按照步驟306，在形成有有源層圖形1011的第一襯底基板1001上形成像素電極圖形(圖中未標(biāo)識(shí))和源漏極金屬圖形1012。如可以在步驟305的基礎(chǔ)上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝形成像素電極圖形和源漏極金屬圖形。圖3-2中，1002為柵線，1003為柵絕緣層，1007為過孔圖形。
[0144]步驟307、在第二襯底基板上形成彩色像素。
[0145]步驟307的制造過程可以參考步驟208。
[0146]步驟308、采用同一掩膜版對(duì)第二膜層進(jìn)行圖案化，形成黑矩陣圖形。
[0147]本發(fā)明實(shí)施例中的公共電極圖形在黑矩陣圖形所在層的正投影與黑矩陣圖形互補(bǔ)。
[0148]具體的，如圖3-3所示，步驟308可以包括:
[0149]步驟3081、在形成有彩色像素的第二襯底基板上形成第二膜層。
[0150]如圖3-4所示，在形成有彩色像素2002的第二襯底基板2001上形成第二膜層1008。具體的，在第二襯底基板上形成第二膜層的過程可以為:用刮膠板將環(huán)氧樹脂材料均勻刮滿整個(gè)形成有彩色像素的第二襯底基板；將涂有環(huán)氧樹脂的第二襯底基板真空吸附放在旋涂機(jī)上，高速旋轉(zhuǎn)形成一定厚度的黑矩陣膜層。為了增強(qiáng)后續(xù)形成的黑矩陣圖形與彩膜基板的粘附性，可以將環(huán)氧樹脂中的溶劑揮發(fā)掉。
[0151]步驟3082、在形成有第二膜層的第二襯底基板上涂覆正性光刻膠。
[0152]如圖3-5所示，在形成有第二膜層1008的第二襯底基板2001上涂覆正性光刻膠1009ο
[0153]步驟3083、采用掩膜版對(duì)涂覆有正性光刻膠的第二襯底基板進(jìn)行曝光。
[0154]如圖3-6所示，采用掩膜版10的不透光區(qū)域11，對(duì)涂覆有正性光刻膠1009的第二襯底基板2001進(jìn)彳丁曝光。
[0155]步驟3084、對(duì)曝光后的第二襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到黑矩陣圖形。
[0156]如圖3-7所示，對(duì)曝光后的第二襯底基板2001進(jìn)行顯影，感光的正性光刻膠1009溶解于正性光刻膠的顯影液。然后對(duì)顯影后的第二襯底基板2001進(jìn)行刻蝕，得到黑矩陣圖形 1lOo
[0157]步驟3085、剝離正性光刻膠。
[0158]剝離正性光刻膠1009后的第二襯底基板2001的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3_8所示。
[0159]步驟309、在形成有黑矩陣圖形的第二襯底基板上形成隔墊物。
[0160]步驟310、在形成有隔墊物的第二襯底基板上形成樹脂保護(hù)層。
[0161]如圖3-9所示，按照步驟309，在形成有黑矩陣圖形1010的第二襯底基板2001上形成隔墊物2003。按照步驟310，在形成有隔墊物2003的第二襯底基板2001上形成樹脂保護(hù)層2004。
[0162]圖3-10示出了使用掩膜版在陣列基板上形成公共電極圖形的示意圖，關(guān)于圖3-10的說明可以參考步驟203，在此不再贅述。其中，1001表示第一襯底基板，1004表示第一膜層，1005表示負(fù)性光刻膠，10表示掩膜版，1006表示公共電極圖形；圖3-11示出了使用同一掩膜版在彩膜基板上形成黑矩陣圖形的示意圖，關(guān)于圖3-11的說明可以參考步驟308，在此不再贅述。其中，2001表示第二襯底基板，1008表示第二膜層，即黑矩陣樹脂層，1009表示正性光刻膠，10表示掩膜版，1010表示黑矩陣圖形。
[0163]圖3-12示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖，該像素結(jié)構(gòu)包括紅色像素R、綠色像素G和藍(lán)色像素B。需要說明的是，實(shí)際應(yīng)用中，像素結(jié)構(gòu)中紅色像素R、綠色像素G和藍(lán)色像素B的位置可以調(diào)整，圖3-12只是示意性說明。圖3-13示出了對(duì)圖3-12所示的像素結(jié)構(gòu)的光電特性模擬結(jié)果圖，圖中的橫坐標(biāo)表示驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)電壓的單位為伏(V)，縱坐標(biāo)表示光的透過率。光電特性指的是對(duì)白光、紅光、綠光和藍(lán)光在不同驅(qū)動(dòng)電壓下對(duì)應(yīng)的透過率，曲線A表示白光在不同驅(qū)動(dòng)電壓下對(duì)應(yīng)的透過率，曲線B表示綠光在不同驅(qū)動(dòng)電壓下對(duì)應(yīng)的透過率，曲線C表示紅光在不同驅(qū)