過插入模造(Insert Molding)或注入模造(Inject1n Molding)制程直接地形成在發(fā)光二極管芯片110上，且包括底部126中心Cl以及對應(yīng)于底部126形成的出光面124，其中發(fā)光二極管芯片110位于底部126的中心線Vp上，最佳是設(shè)置在底部中心Cl的位置。換句話說，模造透鏡120包括底部126以及出光面124，其中，如圖2所示，發(fā)光二極管芯片110埋在模造透鏡120中，且出光面124的位置對應(yīng)于底部126。出光面124包括凹部122、第一出光區(qū)124a以及第二出光區(qū)124b。第一出光區(qū)124a圍繞凹部122，而第二出光區(qū)124b圍繞第一出光區(qū)124a。第一出光區(qū)124a連接于凹部122與第二出光區(qū)124b之間。
[0033]具體的，凹部122可對稱于底部126中心線Vp。更具體舉例來說，凹部122可以是圓錐形凹部，其中圓錐形凹部的頂點朝向發(fā)光二極管芯片110。一般而言，圓錐形凹部的頂角Θ在45度至150度之間。在本實施例中，圓錐形凹部的頂角0在70度至120度之間可以得到較佳的出光效果。
[0034]請參照圖2，沿第一出光區(qū)124a連接至凹部122的一端El到第一出光區(qū)124a連接至第二出光區(qū)124b的另一端E2的方向上，底部126中心Cl與出光面124之間的距離為平順且逐漸地增加。第一出光區(qū)124a連接至凹部122的一端El與底部126中心Cl連成第一參考線，第一出光區(qū)124a連接至第二出光區(qū)124b的另一端E2與底部126中心Cl連成第二參考線，第一參考線與第二參考線的夾角Qtl在3度至70度之間。此外，沿第一出光區(qū)124a連接至第二出光區(qū)124b的一端E2到第二出光區(qū)124b連接至模造透鏡120的底部126的另一端E3的方向上，底部126中心Cl與出光面124之間的距離可為平順且逐漸地增加或減少。在本實施例中，沿一端E2到一端E3的方向上，底部126中心Cl與出光面124之間的距離為減少，但本發(fā)明不以此為限。
[0035]參看圖3和圖4，圖3是圖1中發(fā)光組件的光強度分布圖，圖4是圖1中發(fā)光組件的光型分布圖。在圖3的光強度分布圖中，縱軸代表光強度，單位為瓦特/球面度(W/sr)，橫軸代表與發(fā)光二極管芯片110的中心軸的夾角。在圖3與圖4的光型分布圖中，以粗線繪示的0.0方向?qū)?yīng)于面對發(fā)光組件100的水平方向，以細線繪示的90.0方向?qū)?yīng)于面對發(fā)光組件100的垂直方向，圖4徑向方向?qū)?yīng)于光強度，且越遠離中心光強度越高。如圖所示，發(fā)光組件100的光強度分布實質(zhì)上為具有多個峰值的多模態(tài)分布。因此，通過模造透鏡120的配置，發(fā)光組件100能夠提供廣角出光效果及高出光均勻度。需說明的是，上述數(shù)值僅為示例，本發(fā)明并不限于此。
[0036]參看圖5及圖6，圖5是本發(fā)明第二實施例的發(fā)光組件的示意圖，圖6是圖5中發(fā)光組件的剖面示意圖。值得注意的是，在圖5及圖6中的發(fā)光組件200包含與先前用圖1及圖2揭露之發(fā)光組件100相同或相似的許多特征。為簡潔起見，相同或相似的許多特征的詳細描述可省略，且在這些圖示及描述中被使用的類似標號代表相同或相似的構(gòu)件。
[0037]第二實施例的發(fā)光組件200與第一實施例的發(fā)光組件100的主要差異在于:在第二實施例中，如圖5所示，凹部222可包括第一 V形凹部，第一 V形凹部包括以非共平面的方式互相連接的第一平面222a與第二平面222b，且在剖面視角上頂角(θ 1+ Θ 2)形成于第一平面222a與第二平面222b之間。
[0038]頂角(θ 1+ Θ 2)可在45度至150度之間。在第二實施例中，頂角(θ 1+ Θ 2)為在70度至120度之間。具體的，頂角(0片02)包括形成于第一平面222a與垂直面VP之間的第一頂角G1以及形成于第二平面222b與垂直面VP之間的第二頂角Θ 2。在第二實施例中，凹部222不對稱于底部226中心線，且第一頂角Q1的角度與第二頂角Θ 2的角度不同。第一頂角Q1可在20度至75度之間，且第二頂角Θ 2可同樣在20度至75度之間。在本實施例中，第一頂角Q1等于45度，且第二頂角Θ 2等于70度。需說明的是，上述數(shù)值范圍僅為示例，本發(fā)明并不限于此。另外，在其他實施例中，凹部222可對稱于底部226中心線。也就是說，第一頂角Q1的角度等于第二頂角Θ 2的角度。
[0039]參看圖7和圖8，圖7是圖5中發(fā)光組件的光強度分布圖，圖8是圖5中發(fā)光組件的光型分布圖。在圖7的光強度分布圖中，與圖3類似地，縱軸代表光強度，單位為瓦特/球面度(W/sr)，橫軸代表與發(fā)光二極管芯片210的中心軸的夾角。在圖7與圖8的光型分布圖中，與圖4類似地，以粗線繪示的0.0方向?qū)?yīng)于面對發(fā)光組件200的水平方向，以細線繪示的90.0方向?qū)?yīng)于面對發(fā)光組件200的垂直方向，圖8徑向方向?qū)?yīng)于光強度，且越遠離中心光強度越高。如圖所示，發(fā)光組件200的光強度分布實質(zhì)上為具有多個峰值的多模態(tài)分布。因此，通過模造透鏡220的配置，發(fā)光組件200能夠提供廣角出光效果及高出光均勻度。
[0040]參看圖9及圖10，圖9是本發(fā)明第三實施例的發(fā)光組件的示意圖，圖10是圖9中發(fā)光組件的俯視圖。值得注意的是，圖9及圖10所示的發(fā)光組件300包含與先前用圖5及圖6揭露的發(fā)光組件200相同或相似的許多特征。為簡潔起見，相同或相似的許多特征的詳細描述可省略，且在這些圖示及描述中被使用的類似標號代表相同或相似的構(gòu)件。
[0041]第三實施例的發(fā)光組件300與第二實施例的發(fā)光組件200的主要差異在于:凹部322不僅包括第一 V形凹部322a，還包括與第一 V形凹部322a相交的第二 V形凹部322b。具體的，第一 V形凹部322a的頂角包括圖10所示的第一頂角Θ i與第二頂角Θ 2。在本實施例中，第一頂角G1的角度與第二頂角Θ 2的角度可不同。類似地，第二 V形凹部322b的頂角包括圖10所示的第三頂角Θ/與第四頂角02’，且第三頂角O1’的角度與第四頂角θ2’的角度可不同。在本實施例中，第一 V形凹部322a的形狀與第二 V形凹部322b的形狀不同，也就是說，第一頂角Q1、第二頂角θ2、第三頂角O1’與第四頂角02’中的任一個可不同于第一頂角Q1、第二頂角θ2、第三頂角O1’與第四頂角02’中的其他一個。需說明的是，上述實施例僅為示例，本發(fā)明不限于此。另外，在其他實施例中，凹部322可為對稱的。也就是，第一頂角Q1、第二頂角θ2、第三頂角O1’與第四頂角θ2’可相同，或其中部分頂角可相同，而部分頂角可不相同。本發(fā)明不以此為限。
[0042]參看圖11及圖12，圖11是圖9中發(fā)光組件的光強度分布圖，圖12是圖9中發(fā)光組件的光型分布圖。在圖11的光強度分布圖中，與圖3及圖7類似地，圖11中的縱軸代表光強度，單位為瓦特/球面度(W/sr)，橫軸代表與發(fā)光二極管芯片的中心軸的夾角。在圖11與圖12的光型分布圖中，與圖4及圖8類似地，以粗線繪示的0.0方向?qū)?yīng)于面對發(fā)光組件300的水平方向，以細線繪示的90.0方向?qū)?yīng)于面對發(fā)光組件300的垂直方向，圖12徑向方向?qū)?yīng)于光強度，且越遠離中心光強度越高。如圖所示，發(fā)光組件300的光強度分布實質(zhì)上為具有多個峰值的多模態(tài)分布。因此，通過模造透鏡320的配置，發(fā)光組件300能夠提供廣角出光效果及高出光均勻度。
[0043]參看圖13，圖13是本發(fā)明第四實施例的發(fā)光組件的剖面示意圖。值得注意的是，圖13所示的發(fā)光組件400包含與先前用圖1揭露的發(fā)光組件100相同