一種顯示面板及其制造方法、tft測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶面板顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、TFT測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們生活水平的逐漸提高，人們對顯示質(zhì)量的要求也越來越高，現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示器(IXD)的技術(shù)已經(jīng)非常成熟，液晶顯示器應(yīng)用也很廣泛，例如，手機(jī)、相機(jī)、電腦、電視等顯示屏都屬于液晶顯示器。隨著人們對產(chǎn)品的大量需求，客觀上推動了顯示技術(shù)的發(fā)展，新的顯示技術(shù)不斷出現(xiàn)，例如低溫多晶硅(LTPS)、有機(jī)二極管(OLED)顯示技術(shù)等。其中，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板(AMOLED)是下一代顯示技術(shù)的重點開發(fā)對象，市場上各個手機(jī)品牌公司也已經(jīng)向有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板的技術(shù)方向付出努力。然而，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板不管在畫質(zhì)、效能或者成本上，都比有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)顯示效果要好很多。
[0003]其中，低溫多晶硅比傳統(tǒng)的非晶硅(a-Si)相比，具有很多優(yōu)勢。但是，傳統(tǒng)的低溫多晶硅的薄膜晶體管的背板制作技術(shù)中，對薄膜晶體管的短程均勻性測試較少，且不能對電致發(fā)光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的短程均勻性進(jìn)行綜合評價。
[0004]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點是:不能綜合測量電致發(fā)光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學(xué)特性。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板及其制造方法、TFT測試方法，用以綜合評價顯示面板中的電致發(fā)光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括短程均勻性等。
[0006]本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板包括顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，所述外圍區(qū)域包括:電致發(fā)光層測試區(qū)、TFT測試區(qū)、以及引出線；其中，
[0007]所述電致發(fā)光層測試區(qū)包括多個具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，連接所述多個具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源極的第一測試線，以及，連接所述多個具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的柵極的開關(guān)引線和第二測試線；
[0008]所述TFT測試區(qū)包括多個薄膜晶體管；
[0009]所述引出線有多根，且每一根引出線用于連接所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的一個薄膜晶體管的源漏金屬層和所述TFT測試區(qū)中的一個薄膜晶體管的源漏金屬層。
[0010]通過本發(fā)明實施例提供的顯示面板的外圍區(qū)域，用于作為待測試TFT特性的顯示裝置，根據(jù)電致發(fā)光層測試區(qū)中電致發(fā)光層的薄膜晶體管可以測試出顯示區(qū)域中的電致發(fā)光層的顯示效果；根據(jù)TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管可以測試出顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的TFT的電學(xué)特性，包括短程均勾性(short range uniformity)等；其中引出線用于將電致發(fā)光層測試區(qū)中電致發(fā)光層下面的薄膜晶體管引出在TFT測試區(qū)，便于測試TFT的電學(xué)特性；根據(jù)外圍區(qū)域中的電致發(fā)光層測試區(qū)得到的電致發(fā)光層的顯示效果和TFT測試區(qū)中得到的TFT的電學(xué)特性，從而實現(xiàn)了綜合評價了顯示面板中的電致發(fā)光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學(xué)特性。
[0011 ] 較佳地，所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管與所述TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管個數(shù)相同，且一一對應(yīng)。
[0012]具體地，TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管是通過引出線連接電致發(fā)光層測試區(qū)中的電致發(fā)光層下面的薄膜晶體管，用于測試電致發(fā)光層測試區(qū)中的電致發(fā)光層下面的薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括短程均勻性等。
[0013]較佳地，所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管從下向上依次包括:基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發(fā)光層；
[0014]其中，所述具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的材料與所述顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的材料相同。
[0015]較佳地，所述TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管從下向上依次包括:緩沖層、柵極絕緣層、柵極掩模板、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層；
[0016]其中，所述TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管的材料與所述顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的材料相同。
[0017]本發(fā)明實施例提供一種利用本發(fā)明提供的顯示面板測試TFT特性的方法，該方法包括:
[0018]在所述開關(guān)引線施加第一電壓，使得所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的薄膜晶體管和所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管導(dǎo)通，所述電致發(fā)光層發(fā)光；
[0019]在所述開關(guān)引線施加第二電壓，使得所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的薄膜晶體管截止，所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管導(dǎo)通，測量所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管的電學(xué)特性；
[0020]其中，所述第一電壓為使得薄膜晶體管導(dǎo)通的電壓，所述第二電壓為使得薄膜晶體管截止的電壓。
[0021]通過本發(fā)明實施例提供的顯示面板進(jìn)行測試TFT的特性，當(dāng)給開關(guān)引線施加第一電壓時，電致發(fā)光層測試區(qū)中的薄膜晶體管和TFT測試區(qū)的薄膜晶體管導(dǎo)通，使得電致發(fā)光層發(fā)光，可以簡單快捷地評價電致發(fā)光層的發(fā)光效果；當(dāng)給開關(guān)引線第二電壓時，電致發(fā)光層測試區(qū)中的薄膜晶體管截止，TFT測試區(qū)的薄膜晶體管導(dǎo)通，測量TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括短程均勻性，因為，TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管是通過引線連接具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，所以TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管的電學(xué)特性，就是電致發(fā)光層測試區(qū)中的薄膜晶體管的電學(xué)特性，從而根據(jù)測量結(jié)果可以反應(yīng)出顯示區(qū)域中薄膜晶體管的電學(xué)特性。
[0022]較佳地，測量所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括:
[0023]根據(jù)多個數(shù)據(jù)計算所述TFT測試區(qū)中薄膜晶體管的短程均勻性，其中，每一數(shù)據(jù)是通過如下方式獲得的數(shù)據(jù):
[0024]將第一探針固定在所述電致發(fā)光層測試區(qū)的第一測試線，將第二探針固定在所述電致發(fā)光層測試區(qū)的第二測試線，將第三探針放在所述TFT測試區(qū)，并在所述TFT測試區(qū)內(nèi)移動所述第三探針，每移動一次所述第三探針得到一個數(shù)據(jù)。
[0025]本發(fā)明實施例提供一種本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法，包括:在制造所述顯示區(qū)域的同時在所述顯示區(qū)域外圍制造所述外圍區(qū)域，其中，
[0026]在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的柵極時，形成開關(guān)引線和第二測試線；
[0027]在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源極時，形成第一測試線；
[0028]在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源漏金屬層和TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管的源漏金屬層時，形成引出線。
[0029]通過本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的制造方法，開關(guān)引線用于控制電致發(fā)光層測試區(qū)的薄膜晶體管的導(dǎo)通與截止，第一測試線和第二測試線，用于方便測量TFT測試區(qū)中薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括短程均勻性，通過源漏金屬層連接具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管和TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管，從而使得TFT測試區(qū)中薄膜晶體管的電學(xué)特性也能反映具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的電學(xué)特性。
[0030]較佳地，形成電致發(fā)光層測試區(qū)中的具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，包括:
[0031]在外圍區(qū)域的電致發(fā)光層測試區(qū)的陣列基板上依次形成基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發(fā)光層。
[0032]較佳地，形成TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管，包括:
[0033]在外圍區(qū)域的TFT測試區(qū)的陣列基板上依次形成緩沖層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層。
【附圖說明】
[0034]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明實施例