專利名稱：等離子體顯示器及其后基板與驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種等離子體顯示器(Plasma DisplayPanel，PDP)，且特別是關(guān)于一種具有輔助尋址電極(auxiliaryaddress electrode)的等離子體顯示器及其后基板(rearsubstrate)結(jié)構(gòu)與驅(qū)動方法的發(fā)明。
背景技術(shù)：
隨著多媒體的發(fā)展，作為人與計算機接口之溝通界面的顯示器其重要性也逐日增加。近年來，平面顯示器更是大幅地取代了傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器。目前平面顯示器主要有下列幾種等離子體顯示器、有機電致發(fā)光顯示器(OrganicElectro-Luminescent Display，OELD)以及液晶顯示器(LiquidCrystal Display，LCD)等。其中，等離子體顯示器以其大尺寸、自發(fā)光、無視角依存、輕薄以及全彩化等優(yōu)點而具有極大的應(yīng)用潛力，可望成為下一代的平面顯示器之主流。
圖1為一種公知的等離子體顯示器的立體分解示意圖。請參照圖1，等離子體顯示器100主要是由前基板(frontsubstrate)10、后基板(rear substrate)20、X電極、Y電極、尋址電極(address electrode)15以及阻隔壁(rib)30所構(gòu)成。其中，X電極與Y電極配置在前基板10上，且X電極與Y電極上覆蓋有介電層11與保護(hù)層12。后基板20上則配置有尋址電極15以及阻隔壁30，其中阻隔壁30由多個彼此平行的條狀圖案所構(gòu)成，而且這些條狀圖案將后基板20劃分為多個放電空間13，以使得相鄰的尋址電極15彼此電氣隔離。等離子體顯示器100中的放電氣體(圖中未表示出)配置在這些放電空間13中。熒光材料層21對應(yīng)這些放電空間13而配置在阻隔壁30之側(cè)壁以及部分的基板10上。每一對X電極與Y電極之間對應(yīng)于尋址電極15的區(qū)域即為等離子體顯示器100的像素區(qū)域。
承上所述，通過X電極、Y電極以及尋址電極15所提供的電壓，放電空間13中會產(chǎn)生等離子體而發(fā)出紫外線，并照射至熒光材料層21，進(jìn)而使等離子體顯示器100顯示出影像。
然而，由于每一對X電極與Y電極沿列方向配置，而尋址電極15則沿行方向配置，因此在輸入尋址信號至尋址電極15時，往往容易對分布在對應(yīng)于相鄰之尋址電極15的放電空間中之電場造成影響，進(jìn)而導(dǎo)致相鄰像素中產(chǎn)生誤點亮(errordischarge)的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是提供一種等離子體顯示器之后基板，可降低等離子體顯示器發(fā)生誤點亮的機率。
本發(fā)明的另一目的就是提供一種等離子體顯示器，可降低等離子體顯示器發(fā)生誤點亮的機率。
本發(fā)明的又一目的是提供一種等離子體顯示器的驅(qū)動方法可降低等離子體顯示器發(fā)生誤點亮的機率，并減少熒光粉被離子撞擊的機率，增加面板的使用壽命。
本發(fā)明提出一種等離子體顯示器之后基板，主要包括基板、多個尋址電極、阻隔壁、多個輔助尋址電極以及熒光材料層。其中，阻隔壁與這些尋址電極配置在基板上，且阻隔壁在基板上定義出多個放電空間，而每一尋址電極至少對應(yīng)于一放電空間。輔助尋址電極配置在阻隔壁與基板之間，熒光材料層則配置于放電空間內(nèi)的基板上，并覆蓋住尋址電極以及阻隔壁之側(cè)壁。
本發(fā)明提出一種等離子體顯示器，主要包括后基板、放電氣體以及前基板。其中，后基板包括第一基板、多個尋址電極、阻隔壁、多個輔助尋址電極以及熒光材料層。阻隔壁與這些尋址電極配置在第一基板上，且阻隔壁在第一基板上定義出多個放電空間，而每一尋址電極至少對應(yīng)于一放電空間。而輔助尋址電極配置在阻隔壁與第一基板之間，熒光材料層則配置在放電空間內(nèi)的基板上，并覆蓋住尋址電極以及阻隔壁之側(cè)壁。前基板配置于后基板的上方，且前基板包括第二基板以及多對電極對，而這些電極對配置在第二基板上，并位于第二基板與后基板之間。放電氣體則配置于這些放電空間中。
依照本發(fā)明之實施例所述，輔助尋址電極例如是處于活動連接狀態(tài)或是電氣連接至正電位端或接地端。而阻隔壁例如是具有多個條狀圖案的膜層，且這些條狀圖案例如是互相平行的。
依照本發(fā)明之實施例所述，前基板上更包括配置有保護(hù)層及介電層，其中介電層覆蓋住這些電極對，而保護(hù)層則配置于介電層上。在一實施例中，保護(hù)層的材質(zhì)例如是氧化鎂。
依照本發(fā)明之實施例所述，每一對電極對例如是包括X電極與Y電極，且在一實施例中，這些電極對例如是彼此平行的長條狀電極，其延伸方向例如是不同于尋址電極的延伸方向，例如是相互垂直。
本發(fā)明還提出一種等離子體顯示器的驅(qū)動方法，適于驅(qū)動上述之等離子體顯示器。此驅(qū)動方法先重新設(shè)置(reset)這些尋址電極與電極對，接著將輔助尋址電極電氣耦接至接地端。之后，輸入掃瞄信號至電極對，并輸入尋址信號至尋址電極。然后，輸入維持信號至電極對與尋址電極，并且活動連接這些輔助尋址電極或是將這些輔助尋址電極電氣耦接至一正電位端。
依照本發(fā)明之實施例所述，在輸入維持信號至電極對與尋址電極，并且活動連接這些輔助尋址電極或是將這些輔助尋址電極電氣耦接至一正電位端之后，更包括重復(fù)上述之步驟至少一次。
本發(fā)明通過尋址電極之間的輔助尋址電極來降低誤點亮的機率，并通過阻隔壁作為輔助尋址電極的保護(hù)層，以避免其在放電過程中受損。此外，本發(fā)明還可在進(jìn)行維持放電時將輔助尋址電極與尋址電極耦接至正電壓，進(jìn)而降低正離子撞擊熒光材料層的機率，以延長等離子體顯示器的壽命。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為一種公知的等離子體顯示器的立體分解示意圖。
圖2為本發(fā)明一較佳實施例的一種等離子體顯示器的立體分解圖。
圖3A與圖3B分別為本發(fā)明之一實施例中輔助尋址電極與尋址電極的布線方式示意圖。
圖4為本發(fā)明之等離子體顯示器的驅(qū)動方法之步驟流程圖。
圖5為本發(fā)明之一實例中所使用的驅(qū)動波形的示意圖。
主要元件符號說明100、200、300等離子體顯示器10、230前基板11介電層12保護(hù)層13、213放電空間15、214、314、304尋址電極20基板
21、220熒光材料層30、216阻隔層202第二基板204保護(hù)層205、XX電極205a、207a透明電極205、207b匯流電極206、306電極對207、YY電極208介電層210后基板212第一基板218、302輔助尋址電極300外部電路306連接導(dǎo)線
S400重新設(shè)置尋址電極與電極對，接著將輔助尋址電極電氣耦接至接地端S402輸入掃瞄信號至電極對，并輸入尋址信號至尋址電極S404輸入維持信號至電極對以及尋址電極，并且將輔助尋址電極電氣耦接至正電位端或是使其處于活動連接狀態(tài)具體實施方式
圖2為本發(fā)明一較佳實施例的一種等離子體顯示器的立體分解圖。請參照圖2，等離子體顯示器200主要包括后基板210以及前基板230。其中，后基板210包括第一基板212、尋址電極214、阻隔壁216、輔助尋址電極218以及熒光材料層220。阻隔壁216與尋址電極214分別配置在第一基板212上，且阻隔壁216在第一基板212上定義出多個放電空間213，且每一放電空間213內(nèi)配置有一尋址電極214。在本實施例中，阻隔壁216例如是具有多個互相平行的條狀圖案的膜層，且每一條狀圖案位于相鄰之尋址電極214之間，如圖2所示。
特別的是，輔助尋址電極218例如是長條狀的電極，且其配置在阻隔壁216與第一基板212之間。換言之，相鄰之尋址電極214間配置有輔助尋址電極218，且此輔助尋址電極218被阻隔壁216所覆蓋。輔助尋址電極218所電氣耦接的電位將視等離子體顯示器200的作動狀態(tài)而定，后續(xù)將對此做更進(jìn)一步地說明。而熒光材料層220則配置于放電空間213中的第一基板212上，并覆蓋住尋址電極214以及阻隔壁216之側(cè)壁，而熒光材料層220例如是分別包括有可發(fā)出紅、綠、藍(lán)三種顏色的熒光材料。
前基板230包括第二基板202、電極對206、介電208以及保護(hù)層204。第二基板202上配置有多對電極對206，且這些電極對206上覆蓋有介電層208及保護(hù)層204。其中，保護(hù)層204用以保護(hù)這些電極對206，使其避免在放電過程中受到損壞。保護(hù)層204之材質(zhì)例如是氧化鎂。
在一較佳實施例中，每一對電極對206例如是由互相平行的X電極205以及Y電極207所構(gòu)成，且其延伸方向與尋址電極214的延伸方向不同，例如是相互垂直。而且，X電極205例如是由透明電極205a與匯流電極(bus electrode)205b所構(gòu)成，而Y電極207例如是由透明電極207a與匯流電極207b所構(gòu)成。其中，透明電極205a與透明電極207a的材質(zhì)例如是銦錫氧化物或是其它可作為透明電極的材質(zhì)。匯流電極205b與匯流電極207b例如是由低電阻值之金屬材質(zhì)所構(gòu)成，并分別配置于透明電極205a與透明電極207a上，用以降低X電極205與Y電極207的電阻值。
在本實施例中，放電氣體(圖中未表示出)分別配置在這些阻隔壁216所定義出的放電空間213內(nèi)。當(dāng)施加電壓于X電極205以及Y電極207上，并輸入尋址信號至放電空間213內(nèi)的尋址電極214時，將會在此處的放電空間213內(nèi)產(chǎn)生等離子體，并激發(fā)出紫外線，而紫外線即會照射到放電空間213內(nèi)的熒光材料層220，進(jìn)而使等離子體顯示器200顯示出影像。
本發(fā)明之輔助尋址電極與尋址電極可具有多種布線方式，舉例來說，輔助尋址電極302可以是通過連接至其一端的連接導(dǎo)線306而彼此電氣耦接(如圖3A所示)，再通過其中至少一條輔助尋址電極302電氣耦接至外部電路300。另外，輔助尋址電極302還可以是通過從中間橫向貫連所有輔助尋址電極302的連接導(dǎo)線306而彼此電氣耦接(如圖3B所示)，再通過其中至少一條輔助尋址電極302電氣耦接至外部電路300。若連接導(dǎo)線306由中間橫向貫連輔助尋址電極302，則每一行像素中的尋址電極304必須分割為兩段，并分別連接至外部電路300，如圖3B所示。
當(dāng)然，以上所述之輔助尋址電極與尋址電極的布線方式僅用以舉例說明本發(fā)明，并非用以限定本發(fā)明之輔助尋址電極與尋址電極的布線方式。發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員可依照本發(fā)明之思想對其稍做修飾，惟其亦屬本發(fā)明之范圍。
以下將以圖2所示之等離子體顯示器200來說明本發(fā)明之等離子體顯示器的驅(qū)動方法。但本發(fā)明并未將此驅(qū)動方式限定在用以驅(qū)動圖2所繪示之等離子體顯示器200，只要是具有本發(fā)明所述之輔助尋址電極的等離子體顯示器，均可以以下所述之驅(qū)動方法來驅(qū)動。
圖4為本發(fā)明之等離子體顯示器的驅(qū)動方法之步驟流程圖。請同時參照圖2及圖4，首先進(jìn)行電極對206與尋址電極214的重新設(shè)置，接著將輔助尋址電極218電氣耦接至接地端，如步驟S400所述。之后再依據(jù)欲點亮之像素來選擇對應(yīng)之電極對206，以施加電壓于其上，并輸入尋址信號至對應(yīng)的尋址電極214，如步驟S402所述。
之后，輸入維持信號至電極對206與尋址電極214，并且將輔助尋址電極218電氣耦接至正電位或是使其處于活動連接狀態(tài)，如步驟S404所述。此時，倘若將輔助尋址電極218與尋址電極214上耦接至正電壓，即可避免由放電氣體所產(chǎn)生的正離子撞擊尋址電極214上的熒光材料層220而使其受損，以便于延長等離子體顯示器200的使用壽命。之后再重復(fù)步驟S400，如此不斷地重復(fù)上述步驟S400至步驟S404，以作動等離子體顯示器200。
其中，在重新設(shè)置電極對206與尋址電極214時，必需再次將輔助尋址電極218電氣耦接至接地端。換言之，除了在維持放電的狀態(tài)下，輔助尋址電極218均電氣耦接至接地端，以減少噪聲干擾，進(jìn)而降低鄰近之像素發(fā)生誤點亮的的機率。圖5為本發(fā)明之一實例中所使用的驅(qū)動波形的示意圖。
由上述可知，本發(fā)明在尋址電極之間配置輔助尋址電極，當(dāng)?shù)入x子體顯示器進(jìn)行尋址時，輔助尋址電極電氣耦接至接地端，以降低噪聲的干擾，避免在鄰近的像素中產(chǎn)生誤點亮的問題。而且，輔助尋址電極可與尋址電極在同一制造工藝中完成，由此可知本發(fā)明并不會增加制造工藝的復(fù)雜度。此外，本發(fā)明之輔助尋址電極配置在阻隔壁與基板之間，因此可通過阻隔壁來保護(hù)輔助尋址電極，使其不會在放電過程中遭到損壞。
另外，在輸入維持信號至欲點亮之像素的同時，可活動連接輔助尋址電極或是使其電氣耦接至正電位端。如此一來即可避免由放電氣體所產(chǎn)生的正離子撞擊尋址電極上的熒光材料層而使其受損，進(jìn)而延長等離子體顯示器的使用壽命。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員，在不脫離本發(fā)明之思想和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器，其特征是包括后基板，包括第一基板；多條尋址電極，配置于該第一基板上；阻隔壁，配置于該第一基板上，以定義出多個放電空間，且每一這些尋址電極對應(yīng)于這些放電空間至少其中之一；多個輔助尋址電極，配置于該阻隔壁與該第一基板之間；熒光材料層，配置于這些放電空間內(nèi)之該第一基板上，并覆蓋住這些尋址電極以及該阻隔壁之側(cè)壁；前基板，配置于該后基板之上方，且該前基板包括第二基板；多對電極對，配置于該第二基板上，并位于該第二基板與該后基板之間；以及放電氣體，配置于這些放電空間內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子體顯示器，其特征是更包括介電層以及保護(hù)層，其中該介電層配置于該第二基板上，并覆蓋住這些電極對，而該保護(hù)層則配置于該介電層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述之等離子體顯示器，其特征是該保護(hù)層之材質(zhì)包括氧化鎂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子體顯示器，其特征是這些輔助尋址電極為活動連接或是電氣耦接至接地端或正電位端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子體顯示器，其特征是該阻隔壁包括多個條狀圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述之等離子體顯示器，其特征是這些條狀圖案彼此平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子體顯示器，其特征是這些電極對為彼此平行之長條狀電極，且這些電極對之延伸方向不同于這些尋址電極之延伸方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述之等離子體顯示器，其特征是這些電極對之延伸方向垂直于這些尋址電極之延伸方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子體顯示器，其特征是每一這些電極對包括X電極以及Y電極。
10.一種等離子體顯示器之后基板，其特征是包括基板；多條尋址電極，配置于該基板上；阻隔壁，配置于該基板上，以定義出多個放電空間，且每一這些尋址電極對應(yīng)于這些這些放電空間至少其中之一；多個輔助尋址電極，配置于該阻隔壁與該基板之間；以及熒光材料層，配置于這些放電空間內(nèi)之該基板上，并覆蓋住這些尋址電極以及該阻隔壁之側(cè)壁。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述之等離子體顯示器之后基板，其特征是這些輔助尋址電極為活動連接或是電氣耦接至接地端或正電位端。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述之等離子體顯示器之后基板，其特征是該阻隔壁包括多個條狀圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述之等離子體顯示器之后基板，其特征是這些條狀圖案彼此平行。
14.一種等離子體顯示器的驅(qū)動方法，適于驅(qū)動權(quán)利要求1至9中之任何一項所述之等離子體顯示器，其特征是該等離子體顯示器的驅(qū)動方法包括(a)重新設(shè)置這些尋址電極以及這些電極對，接著將這些輔助尋址電極電氣耦接至接地端；(b)輸入掃瞄信號至這些電極對，并輸入尋址信號至這些尋址電極；以及(c)輸入維持信號至這些尋址電極以及這些電極對，并活動連接這些輔助尋址電極或是將這些輔助尋址電極電氣耦接至正電位端。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述之等離子體顯示器的驅(qū)動方法，其特征是在重新設(shè)置這些尋址電極與這些電極對之后，更包括重復(fù)步驟(a)至步驟(c)至少一次。
全文摘要
一種等離子體顯示器之后基板，包括基板、多個尋址電極、多個輔助尋址電極、阻隔壁以及熒光材料層。其中，阻隔壁配置在基板上而定義出多個放電空間，且每一放電空間中配置有一尋址電極。輔助尋址電極則配置于阻隔壁與基板之間。當(dāng)?shù)入x子體顯示器進(jìn)行尋址時，輔助尋址電極電氣耦接至接地端，因此可降低誤點亮的發(fā)生機率。
文檔編號H01J17/02GK1758407SQ200410080609
公開日2006年4月12日 申請日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月8日
發(fā)明者徐兆鋐, 簡鈺庭 申請人:中華映管股份有限公司