一種tft基板的制備方法及tft基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT基板的制備方法及TFT基板。該TFT基板包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括依次形成在透明基板上的柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏金屬層、絕緣介質(zhì)層和像素電極層，數(shù)據(jù)線與柵電極、柵線設(shè)在同一層，通過絕緣介質(zhì)層的第一過孔和第二過孔以及像素電極層的第一連接線連接數(shù)據(jù)線和源電極。該TFT基板的制備方法在原來5次光刻工藝的基礎(chǔ)上減少2次光刻，簡(jiǎn)化TFT制備工藝，降低生產(chǎn)成本提高生產(chǎn)效率，工藝步驟越少，產(chǎn)品的良品率越高，品質(zhì)越容易控制。
【專利說明】
一種TFT基板的制備方法及TFT基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板的制備方法及TFT基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著智能手機(jī)、平板電腦等產(chǎn)品的發(fā)展，TFT-LCD液晶顯示器得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，高性價(jià)比的TFT-LCD屏也不斷推入市場(chǎng)，竟而采用更為先進(jìn)的工藝技術(shù)、對(duì)工藝的優(yōu)化簡(jiǎn)化，降低生產(chǎn)成本成為在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中生存的有力保證。
[0003]TFT-1XD行業(yè)生產(chǎn)TFT主要為5次光刻技術(shù)，而部分廠商采用4次光刻技術(shù)。而對(duì)于TFT的生產(chǎn)目前采用的5次光刻和4光刻技術(shù)仍存在工藝技術(shù)復(fù)雜等問題。
[0004]在一份公告號(hào)為CN 102023432B的發(fā)明專利中公開了一種FFS型TFT-LCD陣列基板及其制備方法，其制備方法進(jìn)行3次光刻即可完成，但是其采用雙調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，柵線上存在殘留的半導(dǎo)體層，容易引起很大的寄存電容，影響結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，導(dǎo)致產(chǎn)品的不良；在一份公告號(hào)為CN 102315130B的發(fā)明專利中公開了一種薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法，其制備方法進(jìn)行3次光刻即可完成，但是其使用的高溫光刻膠比常規(guī)光刻膠成本更高，而且TFT玻璃基板不耐受高溫，不利于成本的降低和產(chǎn)品良率的提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種TFT基板的制備方法及其TFT基板。該TFT基板將數(shù)據(jù)線與柵電極、柵線設(shè)在同一層，通過絕緣介質(zhì)層的第一過孔和第二過孔以及像素電極層的第一連接線連接數(shù)據(jù)線和源電極，其制備方法在原來5次光刻工藝的基礎(chǔ)上減少2次光刻，簡(jiǎn)化TFT制備工藝，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，工藝步驟越少，產(chǎn)品的良品率越尚，品質(zhì)越容易控制。
[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
一種TFT基板的制備方法，包括如下步驟:
S1:在透明基板上依次沉積柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和源/漏金屬層；
52:在所述源/漏金屬層上涂覆第一光刻膠，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、柵線、柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體溝道、源電極和漏電極；
53:在S2所述的基板上沉積絕緣介質(zhì)層；
54:在所述絕緣介質(zhì)層上涂覆第二光刻膠，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成分別位于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上方的絕緣介質(zhì)層的第一過孔、第二過孔和第三過孔；
55:在S4所述的基板上沉積像素電極層；
S6:在所述像素電極層上涂覆第三光刻膠，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成像素電極、數(shù)據(jù)線和源電極的第一連接線、漏電極和像素電極的第二連接線。
[0007]進(jìn)一步地，在步驟SI之前，還包括步驟S0:提供一透明基板，清潔所述透明基板，去掉所述透明基板上的污物。
[0008]進(jìn)一步地，所述步驟S2包括: S21:對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第一光刻膠圖案，其中，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域的第一光刻膠具有第一厚度，柵線區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域和半導(dǎo)體溝道區(qū)域的第一光刻膠具有第二厚度，其它區(qū)域無第一光刻膠覆蓋，所述第一厚度比第二厚度大；
S22:通過刻蝕工藝，去掉沒有被第一光刻膠覆蓋的所述其它區(qū)域的源/漏金屬層、半導(dǎo)體層和柵絕緣層，形成數(shù)據(jù)線、柵線、柵電極和柵絕緣層；
S23:對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去掉第二厚度的第一光刻膠，暴露出柵線區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域以及半導(dǎo)體溝道區(qū)域的源/漏金屬層；
524:通過刻蝕工藝，刻蝕暴露出的源/漏金屬層及其下方半導(dǎo)體層，形成半導(dǎo)體溝道、源電極和漏電極；
525:對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第一光刻膠。
[0009]進(jìn)一步地，所述S4包括:
S41:對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第二光刻膠圖案，其中，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域、柵線區(qū)域的第二光刻膠具有第三厚度，數(shù)據(jù)線區(qū)域無第二光刻膠覆蓋，其它區(qū)域的第二光刻膠具有第四厚度，所述第四厚度大于第三厚度；
S42:通過刻蝕工藝，去掉沒有被第二光刻膠覆蓋的數(shù)據(jù)線區(qū)域的絕緣介質(zhì)層，暴露出數(shù)據(jù)線區(qū)域的柵絕緣層和半導(dǎo)體層；
S43:對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去掉第三厚度的光刻膠，暴露出源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域和柵線區(qū)域的絕緣介質(zhì)層；
S44:通過刻蝕工藝，去掉數(shù)據(jù)線區(qū)域的柵絕緣層和半導(dǎo)體層、源/漏電極區(qū)域上的絕緣介質(zhì)層、柵線區(qū)域上的半導(dǎo)體層和絕緣介質(zhì)層、數(shù)據(jù)線區(qū)域上的柵絕緣層和半導(dǎo)體層，形成分別位于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上方的絕緣介質(zhì)層的第一過孔、第二過孔和第三過孔；S45:對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第二光刻膠。
[0010]進(jìn)一步地，所述S6包括:
S61:對(duì)所述第三光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第三光刻膠圖案，其中，所述半導(dǎo)體溝道區(qū)域和柵線區(qū)域無第三光刻膠覆蓋；
S62:通過刻蝕工藝，去掉無第三光刻膠覆蓋的半導(dǎo)體溝道區(qū)域和柵線區(qū)域的像素電極層，形成像素電極、數(shù)據(jù)線和源電極的第一連接線、漏電極和像素電極的第二連接線；
S63:對(duì)所述第三光刻膠進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第三光刻膠。
[0011]進(jìn)一步地，步驟S21中利用灰階掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，數(shù)據(jù)線區(qū)域、柵線區(qū)域和半導(dǎo)體溝道區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的部分透光部位，源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的不透光部位，其他區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的完全透光部位。
[0012]進(jìn)一步地，步驟S41中利用灰階掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，數(shù)據(jù)線區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的完全透光部位，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域和柵線區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的部分透光部位，其他區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的不透光部位。
[0013]—種TFT基板，包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括依次形成在透明基板上的柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏金屬層、絕緣介質(zhì)層和像素電極層，其中:
所述柵金屬層包括柵電極、橫向的柵線和豎向的數(shù)據(jù)線，所述柵電極和柵線連接，所述數(shù)據(jù)線和柵電極、柵線斷開；
所述柵絕緣層位于所述柵電極和柵線上，用于將柵線/柵電極與源電極/漏電極絕緣； 所述半導(dǎo)體層位于所述柵電極的柵絕緣層上，其上形成有半導(dǎo)體溝道；
所述源/漏金屬層包括源電極和漏電極，分別位于所述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體溝道兩側(cè)上方；
所述絕緣介質(zhì)層用于將半導(dǎo)體層、柵電極與像素電極層絕緣，其數(shù)據(jù)線處設(shè)有第一過孔、源電極處設(shè)有第二過孔、漏電極處設(shè)有第三過孔；
所述像素電極層包括像素電極和第一連接線、第二連接線。
[0014]進(jìn)一步地，所述源電極通過絕緣介質(zhì)層上的第一過孔、第二過孔以及像素電極層上的第一連接線與數(shù)據(jù)線連接，所述漏電極通過絕緣介質(zhì)層上的第三過孔以及像素電極層上的第二連接線與像素電極連接。
[0015]本發(fā)明具有如下有益效果:
1.該TFT基板將數(shù)據(jù)線與柵電極、柵線設(shè)在同一層，通過絕緣介質(zhì)層的第一過孔和第二過孔以及像素電極層的第一連接線連接數(shù)據(jù)線和源電極，其制備方法在原來5次光刻工藝的基礎(chǔ)上減少2次光刻，簡(jiǎn)化TFT的制備工藝，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，工藝步驟越少，廣品的良品率越尚，品質(zhì)越容易控制；
2.采用灰階掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行掩膜和刻蝕，操作性更強(qiáng)，不會(huì)在柵線上殘留半導(dǎo)體層，其影響結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，廣品的良品率尚;
3.光刻膠為常規(guī)的光刻膠，生產(chǎn)成本低，光刻膠在正常溫度下即可進(jìn)行刻蝕和剝離，不會(huì)對(duì)TFT玻璃基板造成損壞，其產(chǎn)品的良品率更高。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明提供的TFT基板的示意圖；
圖2為圖1所示的TFT基板的A-A剖面圖；
圖3為圖1所示的TFT基板的B-B剖面圖；
圖4為在透明基板上形成柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏金屬層后的剖面圖；
圖5a-5b為圖4的結(jié)構(gòu)上涂覆第一光刻膠后，對(duì)第一光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝后的剖面圖；
圖6a_6b為對(duì)圖5a_5b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖；
圖7a_7b為對(duì)圖6a_6b中的第一光刻膠進(jìn)行灰化工藝后的剖面圖；
圖8a_8b為對(duì)圖6a_6b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖；
圖9a_9b為對(duì)圖8a_8b中的第一光刻膠脫膜剝離后的剖面圖；
圖1Oa-1Ob為對(duì)圖9a_9b的結(jié)構(gòu)形成絕緣介質(zhì)層后的剖面圖；
圖1la-1lb為對(duì)圖1Oa-1Ob的結(jié)構(gòu)涂覆第二光刻膠后，對(duì)第二光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝后的剖面圖；
圖12a-12b為對(duì)圖1 la-1 Ib的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖；
圖13a-13b為對(duì)圖12a-12b中的第二光刻膠進(jìn)行灰化工藝后的剖面圖；
圖14a-14b為對(duì)圖13a-13b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖；
圖15a-15b為對(duì)圖14a-14b中的第二光刻膠脫膜剝離后的剖面圖；
圖16a-16b為對(duì)圖15a-15b的結(jié)構(gòu)形成像素電容層后的剖面圖；
圖17a-17b為對(duì)圖16a-16b的結(jié)構(gòu)涂覆第三光學(xué)膠后，對(duì)第三光學(xué)膠進(jìn)行灰階掩膜工藝后的剖面圖；
圖18a-18b為對(duì)圖17a-17b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖；
圖19a-19b為對(duì)圖18a-18b中的第三光刻膠脫膜剝離后的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0018]實(shí)施例1
如圖4-1%所示，一種TFT基板的制備方法，包括如下步驟:
S1:在透明基板I上依次沉積柵金屬層2、柵絕緣層3、半導(dǎo)體層5和源/漏金屬層5。
[0019]本步驟中的柵金屬層2和源/漏金屬層5的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為Al、Cu、Mo或Cr等，柵絕緣層3的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，半導(dǎo)體層5的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為單晶硅、多晶硅或非晶硅等。
[0020]S2:在所述源/漏金屬層5上涂覆第一光刻膠8，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成數(shù)據(jù)線22、柵線23、柵電極21、柵絕緣層3、半導(dǎo)體溝道41、源電極52和漏電極51。
[0021 ]其中，所述步驟S2包括:
S21:對(duì)所述第一光刻膠8進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第一光刻膠8圖案，其中，源電極52區(qū)域、漏電極51區(qū)域的第一光刻膠8具有第一厚度，柵線23區(qū)域、數(shù)據(jù)線22區(qū)域和半導(dǎo)體溝道41區(qū)域的第一光刻膠8具有第二厚度，其它區(qū)域無第一光刻膠8覆蓋，所述第一厚度比第二厚度大；
S22:通過刻蝕工藝，去掉沒有被第一光刻膠8覆蓋的所述其它區(qū)域的源/漏金屬層5、半導(dǎo)體層5和柵絕緣層3，形成數(shù)據(jù)線22、柵線23、柵電極21和柵絕緣層3;
523:對(duì)所述第一光刻膠8進(jìn)行灰化工藝，去掉第二厚度的第一光刻膠8，暴露出柵線23區(qū)域、數(shù)據(jù)線22區(qū)域以及半導(dǎo)體溝道41區(qū)域的源/漏金屬層5;
524:通過刻蝕工藝，刻蝕暴露出的源/漏金屬層5及其下方半導(dǎo)體層5，形成半導(dǎo)體溝道41、源電極52和漏電極51;
525:對(duì)所述第一光刻膠8進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第一光刻膠8。
[0022]S3:在S2所述的基板上沉積絕緣介質(zhì)層6。
[0023 ]本步驟中的介質(zhì)絕緣層優(yōu)選但不限定為氮化娃、氧化娃或氮氧化娃等。
[0024]S4:在所述絕緣介質(zhì)層6上涂覆第二光刻膠9，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成分別位于數(shù)據(jù)線22、源電極52和漏電極51上方的絕緣介質(zhì)層6的第一過孔61、第二過孔62和第三過孔63。
[0025]其中，所述S4包括:
S41:對(duì)所述第二光刻膠9進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第二光刻膠9圖案，其中，源電極52區(qū)域、漏電極51區(qū)域、柵線23區(qū)域的第二光刻膠9具有第三厚度，數(shù)據(jù)線22區(qū)域無第二光刻膠9覆蓋，其它區(qū)域的第二光刻膠9具有第四厚度，所述第四厚度大于第三厚度；
S42:通過刻蝕工藝，去掉沒有被第二光刻膠9覆蓋的數(shù)據(jù)線22區(qū)域的絕緣介質(zhì)層6，暴露出數(shù)據(jù)線22區(qū)域的柵絕緣層3和半導(dǎo)體層5;
S43:對(duì)所述第二光刻膠9進(jìn)行灰化工藝，去掉第三厚度的光刻膠，暴露出源電極52區(qū)域、漏電極51區(qū)域和柵線23區(qū)域的絕緣介質(zhì)層6;
S44:通過刻蝕工藝，去掉數(shù)據(jù)線22區(qū)域的柵絕緣層3和半導(dǎo)體層5、源/漏電極51區(qū)域上的絕緣介質(zhì)層6、柵線23區(qū)域上的半導(dǎo)體層5和絕緣介質(zhì)層6、數(shù)據(jù)線22區(qū)域上的柵絕緣層3和半導(dǎo)體層5，形成分別位于數(shù)據(jù)線22、源電極52和漏電極51上方的絕緣介質(zhì)層6的第一過孔61、第二過孔62和第三過孔63 ；
S45:對(duì)所述第二光刻膠9進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第二光刻膠9。
[0026]S5:在S4所述的基板上沉積像素電極層7。
[0027]本步驟中的像素電極層7的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為ΙΤ0。
[0028]S6:在所述像素電極層7上涂覆第三光刻膠10，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成像素電極73、數(shù)據(jù)線22和源電極52的第一連接線71、漏電極51和像素電極73的第二連接線72。
[0029]其中，所述S6包括:
S61:對(duì)所述第三光刻膠10進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第三光刻膠10圖案，其中，所述半導(dǎo)體溝道41區(qū)域和柵線23區(qū)域無第三光刻膠10覆蓋；
S62:通過刻蝕工藝，去掉無第三光刻膠10覆蓋的半導(dǎo)體溝道41區(qū)域和柵線23區(qū)域的像素電極層7，形成像素電極73、數(shù)據(jù)線22和源電極52的第一連接線71、漏電極51和像素電極73的第二連接線72;
S63:對(duì)所述第三光刻膠10進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第三光刻膠10。
[0030]該制備方法通過將數(shù)據(jù)線22與柵電極21、柵線23設(shè)在同一層，通過絕緣介質(zhì)層6的第一過孔61和第二過孔62以及像素電極層3的第一連接線71連接數(shù)據(jù)線22和源電極52，在原來5次光刻工藝的基礎(chǔ)上減少2次光刻，簡(jiǎn)化TFT的制備工藝，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，工藝步驟越少，產(chǎn)品的良品率越高，品質(zhì)越容易控制;采用灰階掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行掩膜和刻蝕，操作性更強(qiáng)，不會(huì)在柵線上殘留半導(dǎo)體層，其影響結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，產(chǎn)品的良品率高；光刻膠為常規(guī)的光刻膠，生產(chǎn)成本低，光刻膠在正常溫度下即可進(jìn)行刻蝕和剝離，不會(huì)對(duì)TFT玻璃基板造成損壞，其產(chǎn)品的良品率更高。
[0031]優(yōu)選地，在步驟SI之前，還包括步驟S0:提供一透明基板1，清潔所述透明基板1，去掉所述透明基板I上的污物。
[0032]本步驟中的透明基板I優(yōu)選但不限定為玻璃基板。
[0033]優(yōu)選地，步驟S21中利用灰階掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，數(shù)據(jù)線22區(qū)域、柵線23區(qū)域和半導(dǎo)體溝道41區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的部分透光部位，源電極52區(qū)域和漏電極51區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的不透光部位，其他區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的完全透光部位。
[0034]優(yōu)選地，步驟S41中利用灰階掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，數(shù)據(jù)線22區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的完全透光部位，源電極52區(qū)域、漏電極51區(qū)域和柵線23區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的部分透光部位，其他區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的不透光部位。
[0035]實(shí)施例2
如圖1-3所示，一種TFT基板，包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括依次形成在透明基板I上的柵金屬層2、柵絕緣層3、半導(dǎo)體層5、源/漏金屬層5、絕緣介質(zhì)層6和像素電極層7，其中:
所述柵金屬層2包括柵電極21、橫向的柵線23和豎向的數(shù)據(jù)線22，所述柵電極21和柵線23連接，所述數(shù)據(jù)線22和柵電極21、柵線23斷開；
所述柵絕緣層3位于所述柵電極21和柵線23上，用于將柵線23/柵電極21與源電極52/漏電極51絕緣； 所述半導(dǎo)體層5位于所述柵電極21的柵絕緣層3上，其上形成有半導(dǎo)體溝道41;
所述源/漏金屬層5包括源電極52和漏電極51，分別位于所述半導(dǎo)體層5的半導(dǎo)體溝道41兩側(cè)上方；
所述絕緣介質(zhì)層6用于將半導(dǎo)體層5、柵電極21與像素電極層7絕緣，其數(shù)據(jù)線22處設(shè)有第一過孔61、源電極52處設(shè)有第二過孔62、漏電極51處設(shè)有第三過孔63;
所述像素電極層7包括像素電極73和第一連接線71、第二連接線72。
[0036]該TFT基板將數(shù)據(jù)線22與柵電極21、柵線23設(shè)在同一層，通過絕緣介質(zhì)層6的第一過孔61和第二過孔62以及像素電極層7的第一連接線31連接數(shù)據(jù)線22和源電極52，其制備方法在原來5次光刻工藝的基礎(chǔ)上減少2次光刻，簡(jiǎn)化TFT的制備工藝，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，工藝步驟越少，產(chǎn)品的良品率越高，品質(zhì)越容易控制;采用灰階掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行掩膜和刻蝕，操作性更強(qiáng)，不會(huì)在柵線上殘留半導(dǎo)體層，其影響結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，產(chǎn)品的良品率高;光刻膠為常規(guī)的光刻膠，生產(chǎn)成本低，光刻膠在正常溫度下即可進(jìn)行刻蝕和剝離，不會(huì)對(duì)TFT玻璃基板造成損壞，其產(chǎn)品的良品率更高。
[0037]其中，所述源電極52通過絕緣介質(zhì)層6上的第一過孔61、第二過孔62以及像素電極層7上的第一連接線71與數(shù)據(jù)線22連接，所述漏電極51通過絕緣介質(zhì)層6上的第三過孔63以及像素電極層7上的第二連接線72與像素電極73連接。
[0038]柵金屬層2和源/漏金屬層5的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為Al、Cu、Mo或Cr等，柵絕緣層3的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，半導(dǎo)體層5的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為單晶硅、多晶硅或非晶硅等，介質(zhì)絕緣層優(yōu)選但不限定為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，像素電極層7的材質(zhì)優(yōu)選但不限定為ΙΤ0。
[0039]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制，但凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術(shù)方案，均應(yīng)落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種TFT基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: S1:在透明基板上依次沉積柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和源/漏金屬層； 52:在所述源/漏金屬層上涂覆第一光刻膠，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、柵線、柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體溝道、源電極和漏電極； 53:在S2所述的基板上沉積絕緣介質(zhì)層； 54:在所述絕緣介質(zhì)層上涂覆第二光刻膠，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成分別位于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上方的絕緣介質(zhì)層的第一過孔、第二過孔和第三過孔； 55:在S4所述的基板上沉積像素電極層； S6:在所述像素電極層上涂覆第三光刻膠，進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成像素電極、數(shù)據(jù)線和源電極的第一連接線、漏電極和像素電極的第二連接線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，在步驟SI之前，還包括步驟SO:提供一透明基板，清潔所述透明基板，去掉所述透明基板上的污物。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S2包括: S21:對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第一光刻膠圖案，其中，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域的第一光刻膠具有第一厚度，柵線區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域和半導(dǎo)體溝道區(qū)域的第一光刻膠具有第二厚度，其它區(qū)域無第一光刻膠覆蓋，所述第一厚度比第二厚度大； S22:通過刻蝕工藝，去掉沒有被第一光刻膠覆蓋的所述其它區(qū)域的源/漏金屬層、半導(dǎo)體層和柵絕緣層，形成數(shù)據(jù)線、柵線、柵電極和柵絕緣層； S23:對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去掉第二厚度的第一光刻膠，暴露出柵線區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域以及半導(dǎo)體溝道區(qū)域的源/漏金屬層； S24:通過刻蝕工藝，刻蝕暴露出的源/漏金屬層及其下方半導(dǎo)體層，形成半導(dǎo)體溝道、源電極和漏電極； S25:對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第一光刻膠。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，所述S4包括: S41:對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第二光刻膠圖案，其中，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域、柵線區(qū)域的第二光刻膠具有第三厚度，數(shù)據(jù)線區(qū)域無第二光刻膠覆蓋，其它區(qū)域的第二光刻膠具有第四厚度，所述第四厚度大于第三厚度； S42:通過刻蝕工藝，去掉沒有被第二光刻膠覆蓋的數(shù)據(jù)線區(qū)域的絕緣介質(zhì)層，暴露出數(shù)據(jù)線區(qū)域的柵絕緣層和半導(dǎo)體層； S43:對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去掉第三厚度的光刻膠，暴露出源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域和柵線區(qū)域的絕緣介質(zhì)層； S44:通過刻蝕工藝，去掉數(shù)據(jù)線區(qū)域的柵絕緣層和半導(dǎo)體層、源/漏電極區(qū)域上的絕緣介質(zhì)層、柵線區(qū)域上的半導(dǎo)體層和絕緣介質(zhì)層、數(shù)據(jù)線區(qū)域上的柵絕緣層和半導(dǎo)體層，形成分別位于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極上方的絕緣介質(zhì)層的第一過孔、第二過孔和第三過孔； S45:對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第二光刻膠。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，所述S6包括: S61:對(duì)所述第三光刻膠進(jìn)行灰階掩膜工藝，形成第三光刻膠圖案，其中，所述半導(dǎo)體溝道區(qū)域和柵線區(qū)域無第三光刻膠覆蓋； S62:通過刻蝕工藝，去掉無第三光刻膠覆蓋的半導(dǎo)體溝道區(qū)域和柵線區(qū)域的像素電極層，形成像素電極、數(shù)據(jù)線和源電極的第一連接線、漏電極和像素電極的第二連接線； S63:對(duì)所述第三光刻膠進(jìn)行脫膜，剝離剩余的第三光刻膠。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，步驟S21中利用灰階掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，數(shù)據(jù)線區(qū)域、柵線區(qū)域和半導(dǎo)體溝道區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的部分透光部位，源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的不透光部位，其他區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的完全透光部位。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，步驟S41中利用灰階掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，數(shù)據(jù)線區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的完全透光部位，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域和柵線區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的部分透光部位，其他區(qū)域?qū)?yīng)掩膜板的不透光部位。8.一種TFT基板，包括多個(gè)像素單元，其特征在于，每個(gè)像素單元包括依次形成在透明基板上的柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏金屬層、絕緣介質(zhì)層和像素電極層，其中: 所述柵金屬層包括柵電極、橫向的柵線和豎向的數(shù)據(jù)線，所述柵電極和柵線連接，所述數(shù)據(jù)線和柵電極、柵線斷開； 所述柵絕緣層位于所述柵電極和柵線上，用于將柵線/柵電極與源電極/漏電極絕緣； 所述半導(dǎo)體層位于所述柵電極的柵絕緣層上，其上形成有半導(dǎo)體溝道； 所述源/漏金屬層包括源電極和漏電極，分別位于所述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體溝道兩側(cè)上方； 所述絕緣介質(zhì)層用于將半導(dǎo)體層、柵電極與像素電極層絕緣，其數(shù)據(jù)線處設(shè)有第一過孔、源電極處設(shè)有第二過孔、漏電極處設(shè)有第三過孔； 所述像素電極層包括像素電極和第一連接線、第二連接線。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述源電極通過絕緣介質(zhì)層上的第一過孔、第二過孔以及像素電極層上的第一連接線與數(shù)據(jù)線連接，所述漏電極通過絕緣介質(zhì)層上的第三過孔以及像素電極層上的第二連接線與像素電極連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK106057736SQ201610620519
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年8月2日
【發(fā)明人】黃茜, 于春琦, 李林, 譚曉彬, 胡家堅(jiān), 丁文濤
【申請(qǐng)人】信利半導(dǎo)體有限公司